JP2009211066A - フォトニックバンドギャップ光ファイバ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高屈折率の領域の変形を抑制することができるフォトニックバンドギャップ光ファイバ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 フォトニックバンドギャップ光ファイバ10は、クラッド領域101により囲まれたコア領域90を備えている。クラッド領域101は、第1屈折率を有する低屈折率の領域110と、第1屈折率より高い第2屈折率を有する光学材料からなる高屈折率の領域100とを含む。高屈折率の領域100は、低屈折率の領域110中に周期的に配列されている。光ファイバの線引き温度において、低屈折率の領域110の粘度は高屈折率の領域100の光学材料の粘度より低い。
【選択図】 図3
Description
本発明は、光ファイバ、特にフォトニックバンドギャップ光ファイバに関し、またその製造方法に関する。
近年、フォトニックバンドギャップ材料の開発に関心が集中してきた。通常、これらの材料は、2又は3次元的な周期を持つ誘電体構造を備える。この構造及び配列の誘電体的な特性は、その材料の光透過特性を決める。周期的な構造中での多数ビームの干渉は、所定の波長の光又は所定の入射角の光をその材料から排除することができる。排除されて伝搬されない光の波長は、フォトニックバンドギャップとして知られている。フォトニックバンドギャップは、電子ではなくフォトンに適用されること以外には固体材料のバンドギャップに類似する。
フォトニックバンドギャップ構造を組み込んだ光ファイバは進歩してきた。これらの構造は伝搬方向に垂直な面において二次元的な周期性を有するが、その構造は伝搬方向において均一に延在する。
従来の光ファイバにおいては、クラッドはコアより低い屈折率を有する。光は全反射によりコアにおいてとどまるように強いられる。フォトニックバンドギャップ光ファイバにおいて、コアはクラッドより低い屈折率を有する。光閉じ込めは、クラッドにおける伝搬を妨げるフォトニックバンドギャップにより生じる。
近年まで、真のフォトニックバンドギャップ効果を現わす光ファイバは、空孔−シリカ構造により実現されてきた(図1参照)。そのような構造においては、空孔がクラッド中に組み込まれる。しかし、これらのフォトニックバンドギャップ光ファイバの製造においては、空孔の形状を制御することが困難である。
最近、フォトニックバンドギャップ光ファイバの分野における発展は、空孔を包含する必要なしに、低い屈折率差の適正な光バンドギャップを備える光ファイバをもたらした。そのようなオールソリッドフォトニックバンドギャップファイバは、ドープされたガラスの周期的な配列を含む。例えば、図2は、シリカクラッド204中に形成されておりゲルマニウム(Ge)がドープされたロッド202の周期的な配列を備えるフォトニックバンドギャップ光ファイバを概略的に示す。光ファイバのコア206もシリカからなる。図2の例においては、フォトニックバンドギャップ光ファイバは、共に積み重ねられた複数のロッドから製造されている。コア206は純シリカロッドからなり、クラッド204はゲルマニウムがドープされたコアを有すると共にマルチモードである複数のファイバプリフォームロッドからなる。マルチモードのファイバプリフォームロッドは、純シリカロッドからなるコア206の周囲に積み重ねられる。積み重ねられたロッドを加熱してコラプスし、又はそのガラスが柔らかい間に線引きすることによりフォトニックバンドギャップ光ファイバを製造することができる。下記の特許文献1においては、図2に示されているものに類似するオールソリッドフォトニックバンドギャップファイバが開示されている。
しかしながら、上記において用いられる方法又は材料では、ソリッドフォトニックバンドギャップ光ファイバの製造を困難にする数々の問題を避けられない。
すなわち、現在の製造技術では、周期的な構造を製造する際に、高屈折率の領域が変形してしまう。また、その変形によって、ファイバの光学特性が変わる。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、高屈折率の領域の変形を抑制することができるフォトニックバンドギャップ光ファイバ及びその製造方法を提供することを課題とする。
