KR102160417B1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 포토 다이오드, 포토 다이오드를 덮는 유기막, 유기막 상에 배치되는 제1 전극, 제1 전극을 적어도 부분적으로 노촐시키는 화소 정의막, 화소 정의막에 의해 노출된 제1 전극을 덮는 유기층 및 화소 정의막 및 유기층을 덮는 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 전극은 상기 포토 다이오드와 중첩되는 제1 영역 및 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역에서의 상기 제1 전극의 두께는 상기 제2 영역에서의 상기 제1 전극의 두께와 상이하다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
최근, 음극선관과 비교하여 무게가 가볍고 부피가 작은 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치들 중 특히 유기전계발광 표시장치는 유기 화합물을 발광 재료로 사용하여 휘도 및 색순도가 뛰어나 차세대 표시장치로 주목받고 있다. 또한, 유기전계발광 표시장치는 얇고 가벼우며 저전력으로도 구동이 가능하여 휴대용 표시장치 등에 유용하게 이용될 것으로 기대되고 있다. 휴대용 표시 장치가 일정한 시인성을 유지하기 위해, 유기층으로부터 발생하는 광을 일정하게 유지시킬 필요가 있으며, 이를 위해 유기층으로부터 발생하는 광을 감지하는 광센서를 구비하여, 유기층으로부터 발생하는 빛을 측정하고, 이를 기초로 유기층이 발생하는 광의 세기를 조절하는 방식이 이용되고 있다. 유기발광다이오드는 애노드 전극, 유기층 및 캐소드 전극을 포함할 수 있는데, 상기 각 구성의 광특성에 따라 광센서의 감도가 좌우된다. 특히, 외광에 의한 간섭은 광센서가 유기 발광 다이오드로부터 발생한 빛을 정확히 측정하는데 방해 요인으로 작용하고 있다. 따라서, 이러한 요인들을 고려하여 보다 정교한 광 센싱을 위한 다양한 기술적인 시도가 행해지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광센서의 감지 능력을 향상시키기 위해 외광의 간섭을 억제할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 광센서의 감지 능력을 향상시키기 위해 외광의 간섭을 억제할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 유기층에서 발생하여 광센서에 도달하는 광량이 증대된 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 유기층에서 발생하여 광센서에 도달하는 광량이 증대된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 포토 다이오드, 포토 다이오드를 덮는 유기막, 유기막 상에 배치되는 제1 전극, 제1 전극을 적어도 부분적으로 노촐시키는 화소 정의막, 화소 정의막에 의해 노출된 제1 전극을 덮는 유기층 및 화소 정의막 및 유기층을 덮는 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 전극은 상기 포토 다이오드와 중첩되는 제1 영역 및 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역에서의 상기 제1 전극의 두께는 상기 제2 영역에서의 상기 제1 전극의 두께와 상이하다.
상기 제1 영역의 두께는 상기 제2 영역의 두께에 비해 얇을 수 있다.
상기 제1 전극은 반사 전극일 수 있다.
상기 제1 전극은 은(Ag)를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 상기 포토 다이오드를 덮는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막을 덮는 층간 절연막을 더 포함하고, 상기 포토 다이오드는 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막에 의해 노출된 노출부를 더 포함하며, 상기 제1 영역은 상기 노출부와 중첩될 수 있다.
상기 제1 영역의 폭은 상기 노출부의 폭과 동일하거나, 상기 노출부의 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 평탄화막 상에 배치되는 제1 층 제1 전극 및 상기 제1 층 제1 전극 상에 배치되는 제2 층 제1 전극을 포함하되, 상기 제1 층 제1 전극은 일정한 두께를 갖고, 상기 제2 층 제1 전극은 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께에 비해 얇을 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 평탄화막 상에 배치되는 제1 층 제1 전극, 상기 제1 층 제1 전극 상에 배치되는 제2층 제1 전극, 및 상기 제2 층 제1 전극 상에 배치되는 제3 층 제1 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 층 제1 전극 및 상기 제3 층 제1 전극은 일정한 두께를 갖고, 상기 제2 층 제1 전극은 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께의 비해 얇을 수 있다.
상기 제1 층 제1 전극 및 상기 제3 층 제1 전극은 투명 전극이고, 상기 제2 층 제1 전극은 반사 전극일 수 있다.
