以下、実施形態を図面を用いて説明する。図中、太線で示した信号線は、複数本を示す。また、太線が接続されているブロックの一部は、複数の回路を有する。信号が伝達される信号線には、信号名と同じ符号を使用する。末尾に”Z”が付く信号は、正論理を示している。先頭に”/”の付く信号および末尾に”X”が付く信号は、負論理を示している。図中の二重の四角印は、外部端子を示している。外部端子は、例えば、半導体チップ上のパッド、あるいは半導体チップが収納されるパッケージのリードである。外部端子を介して供給される信号には、端子名と同じ符号を使用する。
図1は、一実施形態における半導体メモリMEMを示している。例えば、半導体メモリMEMは、擬似SRAMタイプのFCRAM(Fast Cycle RAM)である。擬似SRAMは、DRAMのメモリセル(ダイナミックメモリセル)を有し、SRAMのインタフェースを有する。メモリMEMは、パッケージに封入された半導体記憶装置として設計されてもよく、システムLSI等に搭載されるメモリマクロ(IP)として設計されてもよい。この例のメモリMEMは、クロック非同期タイプであるが、クロック同期タイプに適用されてもよい。
メモリMEMは、コマンド入力回路10、コマンドデコーダ12、ロウタイミング制御回路14、コラムタイミング制御回路16、アドレスモード制御回路18、ページ制御回路20、アドレス入力回路22、23、コラムアドレスラッチ24、ロウアドレスラッチ26、コラムアドレス制御回路28、ロウアドレス制御回路30、バンクアドレス入力回路32、バンクアドレスラッチ34、バンクアドレス制御回路36、データ入出力回路38およびバンクBK0−BK3を有している。
コマンド入力回路10は、コマンド信号CMDを受け、受けたコマンド信号CMDを内部コマンド信号ICMDとして出力する。例えば、コマンド信号CMDは、チップイネーブル信号/CE1、ライトイネーブル信号/WEおよびアウトプットイネーブル信号/OEである。
コマンドデコーダ12は、コマンド信号ICMDをデコードし、バンクBK0−3のアクセス動作(読み出し動作または書き込み動作)を実行するために読み出しコマンド信号RDZ(読み出しコマンド)または書き込みコマンド信号WRZ(書き込みコマンド)を出力する。
ロウタイミング制御回路14は、読み出しコマンド信号RDZおよび書き込みコマンド信号WRZの活性化に応答して各バンクBK0−3を活性化するためにワード制御信号WLONZおよびセンスアンプ制御信号SAONZを活性化する。また、ロウタイミング制御回路14は、読み出しコマンド信号RDZおよび書き込みコマンド信号WRZの非活性化に応答して、各バンクBK0−3を非活性化するためにワード制御信号WLONZおよびセンスアンプ制御信号SAONZを非活性化する。ワード制御信号WLONZは、ワード線WLを活性化するためのタイミング信号である。センスアンプ制御信号SAONZは、センスアンプSAを活性化するためのタイミング信号である。さらに、ロウタイミング制御回路14は、グローバルロウアドレス信号GRA、グローバルバンクアドレス信号GBAのバンクBK0−3への供給タイミングを設定するロウアドレス制御信号RACZを読み出しコマンド信号RDZおよび書き込みコマンド信号WRZの活性化に応答して出力する。
ロウタイミング制御回路14は、図示した以外にも、ビット線BL、/BLをプリチャージするためのプリチャージ制御信号を生成するためのタイミング信号、図5に示す接続スイッチBTを制御するためのビット制御信号を生成するためのタイミング信号を出力する。また、ロウタイミング制御回路14は、リフレッシュ動作を周期的に実行するために、内部リフレッシュコマンド(内部リフレッシュ要求信号)を周期的に生成するリフレッシュ要求生成回路、および外部アクセスコマンド(読み出しコマンド信号RDZまたは書き込みコマンド信号WRZ)と内部リフレッシュコマンドとが競合したときに、アクセス動作(読み出し動作または書き込み動作)とリフレッシュ動作の優先順を決めるアービタを有している。
コラムタイミング制御回路16は、読み出しコマンド信号RDZに応答して、各バンクBK0−3から読み出しデータを出力するためにコラム制御信号CLONZを活性化する(読み出し動作)。また、コラムタイミング制御回路16は、書き込みコマンド信号WRZに応答して、各バンクBK0−3に書き込みデータを入力するためにコラム制御信号CLONZを活性化する(書き込み動作)。コラム制御信号CLONZは、図5に示すコラムスイッチCSWをオンするためのタイミング信号である。コラムタイミング制御回路16は、ロウタイミング制御回路14の制御によりリフレッシュ動作が実行されるとき、コラム制御信号CLONZの出力を禁止する。さらに、コラムタイミング制御回路16は、グローバルコラムアドレス信号GCAのバンクBK0−3への供給タイミングを設定するコラムアドレス制御信号CACZを読み出しコマンド信号RDZおよび書き込みコマンド信号WRZの活性化に応答して出力する。
アドレスモード制御回路18は、外部端子を介して供給されるアクセスモード信号CMODE(外部制御信号)を矩形エリア選択信号ASELVZとして出力する。アドレスモード制御回路18は、アクセスモード信号CMODEの入力回路として動作する。矩形エリア選択信号ASELVZの論理レベルは、アクセスモード信号CMODEの論理レベルと同じである。図2に示すメモリコントローラMCNTは、表示画面内の横方向に長いエリアをアクセスするときに(水平アクセス;図15)、低レベルのアクセスモード信号CMODEを出力する。メモリコントローラMCNTは、表示画面内の縦方向に長いエリアをアクセスするときに(矩形アクセス;図16)、高レベルのアクセスモード信号CMODEを出力する。
ページ制御回路20は、矩形エリア選択信号ASELVZおよび2ビットのコラムアドレス信号CA3、CA7を受け、ページ活性化信号PA03Z、PA03X、PA07Z、PA07X(制御信号)を出力する。ページ活性化信号PA03Z、PA03X、PA07Z、PA07Xは、ワード線WLを選択的に活性化するためにロウデコーダRDECに供給される。ページ制御回路20の詳細は、図3に示す。
アドレス入力回路22は、外部端子を介して供給されるアドレス信号AD(AD7−0)を、内部アドレス信号IAD(IAD7−0)として出力する。アドレス入力回路23は、外部端子を介して供給されるアドレス信号AD(AD19−8)を、内部アドレス信号IAD(IAD19−8)として出力する。アドレス入力回路22、23は、アドレス信号AD7−0、AD19−8を異なる端子で同時に受ける。アドレス信号AD7−0は、ビット線対BL、/BLを選択(活性化)するためのコラムアドレス信号である。アドレス信号AD19−8は、ワード線WLを選択(活性化)するためのロウアドレス信号である。
コラムアドレスラッチ24は、アドレス入力回路22からの内部アドレス信号IADをラッチし、コラムアドレス信号CA7−0(第2アドレス)として出力する。ロウアドレスラッチ26は、アドレス入力回路23からの内部アドレス信号IADをラッチし、ロウアドレス信号RA11−0(第1アドレス)として出力する。
コラムアドレス制御回路28は、コラムアドレス信号CA7−0をコラムアドレス制御信号CACZに同期してラッチし、グローバルコラムアドレス信号GCA(GCA7−0)として出力する。ロウアドレス制御回路30は、ロウアドレス信号RA11−0をロウアドレス制御信号RACZに同期してラッチし、グローバルロウアドレス信号GRA(GRA11−0)として出力する。なお、ロウアドレス制御回路30は、リフレッシュアドレス信号を生成するリフレッシュアドレスカウンタと、リフレッシュアドレス信号およびロウアドレス信号RA11−0のいずれかを選択するアドレスセレクタとを有している。リフレッシュアドレス信号は、リフレッシュするメモリセルMCに接続されるワード線WLを示す。そして、アドレスセレクタにより選択されたアドレス信号がグローバルロウアドレス信号GRAとして出力される。
バンクアドレス入力回路32は、外部端子を介して供給されるバンクアドレス信号BAD(BAD1−0)を、内部バンクアドレス信号IBAD(IBAD1−0)として出力する。バンクアドレス信号BAD1−0は、バンクBK0−3を選択するために供給される。バンクアドレスラッチ34は、内部バンクアドレス信号IBAをラッチし、バンクアドレス信号BA1−0として出力する。バンクアドレス制御回路36は、バンクアドレス信号BA1−0、ロウアドレス制御信号RACZに同期してラッチし、グローバルバンクアドレス信号GBA(GBA1−0)として出力する。
データ入出力回路38は、読み出し動作時に、メモリセルMCから読み出される読み出しデータを相補のデータバスDBを介して受信し、受信した読み出しデータをデータ端子DQ(DQ31−0)に出力する。データ入出力回路38は、書き込み動作時に、データ端子DQに供給される書き込みデータ信号を受信し、受信したデータ信号をデータバスDBに出力する。
