JP2009220310A - 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】圧電素子の駆動に伴う圧電体層の割れを抑えることができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】液滴を噴射するノズルに連通する圧力発生室を有する流路形成基板上に設けられた下電極と下電極上に形成された圧電体層と圧電体層上に形成された上電極とを有する圧電素子を具備し、圧電体層が、下電極上に鉛(Pb)、ジルコニウム(Zr)及びチタン(Ti)を含む複数層の強誘電体膜で構成され、下電極に最も近い1層目の強誘電体膜とその上に形成される2層目の強誘電体膜との境界部分に、ジルコニウムに対するチタンの濃度の最大値が80%以上の領域を有する構成とする。
【選択図】なし
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【選択図】なし
Description
本発明は、液滴を噴射する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びにこれらに搭載される圧電素子に関する。
液体噴射ヘッドの代表的な例としては、ノズルからインク滴を噴射するインクジェット式記録ヘッドが挙げられる。インクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、インク滴を噴射するノズルと連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズルからインク滴を吐出させるものがある。また、インクジェット式記録ヘッドに採用される圧電素子としては、例えば、一対の電極とこれらの電極間に挟持される圧電体層とからなるものが知られている。
このような圧電素子を構成する圧電体層の材料としては、鉛(Pb)、ジルコニウム(Zr)及びチタン(Ti)を含む強誘電材料が用いられている。具体的には、圧電体前駆体膜を形成すると共にこの圧電体前駆体膜を焼成する工程を複数回繰り返すことにより、複数層の強誘電体膜からなる圧電体層を形成し、またその際、圧電体層を構成する1層目の強誘電体膜(第1の強誘電体膜)と2層目の強誘電体膜(第2の強誘電体膜)との間に、チタン又は酸化チタンからなる結晶種(結晶層)を形成するようにしたものがある(例えば、特許文献1参照)。
このような圧電体層の結晶性等の各種特性は、各種製造条件によって大きく変化する。そして、製造条件が適切でない場合には、圧電素子を駆動した際に圧電体層に割れが発生してしまうという問題がある。なおこのような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子だけでなく、他の装置に搭載される圧電素子においても同様に存在する。
このように圧電体層に割れが生じる原因は明確には特定されていないが、本願発明者は、圧電体層内のジルコニウムに対するチタンの濃度と圧電体層の割れの発生とに相関があることを知見した。
本発明は、このような知見に基づくものであり、圧電素子の駆動に伴う圧電体層の割れを抑えることができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明は、液滴を噴射するノズルに連通する圧力発生室を有する流路形成基板上に設けられた下電極と該下電極上に形成された圧電体層と該圧電体層上に形成された上電極とを有する圧電素子を具備し、前記圧電体層が、前記下電極上に鉛(Pb)、ジルコニウム(Zr)及びチタン(Ti)を含む複数層の強誘電体膜で構成され、前記下電極に最も近い1層目の前記強誘電体膜とその上に形成される2層目の前記強誘電体膜との境界部分に、ジルコニウムに対するチタンの濃度の最大値が80%以上の領域を有することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる本発明では、圧電素子の駆動に伴う圧電体層の割れの発生を抑えることができる。したがって、歩留まりが向上すると共に、耐久性を向上した液体噴射ヘッドを実現することができる。
かかる本発明では、圧電素子の駆動に伴う圧電体層の割れの発生を抑えることができる。したがって、歩留まりが向上すると共に、耐久性を向上した液体噴射ヘッドを実現することができる。
ここで、前記圧電体層を構成する2層目以降の各強誘電体膜の境界部分に、ジルコニウムに対するチタンの濃度の最大値が35〜60%の領域を有することが好ましい。これにより、圧電素子の駆動に伴う圧電体層の割れの発生を抑えることができると共に、圧電体層の結晶性が向上し圧電素子の変位特性が向上する。
また本発明は、このような液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。これにより、歩留まりが向上すると共に、耐久性を向上した液体噴射装置を実現することができる。
さらに本発明は、基板上に設けられた下電極と、該下電極上に形成された圧電体層と、該圧電体層上に形成された上電極と、を有し、前記圧電体層が、前記下電極上に鉛(Pb)、ジルコニウム(Zr)及びチタン(Ti)を含む複数層の強誘電体膜で構成され、前記下電極に最も近い1層目の前記強誘電体膜とその上に形成される2層目の前記強誘電体膜との境界部分に、ジルコニウムに対するチタンの濃度の最大値が80%以上の領域を有することを特徴とする圧電素子にある。