상기 제2 층 제1 전극은 은(Ag)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 포토 다이오드를 배치하는 단계, 포토 다이오드를 덮는 평탄화막을 배치하는 단계, 평탄화막 상에 제1 전극을 배치하는 단계, 제1 전극을 부분적으로 노출시키는 화소 정의막을 배치하는 단계, 화소 정의막에 의해 노출된 제1 전극 상에 유기층을 배치하는 단계, 화소 정의막, 유기층을 덮는 제2 전극을 배치하는 단계를 포함하되, 평탄화막 상에 제1 전극을 배치하는 단계는 포토 다이오드가 중첩되는 제1 영역의 두께를 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역의 두께와 상이하게 하는 단계를 포함한다.
상기 제1 전극에서 상기 포토 다이오드와 상기 제1 전극이 중첩되는 제1 영역의 두께를 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역의 두께와 상이하게 하는 단계는 상기 제1 영역의 두께를 상기 제2 영역의 두께보다 얇게 하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 평탄화막 상에 제1 전극을 배치하는 단계는 상기 평탄화막 상에 두께가 일정한 제1 층 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 층 제1 전극 상에 제2 층 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 층 제1 전극 상에 제3층 제1 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 층 제1 전극 및 상기 제3 층 제1 전극은 투명 전극이고, 상기 제2 층 제1 전극은 반사 전극일 수 있다.
상기 제2 층 제1 전극은 은(Ag)을 포함할 수 있다.
상기 제1 층 제1 전극 및 상기 제3 층 제1 전극은 일정한 두께를 갖고, 상기 제2 층 제1 전극은 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께의 비해 얇을 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 외광의 간섭을 억제하여, 광센서의 감지 능력을 향상시킬 수 있다.
또한, 유기층에서 발생하여 광센서에 도달하는 광량이 증대될 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 17 내지 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 17 내지 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 포토 다이오드, 포토 다이오드를 덮는 유기막, 유기막 상에 배치되는 제1 전극, 제1 전극을 적어도 부분적으로 노촐시키는 화소 정의막, 화소 정의막에 의해 노출된 제1 전극을 덮는 유기층 및 화소 정의막 및 유기층을 덮는 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 전극은 상기 포토 다이오드와 중첩되는 제1 영역 및 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역에서의 상기 제1 전극의 두께는 상기 제2 영역에서의 상기 제1 전극의 두께와 상이하다.
기판(10)은 판 형상을 갖는 부재로서, 후술하는 다른 구성들을 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(10)은 절연 기판으로서, 유리 또는 플라스틱을 포함하는 고분자 물질로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 기판(10)은 폴리 이미드(Poly imide, PI)로 형성될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 기판(10)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(10)은 경성(rigid) 기판(10)일 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 연성이나 가요성을 갖는 기판(10)일 수 있다. 즉, 본 명세서에서, "기판"이라 함은 구부리거나(bending), 접거나(folding), 마는 것(rolling)이 가능한 플렉서블 기판을 포함하는 개념으로 이해될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)은 단일층 구조를 가질 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 즉, 다른 예시적인 실시예에서 기판(10)은 두 개 이상의 층이 적층된 적층 구조를 가질 수 있다. 다시 말하면, 기판(10)은 베이스층 및 베이스층 상에 배치되는 보호층을 포함할 수 있다.
베이스 층은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서 베이스층은 폴리이미드 (Poly imide, PI)로 형성될 수 있으나, 베이스 층의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 베이스층 상에는 보호층이 배치될 수 있다. 보호층은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 보호층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, Polyehtylene terephthalate) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, Polyethylene naphthalate)에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 보호층의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(10) 상에는 버퍼층(도시하지 않음)이 배치될 수 있다. 버퍼층은 기판(10)으로부터 불순 원소의 침투를 방지하는 역할을 할 수 있다. 예시적인 실시예에서 버퍼층은 산화규소(SiOx) 및 질화규소(SiNx)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있으나, 버퍼층의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 버퍼층은 단일막 구조 또는 두 개 이상의 층이 적층된 적층 구조를 가질 수 있다, 버퍼층이 두 개의 층을 갖는 예시적인 실시예에서, 두 개의 층은 서로 상이한 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 층은 산화 규소로 이루어지고, 제2 층은 질화 규소로 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 버퍼층의 구조가 이에 제한되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서 버퍼층은 생략될 수도 있다. 도 1 및 도 2 등은 버퍼층이 생략된 경우를 도시한다.
