JP2009230010A - 液晶パネル、表示装置およびプロジェクタ - Google Patents

Abstract

【課題】画素間のクロストークの影響を抑制した液晶パネル、その液晶パネルを使用した表示装置およびその液晶パネルを使用してプロジェクタを提供する。
【解決手段】本発明の液晶パネル１は、液晶１５と、液晶１５に電界を印加可能な複数の画素電極１２と、複数の画素電極１２と液晶１５を介して対向する共通電極１７と、液晶１５の画素電極側の界面において液晶１５の液晶分子を第１の方向に配向させる配向膜１４Ａと、液晶の共通電極側の界面において液晶１５の液晶分子を第２の方向に配向させる配向膜１４Ｂとを備え、画素電極１２における第１の方向と直交する方向側の領域上に透明絶縁体層が形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶パネル、表示装置およびプロジェクタに関する。

信号線によるクロストーク現象を防止するため、信号線方向に沿ったスリットを共通電極に形成したアクティブマトリックス型の液晶パネルが従来技術として知られている（たとえば、特許文献１参照）。
特開平６−１１８４４７号公報

画素サイズの微細化にともない、信号線によるクロストークの他に画素電極によるクロストークの影響を抑制する必要がある。

（１）請求項１の発明の液晶パネルは、液晶と、液晶に電界を印加可能な複数の画素電極と、複数の画素電極と液晶を介して対向する共通電極と、液晶の画素電極側の界面において液晶の液晶分子を第１の方向に配向させる第１のラビング手段と、液晶の共通電極側の界面において液晶の液晶分子を第２の方向に配向させる第２のラビング手段とを備え、画素電極における第１の方向と直交する方向側の領域上に透明絶縁体層が形成されることを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の液晶パネルにおいて、画素電極の形状は矩形であり、第１の方向は画素電極の対角線方向であり、画素はデルタ配置されており、透明絶縁体層は、画素電極における第１の方向と直交する方向の角に形成されることを特徴とする。
（３）請求項３の発明は、請求項２に記載の液晶パネルにおいて、透明絶縁体層は、第１の方向と直交する方向の角に隣接する、他の画素電極の領域に、さらに形成されることを特徴とする。
（４）請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶パネルにおいて、共通電極は、画素電極との間に発生する電界が該画素電極に隣接する画素電極上の液晶分子の中の共通電極側の液晶分子に対して与える影響を抑制する電界抑制手段を備えることを特徴とする。
（５）請求項５の発明の液晶パネルは、液晶と、デルタ配列される矩形の複数の画素からなる構成であって、液晶に電界を印加可能な複数の矩形の画素電極と、複数の画素電極と液晶を介して対向する共通電極と、液晶の画素電極側の界面において液晶の液晶分子を画素電極の対角線方向に配向させる第１のラビング手段と、液晶の共通電極側の界面において液晶の液晶分子を第２の方向に配向させる第２のラビング手段とを備え、共通電極は、画素電極との間に発生する電界が該画素電極に隣接する画素電極上の液晶分子の中の共通電極側の液晶分子に対して与える影響を抑制する電界抑制手段を備えることを特徴とする。
（６）請求項６の発明は、請求項４または５に記載の液晶パネルにおいて、電界抑制手段は、画素電極における第１の方向と直交する方向の角に沿って共通電極に形成したスリット状の非導通部であること特徴とする。
（７）請求項７の発明は、請求項４または５に記載の液晶パネルにおいて、電界抑制手段は、画素電極における第１の方向と直交する方向の角に沿って共通電極上に形成した透明絶縁体層であること特徴とする。
（８）請求項８の発明の表示装置は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶パネルを備えることを特徴とする。
（９）請求項９の発明のプロジェクタは、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶パネルを備えることを特徴とする。

本発明によれば、画素電極から発生する電界が、その画素に隣接する画素の液晶分子の配列に対して与える影響を抑制することができる。

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
−第１の実施形態−
第１の実施形態における液晶パネルでは、後述する画素電極上に透明絶縁体層を形成することにより隣接する画素の画素電極による影響を抑制することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態による液晶パネル１の構造を説明するための図である。本発明の第１の実施形態による液晶パネル１は反射型の液晶パネルであり、液晶パネル１に入射する入射光を利用して表示素子としての機能を実現する。また、本発明の第１の実施形態による液晶はＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶であり、液晶パネル１の面方向を軸として液晶分子が反射により９０°ねじれる配列になっている。さらに、本発明の第１の実施形態による液晶パネル１はＴＦＴ（Thin Film Transistor）を使用したアクティブ・マトリクス方式の液晶パネルであり、それぞれの画素にＴＦＴによるオン／オフスイッチが形成されている。