かかる本発明では、圧電素子の駆動に伴う圧電体層の割れの発生を抑えることができる。
かかる本発明では、圧電素子の駆動に伴う圧電体層の割れの発生を抑えることができる。
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る製造方法によって製造される液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2(a)は、インクジェット式記録ヘッドの要部平面図であり、図2(b)は、図2(a)のA−A′断面図であり、図3は、圧電素子の層構造の概略を示す断面図である。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る製造方法によって製造される液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2(a)は、インクジェット式記録ヘッドの要部平面図であり、図2(b)は、図2(a)のA−A′断面図であり、図3は、圧電素子の層構造の概略を示す断面図である。
図示するように、流路形成基板10は、結晶面方位が(110)のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には酸化膜からなる弾性膜50が形成されている。この流路形成基板10には、その他方面側から異方性エッチングすることにより、流路形成基板10には、複数の隔壁11によって区画された複数の圧力発生室12がその幅方向(短手方向)に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向一端部側には、インク供給路13と連通路14とが隔壁11によって区画されている。また、連通路14の一端には、各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ100の一部を構成する連通部15が形成されている。
また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路13とは反対側の端部近傍に連通するノズル21が穿設されたノズルプレート20が接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
一方、流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように酸化膜からなる弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、弾性膜50とは異なる材料の酸化膜からなる絶縁体膜55が積層形成されている。また絶縁体膜55上には、下電極膜60と、圧電体層70と、上電極膜80とからなる圧電素子300が形成されている。一般的に、圧電素子300を構成する一対の電極のうちの一方の電極は、複数の圧電素子300に共通する共通電極として機能し、他方の電極が各圧電素子300で独立する個別電極として機能する。例えば、本実施形態では、下電極膜60を圧電素子300の共通電極とし、上電極膜80を各圧電素子300の個別電極としている。勿論、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお本実施形態では、弾性膜50、絶縁体膜55及び下電極膜60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50、絶縁体膜55を設けずに、下電極膜60のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
ここで、圧電素子300を構成する下電極膜60は、圧力発生室12の両端部近傍でそれぞれパターニングされ、圧力発生室12の並設方向に沿って連続的に設けられている。また、圧力発生室12に対応する領域の下電極膜60の端面は、絶縁体膜55に対して所定角度で傾斜する傾斜面となっている。
圧電体層70は、各圧力発生室12毎に独立して設けられ、図3に示すように、複数層の強誘電体膜71(71a〜71j)で構成されている。複数層、本実施形態では10層の強誘電体膜71のうちの最下層である第1の強誘電体膜71aは、下電極膜60上のみに設けられ、その端面は下電極膜60の端面に連続する傾斜面となっている。また、第1の強誘電体膜71a上に形成される第2〜第10の強誘電体膜71b〜71jは、この傾斜面である端面を覆って絶縁体膜55上まで延設されている。
上電極膜80は、圧電体層70と同様に圧力発生室12毎に独立して設けられている。また各上電極膜80には、例えば、金(Au)等からなり絶縁体膜55上まで延設されるリード電極90がそれぞれ接続されている。
そして本発明では、このような圧電素子300の圧電体層70を構成し、下電極膜60側に最も近い第1の強誘電体膜71aとその上に形成された第2の強誘電体膜71bとの境界部分に、ジルコニウム(Zr)に対するチタン(Ti)の濃度の最大値が80%以上となる領域を有する。この第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71bとの境界部分は、下電極膜60の表面からの距離が110nm〜140nmの間であることが好ましい。さらに、圧電体層70を構成する2層目以降の各強誘電体膜71b〜71jの境界部分におけるZrに対するTiの濃度の最大値が35〜60%であることが好ましい。
