CN110741744A - 电磁波吸收体和带电磁波吸收体的成形品 - Google Patents

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Abstract

电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)具有200～600Ω/□的薄层电阻。在对电阻层(20)进行将电阻层(20)在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，浸渍处理前的电阻层(20)的薄层电阻与浸渍处理后的电阻层(20)的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□。

Description

电磁波吸收体和带电磁波吸收体的成形品
技术领域
本发明涉及电磁波吸收体和带电磁波吸收体的成形品。
背景技术
近年来，具有1～10mm左右的波长和30～300GHz的频率的毫米波、亚毫米波的区域的电磁波被用作信息通信介质。正在研究将这种电磁波用于防撞***。防撞***是例如在车辆中检测到障碍物并自动制动、或测定周围车辆的速度、车辆间距离并调节本车的速度、车辆间距离的***。为了使防撞***正常工作，重要的是尽量避免接收不需要的电磁波，以防止误识别。因此，可以考虑在防撞***中利用用于吸收不需要的电磁波的电磁波吸收体。
电磁波吸收体根据电磁波吸收的原理的不同而存在很多种类。例如，具备电磁波反射层、具有λ/4(λ为作为吸收对象的电磁波的波长)的厚度的电介质层、和电阻薄膜层的电磁波吸收体(有时称为“λ/4型电磁波吸收体”)，由于其材料相对低廉，设计容易，因而能够以低成本制作。例如，专利文献1中，作为λ/4型电磁波吸收体，提出了一种发挥在宽的入射角度的区域内起作用这样的特性的电磁波吸收体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-198179号公报
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1中，对于电磁波吸收体的使用环境中特有的耐久性(例如，耐化学药品性)未进行具体研究。
为此，本发明提供一种具备有利于发挥良好的耐化学药品性的电阻层的电磁波吸收体。另外，本发明还提供具备这种电磁波吸收体的带电磁波吸收体的成形品。
用于解决问题的方案
本发明提供一种电磁波吸收体，其具备：
电介质层；
设置在前述电介质层的一个主表面上的电阻层；以及，
设置在前述电介质层的另一个主表面上，具有比前述电阻层的薄层电阻更低的薄层电阻的导电层，
前述电阻层具有200～600Ω/□的薄层电阻，
在对前述电阻层进行在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，前述浸渍处理前的前述电阻层的薄层电阻与前述浸渍处理后的前述电阻层的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□。
另外，本发明提供一种带电磁波吸收体的成形品，其具备成形品、和
安装在前述成形品上的上述电磁波吸收体。
发明的效果
上述电磁波吸收体中，电阻层具有良好的耐化学药品性。
附图说明
图1是示出本发明的电磁波吸收体的一个例子的截面图。
图2是示出本发明的带电磁波吸收体的成形品的一个例子的侧视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，下述的说明是对本发明的示例性的说明，本发明并不限于下述的实施方式。
本发明人等在研究将电磁波吸收体用于防撞***的过程中，新发现了下述技术问题。例如，在电磁波吸收体被用于防撞***的情况下，电磁波吸收体会被设置在汽车等车辆上。有时会为了对车辆进行维护而使用洗涤剂等化学药品。例如，碱性的溶液有时会用于车辆的清洗。因此，设置在车辆上的电磁波吸收体在车辆的清洗过程中接触到这种化学药品的可能性高。尤其是λ/4型电磁波吸收体中的电阻层位于电磁波吸收体的表面附近，因此容易受到这种化学药品的影响。因此，如果电磁波吸收体的电阻层具有良好的耐化学药品性，则可以提供高付加值的λ/4型电磁波吸收体。
为此，本发明人等经过反复试验，确定了能够为电阻层带来良好的耐化学药品性的材料。基于这种新的见解，本发明人等设计出了本发明的电磁波吸收体。需要说明的是，本发明人等对使用用于平板显示器和太阳能电池等技术领域中的ITO是否能够为λ/4型电磁波吸收体的电阻层带来良好的耐化学药品性进行了研究。研究结果发现，难以通过这种ITO为电阻层带来良好的耐化学药品性。
如图1所示，电磁波吸收体1具备电介质层10、电阻层20和导电层30。电阻层20设置在电介质层10的一个主表面上。导电层30设置在电介质层10的另一个主表面上，具有比电阻层20的薄层电阻低的薄层电阻。电阻层20具有200～600Ω/□的薄层电阻。电磁波吸收体1中，在对电阻层20进行在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，浸渍处理前的电阻层20的薄层电阻与浸渍处理后的电阻层20的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□。由此，电阻层20即使与碱性的洗涤剂等化学药品接触，电阻层20的薄层电阻也不易发生变化，电磁波吸收体1与化学药品接触后也能够保持期望的电磁波吸收特性。这样，电阻层20具有良好的耐化学药品性，并且，电磁波吸收体1具有良好的耐化学药品性。