液晶パネル１は、ＴＦＴ素子形成Ｓｉ基板１１、画素電極１２、カラーフィルタ１３、配向膜１４、液晶１５、配向膜１６、共通電極１７およびガラス基板１８から構成される。この液晶パネル１は偏光板を有さず、ＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）ブロック（図１７（ｂ）参照）と組み合わせて使用する。ここで、ＰＢＳブロックとは直角のプリズムの斜面に偏光分離膜を蒸着し、斜面（偏光面）同士で接着した立方体状の偏光子である。入射した光のうち、所定振動方向の光は偏光面を透過し、他の所定振動方向の光は偏光面を反射する。

ＴＦＴ素子形成Ｓｉ基板１１は、表面にＴＦＴ素子を形成したＳｉ基板である。ＴＦＴ素子は、各画素電極に対応して形成され、後述する画素電極における電荷（画素信号）の充電を制御するオン／オフスイッチである。電圧が印加された状態でＴＦＴ素子がオン状態のとき、画素電極に電流が流れ、画素電極に電荷が充電され、液晶１５に電圧が印加される。ＴＦＴ素子がオフ状態になると、画素電極に充電された電荷は外部へ流れないので、画素電極に充電された電荷は保持され、液晶１５の電圧印加は保持される。その後、電圧が印加されない状態でＴＦＴ素子がオン状態になると、画素電極から電流が流れ、画素電極に充電された電荷は放電され、液晶１５の電圧印加は解除される。

画素電極１２は、後述する画素ごとに設けられる、アルミニウム板などの反射性を有する金属電極であり、液晶１５に電圧を印加する。画素電極１２はＴＦＴ素子形成Ｓｉ基板１１上に形成される。複数の画素電極１２は縦横に並列配置され、画素電極１２に充電される電荷は、上述のＴＦＴ素子のオン／オフ状態により１画素電極ずつ順次制御される。

カラーフィルタ１３は、赤色光のみを透過する赤（Ｒ）フィルタ１３Ａ、緑色光のみを透過する緑（Ｇ）フィルタ１３Ｂおよび青色光のみを透過する青（Ｂ）フィルタ１３Ｃから構成される。それぞれのフィルタ１３Ａ〜１３Ｃは正方形である（図２（ａ）参照）。以下、これらのフィルタ１３Ａ〜１３Ｃを総称するとき、正方形フィルタと呼ぶ。各正方形フィルタ１３Ａ〜１３Ｃは、各画素電極１２上に形成される。

配向膜１４，１６は、所定の偏光軸方向に液晶分子を配向させるための膜である。配向膜１４，１６は、０．１μｍ程度の厚さであり、ポリイミドなどの高分子膜から成る。配向膜１４，１６は、上述の高分子膜の表面にラビング処理を施すことにより作製される。ラビング処理とは、ローラに巻きつけた布で高分子膜の表面を擦る処理である。液晶１５と配向膜１４，１６の界面において配向膜１４，１６に接した液晶分子は擦った方向に配向する。以下、液晶分子を配向させる方向をラビング方向と呼ぶ。この場合、ローラに巻きつけた布で高分子膜の表面を擦った方向がラビング方向となる。配向膜１４，１６のラビング方向は４５°の角度をなす。液晶分子は同じ方向に配向しようとする性質を有するため、液晶分子の配向方向は配向膜１４のラビング方向から配光膜１６の配向膜のラビング方向へ徐々に変化する。これにより、液晶分子は、液晶パネル１の面方向を軸とした４５°ねじれる配列になる。液晶パネル１は反射型であるため、液晶１５に入射した光は往復光路となり、液晶を往復して９０°ねじれ相当の偏光変化となる。

共通電極１７は、画素電極１２と対向して設けられた、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極である。共通電極１７もプラズマＣＶＤやスパッタにより形成される。共通電極１７は、グランド電位に接続され、共通電極１７と電荷が充電された画素電極１２との間の電位差で液晶内に電界が生じる。

