JP2009176784A - 薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ヒ素、リンまたはボロンがドーパント濃度にして1×1019/cm3以上に添加された下地シリコンウェーハの主表面上に、成膜温度を1000〜1100℃の範囲で、しかもSiH4ガスを含む成膜用ガスの反応容器内での圧力を1999.83Pa(15Torr)〜2666.44Pa(20Torr)の範囲にしてシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長させる。この気相成長では、枚葉式気相成長装置を用い、反応容器内において下地シリコンウェーハが水平回転する状態にし、下地シリコンウェーハの上方から下地シリコンウェーハの主表面上に上記成膜用ガスを流下させると好適である。
【選択図】図2
Description
これ等の実施例のエピタキシャルウェーハのSR値のプロファイルを図5にまとめて示す。図5に示すように、実施例1および実施例2ではオートドープは殆どなく、薄膜エピタキシャル層での抵抗率プロファイルは高い急峻性を有している。実施例3および実施例4では、図4で説明したようにSR値のダレ率が80〜70%に低下しオートドープが少し発生する。しかし、この実施例3,4で成膜したエピタキシャル層であっても、エピタキシャルウェーハ面内のエピタキシャル層膜厚および上記ダレ率の均一性が極めて高く、耐圧等のデバイス特性が均一な低耐圧パワートランジスタが作製できる。
12 回転体ユニット
13 ガス整流板
14 ガス吐出口
15 成膜用ガス
16 ガス供給口
17 排気ガス
18 ガス排出口
W 下地シリコンウェーハ
R 回転方向
Claims (5)
- 1×1019/cm3以上の濃度のドーパントが添加された下地シリコンウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成する薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
反応容器内に配置された前記下地シリコンウェーハの温度を1000〜1100℃の範囲で制御し、
SiH4ガスを含む成膜用ガスが供給された前記反応容器内の圧力を1999.83Pa〜2666.44Paの範囲に設定して、
前記下地シリコンウェーハの主表面上に該下地シリコンウェーハと同導電型であり前記下地シリコンウェーハよりも低いドーパント濃度のシリコンエピタキシャル層を気相成長することを特徴とする薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法。 - 枚葉式気相成長装置を用い、前記反応容器内において前記下地シリコンウェーハが水平回転する状態にして、前記下地シリコンウェーハの上方から前記下地シリコンウェーハの主表面上に前記成膜用ガスを流下させて前記シリコンエピタキシャル層を気相成長することを特徴とする請求項1に記載の薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記下地シリコンウェーハの温度を1040〜1100℃の範囲で制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記シリコンエピタキシャル層は、その厚さが5μm以下となり、ウェーハ面内における前記厚さのバラツキが±1.0%以内になるように気相成長することを特徴とする請求項1,2又は3に記載の薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記下地シリコンウェーハの抵抗率が0.006Ω・cm以下であり、前記シリコンエピタキシャル層の抵抗率が0.5〜1Ω・cmとなるように気相成長することを特徴とする請求項4に記載の薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法。
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