本発明は、クラッド領域により囲まれたコア領域を備えており、線引きにより得られたフォトニックバンドギャップ光ファイバにおいて、クラッド領域は、第1屈折率を有する背景光学材料と、第1屈折率より高い第2屈折率を有する光学材料からなると共に背景光学領域中に周期的に配列された複数の要素と、を有し、フォトニックバンドギャップ光ファイバのための線引き温度において、背景光学材料の粘度は複数の要素の光学材料の粘度より低いフォトニックバンドギャップ光ファイバを提供する。
背景光学材料は、フッ素(F)がドープされていてもよい。背景光学材料中のフッ素の濃度は、1.5wt%以上であってもよく、随意的に約2.7wt%であってもよい。
本発明は、クラッド領域により囲まれたコア領域を備えており、線引きにより得られたフォトニックバンドギャップ光ファイバにおいて、クラッド領域は、第1屈折率を有する背景光学材料と、第1屈折率より高い第2屈折率を有する光学材料からなると共に背景光学領域中に周期的に配列された複数の要素と、を有し、背景光学材料はフッ素がドープされたシリカからなり、複数の要素はゲルマニウムがドープされたシリカからなるフォトニックバンドギャップ光ファイバを提供する。複数の要素は、光の伝搬方向に直交して規則的な間隔で配置されており、光の伝搬方向に延びている。
本発明は、クラッド領域により囲まれたコア領域を備え、クラッド領域は周期的に配列された高屈折率の特徴を持つ背景光学材料を含むフォトニックバンドギャップ光ファイバの製造方法において、低屈折率のコアを有するロッドを中央にして高屈折率のコアを有する複数のロッドを規則的な周期配列で積み重ねるステップと、積み重ねられた複数のロッドをプロセス温度まで加熱するステップと、加熱された積み重ねられた複数のロッドを線引きして光ファイバを生成するステップと、を備え、周期的に配列された複数のロッドのコアの粘度は背景光学材料の粘度以上であるフォトニックバンドギャップ光ファイバの製造方法を更に提供する。
周期的に配列されており高屈折率のコアを有する複数のロッドは、クラッドを含み、クラッドはフッ素がドープされ得る。クラッド中のフッ素の濃度は、約2.7wt%であってもよい。
本発明に係るフォトニックバンドギャップ光ファイバ及びその製造方法によれば、高屈折率の領域の変形が抑制される。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明に係る実施形態を説明する。図3は、光ファイバにおける光の伝搬方向に直交する断面で見たとき、本発明に係るフォトニックバンドギャップ光ファイバ10の構造を概略的に示す説明図である。その光ファイバ10は、コア領域90とクラッド領域101とを有する。コア領域90は低屈折率の領域である。周囲のクラッド領域101のうち、領域(背景光学材料)110は低屈折率を有するが、領域(要素)100は高屈折率を有する。高屈折率の領域100は中央のコア領域90の周囲に周期的に配列されている。周期的な配列は、六角形、三角形又はその他の最密充填形状に基づくものであることができる。
高屈折率の領域100はゲルマニウムがドープされたシリカガラスからなる。一方、低屈折率の領域110はフッ素がドープされたシリカガラスからなる。ここで、低屈折率の領域110のために、他の材料系、例えばホウ素(B)ドープのシリカガラスが代替的に用いられ得る。代替的には、フォトニックバンドギャップ光ファイバの形成のためのベース材料としてシリカガラス以外のガラスが用いられ得る。
低屈折率の領域110のためのドーパントとしてフッ素を使用すると、所定の利点が得られる。すなわち、フッ素を使用すると、フォトニックバンドギャップ光ファイバ10の製造がより容易となると共に、結果として生じる光ファイバ10における構造的な規則性が向上される。以下、フォトニックバンドギャップ光ファイバ10の製造方法を詳細に説明する。
図4においては、フォトニックバンドギャップ材料の製造における重要なステップが示されている。ステップS410においては、ゲルマニウムがドープされたガラスからなるロッドを、フッ素がドープされたガラスチューブ内に挿入する。そのロッドとガラスチューブとの間に真空を生成し、その後にガラスチューブがロッド上でコラプスするまでロッド及びチューブを加熱してガラス本体を形成する。なお、この方法は、この分野においてコラプス法として知られている。