１つの画素は、１つの正方形フィルタ１３Ａ〜１３Ｃ、およびこれに対応する配向膜１４、液晶１５、配向膜１６、共通電極１７、ガラス基板１８から構成される。画素の形状は正方形となる。

図１を参照して、液晶パネル１の画素の表示／非表示の原理を説明する。画素電極１２に電荷を充電しないとき、液晶パネル１に入射した光を利用して画素は表示される。すなわち、液晶１５における液晶分子の配列は、上述の４５°ねじれた配列になる。不図示のＰＢＳブロックにより所定方向に振動している直線偏光のみが液晶パネル１の表示画面に入射する。そして、その入射光は、ガラス基板１８、共通電極１７および配向膜１６を透過する。その後、液晶１５、配向膜１４、カラーフィルタ１３を透過し、画素電極１２で反射する。

画素電極１２の反射により最終的に反射光は、液晶１５における液晶分子のねじれ配列により入射した直線偏光と振動方向が９０°回転した直線偏光になる。そして、液晶パネル１から不図示のＰＢＳブロックに照射される。振動方向が９０°回転した透過光は、ＰＢＳブロックの偏光面に反射し、所定方向に放射される。

一方、画素電極１２に電荷を充電すると、液晶パネル１を反射した光の振動方向は９０°回転しない。これにより、液晶パネル１の反射光はＰＢＳブロックの偏光面を透過し、所定方向に放射されない。

以上のように画素電極１２における電荷の充電を制御することにより、Ｒフィルタ１３Ａの画素のみを表示させたり、Ｒフィルタ１３ＡおよびＧフィルタ１３Ｂの画素のみを表示させたりするなどして、液晶パネル１は全ての色彩を再現することができる。

図２〜図４を参照して、各画素において、各画素に隣接する画素電極による電界の影響を抑制する抑制手段について説明する。ここで、Ｇフィルタ１３Ｂの画素のみが表示され、Ｒフィルタ１３ＡおよびＢフィルタ１３Ｃの画素は表示されないものとして説明する。この場合、Ｒフィルタ１３Ａの画素およびＢフィルタ１３Ｃの画素における画素電極１２に電荷を印加し、Ｇフィルタ１３Ｂの画素における画素電極１２に電荷を印加しない。

図２（ａ）は本発明の第１の実施形態における画素配置を説明するための図である。上述したように１つの画素の形状は正方形であり、カラーとしてはデルタ配列される。図２（ｂ）は、第１の実施形態における共通電極１７側の配向膜１６のラビング方向を説明するための図である。共通電極１７側の配向膜１６のラビング方向は、正方形フィルタの左から右に進む水平方向（ＰＬ）である。図２（ｃ）は、第１の実施形態における画素電極１２側の配向膜１４のラビング方向を説明するための図である。画素電極１２側の配向膜１４のラビング方向は、正方形フィルタの左下から右上に進む対角線の方向（ＤＬ）である。

図３（ａ）は、本発明の第１の実施形態における画素電極１２を説明するための図である。画素電極１２は、正方形の電極形状である。各画素電極の左上および左下の角の部分には、つまり、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向（ＤＬ）と直交する方向に存在する角の部分には三角形形状の透明絶縁体層１２Ｅが形成され。この透明絶縁体層１２Ｅは画素電極１２のカラーフィルタ１３側の面上に形成される。この透明絶縁体層１２Ｅにより、Ｇフィルタ１３Ｂの画素において、Ｒフィルタ１３Ａの画素電極１２ＡおよびＢフィルタ１３Ｃの画素電極１２Ｃの電荷による影響を抑制することができる。その結果、図３（ｂ）に示すように、Ｇフィルタ１３Ｂを透過し、ＰＢＳブロックの偏光面を反射する光束の光量はほぼ均一となり、隣接する画素の画素電極１２による表示光量の低下が抑制される。

図４に示すように、Ｒフィルタ１３Ａの画素電極１２ＡおよびＢフィルタ１３Ｃの画素電極１２Ｃからの電界の影響で、Ｇフィルタ１３Ｂの画素電極側の液晶分子１５ａ，１５ｂを９０°回転しようとする力が発生し、液晶分子のねじれ配列が崩れてしまう。しかし、画素電極１２Ｂに透明絶縁体層１２Ｅを形成することにより、Ｒフィルタ１３Ａの画素電極１２ＡおよびＢフィルタ１３Ｃの画素電極１２Ｃからの電界の影響が弱まり、液晶分子のねじれ配列の崩れが抑制される。