电磁波吸收体1是λ/4型电磁波吸收体。在λ/4型电磁波吸收体中，将其设计为作为吸收对象的波长(λ0)的电磁波入射时，基于电阻层20的表面的反射(表面反射)的电磁波与基于导电层30中的反射(背面反射)的电磁波发生干涉。需要说明的是，λ/4型电磁波吸收体中，如下述式(1)所示，根据电介质层10的厚度(t)和电介质层10的相对介电常数(εr)确定吸收对象的电磁波的波长(λ0)。即，通过适当调节电介质层10的材料和厚度，能够设定吸收对象的波长的电磁波。式(1)中，sqrt(εr)是指相对介电常数(εr)的平方根。
λ0＝4t×sqrt(εr) 式(1)
在λ/4型电磁波吸收体中，电阻层的薄层电阻越接近空气的特性阻抗(约377Ω/□)，越容易得到良好的电磁波吸收特性。因此，电阻层20即使与化学药品接触，电阻层20的薄层电阻也不易发生变化，这对于电磁波吸收体1接触化学药品后也能够保持期望的电磁波吸收特性而言极其重要。
电阻层20例如含有氧化锡、氧化钛和氧化铟中的任一者作为主要成分。需要说明的是，本说明书中，“主要成分”是指以重量基准计含量最多的成分。
在电阻层20含有氧化锡、氧化钛和氧化铟中的任一者作为主要成分的情况下，也可以仅含有氧化锡、氧化钛和氧化铟中的任一者。另外，在电阻层20含有氧化锡、氧化钛和氧化铟中的任一者作为主要成分的情况下，还可以含有具有主要成分的金属元素以外的至少1种元素的掺杂物。由此，容易将用于形成电阻层20的材料的电阻率调节至理想的范围。需要说明的是，通过将用于形成电阻层20的材料的电阻率调节至理想的范围，能够使用于为电阻层20带来期望的薄层电阻的电阻层20的厚度落在理想范围内，兼顾电阻层20的耐化学药品性和电阻层20的制造容易性。
上述的掺杂物中所含的元素例如为选自由锡、硅、镁、钛、氮、氟、锑和铌组成的组中的至少1种元素。
在电阻层20的主要成分为氧化锡的情况下，掺杂物中所含的元素例如为氟或锑。在电阻层20的主要成分为氧化钛的情况下，掺杂物中所含的元素例如为铌。在电阻层20的主要成分为氧化铟的情况下，掺杂物中所含的元素例如为锡、硅、镁、钛或氮。由此，更容易将用于形成电阻层20的材料的电阻率调节至理想的范围。
如上所述，电阻层20具有200～600Ω/□的薄层电阻。由此，电阻层20的薄层电阻接近空气的特性阻抗，电磁波吸收体1能够发挥良好的电磁波吸收性能。例如，能够容易选择性地吸收在毫米波雷达或亚毫米波雷达中广泛使用的波长的电磁波。例如，电磁波吸收体1能够有效地使用于毫米波雷达中的50～100GHz、尤其是60～90GHz的频率的电磁波衰减。
电阻层20具有260～500Ω/□的薄层电阻是理想的。由此，电磁波吸收体1能够更切实地发挥良好的电磁波吸收性能。
电阻层20具有例如5×10-4Ω·cm以上的电阻率。由此，电阻层20即使具有规定值(例如，15nm)以上的厚度，电阻层20也具有期望的薄层电阻。其结果，电阻层20具有良好的耐化学药品性。
电阻层20具有例如100×10-4Ω·cm以下的电阻率。在这种情况下，可以将用于带来期望的薄层电阻的电阻层20的厚度调节至规定值(例如，500nm)以下，可以缩短形成电阻层20所需的时间。电阻层20的电阻率理想的是50×10-4Ω·cm以下，更理想的是30×10-4Ω·cm以下。
电阻层20具有例如15～500nm的厚度。由此，电阻层20具有良好的耐化学药品性且可以缩短形成电阻层20所需的时间。电阻层20具有15～200nm的厚度是理想的。
在电阻层20仅含有氧化铟的情况、或者电阻层20为含有氧化铟作为主要成分且含有小于13重量％的氧化锡的ITO的情况下，电阻层20具有多晶结构是理想的。由此，电阻层20即使具有较小的厚度也具有良好的耐化学药品性。在电阻层20为含有5重量％以上且小于13重量％的氧化锡的ITO的情况下，理想的是电阻层20还含有硅、镁、钛、或氮的掺杂物。由此，电阻层20即使具有多晶结构，电阻层20的电阻率也容易为5×10-4Ω·cm以上。在电阻层20为含有氧化铟作为主要成分且含有25重量％以上的氧化锡的ITO的情况下，电阻层20典型地具有非晶结构。在这种情况下，ITO的非晶结构极其稳定，电阻层20由这种ITO形成时，电阻层20具有良好的耐化学药品性。
电阻层20例如可以根据电阻层20的材料，通过DC磁控溅射等溅射、真空蒸镀法、离子镀法、脉冲激光沉积法等物理气相沉积法、热CVD法等化学气相沉积法、或喷雾热解法形成。
在电阻层20为具有多晶结构的ITO的情况下，也可以对通过溅射形成的非晶结构的膜进行加热处理(退火处理)从而形成具有多晶结构的电阻层20。需要说明的是，通过调节成膜温度等溅射的条件，也可以形成由具有多晶结构的ITO形成的电阻层20，而无需在溅射后进行加热处理。