バンクBK0−3は、互いに同じ構成を有している。各バンクBK0−3は、複数のメモリブロックRBLK、ロウデコーダRDEC(第1デコーダ)、コラムデコーダCDEC(第2デコーダ)、センスアンプ領域SAAおよびデータバススイッチDBSWを有している。各メモリブロックRBLKは、マトリックス状に配置された複数のダイナミックメモリセルMCと、図の横方向に並ぶメモリセルMCの列に接続された複数のワード線WLと、図の縦方向に並ぶメモリセルMCの列に接続された複数のビット線対BL、/BLとを有している。メモリセルMCは、データを電荷として保持するためのキャパシタと、このキャパシタの一端をビット線BL(または/BL)に接続するためのトランスファトランジスタとを有している。キャパシタの他端は、基準電圧線に接続されている。
コラムデコーダCDECは、データ端子DQのビット数に対応する数のビット線対BL、/BLを選択するために、コラムアドレス信号GCAをデコードする。データバススイッチDBSWは、読み出しアクセス動作時に、センスアンプ領域SAAから出力される相補の読み出しデータをデータバスDBに出力する。また、データバススイッチDBSWは、書き込みアクセス動作時に、データバスDBを介して供給される相補の書き込みデータをセンスアンプ領域SAAに出力する。バンクBK0−3の詳細は、図4に示す。センスアンプ領域SAAの詳細は、図5に示す。ロウデコーダRDECの詳細は、図8から図10に示す。
図2は、図1に示したメモリMEMが搭載されるシステム(画像処理システム)の例を示している。システムSYSは、例えば、デジタルカメラやパーソナルコンピュータ等の機器の少なくとも一部を含む。なお、後述する実施形態においても、メモリMEMの種類が異なることを除き、図2と同じシステムSYSが構成される。
システムSYSは、メモリMEM、メモリコントローラMCNT、画像データ制御部IMGCNT、表示データ制御部DISPCNT、外部メモリEMEM、CCD等のカメラCAMおよび液晶表示装置等の表示装置DISPを有している。例えば、メモリコントローラMCNT、画像データ制御部IMGCNTおよび表示データ制御部DISPCNTは、シリコン基板上に複数のマクロを集積したシステムオンチップSoCとして設計されている。例えば、メモリチップMEM、SoCチップおよび外部メモリEMEMは、互いに積層され、マルチチップパッケージMCPとして設計されている。例えば、MCP、カメラCAM、表示装置DISPは、プリント基板上に搭載される。なお、画像処理システムは、少なくともメモリMEM、メモリコントローラMCNT、画像データ制御部IMGCNTおよび表示データ制御部DISPCNTを有している。
画像データ制御部IMGCNTは、画像データの符号化および復号化を制御する。例えば、画像データ制御部IMGCNTは、カメラCAMからの画像データIMGまたは内部データ線IDTを介してメモリコントローラMCNTから転送される画像データを符号化し、符号化されたデータを外部メモリEMEMに書き込む(画像データの圧縮)。外部メモリEMEMは、例えば、SRAMまたはDRAMである。画像データ制御部IMGCNTは、外部メモリEMEMに保持された符号化されたデータを内部データ線IDTを介して読み出し、読み出したデータを復号する(画像データの伸張)。なお、画像データ制御部IMGCNTは、画像データの符号化または復号化のいずれかのみを制御してもよい。例えば、外部メモリEMEMが不揮発性の記録媒体(DVD−ROM等)のとき、画像データ制御部IMGCNTは、外部メモリEMEMから読み出されるデータを復号のみする。
画像データ制御部IMGCNTは、符号化する画像データをメモリMEMから読み出すときに、アクセスエリア、読み出し、転送データ数を示す情報とともに矩形アクセス要求RREQをメモリコントローラMCNTに出力する。また、画像データ制御部IMGCNTは、復号された画像データをメモリMEMに書き込むときに、アクセスエリア、書き込み、転送データ数を示す情報とともに矩形アクセス要求RREQをメモリコントローラMCNTに出力する。なお、画像データ制御部IMGCNTは、後述するページPAGE内の全てのデータを読み出す(または書き込む)ための通常のアクセス要求をメモリコントローラMCNTに出力してもよい。
表示データ制御部DISPCNTは、画像データの表示装置DISPへの表示を制御する。例えば、表示データ制御部DISPCNTは、アクセスエリア、読み出し、転送データ数を示す情報とともに水平アクセス要求HREQをメモリコントローラMCNTに出力する。表示データ制御部DISPCNTは、表示データ線DDTを介してメモリコントローラMCNTから転送される画像データを表示装置DISPに出力する。表示装置DISPは、表示データ制御部DISPCNTからの画像データを表示する。なお、表示データ制御部DISPCNTは、通常のアクセス要求をメモリコントローラMCNTに出力してもよい。
メモリコントローラMCNTは、モード制御部MODECNTを有している。モード制御部MODECNTは、水平アクセス要求HREQ(第1制御信号、第1メモリアクセス要求信号)を受けたときに、アクセスモード信号CMODEを低レベルに設定し、コマンド信号CMD、アドレス信号ADをメモリMEMに出力する。モード制御部MODECNTは、矩形アクセス要求RREQ(第2制御信号、第2メモリアクセス要求信号)を受けたときに、アクセスモード信号CMODEを高レベルに設定し、コマンド信号CMD、アドレス信号ADをメモリMEMに出力する。なお、書き込み動作では、データ信号DQもメモリMEMに出力される。
メモリMEMは、アクセスモード信号CMODEが低レベルのときに、第1のワード線アクセスモードで動作する(図15の水平アクセス)。メモリMEMは、アクセスモード信号CMODEが高レベルのときに、第2のワード線アクセスモードで動作する(図16の矩形アクセス)。換言すれば、メモリMEMは、表示データ制御部DISPCNTからの水平アクセス要求HREQに応答して第1のワード線アクセスモードで動作し、メモリブロックRBLKから画像データを読み出す。また、メモリMEMは、画像データ制御部IMGCNTからの矩形アクセス要求RREQに応答して第2のワード線アクセスモードで動作し、メモリブロックRBLKから画像データを読み出す。
第1のワード線アクセスモードは、画像データ制御部IMGCNTを用いて表示装置DISPに画像を表示するための動作モードである。第2のワード線アクセスモードは、画像データ制御部IMGCNTを用いて画像データを符号化または復号化する動作モードである。このように、アクセスモード信号CMODEは、メモリブロックRBLKに保持される画像データの画像処理に関する信号である。第1のワード線アクセスモードおよび第2のワード線アクセスモードは、メモリブロックRBLKに保持される画像データの画像処理に関する動作モードである。後述するように、第1のワード線アクセスモードでは、隣り合う分割単位でワード線WLが活性化される。第2のワード線アクセスモードでは、隣り合わない分割単位でワード線WLが活性化される。
図3は、図1に示したページ制御回路20の例を示している。ページ制御回路20は、ページ活性化信号PA07Z、PA07Xを出力する矩形制御回路RECTCNTおよびページ活性化信号PA03Z、PA03Xを出力する水平制御回路HORICNTを有している。矩形制御回路RECTCNTは、矩形エリア選択信号ASELVZが高レベルに活性化されているときに、後述する矩形アクセスを実行するためにページ活性化信号PA07Z、PA07Xをともに高レベルに設定する。矩形制御回路RECTCNTは、矩形エリア選択信号ASELVZが低レベルに非活性化されているときに、コラムアドレス信号CA7の論理に応じてページ活性化信号PA07Z、PA07Xの論理レベルを設定する。
水平制御回路HORICNTは、矩形エリア選択信号ASELVZが低レベルに非活性化されているときに(水平信号HORIZ=高レベル)、後述する水平アクセスを実行するためにページ活性化信号PA03Z、PA03Xをともに高レベルに設定する。水平制御回路HORICNTは、矩形エリア選択信号ASELVZが高レベルに活性化されているときに、コラムアドレス信号CA3の論理に応じてページ活性化信号PA03Z、PA03Xの論理レベルを設定する。このように、ページ制御回路20は、コラムアドレス信号の2ビットCA3、CA7に基づいて、ワード線WLの活性化のための制御信号PA03Z、PA03X、PA07Z、PA07XをロウデコーダRDECに供給する。
図4は、図1に示したバンクBK(BK0−3)のレイアウトの例を示している。バンクBKは、上位のロウアドレスRA11−6で識別される64個のメインメモリブロックRBLK(RBLK0−63)を有している。各メインメモリブロックRBLKは、コラムアドレスCA3、CA7で識別されるサブメモリブロックRBLKa、RBLKb、RBLKc、RBLKd(メモリセルグループ;例えば、RBLK0a、RBLK0b、RBLK0c、RBLK0d)を有している。メインメモリブロックRBLK内で図の横方向(第1方向)に延在するワード線WLは、サブメモリブロックRBLKa−d毎に分割されている(WLa、WLb、WLc、WLd)。分割されたワード線WLa、WLb、WLc、WLdは、コラムアドレス信号CA7、CA3により選択され、アドレス順に配列されている。