上記のガラスロッド中の二酸化ゲルマニウム濃度は約30mol%であることができ、この場合には純シリカガラスの屈折率より2.3%高い屈折率が生じる。上記のガラスチューブ中のフッ素濃度は約2.7wt%であることができ、この場合にはシリカガラスの屈折率より0.7%低い屈折率が生じる。本説明において、屈折率はSiO2の屈折率nsilicaglassを基準とした比屈折率差Δn、すなわち
として表される。
として表される。
ステップS420においては、ガラス本体を延伸して切断し、複数のロッドを製造する。
ステップS430においては、図5(a)に示すように、複数のロッドをスタッキング治具500の内側に配置する。ステップ420からのゲルマニウム/フッ素がドープされた複数のロッド510をフッ素だけがドープされた別の単一のロッド520に沿って積み重ねる。この単一のロッド520は、ステップ420からの複数のロッド510と同一の直径を有し、ステップ410におけるガラスチューブと同じ濃度で、すなわち、2.7wt%でフッ素がドープされており、その結果、純シリカガラスより0.7%低い屈折率を有する。ゲルマニウム/フッ素がドープされた複数のロッド510とフッ素がドープされたロッド520とは六角形の構造の断面を有するように積み重ねられ、六角形の配列構造20が形成される。フッ素ドープのロッド520は六角形の配列構造20の中央に位置される。
図5(a)に模式的に示されているように、一旦六角形の配列構造20に積み重ねられると、ステップS440において、図5(b)に示されているように、配列構造20はフッ素ドープのシリカチューブ530内に運ばれる。シリカチューブ530は、複数のロッド520及び510からなる配列構造20の周囲のジャケットとして機能する。
また、配列構造20とシリカチューブ530とのすべての空間には、フッ素がドープされた様々な直径、特にロッド510及び520の直径より小さな様々な直径を有するロッド540を充填してプリフォーム体30を形成する。隣接するロッドの間、配列構造20とジャケットとの間には小さな空間が残ることとなる。これらの空間は、線引きプロセス中に用いられるシリカチューブ530内の圧力を低くして加熱することにより、その線引きプロセス中に充填されることとなる。その後、プリフォーム体30を線引きする(ステップS440)ことで、図5(c)に示されているように、フォトニックバンドギャップ光ファイバ10が得られる(ステップS450)。
線引きプロセスはガラスからなるロッド510,520,540が軟化されるのに十分な高温の下で行われるが、ガラス中に気泡が発生することもあるのでその温度が高すぎてはならない。図6及び下記の表1において、上述した様々なガラス種類の粘度η[Pa・s]が、温度に対して表されている。
フォトニックバンドギャップ光ファイバを得るためのプリフォーム体30の線引きは、logη<5.0を満たす粘度で最適に行われる。logηが5.0を越えると、線引きするために必要な引っ張り力が大きいので、これに伴い、得られた光ファイバが折れたり、割れたりする。
表1から分かるように、純シリカファイバは、必要な粘度に至るのにゲルマニウムがドープされたファイバより高い温度が必要である。ゲルマニウムがドープされた高屈折率の領域を有するシリカファイバのような従来技術の例においては、必要な粘度に達するのに、プリフォーム体は約2000℃で加熱されなければならない。この温度において、ゲルマニウムがドープされた高屈折率の領域は周囲のシリカの粘度より低い粘度を有し、それ故光ファイバを線引きするプロセス中に正円形の形状から変形される(図7(a))。更に、図8に示されているように、ゲルマニウムが高濃度でドープされた高屈折率のコアを複数有すると共に純シリカからなる背景光学材料では、1950℃以上の温度で気泡が形成される傾向がある。
図3に示されているように、本発明に係る上記の実施形態では、シリカからなる背景光学材料(領域110)にはフッ素がドープされており、ゲルマニウムドープのシリカは周期的に配列された高屈折率の領域100を形成する。本実施形態に係る材料系では、相対的な粘度が先行技術分野の材料系に比べて変更された。特に、30mol%で二酸化ゲルマニウムがドープされた高屈折率の領域と、2.7%wtでフッ素がドープされた低屈折率の領域とを有する材料系において、高屈折率の領域100の粘度が低屈折率の領域の粘度より高い。この場合において、高屈折率の領域100の形状が光ファイバ線引きプロセスを通して維持される。結果として得られるファイバが図7(b)に示されている。複数のロッド間の空間を充填するために変形されたガラスは、主にフッ素がドープされた領域からのものである。これは、フッ素ドープの領域が、ゲルマニウムドープの領域より低い粘度を有するからである。