如图1所示，电阻层20的例如与电介质层10接触的面相反的一面层叠在高分子薄膜25上。高分子薄膜25作为电阻层20的支撑体发挥功能。关于高分子薄膜25，例如在通过溅射制造电阻层20时，理想的是由具有能够承受成膜时或其后的退火处理时的加热的耐热性且提供平滑的表面的材料形成。在此基础上，由于高分子薄膜25以覆盖电阻层20的方式设置，因此，如果高分子薄膜25具有高的耐化学药品性，则电磁波吸收体1也具有高的耐化学药品性。因此，高分子薄膜25的材料例如为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸树脂、聚碳酸酯(PC)或环烯烃聚合物(COP)、聚醚醚酮(PEEK)等的芳香族聚醚酮、芳香族聚酰胺(芳纶)或聚酰亚胺。从良好的耐化学药品性、尺寸稳定性与成本之间的平衡的角度出发，电阻层20的支撑体的材料为PET是理想的。
高分子薄膜25的厚度例如为10～150μm，理想的是20～100μm，更理想的是具有30～80μm的厚度。由此，高分子薄膜25的弯曲刚度低，且在高分子薄膜25上形成电阻层20时能够抑制发生褶皱或变形。
电介质层10具有例如1～10的相对介电常数。由此，电磁波吸收体1能够在宽带宽(例如，50～100GHz的频带中所含的2GHz以上的带宽)中发挥良好的电磁波吸收性能。电介质层10的相对介电常数可以通过例如空腔谐振器扰动法测定。
电介质层10可以是单独的层，也可以是多个层的层叠体。在电介质层10为多个层的层叠体的情况下，电介质层10的相对介电常数可以通过如下方式算出：测定各层的相对介电常数，将得到的各层的相对介电常数乘以各层的厚度与电介质层10的整体的厚度的比，将它们相加算出。
对电介质层10没有特别限制，例如由高分子材料形成。例如，电介质层10的高分子材料为：丙烯酸树脂、乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚氯乙烯、聚氨酯、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、聚烯烃、聚丙烯、聚乙烯、有机硅树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜和环氧树脂等合成树脂(包括热塑性弹性体)；或聚异戊二烯橡胶、聚苯乙烯-丁二烯橡胶、聚丁二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、丙烯腈丁二烯橡胶、丁基橡胶、丙烯酸橡胶、乙丙橡胶和有机硅橡胶等合成橡胶。这些高分子材料可以单独或组合2种以上用作电介质层10的高分子材料。
电介质层10根据情况也可以是发泡体。在这种情况下，电介质层10的相对介电常数容易变低。而且，可以使电介质层10轻量化。发泡体例如为烯烃系发泡体或聚酯系发泡体。
电介质层10的厚度例如为50～2000μm，理想的是100～1000μm。由此，容易兼顾高的尺寸精度和低成本。
导电层30在电磁波吸收体的背面附近反射在电磁波吸收体1中作为吸收对象的电磁波。导电层30的薄层电阻具有例如0.001～30Ω/□的薄层电阻。由此，电磁波吸收体1容易发挥期望的电磁波吸收性能。例如，能够有效地使用于毫米波雷达中的50～100GHz、尤其是60～90GHz的频率的电磁波衰减。
导电层30的材料例如包含铝、铝合金、氮化铝、铜、铜合金、铜的氮化物和氧化铟锡中的至少1者。由此，电磁波吸收体1容易发挥期望的电磁波吸收性能。在导电层30含有ITO的情况下，理想的是，导电层30是氧化锡的含量为5～15重量％的ITO。
如图1所示，导电层30也可以层叠在高分子薄膜35上。高分子薄膜35作为支撑导电层30的支撑体发挥功能。在这种情况下，高分子薄膜35的材料可以是作为高分子薄膜25的材料而例示的材料，也可以是聚酯、聚丙烯、聚氨酯、氨基甲酸酯丙烯酸树脂、双向拉伸聚丙烯(CPP)或偏二氯乙烯树脂。高分子薄膜35根据情况可以省略。
在电阻层20和导电层30的任一层的朝向电介质层10的主表面上可以实施规定的涂覆。由此，能够防止电介质层10中所含的成分向电阻层20或导电层30扩散而对电阻层20或导电层30的特性产生影响。这种涂覆的材料例如为SiO2等氧化硅、氮化硅、Al2O3等氧化铝、氮化铝(AlN)、Nb2O5等氧化铌、钛酸锶(STO)或氧化铝锌(AZO)。其中，涂覆的材料为AlN或AZO时，能够有助于提高电阻层20或导电层30的耐久性。
如图1所示，电磁波吸收体1例如还具备粘合层40和隔膜50。粘合层40设置在导电层30的外侧。隔膜50与粘合层40相接触地设置。通过剥离隔膜50而使粘合层40露出并将粘合层40按压至成形品等物品上，可以容易地将电磁波吸收体1安装到物品上。另外，将电磁波吸收体1安装至物品前，通过隔膜50可以保护粘合层40。
粘合层40包括例如丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂、有机硅系粘合剂和氨基甲酸酯系粘合剂等粘合剂。
如图2所示，使用电磁波吸收体1，能够制造例如带电磁波吸收体的成形品100。带电磁波吸收体的成形品100具备成形品70、和安装在成形品70上的电磁波吸收体1。成形品70例如为保险杠等汽车部件。
对电磁波吸收体1的制造方法的一个例子进行说明。在高分子薄膜25上通过溅射等成膜方法形成电阻层20。另外，准备在高分子薄膜35上形成有导电层30的层叠体。