圧電体層70を構成する各強誘電体膜71a〜71jの境界部分のZrに対するTiの濃度の最大値が上記のようになっていることで、詳しくは後述するが、圧電素子300の駆動に伴う圧電体層70の割れの発生を抑制することができる。
このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上には、圧電素子300に対向する領域に、圧電素子300を保護するための圧電素子保持部31を有する保護基板30が接着剤35によって接合されている。なお、圧電素子保持部31は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
また保護基板30には、連通部15に対向する領域にリザーバ部32が設けられており、このリザーバ部32は、上述したように流路形成基板10の連通部15と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ100を構成している。また保護基板30の圧電素子保持部31とリザーバ部32との間の領域には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられ、この貫通孔33内に下電極膜60の一部及びリード電極90の先端部が露出されている。
保護基板30の材料としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、例えば、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板が好適に用いられる。
保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってリザーバ部32の一方面が封止されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板42のリザーバ100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバ100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。また図示しないが、保護基板30上には圧電素子300を駆動するための駆動回路が固定されており、この駆動回路とリード電極90とは貫通孔33内に延設される導電性ワイヤ等からなる接続配線を介して電気的に接続されている。
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ100からノズル21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応する圧電素子300に上電極膜80側から駆動信号を入力し、圧電素子300をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル21からインク滴が噴射する。
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図4〜図8を参照して説明する。まず、図4(a)に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ110を約1100℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン膜51を形成する。流路形成基板用ウェハ110としては、例えば、膜厚が約625μmと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハが用いられる。
次いで、図4(b)に示すように、弾性膜50(二酸化シリコン膜51)上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する。具体的には、弾性膜50(二酸化シリコン膜51)上に、DCスパッタ法又はRFスパッタ法等によりジルコニウム(Zr)層を形成し、このジルコニウム層を熱酸化して酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する。次いで、図4(c)に示すように、例えば、白金とイリジウムとを含む下電極膜60を絶縁体膜55の全面にスパッタ法等により形成する。
次いで、下電極膜60上に圧電体層70を形成する。圧電体層70は、上述したように複数層の強誘電体膜71a〜71jを積層することによって形成され、本実施形態では、これらの強誘電体膜71をいわゆるゾル−ゲル法を用いて形成している。すなわち、金属有機物を溶媒に溶解・分散しゾルを塗布乾燥しゲル化して強誘電体前駆体膜72を形成し、さらにこの強誘電体前駆体膜72を脱脂して有機成分を離脱させた後、焼成して結晶化させることで各強誘電体膜71を得ている。勿論、強誘電体膜71の形成方法は特に限定されず、例えば、MOD法でもよい。
具体的には、まず、図5(a)に示すように、下電極膜60上にチタン又は酸化チタンからなる結晶種(層)61をスパッタ法により形成する。次いで、例えば、スピンコート法を用いて強誘電材料を塗布し、図5(b)に示すように、未結晶状態の強誘電体前駆体膜72aを所定の厚さで形成する。そして、この強誘電体前駆体膜72aを所定温度で所定時間乾燥させて溶媒を蒸発させる。強誘電体前駆体膜72aを乾燥させる温度は、例えば、150℃以上200℃以下であることが好ましく、好適には180℃程度である。また、乾燥させる時間は、例えば、5分以上15分以下であることが好ましく、好適には10分程度である。