この方法及びこの材料系を用いることによって、高屈折率及び低屈折率の両方の領域100,110における粘度は約1900℃でlogη<5.0である。従って、ファイバが線引きされ得る温度が低くなり、気泡が形成される危険が低減される。更に、上述した材料(30mol%の二酸化ゲルマニウム、2.7%wtのフッ素)を用いると、高屈折率の領域100と低屈折率の領域110との間の屈折率の差を約3%にすることができる。これは、40mol%で二酸化ゲルマニウムがドープされた複数の高屈折率の領域を有する純シリカガラスの低屈折率の領域系に匹敵する。このように、屈折率の差は維持される。更に、複数の高屈折率の領域100が変形されず、且つ気泡の形成が抑制されるのでファイバ特性が向上される。
代替的な実施形態において、40mol%以下の二酸化ゲルマニウム及び1.5%wt以上のフッ素のような他の濃度も利用できる。
図9に示されているように、別の代替的な実施形態では、上述した製造方法が上記と異なる粘度構成を有する光ファイバの線引きプロセス中において適用され得る。この場合において、クラッドを構成する複数のロッドは高屈折率の領域100に亘って非均一の粘度を有する。特に、高屈折率の領域910の中央領域920は、高屈折率の領域910のエッジでの粘度より低い粘度を有する。また、高い粘度の領域910は背景光学材料より高い粘度を有する。この場合において、高粘度の中央領域920は、低粘度の領域910が変形されることを抑制する。
上記に説明された発明は、請求項の範囲から逸脱することなく様々に変化され得る。特に、用いられた材料は上記の説明において開示されたものに限定されず、他の材料、他のガラス、他のドーパントも用いられ得る。
10…フォトニックバンドギャップ光ファイバ、90…コア領域、101…クラッド領域、100…高屈折率の領域,110…低屈折率の領域。
Claims (8)
- クラッド領域により囲まれたコア領域を備えており、線引きにより得られたフォトニックバンドギャップ光ファイバにおいて、
前記クラッド領域は、
第1屈折率を有する背景光学材料と、
前記第1屈折率より高い第2屈折率を有する光学材料からなると共に前記背景光学領域中に周期的に配列された複数の要素と、
を有し、
前記フォトニックバンドギャップ光ファイバのための線引き温度において、前記背景光学材料の粘度は前記複数の要素の前記光学材料の粘度より低いフォトニックバンドギャップ光ファイバ。 - 前記背景光学材料は、フッ素がドープされたシリカからなる請求項1に記載のフォトニックバンドギャップ光ファイバ。
- 前記背景光学材料中の前記フッ素の濃度は1.5wt%以上である請求項2に記載のフォトニックバンドギャップ光ファイバ。
- 前記複数の要素は、ゲルマニウムがドープされたシリカからなる請求項1〜3のいずれか一項に記載のフォトニックバンドギャップ光ファイバ。
- 前記複数の要素中の前記二酸化ゲルマニウムの濃度は約30mol%である請求項4に記載のフォトニックバンドギャップ光ファイバ。
- 前記フォトニックバンドギャップ光ファイバの前記コア領域は前記背景光学材料と同じ材料から形成されている請求項1〜5の何れか一項に記載のフォトニックバンドギャップ光ファイバ。
- クラッド領域により囲まれたコア領域を備え、前記クラッド領域は周期的に配列された高屈折率の特徴を持つ背景光学材料を含むフォトニックバンドギャップ光ファイバの製造方法において、
低屈折率のコアを有するロッドを中央にして高屈折率のコアを有する複数のロッドを規則的な周期配列で積み重ねるステップと、
前記積み重ねられた複数のロッドをプロセス温度まで加熱するステップと、
加熱された前記積み重ねられた複数のロッドを線引きして光ファイバを生成するステップと、
を備え、
周期的に配列された前記複数のロッドの前記コアの粘度は前記背景光学材料の粘度以上であるフォトニックバンドギャップ光ファイバの製造方法。 - 前記プロセスの温度は1900℃未満である請求項7に記載のフォトニックバンドギャップ光ファイバの製造方法。
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