기판(10) 상에는 반도체층(40)이 형성될 수 있다. 반도체층(40)은 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함하여 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서 반도체층(40)은 비정질 규소를 도포하고 패터닝한 후 이를 결정화하는 방법으로 형성될 수 있으나, 반도체층(40)의 형성 방법이 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에서 "반도체층"이라고 지칭되는 것은 산화물 반도체를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
기판 상에는 포토 다이오드(50)가 배치될 수 있다. 포토 다이오드(50)는 반도체층(40)과 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 포토 다이오드(50)는 반도체층(40)과 동일 레벨 상에 배치될 수 있다. 즉, 포토 다이오드(50)와 반도체층(40)은 동일한 재질을 가지며, 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 포토 다이오드(50)의 재질 및 형성 방식이 이에 제한되는 것은 아니다. 포토 다이오드(50)는 외광 또는 후술하는 유기 발광층으로부터의 조사되는 광을 센싱하는 광센서의 역할을 할 수 있다.
반도체층(40)과 포토 다이오드(50) 상에는 게이트 절연막(20)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(20)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx)를 포함할 수 있으나, 게이트 절연막(20)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 게이트 절연막(20)은 단일막 구조일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다.
또한, 게이트 절연막(20)은 반도체층(40) 일부 및 포토 다이오드(50)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
게이트 절연막(20) 상에는 게이트 라인(도시하지 않음), 게이트 전극(25) 및 게이트 패드(도시하지 않음)를 포함하는 게이트 배선이 배치될 수 있다. 게이트 배선은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하여 형성될 수 있으나, 게이트 배선의 재질이 이에 제한되는 것은 아니며, 전도성을 갖는 물질로서 투명 또는 반투명한 물질은 게이트 배선을 형성하는데 사용될 수 있다.
게이트 배선 상에는 게이트 배선을 덮는 층간 절연막(30)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(30)은 무기 물질로 형성된 무기막일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 층간 절연막(30)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx)를 포함할 수 있으나, 층간 절연막(30)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 층간 절연막(30)은 단일막 구조일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다.
층간 절연막(30)은 게이트 절연막(20)과 마찬가지로 포토 다이오드(50)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 설명의 편의상 층간 절연막(30) 및 게이트 절연막(20)에 노출된 부분을 노출부(50_1)로 지칭하기로 한다. 즉, 포토 다이오드(50)는 층간 절연막(30) 및/또는 게이트 절연막(20)에 의해 노출된 노출부(50_1)를 포함할 수 있다.
층간 절연막(30) 상에는 소스 전극(61), 드레인 전극(62) 및 데이터 라인을 포함하는 데이터 배선이 배치될 수 있다. 데이터 배선은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으나, 데이터 배선의 재질이 이에 제한되는 것은 아니며, 전도성을 갖는 물질로서 투명 또는 반투명한 물질은 데이터 배선을 형성하는데 사용될 수 있다.
층간 절연막(30) 상에는 제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)이 더 배치될 수 있다. 제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)은 포토 다이오드(50)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예에서 제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)은 층간 절연막(30) 및 게이트 절연막(20) 중 어느 하나 이상을 관통하여 포토 다이오드(50)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 다른 예시적인 실시예에서 제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)은 각각 포토 다이오드(50)의 노출부(50_1)의 양측과 인접하도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 컨택(63)은 노출부(50_1)의 일측과, 제2 컨택은 노출부(50_1)의 타측과 인접하도록 배치될 수 있다.
제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)은 센싱 라인(도시하지 않음) 또는 포토 다이오드(50)를 구동하는 소자에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 다른 예시적인 실시예에서, 제1 컨택(63)은 포토 다이오드(50)로부터 발생한 전류를 센싱 라인에 전달하는 제2 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 대한 설명은 후술하기로 한다.
소스 전극(61)은 데이터 라인의 일부로서 데이터 라인과 동일선 상에 배치될 수 있다. 드레인 전극(62)은 소스 전극(61)과 나란하게 뻗도록 형성될 수 있으며, 이 경우, 드레인 전극(62)은 데이터 라인의 일부와 나란할 수 있다.
게이트 전극(25), 소스 전극(61) 및 드레인 전극(62))은 반도체층(40)과 함께 하나의 제1 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)를 이루며, 제1 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(61)과 드레인 전극(62) 사이의 반도체층(40)에서 형성될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터는 유기 발광 표시 장치에서 스위칭 소자의 역할을 할 수 있다.
데이터 배선, 제1 컨택(63), 제2 컨택(64) 및 노출부(50_1) 상에는 데이터 배선, 제1 컨택(63), 제2 컨택(64) 및 노출부(50_1)를 덮는 평탄화막(70)이 배치될 수 있다. 평탄화막(70)의 두께는 층간 절연막(30)에 비해 상대적으로 두꺼울 수 있다. 이러한, 두께차로 인하여, 평탄화막(70)의 상면은 층간 절연막(30) 및 소스/드레인 전극(62)과 접하는 하면에 비해 상대적으로 평탄할 수 있다. 평탄화막(70)은 기판(10) 상의 단차를 완화하기 위해 예컨대, 아크릴, BCB(Benzocyclicbutene) 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 평탄화막(70)은 감광이 가능한 물질로 이루어질 수 있다.