次いで、乾燥した強誘電体前駆体膜72aを所定温度で脱脂する。なお、ここで言う脱脂とは、強誘電体前駆体膜72aの有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。なお、脱脂時の流路形成基板用ウェハ110の加熱温度は、300℃〜500℃程度とするのが好ましい。温度が高すぎると強誘電体前駆体膜72aの結晶化が始まってしまい、温度が低すぎると十分な脱脂が行えないためである。
このように強誘電体前駆体膜72aの脱脂を行った後、流路形成基板用ウェハ110を、例えば、RTA(Rapid Thermal Annealing)装置内に挿入し、強誘電体前駆体膜72aを所定温度で所定時間焼成して結晶化することにより、下電極膜60上に第1の強誘電体膜71aを形成する。
第1の強誘電体膜71aを形成した後、下電極膜60と第1の強誘電体膜71aとを同時にパターニングする。このとき、下電極膜60と第1の強誘電体膜71aの端面が所定角度で傾斜する傾斜面となるようにパターニングする。具体的には、図5(c)に示すように、第1の強誘電体膜71a上にレジストを塗布し所定形状のマスクを用いて露光し現像することにより所定パターンのレジスト膜200を形成する。そして、図5(d)に示すように、レジスト膜200をマスクとして第1の強誘電体膜71a及び下電極膜60をイオンミリングによってパターニングすると、これら第1の強誘電体膜71a及び下電極膜60と共にレジスト膜200が徐々にエッチングされるため、下電極膜60及び第1の強誘電体膜71aの端面が傾斜面となる。
次いで、図6(a)に示すように、この第1の強誘電体膜71a上を含む流路形成基板用ウェハ110の全面に、再び結晶種(層)62を形成する。その後、図6(b)に示すように、強誘電体前駆体膜72を複数層形成する工程(塗布、乾燥、脱脂)と、これら複数層の強誘電体前駆体膜72を焼成する工程とを複数回繰り返すことによって圧電体層70を形成する。本実施形態では、上述した塗布、乾燥工程及び脱脂工程を三度繰り返すことによって強誘電体前駆体膜72b〜72dを形成し、その後、これら三層の強誘電体前駆体膜72b〜72dを同時に焼成することで第2〜第4の強誘電体膜71b〜71dが形成される。
次いで、図6(c)に示すように、第4の強誘電体膜71d上に、さらに、強誘電材料を塗布し、乾燥・脱脂する工程を三度繰り返すことで第5〜7の強誘電体前駆体膜72e〜72gを形成して、この第5〜7の強誘電体前駆体膜72e〜72gを焼成することで第5〜7の強誘電体膜71e〜71gを形成し、さらに第7の強誘電体膜71g上に、同様にして第8〜10の強誘電体膜71h〜71jを形成する。これにより、複数層の強誘電体膜71a〜71jからなる圧電体層70が形成される。このように形成された圧電体層70の厚さは、例えば、本実施形態では、1350nm程度である。
このように圧電体層70を形成する際、本発明では、圧電体層70を構成する第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71bとの境界部分(結晶層62が形成された部分)におけるZrに対するTiの濃度の最大値(ピーク値)が80%以上となるようにしている。つまり、第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71bとの間に設けられる結晶層62のチタンが第1及び第2の強誘電体膜71a,71bにできるだけ拡散されないようにして、上記Tiの濃度のピーク値が80%以上となるようにしている。
なお第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71bとの境界部分におけるZrに対するTiの濃度は、上述した塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程での各種条件を変更することで変化する。すなわち、各工程における製造条件を適宜変更することで第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71bとの境界部分におけるZrに対するTiの濃度を調整することができる。特に、焼成工程における各強誘電体前駆体膜の焼成温度が上記チタンの濃度に大きく影響し、上記チタンの濃度は、焼成温度が高いほど高くなる傾向にある。
このように圧電体層70を構成する第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71aとの境界部分におけるZrに対するTiの濃度の最大値が80%以上であるようにすることで、圧電素子300の駆動に伴う圧電体層70の割れの発生を抑制することができる。そして、この第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71bとの境界部分は下電極膜60の表面からの距離が110nm〜140nmの間であることが好ましく、これにより上述した効果がより一層顕著になる。
また上述したように、圧電体層70を構成する2層目以降の各強誘電体膜71b〜71jの境界部分におけるZrに対するTiの濃度の最大値は35〜60%であることが好ましい。つまり、第2〜第10の強誘電体膜71b〜71jの境界部分の組成比が、製造過程において変化しないようにするのが好ましい。これにより、圧電体層70の結晶性が向上し、圧電体層70の割れを防止できると共に圧電素子300の変位特性も向上する。なお、第2〜第10の強誘電体膜71b〜71jの境界部分におけるZrに対するTiの濃度も各種製造条件を適宜変更することで調整することができる。
