JP2009216552A - コンタクトプローブの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁性基板上に第1導電性材料からなる電極膜6を形成することにより、絶縁領域41と隣接する電極領域61を絶縁性基板上に形成する電極膜形成工程、電極膜6上に第1導電性材料を電気めっきして、絶縁領域41から立ち上がり、電極領域61に向かって曲がる曲面を有する犠牲層8を形成する犠牲層形成工程、犠牲層8上に第2導電性材料を電気めっきして、コンタクトプローブ1を形成するプローブ形成工程、そして、犠牲層8を除去する犠牲層除去工程を備えている。
【選択図】 図5
Description
以下、本発明にかかるコンタクトプローブの製造方法の実施の形態1について図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施の形態によるプローブカード110を含むプローブ装置100の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置100の内部の様子が示されている。このプローブ装置100は、プローブカード110と、検査対象物102が載置される可動ステージ103と、可動ステージ103を昇降させる駆動装置104と、可動ステージ103及び駆動装置104が収容される筐体105とにより構成される。
図2(a)及び(b)は、図1のプローブ装置100におけるプローブカード110の構成例を示した図であり、図中の(a)は、検査対象物102側(図1の下方側)から見た平面図であり、図中の(b)は、側面図である。
コンタクトプローブ1は、図1及び図2に示すように、検査対象物102上に形成された微細な電極パッド121に対し、弾性的に当接させるプローブ(探針)である。各コンタクトプローブ1は、プローブ基板107における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ1は、各コンタクトプローブ1が固着されたプローブ基板107の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ103に配置された検査対象物102と対向させている。
次に、コンタクトプローブ1の各構成部分の材料について説明する。コンタクトプローブ1は、抵抗値が低いほど望ましいことから、コンタクトプローブの各構成部分は、導電率の高い材料で構成されている必要がある。このような高導電性材料には、例えば、銀(Ag)、銅(Cu)、金銅合金(Au−Cu)、ニッケル(Ni)、パラジウムニッケル合金(Pd−Ni)、ニッケルコバルト合金(Ni−Co)、ニッケルタングステン(Ni−W)、白金(Pt)、金(Au)、ロジウム(Rh)などがある。
図4から図6は、図3に示したコンタクトプローブ1の製造プロセスの一例を示した図である。コンタクトプローブ1は、いわゆるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて作製される。MEMS技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
上記した実施の形態1では、単に、プローブ基板107上に直接コンタクトプローブ1を固着した状態で形成する場合について説明した。本実施の形態2では、図10〜図12に示すように、コンタクトプローブ1をプローブ基板107上に形成することにより、プローブ基板107に形成する配線172にプローブ下地膜5を介してコンタクトプローブ1を接続させた状態にできるコンタクトプローブの製造方法について説明する。
上記した各実施の形態では、第3レジスト層73の第1開口部73a内で犠牲層8を形成し、第4レジスト層74に形成した第2開口部74a内でコンタクトプローブ1を形成するようにした。一方、本実施の形態3では、上記した実施の形態1における電極膜6の形成工程(図4(f))の後に、図13の製造工程図に示すレジスト形成工程と、犠牲層形成工程と、プローブ形成工程とを順次行うようにしている。
2 コンタクト部
3 ビーム部
31 基板固定部
32 弾性変形部
4 絶縁膜
41 絶縁性領域
5 プローブ下地膜
51 プローブ下地領域
6 電極膜
61 電極領域
71 第1レジスト層
72 第2レジスト層
73 第3レジスト層
73a 第1開口部
74 第4レジスト層
74a 第2開口部
75 第5レジスト層
75a 第3開口部
8 犠牲層
91 プローブ金属層
92 コンタクトチップ層
100 プローブ装置
102 検査対象物
121 電極パッド
103 可動ステージ
104 駆動装置
105 筐体
106 メイン基板
161 外部端子
162 コネクタ
107 プローブ基板
171 基板本体
172 配線
173 樹脂絶縁層
174 穴
108 連結部材
110 プローブカード
Claims (7)
- 絶縁性基板上に第1導電性材料からなる電極膜を形成することにより、絶縁性領域と隣接する電極領域を上記絶縁性基板上に形成する電極膜形成工程と、
上記電極膜上に第1導電性材料を電気めっきすることにより、上記絶縁性領域から立ち上がり、上記電極領域に向かって曲がる曲面を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
上記犠牲層上に第2導電性材料を電気めっきすることにより、コンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、
上記犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。 - 互いに隣接する上記電極領域及び上記絶縁性領域を露出させる開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、
上記犠牲層形成工程は、上記電極領域が露出する上記開口部内に犠牲層を形成することを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブの製造方法。 - 互いに隣接する上記犠牲層の上記曲面及び上記絶縁性領域を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、
上記プローブ形成工程は、上記曲面が露出する上記開口部内にコンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブの製造方法。 - 上記電極膜形成工程は、導電性のプローブ下地膜を形成することにより、上記絶縁性基板の主面上に上記絶縁性領域を介して上記電極領域と隔てられたプローブ下地領域を形成し、
上記プローブ形成工程は、上記犠牲層上に第2導電性材料を電気めっきすることにより、上記犠牲層上に第2導電性材料を堆積させると共に、堆積した金属層を介して上記犠牲層及び上記プローブ下地膜を導通させて、当該プローブ下地膜上にも第2導電性材料を堆積させることにより上記コンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のコンタクトプローブの製造方法。 - 上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記電極領域及び上記プローブ下地領域を露出させる細長い開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、
上記電極膜形成工程は、上記犠牲層を形成する導電性材料の電気めっき液及びエッチング液に溶けない導電性材料で上記プローブ下地膜を形成し、
上記犠牲層形成工程は、上記電極領域が露出する上記開口部内に上記曲面を有する犠牲層を形成し、
上記プローブ形成工程は、上記犠牲層が形成された上記開口部内にコンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項4に記載のコンタクトプローブの製造方法。 - 上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記犠牲層の上記曲面及び上記プローブ下地膜を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、
上記プローブ形成工程は、上記曲面及び上記プローブ下地膜が露出する上記開口部内に上記コンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項4に記載のコンタクトプローブの製造方法。 - 上記犠牲層除去工程は、複数の上記コンタクトプローブを導通させる上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、各上記コンタクトプローブ毎に、当該コンタクトプローブの下に形成された上記プローブ下地膜を分離することを特徴とする請求項6に記載のコンタクトプローブの製造方法。
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