図５を参照して、第１の実施形態の液晶パネル１の比較例について説明する。比較例における配向膜１４，１６のラビング方向は、第１の実施形態のラビング方向と同一であるものとして説明する。図５（ａ）は、比較例における画素電極１２を説明するための図である。画素電極１２には透明絶縁体層１２Ｅが形成されていない。この場合、図５（ｂ）に示すように、Ｇフィルタ１３Ｂの左上の角および右下の角を中心に画素の表示光量が低下する。

以上説明した第１の実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
画素電極１２の、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向（ＤＬ）と直交をなす方向側の領域に透明絶縁体層１２Ｅを形成するようにした。これにより、各画素の液晶分子の配列が隣接する画素電極１２による電界の影響を抑制することができる。

−第２の実施形態−
本発明の第２の実施形態による液晶パネルを説明する。この液晶パネルでは、共通電極にスリットを形成することにより、隣接する画素電極による電界の影響を抑制することができる。

第２の実施形態における液晶パネルと第１の実施形態による液晶パネル１とは、共通電極の構成の点において相違する。その他の構成は、第１の実施形態と同様であるので、主に共通電極について説明する。

図６〜図９を参照して、第２の実施形態における液晶パネル１Ａの共通電極１７について説明する。ここで、第１の実施形態と同様に、Ｇフィルタ１３Ｂの画素のみが表示され、Ｒフィルタ１３ＡおよびＢフィルタ１３Ｃの画素は表示されないものとして説明する。

図６（ａ）は第２の実施形態における画素電極１２を説明するための図である。第１の実施形態における画素電極１２と同様に、画素電極１２は、正方形の電極形状である。図６（ｂ）は、第２の実施形態における共通電極１７を説明するための図である。共通電極１７の、各画素電極の左上および左下の角に沿った部分には、つまり、画素電極１２側の配向膜１４Ａにおけるラビング方向（ＤＬ）と直交をなす方向に存在する角に沿った部分のガラス基板１８上に形成されるＩＴＯ膜が形成されない部分（以下、スリットと呼ぶ）１７ａが形成されている。このスリット１７ａは、レジストでマスキングして共通電極１７を形成すればよい。このようなスリット１７ａを形成することにより、図７に示すように、Ｇフィルタ１３Ｂを透過し、ＰＢＳブロックに折り曲げられ投射される光の光量はほぼ均一となり、隣接する画素の画素電極１２による表示光量の低下が抑制される。

共通電極１７のスリット１７ａは、以下の作用により表示光量低下を抑制する。図８（ａ）に示すように、Ｒフィルタ１３Ａの画素における画素電極１２Ａから共通電極１７に向かう電界およびＢフィルタ１３Ｃの画素における画素電極１２Ｃから共通電極１７に向かう電界の、共通電極１７近傍における広がりを共通電極１７のスリット１７ａにより抑制することができる。これにより、Ｇフィルタ１３Ｂの画素における液晶１５の液晶分子の配列に対する、隣接する画素電極による電界の影響を抑制することができ、ＰＢＳブロックに折り曲げられ投射される光の光量の低下が抑制される。

図９を参照して、第２の実施形態の液晶パネル１Ａの比較例について説明する。この比較例の液晶パネル１００Ａにおけるカラーフィルタ１３および画素電極１２は、第２の実施形態の液晶パネル１Ａにおけるカラーフィルタ１３および画素電極１２と同様である。図９に示すように、この比較例の液晶パネル１００Ａでは共通電極１７にスリット１７ａを形成していない。そのため、図１０に示すように、Ｇフィルタ１３Ｂの左上の角および右下の角を中心にＰＢＳブロックに折り曲げられ放射される光の光量が低下する。

図８（ｂ）に示すように、共通電極１７にスリット１７ａを形成していないため、Ｒフィルタ１３Ａの画素における画素電極１２ＡおよびＢフィルタ１３Ｃの画素における画素電極１２Ｃから共通電界１６へ向かう電界の中には共通電極１７近傍で広がる斜め電界ＤＩが発生する。斜め電界ＤＩにより、Ｇフィルタ１３Ｂの画素における液晶１５の液晶分子のねじれ配列が崩れ、ＰＢＳブロックの偏光面を反射する光の光量が低下する。