なおこのような圧電素子300を構成する圧電体層70の材料としては、ペロブスカイト型結晶構造の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成は、圧電素子300の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、PbTiO3(PT)、PbZrO3(PZ)、Pb(ZrxTi1−x)O3(PZT)、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3(PMN−PT)、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3(PZN−PT)、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO3(PNN−PT)、Pb(In1/2Nb1/2)O3−PbTiO3(PIN−PT)、Pb(Sc1/2Ta1/2)O3−PbTiO3(PST−PT)、Pb(Sc1/2Nb1/2)O3−PbTiO3(PSN−PT)、BiScO3−PbTiO3(BS−PT)、BiYbO3−PbTiO3(BY−PT)等が挙げられる。また、本実施形態では、圧電体層70を構成する各強誘電体膜71を、ゾル−ゲル法によって形成したが、これに限定されず、例えば、金属アルコキシド等の有機金属化合物をアルコールに溶解し、これに加水分解抑制剤等を加えて得たコロイド溶液を被対象物上に塗布した後、これを乾燥して焼成することで成膜する、いわゆるMOD(Metal-Organic Decomposition)法によって形成してもよい。
また、強誘電体前駆体膜72の焼成に用いる加熱装置は、特に限定されないが、RTA(Rapid Thermal Annealing)装置等が好適に用いられる。
そして、このような複数層の強誘電体膜71a〜71jからなる圧電体層70を形成した後は、図7(a)に示すように、例えば、イリジウム(Ir)からなる上電極膜80を積層形成し、圧電体層70及び上電極膜80を各圧力発生室12に対向する領域内にパターニングして圧電素子300を形成する。
このように圧電素子300を形成した後は、図7(b)に示すように、金(Au)からなる金属層を流路形成基板10の全面に亘って形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン(図示なし)を介してこの金属層を圧電素子300毎にパターニングすることによってリード電極90を形成する。
次に、図7(c)に示すように、複数の保護基板30が一体的に形成される保護基板用ウェハ130を、流路形成基板用ウェハ110上に接着剤35によって接着する。なお、保護基板用ウェハ130には、圧電素子保持部31、リザーバ部32等が予め形成されている。また、保護基板用ウェハ130は、例えば、400μm程度の厚さを有するシリコンウェハであり、保護基板用ウェハ130を接合することで流路形成基板用ウェハ110の剛性は著しく向上することになる。
次いで、図8(a)に示すように、流路形成基板用ウェハ110を所定の厚みにした後、図8(b)に示すように、流路形成基板用ウェハ110上に、例えば、窒化シリコン(SiN)からなる保護膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図8(c)に示すように、この保護膜52をマスクとして流路形成基板用ウェハ110を異方性エッチング(ウェットエッチング)して、流路形成基板用ウェハ110に、圧力発生室12、インク供給路13、連通路14及び連通部15を形成する。
その後は、流路形成基板用ウェハ110及び保護基板用ウェハ130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ110の保護基板用ウェハ130とは反対側の面にノズル21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハ130にコンプライアンス基板40を接合し、これら流路形成基板用ウェハ110等を、図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
ここで、このように製造したインクジェット式記録ヘッドにおいて、第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71bとの境界部分におけるZrに対するTiの濃度と、圧電素子300の駆動による圧電体層70の割れ(クラック)の発生率との関係を調べた結果について説明する。具体的には、圧電素子300を構成する圧電体層70のZrに対するTiの濃度が約55%である比較例のインクジェット式記録ヘッドと、Zrに対するTiの濃度が約82%、約85%、約87%である実施例1〜3のインクジェット式記録ヘッドとをそれぞれ複数製造し、各インクジェット式記録ヘッドの圧電素子を所定回数駆動させた後、圧電体層70に割れが生じているインクジェット式記録ヘッドの割合を調べた。図9は、その結果を示すグラフである。また図10は、比較例に係る圧電体層のZrに対するTiの濃度を示すグラフであり、図11は、実施例1に係る圧電体層のZrに対するTiの濃度を示すグラフである。なおこれら図10及び図11に示すグラフは、透過電子顕微鏡(TEM)による測定結果である。