ブロックデコーダBDEC(BDEC0−63)は、メインメモリブロックRBLK0−63を選択するために、ロウアドレスRA11−6をデコードする。例えば、ブロックデコーダBDECは、図1に示したロウデコーダRDEC内に配置されている。ブロックデコーダBDECの詳細は、図6に示す。ロウデコーダRDEC(例えば、RDEC0a、RDEC0b、RDEC0c、RDEC0d)は、サブメモリブロックRBLKa−dの各々に対応して設けられている。
各サブメモリブロックRBLKa−dの両側(図の上下方向)には、センスアンプ領域SAA(例えば、SAA0a、SAA01a)が配置されている。この実施形態では、いわゆる共有センスアンプ方式が採用されている。共有センスアンプ方式では、互いに隣接する一対のメモリブロックRBLKの間に配置されるセンスアンプSAは、一対のメモリブロックRBLKに共有される。センスアンプ領域SAAのに付加した数字は、共有されるメモリブロックRBLKの番号を示している。
センスアンプ制御回路SCNT(例えば、SCNT0a、SCNT0b、SCNT0c、SCNT0d)は、各センスアンプ領域SAA(例えば、SAA0a、SAA0b、SAA0c、SAA0c)の脇に配置されている。センスアンプ制御回路SCNTの詳細は、図7に示す。図示していないが、コラムデコーダCDECは、図の縦方向に並ぶサブメモリブロックRBLK(例えば、RBLK0a、RBLK01a、...、RBLK63a)のグループ毎に配置されている。なお、コラムデコーダCDECは、サブメモリブロックRBLK毎に配置してもよい。
図5は、図1および図4に示したセンスアンプ領域SAAの例を示している。図5は、図4のセンスアンプ領域SAAを90度回転させた状態を示している。例えば、図は、1つのデータ端子DQに対応するセンスアンプ領域SAAの一部を示している。
プリチャージ制御信号が伝達されるプリチャージ制御信号線BRS(BRS0またはBRS1)は、センスアンプ領域SAAのプリチャージ回路PREに共通に接続される。ビット制御信号が伝達されるビット制御信号線MUX0(またはMUX1)は、センスアンプ領域SAAの接続スイッチBTに共通に接続される。接続スイッチBTは、nMOSトランジスタを含み、ビット線BL(/BL)とセンスアンプSAのビット線SBL(/SBL)との接続を制御する。
センスアンプ活性化信号を伝達するセンスアンプ活性化信号線PSA01a、NSA01aは、センスアンプ領域SAAのセンスアンプSAに共通に接続される。センスアンプ活性化信号線PSA01aは、センスアンプ制御信号SAONZに同期して低レベルに活性化される。センスアンプ活性化信号線NSA01aは、センスアンプ制御信号SAONZに同期して高レベルに活性化される。コラム選択信号を伝達するコラム選択信号線CL20−22は、コラムスイッチCSWにそれぞれ接続される。コラム選択信号は、コラムアドレス信号CA7−0に応じて、コラム制御信号CLONZに同期して高レベルに活性化される。センスアンプ領域SAAは、一般的なDRAMのセンスアンプ領域と同じであるため、詳細な説明は省略する。
図6は、図4に示したブロックデコーダBDEC(BDEC0−63)の例を示している。ブロックデコーダBDEC0−63は、互いに同じ論理を有するため、ブロックデコーダBDEC0のみを説明する。
ブロックデコーダBDEC0は、プリデコード信号GRA11X−GRA6Xが全て高レベルのときに、ブロック制御信号BLKONZに同期してブロック選択信号BLK0Zを活性化する。プリデコード信号GRA11X−GRA6Xは、図1に示したグローバルロウアドレス信号GRA11−6をプリデコードすることで生成される。末尾にXが付くプリデコード信号GRA11X−GRA6Xは、グローバルロウアドレス信号GRA11−6の論理を反転させた信号である。末尾にZが付くプリデコード信号GRA11X−GRA6Zは、グローバルロウアドレス信号GRA11−6と同じ論理を有する信号である。ブロック制御信号BLKONZは、図1に示したロウアドレス制御信号RACZを遅延して生成される。ブロック選択信号BLK0Zは、図4に示したサブメモリブロックRBLK0a−0dに共通に使用される。
図7は、図4に示したセンスアンプ制御回路SCNTの例を示している。センスアンプ制御回路SCNT0a−dは、互いに同じ論理を有する。センスアンプ制御回路SCNT01a−01dは、互いに同じ論理を有する。このため、センスアンプ制御回路SCNT0a、SCNT01aのみを説明する。
センスアンプ制御回路SCNT0aは、ページ活性化信号PA03X、PA07Xがともに高レベルのとき、センスアンプ制御信号SAONZおよびブロック選択信号BLK0Zに同期して高レベルのセンスアンプ活性化信号NSA0aおよび低レベルのセンスアンプ活性化信号PSA0aを出力する。センスアンプ活性化信号NSA0a、PSA0aは、サブメモリブロックRBLK0aに対応するセンスアンプSA0aに供給される。センスアンプ制御回路SCNT0a−0dは、供給されるページ活性化信号PA03Z、PA03X、PA07Z、PA07Xのみが異なる。
センスアンプ制御回路SCNT01aは、ページ活性化信号PA03X、PA07Xがともに高レベルのとき、センスアンプ制御信号SAONZおよびブロック選択信号BLK0Z(または、BLK1Z)に同期して高レベルのセンスアンプ活性化信号NSA01aおよび低レベルのセンスアンプ活性化信号PSA01aを出力する。センスアンプ活性化信号NSA01a、PSA01aは、サブメモリブロックRBLK0a、RBLK1aに対応するセンスアンプSA01aに供給される。センスアンプ制御回路SCNT01a−01dは、供給されるページ活性化信号PA03Z、PA03X、PA07Z、PA07Xのみが異なる。
図8は、図4に示したロウデコーダRDECの一部の例を示している。ロウデコーダRDECは、例えば、16個のリセットデコーダRSTDECを有している。リセットデコーダRSTDECは、互いに同じ回路である。各リセットデコーダRSTDECの詳細は、図10に示す。図の縦方向に並ぶ4個のリセットデコーダRSTDECを含む4個のリセットデコーダグループRDGは、サブメモリブロックRBLKa−dをそれぞれアクセスするために使用される。
ワードリセット信号RST0aZ−RST3aZを出力するリセットデコーダグループRDGは、例えば、図4に示したロウデコーダRDEC0a内に配置され、サブメモリブロックRBLK0a−63aに共通に使用される。同様に、ワードリセット信号RST0bZ−RST3bZを出力するリセットデコーダグループRDG、ワードリセット信号RST0cZ−RST3cZを出力するリセットデコーダグループRDG、およびワードリセット信号RST0dZ−RST3dZを出力するリセットデコーダグループRDGは、ロウデコーダRDEC0b、RDEC0c、RDEC0d内にそれぞれ配置され、図4に示したサブメモリブロックRBLK0b−63b、RBLK0c−63cおよびRBLK0d−63dに、それぞれ共通に使用される。
サブメモリブロックRBLK0c−63cおよびRBLK0d−63dに対応するリセットデコーダグループRDGは、出力信号の名称を省略している。これ等出力信号の名称は、小文字の”a”の代わりに”c”または”d”が付くことを除き、RBLK0a−63aに対応するリセットデコーダグループRDGからの出力信号の名称と同じである。
リセットデコーダグループRDG内のリセットデコーダRSTDECは、プリデコード信号GRA1X、GRA1Z、GRA0X、GRA0Zに応じて、ドライバ制御信号DVONX(例えば、DVON0aX)およびワードリセット信号RSTZ(例えば、RST0aZ)を出力する。リデコード信号GRA1X、GRA1Z、GRA0X、GRA0Zは、下位のロウアドレス信号RA1−0をプリデコードすることで生成される。
図9は、図4に示したロウデコーダRDEC0a−0dおよびサブメモリブロックRBLK0a−0dのレイアウトの例を示している。他のロウデコーダRDEC(例えば、RDEC1a−1d)および他のサブメモリブロックRLBK(例えば、RBLK1a−1d)のレイアウトも図9と同じである。各サブメモリブロックRBLK0a−0dにおいて、図の縦方向に並ぶビット線対BL、/BLは、センスアンプ列SA(例えば、SA0aまたはSA01a)に交互に接続されている。各ワード線WLに接続されたメモリセルMCは、ビット線BLまたは/BLに接続されている。
例えば、ロウデコーダRDEC0aは、共通のブロック選択信号BLK0Z、図示しないプリデコード信号GRA5X−GRA2X、GRA5Z−GRA2Zおよびワード制御信号WLONZを受け、ワード選択信号WLSELX(例えば、WLSEL0X)を生成する16個のワード選択デコーダSELDECを有している。プリデコード信号GRA5X−GRA2X、GRA5Z−GRA2Zは、図1に示したグローバルロウアドレス信号GRA5−2をプリデコードすることで生成される。ワード選択信号WLSELXは、メモリブロックRBLK0a−0dに共通に配線される。ワード選択信号WLSELXは、4本のワード線WL(サブワード線)のいずれかを活性化するためのメインワード線として機能する。なお、ワード選択デコーダSELDECは、ブロックデコーダBDEC0内に配置されてもよい。あるいは、ワード選択デコーダSELDECは、各ロウデコーダRDEC0a−0d内に独立に配置されてもよい。