以上説明した第２の実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）共通電極１７の各画素電極の左上および左下の角に沿った部分には、つまり、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向（ＤＬ）と直交をなす方向に存在する角に沿った部分にスリット１７ａを形成するようにした。これにより、画素の液晶分子の配列が隣接する画素電極１２による電界の影響を抑制することができる。

（２）共通電極１７にスリット１７ａを形成しても、隣接する画素の共通電極１７間で導通性を持たせるようにした。これにより、共通電極１７に長いループ電流が発生することを防止することができるとともに、液晶１５に印加する電界の乱れ発生を防止することができる。

−変形例−
以上の実施形態を次のように変形することができる。
（１）第１の実施形態では、各画素電極の左上および左下の角の部分に、つまり、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向と直交をなす方向側の領域に透明絶縁体層１３Ｅを形成するようにした。しかし、少なくとも画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向と直交をなす方向側の領域に透明絶縁体層１３Ｅを形成するようにしたものであれば、第１の実施形態に限定されない。

たとえば、図１１に示すように、画素電極１２側の配向膜１４Ａにおけるラビング方向と直交をなす方向側の領域に、電界の影響を与えると考えられる画素電極１２部分を被覆するように透明絶縁体層１２Ｆを形成するようにしてもよい。すなわち、ラビング方向と直交をなすを方向側の角と隣接する、他の画素電極の領域、具体的には、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向に存在する角の部分や、画素電極１２の上下の辺の中央部分を被覆するように透明絶縁体層１２Ｆを形成するようにしてもよい。上述の他の画素電極の領域に透明絶縁体層１２Ｆを形成することにより、さらに画素の液晶分子の配列が隣接する画素電極１２による電界の影響を受けるのを抑制することができる。

（２）第２の実施形態では、共通電極１７の、各画素電極の左上および左下の角に沿った部分に、つまり、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向と直交をなす方向に存在する角に沿った部分にスリット１７ａを形成するようにした。しかし、少なくとも画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向と直交をなす方向に存在する角に沿った部分にスリットを形成するものであれば、第２の実施形態に限定されない。たとえば、図１２（ｂ）に示すように、さらに、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向に存在する角に沿った部分にスリット１７ｂを形成するようにしてもよい。この部分にスリット１７ｂをさらに形成することにより、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向と直交をなす方向の斜め電界ＤＩの発生をさらに抑制することができる。

（３）第２の実施形態では、共通電極１７の、各画素電極の左上および左下の角に沿った部分には、つまり、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向と直交をなす方向に存在する角に沿った部分にスリット１７ａを形成するようにした。しかし、少なくとも画素電極１２の辺の一部に沿ってスリットを形成するものであれば、第２の実施形態に限定されない。たとえば、図１３（ｂ）に示すように、画素電極１２左右の辺の一部に沿ってスリット１７ｃを形成するようにしてもよい。この場合も画素電極１２から発生する電界の広がりを抑制することができる。共通電極１７にループ電流が発生し、液晶１５に印加する電界の乱れが発生するのを防止するために、共通電極１７にスリット１７ｃを形成しても、隣接する画素の共通電極１７間で導通性を持たせるようにする。

（４）第２の実施形態では、画素電極１２に重ねて透明絶縁体層１２Ｅを形成した。しかし、透明絶縁体層１２Ｅを形成する代わりに、透明絶縁体層１２Ｅの形成部分に相当する部分については画素電極１２を形成しないようにしてもよい。また、透明絶縁体層１２Ｅを画素電極１２に重ねて形成せずに、同じ層に画素電極と透明絶縁体層を形成するようにしてもよい。このようにしても、画素の液晶分子の配列における、隣接する画素の画素電極１２による電界の影響を抑制することができる。

（５）第２の実施形態では、共通電極１７にスリット１７ａを形成するようにしたが、スリット１７ａを形成する代わりに、スリット１６ａを形成する位置において共通電極１７ａの画素電極１２側の面に透明絶縁体層を形成するようにしてもよい。このようにしても、画素の液晶分子の配列における、隣接する画素電極１２による電界の影響を抑制することができる。