比較例のインクジェット式記録ヘッドでは、図10に示すように、圧電体層を構成する第1の強誘電体膜(1L)と第2の強誘電体膜(2L)との境界部分におけるZrに対するTiの濃度の最大値(ピーク値)が、50〜60%程度であり、このような比較例のインクジェット式記録ヘッドでは、図9に示すように、クラック(割れ)の発生率が50%程度と極めて高かった。
これに対し、実施例1のインクジェット式記録ヘッドでは、図11に示すように、圧電体層を構成する第1の強誘電体膜(1L)と第2の強誘電体膜(2L)との境界部分におけるZrに対するTiの濃度の最大値(ピーク値)が80%以上であり、このような実施例1のインクジェット式記録ヘッドでは、図9に示すように、クラックの発生率は12%程度と大幅に低下した。
また、実施例2及び3に係る圧電体層のZrに対するTiの濃度のグラフは示さないが、第1の強誘電体膜と第2の強誘電体膜との境界部分におけるZrに対するTiの濃度のピーク値は実施例1のインクジェット式記録ヘッドよりも高く、これら実施例2及び実施例3のインクジェット式記録ヘッドでは、図9に示すように、クラックの発生率は10%以下であり、実施例1のインクジェット式記録ヘッドよりもさらに低下していた。
この結果から明らかなように、第1の強誘電体膜71aと第2の強誘電体膜71bとの境界部分におけるジルコニウムに対するチタンの濃度の最大値が80%以上であることで、圧電素子300の駆動に伴う圧電体層70の割れの発生を抑制することができ、またZrに対するTiの濃度が高いほど、圧電体層70の割れの発生をより確実に抑えることができる。
なお、比較例及び各実施例に係る圧電体層を構成する2層目以降の各強誘電体膜の境界部分におけるZrに対するTiの濃度の最大値は、何れも35〜60%であった。また2層目以降の各強誘電体膜の境界部分におけるZrに対するTiの濃度は、上記範囲内であることが好ましいが、必ずしも上記範囲内である必要なく、第1の強誘電体膜と第2の強誘電体膜との境界部分におけるZrに対するTiの濃度の最大値が80%以上であれば、圧電体層の割れの発生を十分に抑えることができる。
(他の実施形態)
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
またこのようなインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図12は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図12に示すように、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
そして、駆動モータ6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8上を搬送されるようになっている。
また、上述した実施形態においては、液体噴射装置に用いるヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを例示したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED(電界放出ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。さらに、本発明は、液体噴射ヘッドに利用されるアクチュエータ装置としての圧電素子だけでなく、他のあらゆる装置、例えば、マイクロホン、発音体、各種振動子、発信子等に搭載される圧電素子にも適用できることは言うまでもない。
10 流路形成基板、 12 圧力発生室、 20 ノズルプレート、 21 ノズル、 30 保護基板、 40 コンプライアンス基板、 50 弾性膜、 55 絶縁体膜、 60 下電極膜、 62 結晶層、 70 圧電体層、 71 強誘電体膜、 72 強誘電体前駆体膜、 80 上電極膜、 300 圧電素子
Claims (4)
- 液滴を噴射するノズルに連通する圧力発生室を有する流路形成基板上に設けられた下電極と該下電極上に形成された圧電体層と該圧電体層上に形成された上電極とを有する圧電素子を具備し、
前記圧電体層が、前記下電極上に鉛(Pb)、ジルコニウム(Zr)及びチタン(Ti)を含む複数層の強誘電体膜で構成され、前記下電極に最も近い1層目の前記強誘電体膜とその上に形成される2層目の前記強誘電体膜との境界部分に、ジルコニウムに対するチタンの濃度の最大値が80%以上の領域を有することを特徴とする液体噴射ヘッド。 - 前記圧電体層を構成する2層目以降の各強誘電体膜の境界部分に、ジルコニウムに対するチタンの濃度の最大値が35〜60%の領域を有することを特徴とする請求項1に記載の液体噴射ヘッド。
- 請求項1又は2に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
- 基板上に設けられた下電極と、該下電極上に形成された圧電体層と、該圧電体層上に形成された上電極と、を有し、
前記圧電体層が、前記下電極上に鉛(Pb)、ジルコニウム(Zr)及びチタン(Ti)を含む複数層の強誘電体膜で構成され、前記下電極に最も近い1層目の前記強誘電体膜とその上に形成される2層目の前記強誘電体膜との境界部分に、ジルコニウムに対するチタンの濃度の最大値が80%以上の領域を有することを特徴とする圧電素子。
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