各ロウデコーダRDEC0a−0dは、ワード線WL(WLa、WLb、WLc、WLdのいずれか)に接続された64個のワードドライバWLDRVを有している。共通のワード選択信号WLSELX(例えば、WLSEL0X)を受ける4個のワードドライバWLDRVを有するワードドライバグループは、ドライバ制御信号DVON0X−3X(例えば、DVON0aX−DVON3aX)およびワードリセット信号RST0Z−RST3Z(例えば、RST0aZ−RST3aZ)を受ける。各ロウデコーダRDEC0a−0dにおいて、16個のワードドライバグループは、共通のドライバ制御信号DVON0X−3Xおよびワードリセット信号RST0Z−RST3Zを受ける。
ロウデコーダRDEC0c−0dに対応するワードドライバWLDRVは、一部の入力信号の名称を省略している。これ等入力信号の名称は、小文字の”a”の代わりに”c”または”d”が付くことを除き、ロウデコーダRDEC0aに対応するワードドライバWLDRVに供給される入力信号の名称と同じである。
図10は、図8に示したリセットデコーダRSTDECと、図9に示したワード選択デコーダSELDEC、ワードドライバWLDRVとの例を示している。この例では、メモリブロックRBLK0aにおいて、ロウアドレス信号RA5−0が全て”0”のときに活性化されるワード線WL0aに関係する回路を示す。
ワード選択デコーダSELDECは、プリデコード信号GRA5X−2Xが全て高レベルのときにメインワード活性化信号MWLAZを高レベルに活性化し、ワード制御信号WLONZに同期してワード選択信号WLSEL0Xを低レベルに活性化する。プリデコード信号GRA5X−GRA2X、GRA5Z−GRA2Zは、図1に示したグローバルロウアドレス信号GRA5−2をプリデコードすることで生成される。ワード選択デコーダSELDECは、ワード選択信号WLSELXの高レベルを内部電源電圧(例えば、1.6V)から昇圧電圧VPP(例えば、2.8V)に変換するレベル変換回路LCNVを有している。内部電源電圧および昇圧電圧VPPは、メモリMEM内に設けられる内部電圧生成回路により生成され、外部電源電圧の変動の影響を受けない定電圧である。
ワードドライバWLDRVは、直列に接続されたpMOSトランジスタPM1−2および並列に接続されたnMOSトランジスタNM1−2を有するNORゲート構造を有している。ワードドライバWLDRVは、ワード選択信号WLSEL0X、ドライバ制御信号DVON0aXおよびワードリセット信号RST0aZがともに低レベルのときに、ワード線WL0aを高レベルVPPに設定する。ワードドライバWLDRVは、ワード選択信号WLSEL0Xまたはワードリセット信号RST0aZのいずれかかが高レベルのときに、ワード線WL0aを低レベルVSS(接地電圧)に設定する。
リセットデコーダRSTDECは、プリデコード信号GRA1X−0Xおよびページ活性化信号PA07X、PA03Xが全て高レベルのときにサブワード活性化信号SWLAZを活性化し、ワード制御信号WLONZに同期してドライバ制御信号DVON0aXおよびワードリセット信号RST0aZを低レベルに活性化する。
ページ活性化信号PA07X、PA07Z、PA03X、PZ03Zは、コラムアドレスCA7、CA3に対応してページ制御回路20により生成される。アクセスモード信号CMODEが低レベルに設定されているとき(水平アクセス)、ページ活性化信号PA03X、PZ03Zは、高レベルに維持される。アクセスモード信号CMODEが高レベルに設定されているとき(矩形アクセス)、ページ活性化信号PA07X、PA07Zは、高レベルに維持される。
これにより、水平アクセスが指定されるとき、図4に示したロウブロックRBLKa(RBLK0a−63aのいずれか)およびロウブロックRBLKb(RBLK0b−63bのいずれか)のワード線WLa、WLbが同時に活性化される。あるいは、ロウブロックRBLKc(RBLK0c−63cのいずれか)とおよびロウブロックRBLKd(RBLK0d−63dのいずれか)のワード線WLc、WLdが同時に活性化される。矩形アクセスが指定されるとき、ロウブロックRBLKa(RBLK0a−63aのいずれか)およびロウブロックRBLKc(RBLK0c−63cのいずれか)のワード線WLa、WLcが同時に活性化される。あるいは、ロウブロックRBLKb(RBLK0b−63bのいずれか)およびロウブロックRBLKd(RBLK0d−63dのいずれか)のワード線WLb、WLdが同時に活性化される。
図11は、図2に示した表示装置DISP内の画素のアドレスマップの例を示している。例えば、表示装置DISPは、横1920画素、縦1080画素を有している。図1に示したメモリMEMは、表示装置DISPの1画面の画像データを一度に保持できる記憶容量を有する。この実施形態では、RGBの3色を含む1画素を表示するための情報量は、例えば、32ビットである。このため、1画素のための画像データは、1つのアドレスに割り当てられた32個のメモリセルMCに保持される。
例えば、1画面は、横64、縦64に配列されたページPAGEにより構成される。各ページPAGEは、図12に示すように、256コラムアドレス(横16アドレス、縦16アドレス)により区画されている。ページPAGEを矩形に配列された画素により構成することで、矩形の画素データを符号化、復号化する画像データ制御部IMGCNTによるメモリMEMのアクセス効率を向上できる。
互いに隣接するページPAGEは、バンクアドレスBA1−0により、異なるバンクBK3−0に割り当てられている。これは、バンクアドレスBA1−0をロウアドレスRA11−0より下位に割り当てらることで実現される。バンクアドレスBA1−0を下位に割り当てることで、メモリMEMのアクセスが隣接するページPAGEに跨って連続して実行されるときにも、あるバンクBKのワード線WLの切り換え動作を、他のバンクBKのアクセス動作により隠すことができる。この結果、メモリMEMのアクセス効率を向上できる。
図12は、図11に示したページPAGE内のアドレスマップの例を示している。ページPAGE内の数字(16進数)は、256コラムアドレスの割り当てを示している。ページPAGEは、64コラムアドレス(横8アドレス、縦8アドレス)毎に区画された4個の領域a−dを有している。領域a−dは、コラムアドレスCA7、CA3によりマッピングされている。領域a−dは、例えば、図4に示したメモリブロックRBLK0a−0dの1本のワード線WLa−WLdに接続されたメモリセルMCを含んでいる。換言すれば、領域a−dは、互いに異なるロウデコーダRDECa−dを用いてそれぞれアクセスされる。
図13は、図12に示したページPAGE内の画素とコラムアドレスとの関係を示している。この実施形態のメモリMEMは、32ビットのデータ端子DQを有するため、1つのコラムアドレスCAで32ビットのデータDQ0−32をアクセスできる。例えば、1画素を構成するR(赤)、G(緑)、B(青)の素子は、8ビットの階調(DQ0−7、DQ8−15、DQ16−23)を表現できる。データDQ24−32は、予備の素子RSVである。予備の素子RSVは、例えば、RGBの少なくともいずれかの階調数を増やすときに使用される。あるいは、予備の素子RSVは、画素の色合いや輝度を調整するときに使用される。なお、図11に示した表示装置DISP内で、RGBの素子は、図の横方向に並んでいる。
図14は、図12に示したページPAGEをアクセスするための制御回路の例を示している。図中のメモリセル領域MCAa−MCAdは、図12に示した領域a−dに対応しており、1ページ分のメモリセルMCを有している。各メモリセル領域MCAa−MCAdのメモリセルMCは、1本ワード線WL(図4に示したWLa−WLd)に接続されている。
例えば、低レベルのアクセスモード信号CMODEがメモリMEMに供給され、矩形エリア選択信号ASELVZが低レベルに設定されるとき、ページ制御回路20は、ページ活性化信号PA03Z、PA03Xを強制的に高レベルに設定し、ページ活性化信号PA07Z、PA07Xを、コラムアドレスCA7に応じたレベルに設定する。これにより、互いに隣接するメモリセル領域MCAa−bまたはMCAc−dがアクセスされる。換言すれば、図4の横方向(第1方向)に延在し、4つに分割されたワード線WLa−WLdは、隣り合う分割単位(WLa−bまたはWLc−d)で活性化される。ここで、隣り合う分割単位は、コラムアドレス信号CA7、CA3のうち上位のCA7が同じワード線WL(WLa−b(CA7=0)またはWLc−d(CA7=1))である。