평탄화막(70)에는 드레인 전극(62)을 적어도 부분적으로 노출시키는 제1 비아홀(71)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 비아홀(71)은 평탄화막(70)을 관통하며, 드레인 전극(62)의 상면을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
평탄화막(70) 및 노출된 드레인 전극(62) 상에는 제1 전극(100)이 배치될 수 있다. 즉, 제1 전극(100)이 평탄화막(70), 제1 비아홀(71)의 측벽 및 드레인 전극(62)의 상면을 덮도록 배치될 수 있으며, 이에 의해 제1 전극(100)과 드레인 전극(62)이 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예에서 제1 전극(100)은 애노드(Anode)전극일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 전극(100)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide, IZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 제1 전극(100)의 재질이 이에 제한되지는 않는다. 제1 전극(100) 상에는 화소 정의막(80), 유기층(150) 및 제2 전극(200)이 배치될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.
제1 전극(100)은 서로 상이한 두께를 갖는 제1 영역(100a) 및 제2 영역(100b)을 포함할 수 있다. 제1 영역(100a)은 포토 다이오드(50) 또는 포토 다이오드(50)의 노출부(50_1)와 중첩되는 영역일 수 있다. 제1 영역(100a)의 폭(w2)은 노출부(50_1)의 폭(w1)과 실질적으로 동일하거나, 이보다 클 수 있다.
즉, 예시적인 실시예에서 노출부(50_1)는 제1 영역(100a)과 완전하게 중첩될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이 제1 영역(100a)과 제2 영역(100b)의 두께는 상이할 수 있다. 구체적으로 제1 영역(100a)의 두께(d1)은 제2 영역(100b)의 두께(d2)에 비해 상대적으로 얇을 수 있다.
제1 전극(100) 상에는 화소 정의막(80)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(80)은 제1 전극(100)을 적어도 부분적으로 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예에서, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형 유기 발광 표시 장치일 수 있으며, 제1 전극(100)은 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(100)이 반사 전극인 경우, 외광이 제1 전극(100)을 뚫고, 포토 다이오드(50)까지 진행하는 것을 억제할 수 있다. 이를 통해, 유기층(150)에서 발생하는 빛의 강도를 센싱하고, 이를 피드백하여, 유기층에서 발생하는 빛의 강도를 조절하는 과정이 보다 정교하게 수행될 수 있다. 즉, 제1 전극(100)을 반사 전극으로 하는 경우, 외광의 간섭을 억제할 수 있으며, 제1 전극(100)이 상대적으로 얇은 두께를 갖는 제1 영역(100a)를 포함하는 경우, 유기층(150)에서 발생한 빛이 포토 다이오드(50)에 원할하게 조사되어, 이를 기초로 표시 장치에서 발생하는 빛의 세기를 조절할 수 있다. 제1 전극(100)이 반사 전극인 경우, 제1 전극(100)은 은(Ag)을 포함하여 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 제1 전극(100)의 재료가 이에 제한되는 것은 아니다.
화소 정의막(80)은 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아마이드(poly amide, PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어지거나, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(80)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 이루어질 수 있는데, 이 경우 화소 정의막(80)은 차광 부재의 역할을 할 수 있다.
화소 정의막(80)에 의해 노출된 제1 전극(100) 상에는 유기층(150)이 배치될 수 있다. 유기층(150)은 유기 발광 표시 장치에 포함되는 유기 물질층들, 즉, 발광층(organic light emitting layer, EML), 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 주입층(electron injection layer, EIL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 등을 포함할 수 있다. 유기층(150)은 상기 유기 물질층들 중에서 선택된 하나를 포함하는 단일막 구조를 갖거나 2 이상을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다.
유기층(150) 상에는 제2 전극(200)이 형성될 수 있다. 제2 전극(200)은 화소 정의막(80) 및 유기층(150)을 덮을 수 있다. 예시적인 실시예에서 제2 전극(200)은 화소 정의막(80) 및 유기층(150)을 덮는 전면 전극일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 예시적인 실시예에서 제2 전극(200)은 캐소드(Cathode)전극일 수 있다.
제2 전극(200)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide, IZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 제2 전극(200)의 재질이 이에 제한되지는 않는다.