（６）以上の実施形態による液晶パネル１，１Ａを反射型液晶パネルとして説明したが、透過型の液晶パネルであってもよい。また、以上の実施形態による液晶パネル１の表示原理は、ＴＮ方式であったが、実施形態に限定されない。たとえば、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）方式や垂直配向の液晶を用いたものであってもよい。液晶パネル１，１Ａの駆動方式は、ＴＦＴを使用したアクティブ・マトリクス方式として説明したが、アクティブ・マトリクス方式であれば実施形態に限定されない。たとえば、ＭＩＭ（Metal Insulated Metal）を使用したアクティブ・マトリクス方式であってもよい。

（７）液晶分子の並ぶ方向を所定の方向に保持する処理は、以上の実施形態によるラビング処理に限定されない。たとえば、ガラス基板に酸化ケイ素を蒸着させる斜め蒸着法でもよい。

（８）透過型液晶パネルの場合、偏光板の偏光軸が相互に直交する液晶パネル（ノーマルホワイト型）でもよいし、偏光板の偏光軸の方向が揃った液晶パネル（ノーマルブラック型）でもよい。

（９）液晶パネルとＰＢＳブロックと組み合わせて使用したが、ＰＢＳブロックの代わりに液晶パネルが偏光板を有するようにしてもよい。

（１０）以上の実施形態による液晶パネル１，１Ａの画素電極１２の形状は正方形であったが、画素電極１２をほぼ隙間なく並列配置することができる形状であれば実施形態に限定されない。たとえば、矩形形状でもよく、あるいは図１４および図１５に示すように、画素電極１２の形状を六角形とするようにしてもよい。この場合も、図１４に示すように、画素電極１２の、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向と直交をなす方向に存在する角の部分に透明絶縁体層１２Ｇを少なくとも形成するようにする。また、図１５（ｂ）に示すように、画素電極１２側の配向膜１４におけるラビング方向と直交をなす方向に存在する角に沿った部分にスリット１７ｄを形成するようにする。画素電極の形状と同様に、画素の形状も液晶パネルにおいてほぼ隙間なく並列配置することができる形状であれば実施形態に限定されない。たとえば、画素の形状を矩形形状や六角形としてもよい。

（１１）以上の実施形態による液晶パネル１，１Ａは、特に小型表示装置に使用することが好ましい。液晶パネル１を高解像度で小型化するにともない、サブ画素も小型化され、隣接するサブ画素による電界の影響が大きくなるからである。たとえば、図１６に示すように、上面表示装置４１は、カメラ１の上面に設置されるので、液晶パネル１，１Ａを小さくする必要があり、さらに高解像度で表示することが好ましい。したがって、隣接するサブ画素による電界の影響が大きくなるので、本発明は上面表示装置４１の液晶パネルに好適である。この場合、ＰＢＳブロックの代わりに液晶パネル１は偏光板を備えることになる。

（１２）以上の実施形態による液晶パネル１，１Ａを携帯型プロジェクタ、たとえば、図１７（ａ）に示すプロジェクタ５に使用するのが好ましい。符号６は、プロジェクタ５により投射された投射像を示す。図１７（ｂ）を参照して、携帯型プロジェクタの一例であるプロジェクタ５について説明する。プロジェクタ５は、ＬＥＤ光源５１、集光光学系５２、ＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）ブロック５３、液晶パネル１および投射光学系５４を含む。プロジェクタ５では、不図示のハーネスおよびパターンを介してＬＥＤ光源５１に駆動電流が供給される。ＬＥＤ光源５１は、駆動電流に応じた明るさの光を集光光学系５２へ向けて射出する。集光光学系５２はＬＥＤ光を略平行光にしてＰＢＳブロック５３へ入射させる。ＰＢＳブロック５３へ入射された光束は、ＰＢＳブロック５３の偏光面５３ａを透過して液晶パネル１を照明する。そして、液晶パネル１を照明した光は液晶パネル１で反射された後、ＰＢＳブロック５３へ再度入射される。ＰＢＳブロック５３に入射した光は偏光面５３ａで反射し、投射光学系５４へ向けて投射光として射出する。投射光学系５４に入射した光束は、プロジェクタ前方へ放射される。また、本発明の液晶パネル１，１Ａを電子ビューファインダやヘッドマウントディスプレイにも適用することができる。