一方、高レベルのアクセスモード信号CMODEがメモリMEMに供給され、矩形エリア選択信号ASELVZが高レベルに設定されるとき、ページ制御回路20は、ページ活性化信号PA07Z、PA07Xを強制的に高レベルに設定し、ページ活性化信号PA03Z、PA03Xを、コラムアドレスCA3に応じたレベルに設定する。これにより、互いに隣接しないメモリセル領域MCAa、MCAcまたはMCAb、MCAdがアクセスされる。換言すれば、図4の横方向(第1方向)に延在し、4つに分割されたワード線WLa−WLdは、隣り合わない分割単位(WLa、WLcまたはWLb、WLd)で活性化される。ここで、隣り合わない分割単位は、コラムアドレス信号CA7、CA3のうち下位のCA3が同じワード線WL(WLa、WLc(CA3=0)またはWLb、WLd(CA3=1))である。
画像データの画像処理の種類に応じて活性化するメモリセル領域MCAを切り換えることで、常に最小限のメモリセル領域MCA(ワード線WL)のみを活性化できる。アクセスされないメモリセル領域MCAは、画像処理の種類に応じて選択的に非活性化される。このため、画像処理の種類に関わりなくメモリMEMの消費電力を常に最小限にできる。
図15は、図1に示したメモリMEMの水平アクセスの例を示している。水平アクセスは、図2に示した表示データ制御部DISPCNTからの水平アクセス要求HREQに応答して、メモリコントローラMCNTが低レベルのアクセスモード信号CMODEを出力することで実行される。この例では、メモリコントローラMCNTは、論理0のコラムアドレス信号CA7(AD7)および論理0のコラムアドレス信号CA3(AD3)をメモリMEMに出力する。しかし、低レベルのアクセスモード信号CMODEによりコラムアドレス信号CA3の論理はマスクされる。このため、太枠で囲った領域a、bのみが活性化される。例えば、領域a、bは、分割されたワード線WLa、WLb、WLc、WLdのうち、奇数番目の分割部分WLaと偶数番目の分割部分WLbに対応する。
例えば、読み出しコマンドとともに、2進数で”0100”のコラムアドレス信号CAD7−4がメモリMEMに供給され、”0000”から”1111”のコラムアドレス信号CAD3−0が順次メモリMEMに供給されることで、網掛けで示した領域から画像データが順次に読み出される。表示データ制御部DISPCNTは、表示装置DISPの水平方向に沿った表示ラインに画像を表示するために、読み出された画像データを表示装置DISPに出力する(線順次走査)。表示ラインの画素の並びに合わせて領域a、bのみを活性化し、表示ラインと関係しない領域c、dを非活性化することで、メモリMEMの消費電力を削減できる。
図16は、図1に示したメモリMEMの矩形アクセスの例を示している。矩形アクセスは、図2に示した画像データ制御部IMGCNTからの矩形アクセス要求RREQに応答して、メモリコントローラMCNTが高レベルのアクセスモード信号CMODEを出力することで実行される。この例では、メモリコントローラMCNTは、論理0のコラムアドレス信号CA7(AD7)および論理0のコラムアドレス信号CA3(AD3)をメモリMEMに出力する。しかし、高レベルのアクセスモード信号CMODEによりコラムアドレス信号CA7の論理はマスクされる。このため、太枠で囲った領域a、cのみが活性化される。例えば、領域a、cは、分割されたワード線WLa、WLb、WLc、WLdのうち、奇数番目の分割部分WLa、WLcに対応する。
矩形アクセスでは、例えば、横8素子、縦8素子を基本単位(MCU;Minimum Code Unit)として画像データが読み書きされる。コラムアドレスCA=41、42の領域の各々は、予備の素子RSVを含めて横方向に4素子の画像データを有している。このため、図中の網掛けの領域(41、42、51、52、...、B1、B2)は、64素子に対応する画像データを保持する1つのMCU領域である。
そして、読み出しコマンドとともに、コラムアドレスCAを変更しながら網掛けのMCU領域がアクセスされ、画像データが順次に読み出される。画像データ制御部IMGCNTは、読み出された画像データを符号化し、外部メモリEMEMに書き込む。あるいは、書き込みコマンドとともに、コラムアドレスCAを変更しながら網掛けのMCU領域がアクセスされ、復号化された画像データが順次にメモリMEMに書き込まれる。網掛けのMCU領域は、コラムアドレスCA3=0の領域a、cに含まれるが、CA3=1の領域b、dに含まれない。領域b、dは、活性化されないため、メモリMEMの消費電力を削減できる。
図15および図16に示したように、水平アクセス(第1のワード線アクセスモード)では、表示ラインに沿って横方向に並ぶ領域a、b(またはc、d)に対応するメモリブロックRBLKのみを活性化することで、消費電力が削減される。反対に、矩形アクセス(第2のワード線アクセスモード)では、表示ラインに交わる方向に沿って縦方向に並ぶ領域a、c(またはb、d)に対応するメモリブロックRBLKのみを活性化することで、消費電力が削減される。本実施形態が提案される前、例えば、水平アクセスに合わせて、横方向に並ぶ領域a、b(またはc、d)に対応するメモリブロックRBLKのみを活性化すると、矩形アクセスでは、4つの領域a−dに対応するメモリブロックRBLKを全て活性化する必要がある。一方、矩形アクセスに合わせて、縦方向に並ぶ領域a、c(またはb、d)に対応するメモリブロックRBLKのみを活性化すると、水平アクセスでは、4つの領域a−dに対応するメモリブロックRBLKを全て活性化する必要がある。したがって、画像処理に関係する複数の動作モードにおいて、メモリMEMの消費電力を常に最小限にすることはできなかった。ここで、動作モードは、画像表示のための水平アクセス動作モードと、画像データの符号化または復号化のための矩形アクセス動作モードを含む。
以上、この実施形態では、ロウアドレス信号RAだけでなく、コラムアドレス信号CAの一部に基づいて、メモリブロックRBLKa−dの単位でワード線WLを活性化することで、アクセスに必要な活性化されたワード線WLの数を常に最小限にできる。この結果、メモリMEMの消費電力を削減できる。具体的には、メモリブロックRBLKをコラムアドレスCA7、CA3により識別される4個のサブメモリブロックRBLKa、RBLKb、RBLKc、RBLKd(4つのサブワード線WLa、WLb、WLc、WLd)に分割し、動作モードに応じて、サブメモリブロックRBLKa−dの活性化パターンを変えることで、メモリMEMの消費電力を常に最小限にできる。
画像処理の種類により異なる動作モードに応じて、サブメモリブロックRBLKa−dの活性化パターンを変えることで、画像データを保持するメモリMEMの消費電力を、動作モードに関わりなく常に最小限にできる。分割されるサブメモリブロックRBLKa−d(サブワード線WLa−d)の配列を、表示装置DISPの画素の配列に合わせることで、メモリMEMを動作モードに応じて効率よくアクセスできる。
外部端子で受けるアクセスモード信号CMODEにより動作モードを認識することで、メモリMEMをアクセスする外部デバイスの要求に応じて、動作モードを迅速に切り換えることができる。特に、従来、メモリコントローラMCNT内でアドレス等の算出のために使用していた矩形アクセスおよび水平アクセスの情報を、アクセスモード信号CMODEとしてメモリMEMに供給することで、メモリコントローラMCNTの変更を最小限にできる。
コラムアドレス信号CAがロウアドレス信号RAとともに供給される擬似SRAMに適用することで、コラムアドレスCA7、CA3の論理に応じて、センスアンプ制御回路SCNTおよびロウデコーダRDECの動作を容易に制御できる。換言すれば、センスアンプ制御回路SCNT、ロウデコーダRDECおよびこれ等回路ブロックに供給される信号を生成する回路の論理設計およびタイミング設計を容易にできる。
図17は、別の実施形態における半導体メモリMEMを示している。上述した実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。この実施形態のメモリMEMは、図1に示したコマンドデコーダ12およびページ制御回路20の代わりにコマンドデコーダ12Aおよびページ制御回路20Aを有している。また、メモリMEMは、新たにモードレジスタ40Aを有している。その他の構成は、図1と同じである。半導体メモリMEMは、図1と同様に、擬似SRAMタイプのFCRAMである。
コマンドデコーダ12Aは、図1に示したコマンドデコーダ12の機能に加えて、モードレジスタ40Aを設定するためのモードレジスタ設定コマンド信号MRSZを出力する機能を有している。例えば、モードレジスタ設定コマンド信号MRSZは、所定のコマンド信号CMDとアドレス信号ADを所定の回数受けたときに出力される。あるいは、モードレジスタ設定コマンド信号MRSZは、通常のアクセス動作では使用しない組み合わせのコマンド信号CMD(制御信号)を受けたときに出力される。
モードレジスタ40Aは、モードレジスタ設定コマンド信号MRSZに同期して、例えば、ロウアドレス信号IRADの値に応じて設定される複数のレジスタを有している。なお、モードレジスタ40Aは、コラムアドレス信号ICADまたはデータ信号DQにより設定されてもよい。モードレジスタ40Aは、コンフィギュレーションレジスタとも称される。