도면에 도시하지는 않았지만, 제2 전극(200) 상에는 봉지 부재나 봉지막이 배치될 수 있다. 봉지 부재 또는 봉지막은 기 공지된 봉지 부재 또는 봉지막과 실질적으로 동일할 수 있으며, 본 명세서에서는 본 발명의 범위가 모호해지는 것을 막기 위해 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이하에서는, 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 효과에 대해 자세히 설명하기로 한다.
앞서 설명한 바와 같이 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형 유기 발광 표시 장치일 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 포토 다이오드(50)는 유기층(150)에서 발생한 빛을 센싱하는 역할을 할 수 있다. 즉, 유기층(150)에서 발생한 빛을 센싱하고, 이를 기초로 유기층에서 발생하는 빛의 세기를 조절할 수 있다. 다만, 외광의 간섭으로 인해 포토 다이오드(50)의 센싱 감도가 떨어질 수 있으며, 이는 유기 발광 표시 장치 광도 조절에 장애가 될 수 있다. 제1 전극(100)이 두께가 상대적으로 얇은 제1 영역(100a)을 포함하는 경우, 유기층(150)에서 발생한 빛이 보다 강하게 포토 다이오드(50)를 향해 조사될 수 있다. 즉, 보다 강한 빛에 의해 포토 다이오드(50)의 센싱 감도가 향상될 수 있다. 또한, 제1 전극(100)을 반사 전극으로 형성하는 경우, 외광이 제1 전극(100)을 뚫고 포토 다이오드(50)로 진행하는 것을 억제할 수 있으며, 이에 따라 외광의 간섭을 억제해 포토 다이오드(50)의 센싱 감도를 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 번호로서 지칭하며, 중복 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 전극(101)이 적층 구조로 된 점이 도 1의 실시예와 다른 점이다.
제1 전극(101)은 하나 이상의 층이 적층된 적층구조를 가질 수 있다. 도 3은 제1 전극(101)이 두 개의 층이 적층된 구조를 갖는 경우를 예시한다. 설명의 편의상 평탄화막(70) 상부에 배치되는 제1 전극(101)을 제1 층 제1 전극 (101_1), 제1 층 제1 전극(101_1) 상에 배치되는 제1 전극(101)을 제2 층 제1 전극(101_2)으로 지칭하기로 한다. 즉, 제1 전극(101)은 제1 층 제1 전극(101_1) 및 제2 층 제1 전극(101_2)를 포함한다. 예시적인 실시예에서 제1 층 제1 전극(101_1) 및 제2 층 제1 전극(101_2)은 서로 동일한 물질 또는 서로 상이한 물질로 이루어질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 층 제1 전극(101_1)은 일정한 두께를 가질 수 있다. 또한, 제2 층 제1 전극(101_2)은 포토 다이오드(50)와 중첩되는 제1 영역(101_2a) 및 제1 영역(101_2a)을 제외한 나머지 영역인 제2 영역(101_2b)을 포함할 수 있다. 즉, 제2 층 제1 전극(101_2)의 제1 영역(101_2a)의 두께(d4)는 제2 영역(101_2b)의 두께(d4)에 비해 상대적으로 얇을 수 있다.
예시적인 실시예에서 제1 층 제1 전극(101_1) 및 제2 층 제1 전극(101_2) 중 어느 하나 이상은 반사 전극일 수 있다.
도 3은 제1 층 제1 전극(101_1)이 일정한 두께를 갖고, 제2 층 제2 전극(101_2)가 상이한 두께를 갖는 경우를 예시하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 예시적인 실시예에서 제2 층 제2 전극(101_2)은 일정한 두께를 갖고, 제1 층 제1 전극(101_1)이 포토 다이오드(50)와 중첩되며, 상대적으로 얇은 두께를 갖는 제1 영역 및 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 제2 영역을 가질 수도 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 전극이 세 개의 층으로 이루어지는 점이 도 1의 실시예와 다른 점이다.
예시적인 실시예에서 제1 전극(102)는 세 개의 층으로 이루어질 수 있다.
설명의 편의상 평탄화막(70) 상에 배치되는 제1 전극을 제1 층 제1 전극(102_1), 제1 층 제1 전극(102_1) 상에 배치되는 제1 전극을 제2 층 제1 전극(102_2), 제2 층 제1 전극(102_2) 상에 배치되는 제1 전극을 제3층 제1 전극(102_3)으로 지칭하기로 한다.
예시적인 실시예에서, 제1 층 제1 전극(102_1) 및 제3 층 제1 전극(102_3)은 일정한 두께를 가질 수 있다.