接着，将用于形成成形为规定的厚度的电介质层10的树脂组合物放置于导电层30的一个主表面上。其后，在用于形成电介质层10的树脂组合物上层叠电阻层20的一个主表面。根据需要，使树脂组合物固化。由此，能够制造电磁波吸收体1。根据该方法，可以容易地控制电介质层10的厚度，因此能够制造电磁波吸收体1从而有效地吸收作为吸收对象的波长的电磁波。另外，由于分别形成电阻层20和导电层30，因此，电磁波吸收体1的制造所需的时间短，电磁波吸收体1的制造成本低。需要说明的是，为了将电介质层10与导电层30或电阻层20粘合，也可以使用粘接剂或粘合剂。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行更详细的说明。需要说明的是，本发明并不限于下述的实施例。首先，对各实施例和各比较例所涉及的电阻层的特性的测定方法以及样品的评价方法进行说明。
[X射线衍射]
在各实施例和各比较例中，使用X射线衍射装置(株式会社理学制，产品名：RINT2200)，通过X射线反射率法测定电阻层的厚度。另外，使用X射线衍射装置，得到针对电阻层的X射线衍射图。使用CuKα线作为X射线。根据得到的X射线衍射图，确认电阻层是多晶结构还是非晶结构。将结果示于表1中。
[薄层电阻]
使用非接触式电阻测试装置(NAPSON CORPORATION制，产品名：NC-80MAP)，根据日本工业标准(JIS)Z 2316，通过涡流检测法测定各实施例和各比较例的未经化学药品浸渍处理的电阻层的薄层电阻。将结果示于表1中。另外，对经化学药品浸渍处理的电阻层也同样地测定薄层电阻。
[电阻率]
在各实施例和各比较例中，由上述测定的电阻层的厚度和上述测定的未经化学药品浸渍处理的电阻层的薄层电阻求出两者的乘积，由此确定电阻率。将结果示于表1中。
[相对介电常数]
使用网络分析仪(安捷伦科技有限公司制，产品名：N5230C)和空洞共振器(株式会社关东电子应用开发制，空洞共振器CP531)，通过空腔谐振器扰动法测定实施例和比较例中的电介质层的10GHz下的相对介电常数。
[电磁波吸收特性]
根据JIS R 1679：2007，测定对各实施例和各比较例的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)的表面垂直入射76GHz的毫米波时的反射衰减量(反射量的绝对值)。将结果示于表1中。另外，依照下述的指标，对各实施例和各比较例进行综合评价。将结果示于表1中。
a：样品A和样品B两者的反射衰减量为20dB以上。
b：样品A和样品B中的任一者或样品A和样品B两者的反射衰减量为10dB以上且小于20dB。
x：样品A和样品B中的任一者或样品A和样品B两者的反射衰减量小于10dB。
＜实施例1＞
在具有38μm厚度的PET薄膜(三菱化学株式会社制，DIAFOIL)上，使用由In2O3构成的靶材，通过DC磁控溅射法，形成由非晶质的In2O3构成的膜，将该膜在大气中以150℃的温度加热处理3小时使In2O3晶化。由此，形成实施例1的电阻层。将实施例1的电阻层的厚度、薄层电阻和电阻率示于表1中。将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸树脂挤压成型为560μm的厚度，制作实施例1的电介质层。另外，准备具有0.002Ω/□的薄层电阻的铝箔作为实施例1的导电层。以使未经化学药品浸渍处理的实施例1的电阻层与实施例1的电介质层的一个主表面接触的方式贴合实施例1的电阻层。另外，使实施例1的导电层与实施例1的电介质层的另一个主表面接触并贴合。由此，制作实施例1的样品A。
将形成有实施例1的电阻层的PET薄膜在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟，进行化学药品浸渍处理，之后风干，制作经化学药品浸渍处理的电阻层。将化学药品浸渍处理中的NaOH水溶液的温度调节至40℃。除了使用经化学药品浸渍处理的电阻层代替未经化学药品浸渍处理的实施例1的电阻层以外，与样品A同样地制作实施例1的样品B。
＜实施例2和3＞
除了变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地形成由In2O3构成的实施例2和3的电阻层。在实施例2和3的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的由非晶质的In2O3构成的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用实施例2或3的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作实施例2和3的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例4＞