モードレジスタ40Aは、例えば、モードレジスタ設定コマンド信号MRSZとともに受けるロウアドレス信号RA0(外部制御信号)の値を保持するページ制御レジスタを有している。ページ制御レジスタに保持されている値は、ページ制御イネーブル信号PENとして出力される。
ページ制御回路20Aは、図1および図3に示したページ制御回路20の機能に加えて、低レベルのページ制御イネーブル信号PENを受けたときに、全てのページ活性化信号PA03Z、PA03X、PA07Z、PA07Xを高レベルに設定する機能を有している。全てのページ活性化信号PA03Z、PA03X、PA07Z、PA07Xが高レベルに設定されることにより、図14に示した4個のメモリセル領域MCAa−d(RBLKa−d)は、常に同時に活性化される。
図18は、図17に示したページ制御回路20Aの例を示している。ページ制御回路20Aは、ページ制御イネーブル信号PENを受け、矩形信号RECTZおよび水平信号HORIZをそれぞれ出力するNANDゲートを有している。その他の構成は、図3に示したページ制御回路20とほぼ同じである。NANDゲートにより、ページ制御イネーブル信号PENが低レベルのとき、矩形信号RECTZおよび水平信号HORIZは、矩形エリア選択信号ASELVZにレベルに関わりなく、ともに高レベルに活性化される。これにより、矩形制御回路RECTCNTは、コラムアドレス信号CA7の値に関わりなく高レベルのページ活性化信号PA07Z、PA07Xを出力する。水平制御回路HORICNTは、コラムアドレス信号CA3の値に関わりなく高レベルのページ活性化信号PA03Z、PA03Xを出力する。
例えば、ブロック選択信号BLK0Zが活性化されるとき、図7に示した8個のセンスアンプ制御回路SCNTは、高レベルのページ活性化信号PA07Z、PA07X、PA03Z、PA03Xに応答して全てのセンスアンプ活性化信号NSA、PSAを活性化する。そして、メモリブロックRBLK0a−0dに対応する全てのセンスアンプSA0a−0d、SA01a−01dが活性化される。同様に、図8に示した共通のプリデコード信号GRA1−0(例えば、GRA1X−0X)を受ける4個のリセットデコーダRSTDECは、ドライバ制御信号DVON0aX−0dXおよびワードリセット信号RST0aZ−RST0dZを活性化する。これにより、図9に示したメモリブロックRBLK0a−0d(メモリセルグループ)に対応する4個のワードドライバWLDRVは、分割されたワード線WLa−WLdの全てを活性化する。
このように、ページ制御イネーブル信号PENが低レベルのとき、コラムアドレス信号CA7、CA3による制御はマスクされ、ロウアドレス信号RA11−0のみに応じて、図12に示したページPAGE内の全ての領域a−dが活性化される。ページ制御イネーブル信号PENが高レベルのときの動作は、上述した実施形態と同じである。2つのNANDゲートは、ワード線WLa−WLdを活性化する単位を判断する判定回路として動作する。例えば、図2に示したメモリコントローラMCNTは、水平アクセス要求HREQおよび矩形アクセス要求RREQがともに低レベルのときに、ページ制御イネーブル信号PENを低レベルに設定するためにモードレジスタ40Aをアクセスする。あるいは、図2に示したメモリコントローラMCNTは、ページPAGE内の3つ以上の領域から画像データを読み出すとき、またはページPAGE内の3つ以上の領域に画像データを書き込むとき、ページ制御イネーブル信号PENを低レベルに設定するためにモードレジスタ40Aをアクセスする。
以上、この実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、この実施形態では、モードレジスタ40Aの設定値に応じて、アクセスモード信号CMODEのレベルに関わりなく、分割されたワード線WLa−WLdの全てを活性化できる。例えば、ページアドレスアクセス機能を有するメモリMEMにおいて、ワード線WLa−WLdを切り換えることなくページPAGE内の領域a−dのうち3つ以上の領域をアクセスできる。ページアドレスアクセス機能は、コラムアドレスCAのみを順次に切り換えることで、ワード線WLの活性化状態を保持したまま読み出し動作または書き込み動作を連続して実行する機能であり、データ転送レートを向上できる。この結果、画像処理の種類により異なる動作モードに応じて、消費電力を最小限に設定でき、かつ、ページPAGE内の3つ以上の領域の画像データをアクセスするときには、アクセス効率を向上できる。
図19は、別の実施形態における半導体メモリMEMを示している。上述した実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。この実施形態のメモリMEMは、図17に示したモードレジスタ40Aおよびページ制御回路20Aの代わりにモードレジスタ40Bおよびページ制御回路20Bを有している。その他の構成は、ロウデコーダRDEC、センスアンプ制御回路SCNTおよびメモリブロックRBLKが異なることを除き図17と同じである。半導体メモリMEMは、図1と同様に、擬似SRAMタイプのFCRAMである。
モードレジスタ40Bは、図17のモードレジスタ40Aの機能に加え、例えば、モードレジスタ設定コマンド信号MRSZとともに受けるロウアドレス信号RA1−0(外部制御信号)の値を保持する折り返し制御レジスタを有している。折り返し制御レジスタに保持されている値は、折り返し信号FOLD2Z、FOLD3Zとして出力される。ページ制御回路20Bは、図18に示したページ制御回路20Aの機能に加えて、折り返し信号FOLD2Z、FOLD3Zに応じて、コラムアドレス信号CA2またはCA3に応じてページ活性化信号PA0FZ、PA0FXを生成する機能を有している。
図20は、図19に示したページ制御回路20Bの例を示している。ページ制御回路20Bは、スイッチSW1−2を有することを除き、図18に示したページ制御回路20Aと同じである。スイッチSW1は、折り返し信号FOLD2Zが高レベルのときにオンし、コラムアドレス信号CA2を水平制御回路HORICNTに伝達する。スイッチSW2は、折り返し信号FOLD3Zが高レベルのときにオンし、コラムアドレス信号CA3を水平制御回路HORICNTに伝達する。
図21は、図19に示したロウデコーダRDECの例を示している。ロウデコーダRDECは、リセットデコーダRSTDECで受ける信号が、上述した実施形態に比べて異なる。リセットデコーダRSTDECは、ページ活性化信号PA03X(またはPA03Z)の代わりに、ページ活性化信号PA0FX(またはPA0FZ)を受ける。その他の構成は、図10と同じである。
図22は、図19に示したバンクBK(BK0−3)のレイアウトの例を示している。バンクBKは、上位のロウアドレスRA11−6で識別される64個のメインメモリブロックRBLK(RBLK0−63)を有している。各メインメモリブロックRBLKは、コラムアドレスCA2、CA3、CA7で識別されるサブメモリブロックRBLKa、RBLKb、RBLKc、RBLKd、RBLKe、RBLKf、RBLKg、RBLKh(メモリセルグループ;例えば、RBLK0a、RBLK0b、RBLK0c、RBLK0d、RBLK0e、RBLK0f、RBLK0g、RBLK0h)を有している。
メインメモリブロックRBLK内で図の横方向(第1方向)に延在するワード線WLは、サブメモリブロックRBLKa−h毎に分割されている(WLa、WLb、WLc、WLd、WLe、WLf、WLg、WLh)。分割されたワード線WLa−WLhは、コラムアドレス信号CA7、CA3、CA2により選択され、アドレス順に配列されている。ロウデコーダRDECおよびセンスアンプ制御回路SCNTは、サブメモリブロックRBLKa−h毎に配置されている。その他の構成は、図4と同じである。
図23は、図11に示したページPAGE内のアドレスマップの例を示している。この実施形態では、ページPAGEは、32コラムアドレス(横4アドレス、縦8アドレス)に区画された8個の領域a−hを有している。領域a−hは、コラムアドレスCA7、CA3、CA2によりマッピングされている。領域a−hは、例えば、図22に示したメモリブロックRBLK0a−0hの1本のワード線WLa−WLhに接続されたメモリセルMCを含んでいる。換言すれば、領域a−hは、互いに異なるロウデコーダRDECa−hを用いてそれぞれアクセスされる。
図24は、図23に示したページPAGE内の画素とコラムアドレスとの関係を示している。この実施形態では、画像データは、Yデータ(輝度成分)、Cbデータ(青の色差成分)およびCrデータ(赤の色差成分)を含む。Yデータは、16ビットの階調を有し、CbデータおよびCrデータは、8ビットの階調を有する。これにより、1つの画素は、32ビットの情報を用いて表示される。
また、この実施形態では、連続するコラムアドレスCA(00−03)に8個のYデータ(Y0−Y7)が割り当てられ、連続するコラムアドレスCA(04−07)にこれ等Yデータに対応する8組のCbデータおよびCrデータ(Cb0−7、Cr0−7)が割り当てられる。そして、RGBの素子を含む画素PXが、Yデータ、CbデータおよびCrデータ(例えば、Y5、Cb5、Cr5)により表示される。
