JP2009182320A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蒸着マスクで発光層を含む有機膜層を形成するにあたって、画素定義膜の上部に位置する球状スペーサを用い、蒸着マスクの凹凸による画素定義膜などの損傷を防止するためのものとして、基板と、前記基板上に位置する第1電極と、前記第1電極上に位置し、前記第1電極を露出させる開口部及び第1領域と第2領域とで区分される非開口部を備える画素定義膜と、前記画素定義膜の第2領域に位置する複数の球状スペーサと、前記第1電極の上部に位置して発光層を含む有機膜層と、前記有機膜層の上部に位置する第2電極とを含み、前記第1領域は前記開口部のエッジ部に沿って位置することを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
【選択図】図4E
Description
210 バッファ層
220a ソース領域
220b ドレイン領域
221 チャネル領域
230 ゲート絶縁膜
231 ゲート電極
240 層間絶縁膜
150a ソース電極
150b ドレイン電極
260 無機膜
270 有機膜
280 第1電極
281 画素定義膜
290 スペーサ散布機
290a 球状スペーサ
291 有機膜層
292 第2電極
Claims (17)
- 基板と、
前記基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置し、前記第1電極を露出させる開口部及び第1領域と第2領域とで区分される非開口部を備える画素定義膜と、
前記画素定義膜の第2領域に位置する複数の球状スペーサと、
前記第1電極の上部に位置して発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層の上部に位置する第2電極と、を含み、
前記第1領域は前記開口部のエッジ部に沿って位置することを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記第1領域は、前記第2領域よりも段差が低いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1領域の幅は、前記球形スペーサの大きさの1/2以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記球形スペーサの大きさは3ないし10μmであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記画素定義膜はポリアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレン系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂及びベンゾサイクロブテン(BCB)からなる群から選択された一つの物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極はITO、IZO、TO及びZnOからなる群から選択された一つの物質からなり、前記第2電極はLi、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及びこれらの合金からなる群から選択されたいずれか一つの物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極はAg、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物からなる群から選択されたいずれか一つの物質で反射膜を形成した後、前記反射膜の上部にITO、IZO、TO及びZnOからなる群から選択された一つの物質である透明電極の積層構造からなっていて、前記第2電極はLi、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及びMg合金からなる群から選択された一つの物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極はITO、IZO、TO及びZnOからなる群から選択された一つの物質からなる下部電極と、前記下部電極上に位置し、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物からなる群から選択されたいずれか一つの物質からなる反射電極と、前記反射膜の上に位置し、ITO、IZO、TO及びZnOからなる群から選択された一つの物質からなる上部電極の積層構造からなっていて、前記第2電極はLi、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及びMg合金からなる群から選択された一つの物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記基板上に形成され、ソース/ドレイン領域を備える半導体層及び前記半導体層と電気的に接続するソース/ドレイン電極を備える薄膜トランジスタをさらに含み、
前記第1電極は前記ソース/ドレイン電極のうちのいずれか一つに接続することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。 - 基板を提供する工程と、
前記基板の上部に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上部に画素定義膜を形成する工程と、
前記画素定義膜の上部に複数の球状スペーサを塗布する工程と、
前記画素定義膜上に第1電極の一部を露出させる開口部及び第1領域と第2領域とで区分される非開口部を形成する工程と、
前記第1電極の上部に位置し、発光層を含む有機膜層を形成する工程と、
前記有機膜層の上部に第2電極を形成する工程と、を含み、
前記第1領域は前記開口部のエッジ部に沿って形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記画素定義膜を形成した後、画素定義膜上に開口部、第1領域及び第2領域を形成するために画素定義膜を露光する工程をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記画素定義膜を露光する工程には、ハーフトーンマスクを用いることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ハーフトーンマスクは光遮断領域、半透過領域及び透過領域からなっていて、
前記画素定義膜が陽性材料物質の場合には、開口部となる部分が透過領域であり、第1領域となる部分が半透過領域であり、第2領域となる部分が遮断領域であることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記ハーフトーンマスクは光遮断領域、半透過領域及び透過領域からなっていて、
前記画素定義膜が陰性材料物質の場合には、開口部となる部分が遮断領域であり、第1領域となる部分が半透過領域であり、第2領域となる部分が透過領域であることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記球状スペーサを塗布した後、球状スペーサを含む基板をベークする工程をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ベーク工程の温度範囲は50ないし200℃であることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板上にソース/ドレイン領域を備える半導体層及び前記半導体層と電気的に接続するソース/ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを形成する工程をさらに含み、
前記第1電極は前記ソース/ドレイン電極のうちのいずれか一つに接続することを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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