除了使用ITO作为靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由含有2.5重量％的氧化锡的ITO形成的实施例4的电阻层。在实施例4的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的ITO的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用实施例4的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作实施例4的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例5＞
除了使用ITO作为靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由含有3.3重量％的氧化锡的ITO形成的实施例5的电阻层。在实施例5的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的ITO的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用实施例5的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作实施例5的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例6＞
除了使用含有In2O3、SnO2和SiO2的靶材，变更溅射的条件以使电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由在含有In2O3的基础上还含有7.5重量％的SnO2和2.5重量％的SiO2的材料形成的实施例6的电阻层。在实施例6的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用实施例6的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作实施例6的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例7＞
除了使用含有In2O3、SnO2和MgO的靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由在含有In2O3的基础上还含有7.5重量％的SnO2和2.5重量％的MgO的材料形成的实施例7的电阻层。在实施例7的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用实施例7的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作实施例7的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例8＞
除了使用含有In2O3、SnO2和TiO2的靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由在含有In2O3的基础上还含有7.5重量％的SnO2和2.5重量％的TiO2的材料形成的实施例8的电阻层。在实施例8的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用实施例8的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作实施例8的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例9＞
除了使用含有In2O3和SnO2的靶材，以及含有氮气的反应气体，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由在含有In2O3的基础上还含有7.5重量％的SnO2和3原子％的氮的材料形成的实施例9的电阻层。在实施例9的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用实施例9的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作实施例9的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例10＞
除了使用含有In2O3、SnO2和SiO2的靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由在含有In2O3的基础上还含有10重量％的SnO2和5重量％的SiO2的材料形成的实施例10的电阻层。在实施例10的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用实施例10的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作实施例10的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例11＞