図25は、図19に示したメモリMEMの矩形アクセスの例を示している。水平アクセスは、図15と同じである。矩形アクセスは、図2に示した画像データ制御部IMGCNTからの矩形アクセス要求RREQに応答して、メモリコントローラMCNTが高レベルのアクセスモード信号CMODEを出力することで実行される。
この例では、予め設定された値に応じてモードレジスタ40Bは、低レベルのページ制御イネーブル信号PENZ、高レベルの折り返し信号FOLD2Zおよび低レベルの折り返し信号FOLD3Zを出力する。コラムアドレス信号CA2は、低レベルである。これにより、低レベル(=0)のコラムアドレス信号CA2が割り当てられた領域a、c、e、g(網掛けの領域)のみが活性化される。すなわち、ロウアドレス信号RA11−0により選択可能な8本のワード線WLのうち、ワード線WLa、WLc、WLe、WLgのみが活性化される。
コラムアドレス信号CA2=0に対応する領域a、c、e、gは、図24に示したデータY0−Y7を保持している。これにより、図2に示した矩形制御回路RECTCNTまたは他の画像処理回路が、輝度成分Yのみを用いて画像データの符号化等の処理をするとき、最小限のメモリブロックRBLK(メモリセルグループ)のみを活性化できる。
なお、低レベルのアクセスモード信号CMODE、低レベルのページ制御イネーブル信号PENZが出力されるときの動作は、図15と同じである。高レベルのアクセスモード信号CMODE、低レベルのページ制御イネーブル信号PENZ、低レベルの折り返し信号FOLD2Zおよび高レベルの折り返し信号FOLD3Zが出力されるときの動作は、図16と同じである。高レベルのページ制御イネーブル信号PENZが出力されるときの動作は、図18で説明した動作と同じである。
以上、この実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、この実施形態では、画像データ中の特定の成分のみを用いて画像処理を実行するときに、メモリMEMの消費電力を最小限にできる。
図26は、別の実施形態における半導体メモリMEMを示している。例えば、半導体メモリMEMは、DRAM(Dynamic RAM)である。メモリMEMは、パッケージに封入された半導体メモリ装置として設計されてもよく、システムLSI等に搭載されるメモリマクロ(IP)として設計されてもよい。この例のメモリMEMは、クロック非同期タイプであるが、クロック同期タイプに適用されてもよい。
メモリMEMは、図1のコマンド入力回路10、コマンドデコーダ12、ロウタイミング制御回路14、アドレス入力回路22、23およびロウアドレス制御回路30の代わりに、コマンド入力回路10C、コマンドデコーダ12C、ロウタイミング制御回路14C、アドレス入力回路22Cおよびロウアドレス制御回路30Cを有している。その他の構成は、図1と同じである。また、特に図示していないが、メモリMEMは、セルフリフレッシュモード中にリフレッシュ動作を周期的に実行するために、内部リフレッシュ要求を周期的に生成するリフレッシュ要求生成回路、およびリフレッシュするメモリセルを示すリフレッシュアドレス信号を生成するリフレッシュアドレスカウンタ等を有している。
コマンド入力回路10Cは、コマンド信号CMDを受け、受けたコマンド信号CMDを内部コマンド信号ICMDとして出力する。例えば、コマンド信号CMDは、チップセレクト信号/CS、ロウアドレスストローブ信号/RAS、コラムアドレスストローブ信号/CASおよびライトイネーブル信号/WEである。
コマンドデコーダ12Cは、コマンド信号ICMDをデコードし、バンクBK0−3のアクセス動作を実行するためにアクティブコマンド信号ACTZ(アクティブコマンド)、読み出しコマンド信号RDZ(読み出しコマンド)、書き込みコマンド信号WRZ(書き込みコマンド)、リフレッシュコマンド信号REFZ(リフレッシュコマンド)またはプリチャージコマンド信号PREZ(プリチャージコマンド)を出力する。
ロウタイミング制御回路14Cは、アクティブコマンド信号ACTZおよびリフレッシュコマンド信号REFZに応答して各バンクBK0−3を活性化するためにワード制御信号WLONZおよびセンスアンプ制御信号SAONZを活性化する。また、ロウタイミング制御回路14Cは、プリチャージコマンド信号PREZの活性化に応答して、各バンクBK0−3を非活性化するためにワード制御信号WLONZおよびセンスアンプ制御信号SAONZを非活性化する。ロウタイミング制御回路14Cのその他の機能は、リフレッシュ要求生成回路およびアービタを有していないことを除き、図1に示したロウタイミング制御回路14と同じである。
アドレス入力回路22Cは、アドレス端子ADに供給されるロウアドレス信号RADとコラムアドレス信号CADを時分割で受ける。ロウアドレス信号RADは、ワード線WLを選択するためにロウアドレスストローブ信号/RASに同期してアドレス端子AD11−0に供給される。コラムアドレス信号CADは、ビット線対BL、/BLを選択するためにコラムアドレスストローブ信号/CASに同期してアドレス端子AD7−0に供給される。
ロウアドレス制御回路30Cは、ロウアドレス信号RA11−0をロウアドレス制御信号RACZではなく、コラムアドレス制御信号CACZに同期してラッチし、グローバルロウアドレス信号GRA(GRA11−0)として出力する。その他の構成は、リフレッシュアドレスカウンタおよびアドレスセレクタを有していないことを除き、図1に示したロウアドレス制御回路30と同じである。この実施形態では、各バンクBK0−3のロウデコーダRDECは、コラムアドレス信号CAの受信(コラムアドレス制御信号CACZ)に同期して、グローバルロウアドレス信号GRAを受け、デコード動作を開始する。
この実施形態のメモリMEMの動作は、ロウデコーダRDECの動作が開始するタイミングを除き、図14から図16で説明した動作と同じである。以上、この実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、この実施形態では、ロウアドレス信号RAとコラムアドレス信号CAが時分割で供給されるメモリMEMにおいても、画像処理の種類により異なる動作モードに応じて、メモリMEMの消費電力を常に最小限にできる。
図27は、別の実施形態における半導体メモリMEMを示している。上述した実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。この実施形態のメモリMEMは、図26に示したコマンドデコーダ12Cおよびページ制御回路20の代わりにコマンドデコーダ12Dおよびページ制御回路20Aを有している。また、メモリMEMは、新たにモードレジスタ40Aを有している。その他の構成は、図26と同じである。半導体メモリMEMは、図26と同様に、DRAMである。
モードレジスタ40Aおよびページ制御回路20Aは、図17と同じである。コマンドデコーダ12Dは、図26に示したコマンドデコーダ12Cの機能に加えて、モードレジスタ40Aを設定するためのモードレジスタ設定コマンド信号MRSZを出力する機能を有している。モードレジスタ設定コマンド信号MRSZの生成シーケンスは、図17に示したコマンドデコーダ12Aと同じである。
この実施形態のメモリMEMの動作は、ロウデコーダRDECの動作が開始するタイミングを除き、図17および図18で説明した動作と同じである。以上、この実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
図28は、別の実施形態における半導体メモリMEMを示している。上述した実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。この実施形態のメモリMEMは、図27に示したモードレジスタ40Aおよびページ制御回路20Aの代わりにモードレジスタ40Bおよびページ制御回路20Bを有している。その他の構成は、ロウデコーダRDEC、センスアンプ制御回路SCNTおよびメモリブロックRBLKが異なることを除き図27と同じである。ロウデコーダRDEC、センスアンプ制御回路SCNTおよびメモリブロックRBLKは、図22と同じである。半導体メモリMEMは、図26と同様に、DRAMである。
モードレジスタ40Bおよびページ制御回路20Bは、図19と同じである。この実施形態のメモリMEMの動作は、ロウデコーダRDECの動作が開始するタイミングを除き、図23から図25で説明した動作と同じである。以上、この実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、上述した実施形態は、擬似SRAMタイプのFCRAMおよびDRAMに適用する例について述べた。しかし、例えば、上述した実施形態は、SRAMあるいは強誘電体メモリ等に適用してもよい。