제2 층 제1 전극(102_2)은 제1 층 제1 전극(102_1) 및 제3 층 제1 전극(102_3) 사이에 개재될 수 있다. 제2 층 제1 전극(102_2)은 포토 다이오드(50)와 중첩되는 제1 영역(102_2a) 및 제1 영역(102_2a)을 제외한 나머지 영역인 제2 영역(102_2b)을 포함할 수 있다. 제2 층 제1 전극(102_2)의 제1 영역(102_2a)의 두께(d6)는 제2 영역(102_2b)의 두께(d5)에 비해 상대적으로 얇을 수 있다.
예시적인 실시예에서 제1 층 제1 전극(102_1), 제2 층 제1 전극(102_2) 및 제3 층 제1 전극(102_3) 중 어느 하나 이상은 반사 전극일 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 전극(103)이 제1 층 제1 전극(103_1), 제2 층 제1 전극(103_2) 및 제3 층 제1 전극(103_3)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서 제1 층 제1 전극(103_1) 및 제1 층 제3 전극(103_3)은 투명 전극으로 이루어지고, 제1 층 제2 전극(103_2)은 반사 전극으로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 층 제1 전극(103_1) 및 제3 층 제1 전극은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide, ITO)로 이루어지고, 제2 층 제1 전극(130_2)은 은(Ag)로 이루어질 수 있다.
또한, 도 4에서 설명한 바와 같이 제1 층 제2 전극(103_2)은 포토 다이오드(50)와 중첩되는 제1 영역(103_2a) 및 제1 영역(103_2a)을 제외한 나머지 영역인 제2 영역(103_2b)을 포함할 수 있다. 제2 층 제1 전극(103_2)의 제1 영역(103_2a)의 두께는 제2 영역(103_2b)의 두께에 비해 상대적으로 얇을 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하는 점이 도 1의 실시예와 다른 점이다.
예시적인 실시예에서, 유기 발광 표시 장치는 제2 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터는 제2 반도체층(41), 제2 게이트 전극(26), 제2 소스 전극(65) 및 제2 드레인 전극(66)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서 제2 드레인 전극(66)은 제1 컨택과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 포토 다이오드(50)와 제2 드레인 전극(66)이 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 다른 예시적인 실시예에서 제2 드레인 전극(66)은 제1 컨택과 일체로 형성될 수 있다.
제2 컨택(64)이 제1 컨택의 반대편에 위치하여 포토 다이오드(50)와 전기적으로 연결될 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
포토 다이오드(50)에 광이 조사되면, 전류가 발생되고, 발생한 전류가 제2 박막 트랜지스터에 전달될 수 있다. 제2 박막 트랜지스터는 센싱 라인과 연결될 수 있으며, 포토 다이오드(50)에 조사되는 광의 세기에 따라 제2 박막 트랜지스터가 구동되고, 이를 기초로 유기층(150)에서 발생하는 광의 세기를 조절할 수 있다.
도 7 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 7 내지 도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 포토 다이오드를 배치하는 단계, 포토 다이오드를 덮는 평탄화막을 배치하는 단계, 평탄화막 상에 제1 전극을 배치하는 단계, 제1 전극을 적어도 부분적으로 노출시키는 화소 정의막을 배치하는 단계, 화소 정의막에 의해 노출된 제1 전극 상에 유기층을 배치하는 단계, 화소 정의막, 유기층을 덮는 제2 전극을 배치하는 단계를 포함하되, 평탄화막 상에 제1 전극을 배치하는 단계는 포토 다이오드가 중첩되는 제1 영역의 두께를 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역의 두께와 상이하게 하는 단계를 포함한다.
이하에서는, 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
먼저, 기판(10) 상에 반도체층(40) 및 포토 다이오드(50)를 형성하는 단계가 진행된다. (도 7 참조) 앞서 설명한 바와 같이 반도체층(40) 및 포토 다이오드(50)는 동일한 레벨 상에 배치될 수 있다. 또한, 반도체층(40) 및 포토 다이오드(50)는 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 앞에서 하였으므로, 생략하기로 한다.
이어어, 반도체층(40) 과 포토 다이오드(50) 상에 게이트 절연막(20)을 배치하는 단계가 진행될 수 있다. (도 8 참조) 게이트 절연막(20)을 형성하는 방법은 제한되지 않으며, 증착, 스퍼터링, 프린팅 방식 등 기 공지된 다양한 방법이 채택될 수 있다.