在具有38μm厚度的PET薄膜(三菱化学株式会社制，DIAFOIL)上，使用ITO作为靶材，通过DC磁控溅射法，制成由含有30重量％的SnO2的非晶结构的ITO形成的实施例11的电阻层。在实施例11的电阻层的形成过程中未进行溅射后的加热处理。将具有2.5的相对介电常数的丙烯酸树脂挤压成型为560μm的厚度，制作实施例11的电介质层。除了分别使用实施例11的电阻层和实施例11的电介质层代替实施例1的电阻层和实施例1的电介质层以外，与实施例1同样地制作实施例11的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例12＞
除了使用ITO作为靶材，变更溅射的条件以使电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例11同样地进行，制作由含有50重量％的氧化锡的非晶结构的ITO形成的实施例12的电阻层。除了使用实施例12的电阻层代替实施例11的电阻层以外，与实施例11同样地制作实施例12的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例13＞
在具有38μm厚度的PET薄膜(三菱化学株式会社制，DIAFOIL)上，通过DC磁控溅射法，制成由含有10重量％的氧化锡的非晶质的ITO形成的膜，将该膜在大气中以150℃的温度加热处理3小时，使其晶化。由此，形成实施例13的导电层。实施例13的导电层的厚度为120nm。实施例13的导电层的薄层电阻为20Ω/□。除了使用实施例13的导电层代替实施例1的导电层以外，与实施例1同样地制作实施例13的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例14＞
在具有50μm厚度的聚酰亚胺薄膜(宇部兴产株式会社制，UPILEX)上，使用SnO2作为靶材，通过RF磁控溅射法(基板温度：室温)，形成由SnO2构成的膜。将该膜在300℃下加热处理(退火处理)1小时，使其晶化。由此，形成由SnO2构成的实施例14的电阻层。除了使用实施例14的电阻层代替实施例11的电阻层以外，与实施例11同样地制作实施例14的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例15＞
在具有50μm厚度的聚酰亚胺薄膜(宇部兴产株式会社制，UPILEX)上，使用SnF2粉末和SnO2粉末的混合物作为靶材，通过RF磁控溅射法(基板温度：200℃)，形成由氟掺杂氧化锡(氟含量：5原子％)形成的实施例15的电阻层。除了使用实施例15的电阻层代替实施例11的电阻层以外，与实施例11同样地制作实施例15的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例16＞
在具有50μm厚度的聚酰亚胺薄膜(宇部兴产株式会社制，UPILEX)上，使用Sn-Sb合金作为靶材，使用氧气作为反应性气体，通过反应性MF-AC磁控溅射法(电源频率：200kHz，基板温度：200℃)制成由锑掺杂氧化锡(锑含量：4原子％)形成的实施例16的电阻层。除了使用实施例16的电阻层代替实施例11的电阻层以外，与实施例11同样地制作实施例16的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜实施例17＞
在具有50μm厚度的聚酰亚胺薄膜(宇部兴产株式会社制，UPILEX)上，使用含Nb的TiO2作为靶材，通过RF磁控溅射法(基板温度：室温)，制成由铌掺杂氧化钛(铌含量：8原子％)形成的实施例17的电阻层。除了使用实施例17的电阻层代替实施例11的电阻层以外，与实施例11同样地制作实施例17的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜比较例1＞
在具有38μm厚度的PET薄膜(三菱化学株式会社制，DIAFOIL)上，使用含有ZnO和Ga2O3的靶材，通过DC磁控溅射法，调节溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值，制成由以ZnO为主要成分且含有3重量％的Ga2O3的多晶结构的材料形成的比较例1的电阻层。需要说明的是，在比较例1的电阻层的形成过程中，溅射后未进行加热处理。除了使用比较例1的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作比较例1的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜比较例2＞
在具有38μm厚度的PET薄膜(三菱化学株式会社制，DIAFOIL)上，使用ITO作为靶材，通过DC磁控溅射法，调节溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻达到表1所示的值，制成由含有10重量％的氧化锡的非晶质的ITO形成的比较例2的电阻层。除了使用比较例2的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作比较例2的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜比较例3＞