上述した実施形態では、ページPAGEを4分割または8分割することでサブメモリブロックRBLK(領域a−dまたは領域a−h)を設け、ページPAGE内で活性化するサブメモリブロックRBLKをコラムアドレス信号CAの一部のビットにより指定する例について述べた。しかし、例えば、ページPAGEを2のn乗個(nは正の整数)に分割し、ページPAGE内で活性化するサブメモリブロックRBLKを、コラムアドレス信号CAのnビットを用いて指定してもよい。
図17、図19、図27および図28に示した半導体メモリMEMでは、モードレジスタ40A(または40B)によりページ制御イネーブル信号PENZの論理レベルを設定する例について述べた。しかし、例えば、ページ制御イネーブル信号PENZは、外部端子を介して直接メモリMEMに供給されてもよい。同様に、図19および図28に示した半導体メモリMEMでは、折り返し信号FOLD2Z、FOLD3Zは、外部端子を介して直接メモリMEMに供給されてもよい。
図1、図17、図26および図27に示した半導体メモリMEMは、RGBデータを有する画像データを保持する例について述べた。しかし、例えば、半導体メモリMEMは、Yデータ(輝度成分)、Cbデータ(青の色差成分)およびCrデータ(赤の色差成分)を有する画像データを保持してもよい。
図1から図28に示した実施形態に関して、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
2n(nは正の整数)個のメモリセルグループと、
前記2n個のメモリセルグループの各々に対して設けられた第1デコーダと、第2デコーダと、
を備え、
前記第1デコーダは、第1アドレスと第2アドレス内のn個のビットとに基づいて前記メモリセルグループの単位でワード線を活性化し、
前記第2デコーダは、第2アドレスに基づいてビット線を活性化すること
を特徴とする半導体記憶装置。
(付記2)
外部制御信号と前記第2アドレス内のn個のビットとに基づいて、ワード線活性化のための制御信号を前記第1デコーダに供給するページ制御回路を備えること
を特徴とする付記1に記載の半導体記憶装置。
(付記3)
前記外部制御信号は、前記メモリセルグループに保持される画像データの画像処理に関する信号であること
を特徴とする付記2に記載の半導体記憶装置。
(付記4)
外部制御信号に基づいて、前記第1アドレスと前記第2アドレスのn個のビットとに基づいて選択される少なくとも1つのメモリセルグループ単位で前記ワード線を活性化又は前記第1アドレスに基づいて選択される複数のメモリセルグループ単位で前記ワード線を活性化するかを判断する判定回路を備えること
を特徴とする付記1、付記2又は付記3に記載の半導体記憶装置。
(付記5)
ワード線を分割単位で活性化する半導体記憶装置において、
第1のワード線アクセスモードと第2のワード線アクセスモードとを備え、
前記第1のワード線アクセスモードでは、隣り合う分割単位でワード線を活性化させ、
前記第2のワード線アクセスモードでは、隣り合わない分割単位でワード線を活性化させること
を特徴とする半導体記憶装置。
(付記6)
前記第1のワード線アクセスモードと前記第2のワード線アクセスモードとは、前記メモリセルグループに保持される画像データの画像処理に関する動作モードであること
を特徴とする付記5に記載の半導体記憶装置。
(付記7)
前記第1のワード線アクセスモードは、画像表示の動作モードであり、
前記第2のワード線アクセスモードは、画像データの符号化又は復号化の動作モードであること
を特徴とする付記5に記載の半導体記憶装置。
(付記8)
前記ワード線を活性化させるために第1アドレスと、ビット線を活性化させる第2アドレスとは同時に前記半導体記憶装置に供給されること
を特徴とする付記5、付記6又は付記7に記載の半導体記憶装置。
(付記9)
メモリと、
画像データの表示を制御する表示データ制御部と、
画像データの符号化又は復号化を制御する画像データ制御部と、
を備え、
前記メモリは、
前記表示データ制御部が前記メモリをアクセスするための第1制御信号、又は、前記画像データ制御部が前記メモリをアクセスするための第2制御信号に基づいて、ワード線を所定の分割単位で活性化させること
を特徴とする画像処理システム。
(付記10)
前記メモリは、
前記第1制御信号に基づいて、隣り合う分割単位でワード線を活性化させ、
前記第2制御信号に基づいて、隣り合わない分割単位でワード線を活性化させること
を特徴とする付記9に記載の画像処理システム。
(付記11)
前記メモリは、
2n(nは正の整数)個のメモリセルグループと、
前記2n個のメモリセルのグループの各々に対して設けられた第1デコーダと第2デコーダと、
を備え、
前記第1デコーダは、 第1アドレスと第2アドレス内のn個のビットとに基づいて前記メモリセルグループの単位でワード線を活性化し、
前記第2デコーダは、第2アドレスに基づいてビット線を活性化すること
を特徴とする付記9に記載の画像処理システム。
(付記12)
前記第1制御信号又は前記第2制御信号が活性化されていないときに、分割された前記ワード線の全てを活性化すること
を特徴とする付記9、付記10又は付記11に記載の画像処理システム。
(付記13)
前記第1制御信号又は前記第2制御信号を受信して、前記ワード線を所定の分割単位で活性化するためのアクセスモード信号を前記メモリに出力するメモリコントローラを備えること
を特徴とする付記9、付記10、付記11又は付記12に記載の画像処理システム。
(付記14)
前記メモリにアドレスを供給し、
前記表示データ制御部と前記画像データ制御部とに前記メモリから読み出されたデータを供給するメモリコントローラを備えること
を特徴とする付記9、付記10、付記11又は付記12に記載の画像処理システム。
(付記15)
前記メモリは、
第1アドレスと第2アドレスの一部とに基づいて前記ワード線を選択する第1デコーダと、
前記第2アドレスに基づいてビット線を選択する第2デコーダと
を備えること
を特徴とする付記9、付記10、付記11、付記12、付記13又は付記14に記載の画像処理システム。
(付記16)
画像表示を行うための第1メモリアクセス要求信号、及び、画像データの符号化若しくは復号化を行うための第2メモリアクセス要求信号を受信し、
前記第1メモリアクセス要求信号又は前記第2メモリアクセス要求信号に基づいて、複数に分割されたワード線を部分的に活性化し、
活性化されたワード線に接続されたメモリセルから読み出される画像データを処理すること
を特徴とする画像処理方法。
(付記17)
前記第1メモリアクセス要求信号に基づいて、n個(nは正の整数)に分割された前記1本のワード線の奇数番目の分割部分と偶数番目の分割部分との組み合わせを選択し、
前記第2メモリアクセス要求信号に基づいて、n個(nは正の整数)に分割された前記1本のワード線の奇数番目の分割部分同士の組み合わせ又は偶数番目の分割部分同士の組み合わせを選択すること
を特徴とする付記16に記載の画像処理方法。
(付記18)
前記ワード線をアクセスするための第1アドレスとビット線をアクセスするための第2アドレスとを受信し、
前記第1アドレスと前記第2アドレスの一部とに基づいて、複数に分割された前記ワード線を部分的に活性化すること
を特徴とする付記16又は付記17に記載の画像処理方法。
(付記19)
前記第1メモリアクセス要求信号及び前記第2メモリアクセス要求信号がともに活性化されないときに、分割された前記ワード線の全てを活性化すること
を特徴する付記16、付記17又は付記18に記載の画像処理方法。 以上の詳細な説明により、実施形態の特徴点及び利点は明らかになるであろう。これは、特許請求の範囲がその精神及び権利範囲を逸脱しない範囲で前述のような実施形態の特徴点及び利点にまで及ぶことを意図するものである。また、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、あらゆる改良及び変更に容易に想到できるはずであり、発明性を有する実施形態の範囲を前述したものに限定する意図はなく、実施形態に開示された範囲に含まれる適当な改良物及び均等物に拠ることも可能である。
10、10C‥コマンド入力回路;12、12A、12C、12D‥コマンドデコーダ;14、14C‥ロウタイミング制御回路;16‥コラムタイミング制御回路;18‥アドレスモード制御回路;20、20A、20B‥ページ制御回路;22、22C、23‥アドレス入力回路;24‥コラムアドレスラッチ;26‥ロウアドレスラッチ;28‥コラムアドレス制御回路;30、30C‥ロウアドレス制御回路;32‥バンクアドレス入力回路;34‥バンクアドレスラッチ;36‥バンクアドレス制御回路;38‥データ入出力回路;40A、40B‥モードレジスタ;BL、/BL‥ビット線;BK0−BK3‥バンク;CAM‥カメラ;CDEC‥コラムデコーダ;CMODE‥アクセスモード信号;DBSW‥データバススイッチ;DISP‥表示装置;DISPCNT‥表示データ制御部;EMEM‥外部メモリ;HREQ‥水平アクセス要求;IMGPRC‥画像データ処理部;MC‥ダイナミックメモリセル;MCNT‥メモリコントローラ;MEM‥メモリ;RBLK‥メモリブロック;RDEC‥ロウデコーダ;RREQ‥矩形アクセス要求;SAA‥センスアンプ領域;WL‥ワード線