이어서, 게이트 절연막(20) 상에 게이트 전극(21)을 형성하고, 게이트 전극(21) 상에 층간 절연막(30)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 또한, 층간 절연막(30)을 형성한 후에 소스 전극(61), 드레인 전극(62), 제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)이 배치될 수 있는 비아홀을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 또한, 이 단계에서, 포토 다이오드(50)의 상면을 노출시킬 수 있다. 즉, 층간 절연막(30)을 형성한 후에 소스 전극(61), 드레인 전극(62), 제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)이 배치될 수 있는 비아홀을 형성하는 단계는 포토 다이오드(50)를 노출시키는 노출부(50_1)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. (도 9 참조)
이어서, 소스 전극(61), 드레인 전극(62), 제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 소스 전극(61), 드레인 전극(62), 제1 컨택(63) 및 제2 컨택(64)은 실질적으로 동시에 형성될 수 있으며, 실질적으로 동일한 재질로 이루어질 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다. (도 10 참조)
이어서, 포토 다이오드(50)를 덮는 평탄화막(70)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 평탄화막(70)을 형성하는 방법은 제한되지 않으며, 예시적으로 포토 레지스트 공정을 채택하여 평탄화막(70)을 형성할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 평탄화막(70) 형성 방법이 이에 제한되지 않음은 물론이다. (도 11 참조)
이어서, 평탄화막(70)에 제1 비아홀(71)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 제1 비아홀(71)은 드레인 전극(62)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. (도 12 참조)
이어서, 평탄화막(70) 상에 제1 전극(100)을 배치하는 단계가 진행될 수 있다. 평탄화막(70) 상에 제1 전극(100)을 배치하는 단계는 포토 다이오드가 중첩되는 제1 영역(100a)의 두께를 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역(100b)의 두께와 상이하게 하는 단계를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 영역(100a)의 두께를 제2 영역(100b)의 두께보다 얇게 하는 단계를 포함할 수 있다. (도 13 참조)
이어서, 제1 전극(100)을 적어도 부분적으로 노출시키는 화소 정의막(80)을 배치하는 단계가 진행된다. 화소 정의막(80)은 제1 전극(100)의 양 측부에 배치되며, 제1 전극(100)의 중앙부를 노출할 수 있다. (도 14 참조)
이어서, 화소 정의막(80)에 의해 노출된 제1 전극(100)을 덮는 유기층(150)을 형성하는 단계가 진행된다. 유기층(150)은 제1 전극(100)을 덮으며 화소 정의막(80)에 의해 구획된 공간 내측에 배치될 수 있다. (도 15 참조)
이어서, 화소 정의막(80) 및 유기층(150)을 덮는 제2 전극(200)을 배치하는 단계가 진행된다. 앞서 설명한 바와 같이 제2 전극(200)은 전면 전극으로서, 화소 정의막(80) 및 유기층(150)을 완전하게 덮을 수 있다. (도 16 참조)
이하에서는 도 17 내지 도 19를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 17 내지 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 평탄화막(70) 상에 제1 전극(100)을 배치하는 단계가 진행될 수 있다. 평탄화막(70) 상에 제1 전극(100)을 배치하는 단계가 평탄화막(70) 상에 제1 층 제1 전극(103_1)을 형성하는 단계(도 17 참조), 제1 층 제1 전극(103_1) 상에 제2 층 제1 전극(103_2)을 형성하는 단계(도 18 참조) 및 제2 층 제1 전극(103_2) 상에 제3 층 제1 전극(103_3)을 형성하는 단계(도 19 참조)를 포함할 수 있다. 제1 층 제1 전극(103_1), 제2 층 제1 전극(103_2) 및 제3 층 제1 전극(103_3)은 앞서 도 5에서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 앞서 설명한 바와 마찬가지로, 제2 층 제1 전극(103_2)는 은(Ag)를 포함한 반사 전극이고, 제1 층 제1 전극(103_1) 및 제3 층 제1 전극(103_3)은 투명 전극일 수 있다. 또한, 제1 층 제1 전극(103_1) 및 제3 층 제1 전극(103_3)은 일정한 두께를 갖고, 제2 층 제1 전극(103_2)은 제1 영역(103_2a)의 두께와 제2 영역의 두께가 상이할 수 있다. 구체적으로, 제1 영역의 두께가 제2 영역의 두께에 비해 얇을 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판
20: 게이트 절연막
30: 층간 절연막
40: 반도체층
25: 게이트 전극
61: 소스 전극
62: 드레인 전극
63: 제1 컨택
64: 제2 컨택
50: 포토 다이오드
50_1: 노출부
70: 평탄화막
71: 제1 비아홀
100: 제1 전극
150: 유기층
200: 제2 전극
100a: 제1 영역
100b: 제2 영역
80: 화소 정의막
20: 게이트 절연막
30: 층간 절연막
40: 반도체층
25: 게이트 전극
61: 소스 전극
62: 드레인 전극
63: 제1 컨택
64: 제2 컨택
50: 포토 다이오드
50_1: 노출부
70: 평탄화막
71: 제1 비아홀
100: 제1 전극
150: 유기층
200: 제2 전극
100a: 제1 영역