除了使用ITO作为靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻达到表1所示的值以外，与比较例2同样地进行，制成由含有7.5重量％的氧化锡的非晶质的ITO形成的比较例3的电阻层。除了使用比较例3的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作比较例3的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜比较例4＞
除了使用ITO作为靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由含有2.5重量％的氧化锡的ITO形成的比较例4的电阻层。在比较例4的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的ITO的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用比较例4的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地形成比较例4的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜比较例5＞
除了使用ITO作为靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与实施例1同样地进行，制成由含有7.5重量％的氧化锡的ITO形成的比较例5的电阻层。在比较例5的电阻层的形成过程中，以与实施例1相同的条件对通过溅射得到的非晶质的ITO的膜进行加热处理并使其晶化。除了使用比较例5的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作比较例5的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
＜比较例6＞
除了使用含有ZnO和Al2O3的靶材，变更溅射的条件使得电阻层的厚度和电阻层的薄层电阻成为表1所示的值以外，与比较例1同样地形成由以ZnO为主要成分且含有3重量％的Al2O3的多晶结构的材料形成的比较例6的电阻层。需要说明的是，在比较例6的电阻层的形成过程中，溅射后未进行加热处理。除了使用比较例6的电阻层代替实施例1的电阻层以外，与实施例1同样地制作比较例6的样品A(无化学药品浸渍处理)和样品B(有化学药品浸渍处理)。
如表1所示可得到如下启示：在电阻层由规定的材料形成时，能够发挥良好的耐化学药品性。
[表1]

Claims (11)

1.一种电磁波吸收体，其具备：
电介质层；
设置在所述电介质层的一个主表面上的电阻层；以及，
设置在所述电介质层的另一个主表面上，具有比所述电阻层的薄层电阻更低的薄层电阻的导电层，
所述电阻层具有200～600Ω/□的薄层电阻，
在对所述电阻层进行在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，所述浸渍处理前的所述电阻层的薄层电阻与所述浸渍处理后的所述电阻层的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□。
2.根据权利要求1所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层含有氧化锡、氧化钛和氧化铟中的任一者作为主要成分。
3.根据权利要求2所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层还包含具有所述主要成分的金属元素以外的至少1种元素的掺杂物。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层具有5×10-4Ω·cm以上的电阻率。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层具有15～500nm的厚度。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电阻层的与所述电介质层接触的面的相反的一面层叠在高分子薄膜上。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电介质层具有1～10的相对介电常数。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述电介质层由高分子材料形成。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述导电层具有0.001～30Ω/□的薄层电阻。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的电磁波吸收体，其中，所述导电层由铝、铝合金、氮化铝、铜、铜合金、铜的氮化物以及氧化铟锡中的至少1者形成。
11.一种带电磁波吸收体的成形品，其具备：
成形品、和
安装在所述成形品上的权利要求1～10中的任一项所述的电磁波吸收体。
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