実施形態と変形例の一つ、もしくは複数を組み合わせることも可能である。変形例同士をどのように組み合わせることも可能である。

以上の説明はあくまで一例であり、本発明は上記実施形態の構成に何ら限定されるものではない。

本発明の第１の実施形態による液晶パネルの構造を説明するための図である。 本発明の第１の実施形態における配向膜のラビング方向を説明するための図である。 本発明の第１の実施形態における共通電極上に形成された透明絶縁体層を説明するための図である。 隣接する画素の画素電極からの電界の影響を受けた液晶分子の配列を説明するための図である。 本発明の第１の実施形態における比較例の共通電極を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における共通電極を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における液晶パネルによる表示を説明するための図である。 画素電極から発生する電界を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態の比較例における共通電極を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における比較例の液晶パネルによる表示を説明するための図である。 本発明の第１の実施形態における透明絶縁体層の変形例を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における共通電極に形成されたスリットの変形例を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における共通電極に形成されたスリットの変形例を説明するための図である。 画素電極の形状が六角形の場合の透明絶縁体層を説明するための図である。 画素電極の形状が六角形の場合の共通電極に形成されたスリットを説明するための図である。 本発明の液晶パネルを使用した表示装置を説明するための図である。 本発明の液晶パネルを使用しプロジェクタを説明するための図である。

符号の説明

１，１Ａ 液晶パネル ４ カメラ
５ プロジェクタ １１ ＴＦＴ素子形成Ｓｉ基板
１２ 画素電極 １２Ｅ〜１２Ｇ 透明絶縁体層
１３ カラーフィルタ １４，１６ 配向膜
１５ 液晶 １５ａ，１５ｂ 液晶分子 １７ 共通電極 １７ａ〜１７ｄ スリット

Claims (9)

1. 液晶と、
   前記液晶に電界を印加可能な複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極と前記液晶を介して対向する共通電極と、
   前記液晶の前記画素電極側の界面において前記液晶の液晶分子を第１の方向に配向させる第１のラビング手段と、
   前記液晶の前記共通電極側の界面において前記液晶の液晶分子を第２の方向に配向させる第２のラビング手段とを備え、
   前記画素電極における前記第１の方向と直交する方向側の領域上に透明絶縁体層が形成されることを特徴とする液晶パネル。
2. 請求項１に記載の液晶パネルにおいて、
   前記画素電極の形状は矩形であり、
   前記第１の方向は前記画素電極の対角線方向であり、
   画素はデルタ配置されており、
   前記透明絶縁体層は、前記画素電極における前記第１の方向と直交する方向の角に形成されることを特徴とする液晶パネル。
3. 請求項２に記載の液晶パネルにおいて、
   前記透明絶縁体層は、前記第１の方向と直交する方向の角に隣接する、他の画素電極の領域に、さらに形成されることを特徴とする液晶パネル。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶パネルにおいて、
   前記共通電極は、前記画素電極との間に発生する電界が該画素電極に隣接する画素電極上の液晶分子の中の前記共通電極側の液晶分子に対して与える影響を抑制する電界抑制手段を備えることを特徴とする液晶パネル。
5. デルタ配列される矩形の複数の画素からなる構成の液晶パネルであって、
   液晶と、
   前記液晶に電界を印加可能な複数の矩形の画素電極と、
   前記複数の画素電極と前記液晶を介して対向する共通電極と、
   前記液晶の前記画素電極側の界面において前記液晶の液晶分子を前記画素電極の対角線方向に配向させる第１のラビング手段と、
   前記液晶の前記共通電極側の界面において前記液晶の液晶分子を第２の方向に配向させる第２のラビング手段とを備え、
   前記共通電極は、前記画素電極との間に発生する電界が該画素電極に隣接する画素電極上の液晶分子の中の前記共通電極側の液晶分子に対して与える影響を抑制する電界抑制手段を備えることを特徴とする液晶パネル。
6. 請求項４または５に記載の液晶パネルにおいて、
   前記電界抑制手段は、前記画素電極における前記第１の方向と直交する方向の角に沿って前記共通電極に形成したスリット状の非導通部であること特徴とする液晶パネル。
7. 請求項４または５に記載の液晶パネルにおいて、
   前記電界抑制手段は、前記画素電極における前記第１の方向と直交する方向の角に沿って前記共通電極上に形成した透明絶縁体層であること特徴とする液晶パネル。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶パネルを備えることを特徴とする表示装置。
9. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶パネルを備えることを特徴とするプロジェクタ。
   

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