100b: 제2 영역
80: 화소 정의막
Claims (17)
- 기판;
상기 기판 상에 배치되는 포토 다이오드;
상기 포토 다이오드를 덮는 평탄화막;
상기 평탄화막 상에 배치되는 제1 전극;
상기 제1 전극을 적어도 부분적으로 노출시키는 화소 정의막;
상기 화소 정의막에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는 유기층; 및
상기 화소 정의막, 상기 유기층을 덮는 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 전극은 상기 포토 다이오드와 중첩되는 제1 영역 및 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역에서의 상기 제1 전극의 두께는 상기 제2 영역에서의 상기 제1 전극의 두께와 상이하며,
상기 포토 다이오드를 덮는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막을 덮는 층간 절연막을 더 포함하고,
상기 포토 다이오드는 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막에 의해 노출된 노출부를 더 포함하며,
상기 제1 영역은 상기 노출부와 중첩되는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 영역의 두께는 상기 제2 영역의 두께에 비해 얇은 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 반사 전극인 유기 발광 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 전극은 은(Ag)를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 영역의 폭은 상기 노출부의 폭과 동일하거나, 상기 노출부의 폭보다 큰 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 평탄화막 상에 배치되는 제1 층 제1 전극 및 상기 제1 층 제1 전극 상에 배치되는 제2 층 제1 전극을 포함하되, 상기 제1 층 제1 전극은 일정한 두께를 갖고, 상기 제2 층 제1 전극은 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께에 비해 얇은 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 평탄화막 상에 배치되는 제1 층 제1 전극, 상기 제1 층 제1 전극 상에 배치되는 제2층 제1 전극, 및 상기 제2 층 제1 전극 상에 배치되는 제3 층 제1 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 제1 층 제1 전극 및 상기 제3 층 제1 전극은 일정한 두께를 갖고, 상기 제2 층 제1 전극은 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께에 비해 얇은 유기 발광 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 층 제1 전극 및 상기 제3 층 제1 전극은 투명 전극이고, 상기 제2 층 제1 전극은 반사 전극인 유기 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제2 층 제1 전극은 은(Ag)을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 기판 상에 포토 다이오드를 배치하는 단계;
상기 포토 다이오드를 덮는 게이트 절연막 및 층간 절연막을 배치하고 상기 포토 다이오드를 노출하는 노출부를 형성하는 단계;
상기 포토 다이오드를 덮는 평탄화막을 배치하는 단계;
상기 평탄화막 상에 제1 전극을 배치하는 단계;
상기 제1 전극을 적어도 부분적으로 노출시키는 화소 정의막을 배치하는 단계;
상기 화소 정의막에 의해 노출된 상기 제1 전극 상에 유기층을 배치하는 단계; 및
상기 화소 정의막 및 상기 유기층을 덮는 제2 전극을 배치하는 단계를 포함하되,
상기 평탄화막 상에 상기 제1 전극을 배치하는 단계는 상기 제1 전극에서 상기 포토 다이오드와 상기 제1 전극이 중첩되는 제1 영역의 두께를 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역의 두께와 상이하게 하는 단계를 포함하며,
상기 제1 영역은 상기 노출부와 중첩되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 전극에서 상기 포토 다이오드와 상기 제1 전극이 중첩되는 제1 영역의 두께를 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역의 두께와 상이하게 하는 단계는 상기 제1 영역의 두께를 상기 제2 영역의 두께보다 얇게 하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 평탄화막 상에 제1 전극을 배치하는 단계는 상기 평탄화막 상에 두께가 일정한 제1 층 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 층 제1 전극 상에 제2 층 제1 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제2 층 제1 전극 상에 제3층 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 층 제1 전극 및 상기 제3 층 제1 전극은 투명 전극이고, 상기 제2 층 제1 전극은 반사 전극인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 제2 층 제1 전극은 은(Ag)을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 층 제1 전극 및 상기 제3 층 제1 전극은 일정한 두께를 갖고, 상기 제2 층 제1 전극은 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께에 비해 얇은 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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