JPH06232060A - シリコンエピタキシャル層の成長方法および成長装置 - Google Patents
シリコンエピタキシャル層の成長方法および成長装置Info
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Abstract
分布に優れたSiエピタキシャル基板を製造するSiエ
ピタキシャル層成長技術を提供する。 【構成】 チャンバの幅方向に複数配列されたインジェ
クタから同時かつ平行に反応ガスを吹き出させ、前記チ
ャンバ内のサセプタ上に保持されたシリコン基板の主面
上にエピタキシャル層を成長させるにあたり、サセプタ
を回転させるとともに、シリコンソースの質量流量、ド
ーパントの質量流量および水素の質量流量の少なくとも
1つを前記チャンバの幅方向中央部側と周辺部側とで適
宜変化させた反応ガスを、前記複数のインジェクタから
吹き出させるようにしたものである。
Description
ャル層の成長装置(以下Siエピタキシャル層成長装置
と称する)に関するものである。
ャル層成長装置の縦断面が、また、図8にはその横断面
が示されている。このSiエピタキシャル層成長装置1
は、大きく分けて、反応炉系A、ガス供給系Bおよび基
板加熱源(基板加熱手段)6と、図示しない基板搬送
系、装置制御系および真空排気系とを有している。ここ
で、反応炉系Aは石英チャンバ2を有し、この石英チャ
ンバ2内には、シリコン基板(以下Si基板と称する)
3を保持するサセプタ4が設けられている。このサセプ
タ4は回転可能に構成され、図示しないモータによって
回転駆動されるようになっている。また、反応炉系Aに
連結されるガス供給系Bは、石英チャンバ2の幅方向に
配列された複数のインジェクタ5を有し、このインジェ
クタ5を通じて石英チャンバ2内に反応ガスを供給する
ようになっている。また、反応炉系Aに付設される基板
加熱源6としては例えばハロゲンランプが用いられ、こ
のハロゲンランプによってSi基板3を加熱するように
なっている。
装置1における反応ガスとしては、シリコンソース(モ
ノシラン、ジクロルシラン、トリクロルシランまたはテ
トラクロルシラン:以下Siソースと称する)を水素ガ
スで希釈しドーパントガスを微量混合してなるガスが用
いられ、複数のインジェクタ5からは、同一のSiソー
ス濃度および同一のドーパント濃度からなる反応ガスが
同時かつ平行に吹き出されるようになっている。この場
合、Siソース濃度およびドーパントの濃度の調整は、
それぞれマスフローコントローラ(以下MFCと称す)
によって行われる。
Siエピタキシャル層成長装置1にあっては下記のよう
な問題があった。
は、サセプタ4の温度はその周辺部と中央部とで同じに
保たれるよう温度制御される。サセプタ4の温度がその
周辺部と中央部とで同じでないと、Si基板3の面内温
度が一定に保たれないため、エピタキシャル層(以下エ
ピ層と称する)に応力が生じ、Siエピタキシャル基板
にスリップが発生するからである。
1にあっては、石英チャンバ2の内壁にシリコンを成長
させないようにするために、石英チャンバ2が低温とな
るように冷却されている。
スの温度は、サセプタ4の温度がその周辺部と中央部と
で同じに保たれたとしても、中央部側を流れるガスの方
が石英チャンバ2の内壁側のガスよりも高温となってし
まう。このため、中央部側を流れる反応ガスは膨張する
ので密度が低くなるし、この膨張はサセプタ4中央部を
流れるガスを周辺部へ押し出す効果も持つ。その結果、
中央部側を流れる反応ガスの密度は周辺部側のそれに比
べて相対的に低くなり、Siソース濃度も中央部側では
必然的に低くなる。そのため、Siエピタキシャル基板
におけるエピ層厚は図2に示すように中央部では小さ
く、周辺部では大きくなってしまう。
の影響の強さにより変化する。その影響は周辺部側ほど
強く、中央部側ほど弱い。例えば、n/n+型やp/p
+型の場合は、オートドープの影響を強く受けると抵抗
率が小さくなる。このため、n/n+型やp/p+型の
Siエピタキシャル基板における抵抗率は、図3に示す
ように中央部では大きく、周辺部では小さくなってしま
う。基板の裏面に酸化膜を形成後エピ層を成長するとオ
ートドープの影響は小さくなるが、同様な傾向は現れ
る。
の中央部の温度を周辺部の温度よりも高くすれば良い
が、この場合には応力が生じてスリップが発生してしま
う。
れたもので、スリップが無くしかも膜厚分布および抵抗
分布に優れたSiエピタキシャル基板を製造するSiエ
ピタキシャル層成長技術を提供することを目的としてい
る。
タキシャル層の成長方法は、チャンバの幅方向に複数配
列されたインジェクタから同時かつ平行に反応ガスを吹
き出させ、前記チャンバ内のサセプタ上に保持されたS
i基板の主面上にエピタキシャル層を成長させるにあた
り、サセプタを回転させるとともに、Siソースの質量
流量、ドーパントの質量流量および水素の質量流量の少
なくとも1つを前記チャンバの幅方向中央部側と周辺部
側とで適宜変化させた反応ガスを、前記複数のインジェ
クタから吹き出させるようにしたものである。
長装置は、チャンバの幅方向に複数配列されたインジェ
クタから同時かつ平行に反応ガスを吹き出させ、前記チ
ャンバ内のサセプタ上に保持されたSi基板の主面上に
エピタキシャル層を成長させる装置において、前記サセ
プタを回転駆動するためのサセプタ駆動手段と、Siソ
ースの質量流量、ドーパントの質量流量および水素の質
量流量の少なくとも1つを前記チャンバの幅方向中央部
側と周辺部側とで適宜変化させ得るガス供給系とを備え
ているものである。
量、ドーパントの質量流量および水素の質量流量の少な
くとも1つをチャンバの幅方向中央部側と周辺部側とで
適宜変化させた反応ガスを前記複数のインジェクタから
同時かつ平行に吹き出すようにしているので、チャンバ
の幅方向中央部側と周辺部側とでSiエピタキシャル基
板の面内におけるエピ層厚および抵抗率の細かいコント
ロールが可能となり、エピ層厚および抵抗率分布の改善
を図ることができる。
長装置の実施例を図1に基づいて説明する。
置は枚葉式のものであって、大きく分けて、反応炉系A
およびガス供給系Bと、図示しない基板搬送系、基板加
熱源(基板加熱手段)、装置制御系および真空排気系を
有している。このうち、基板搬送系、反応炉系A、基板
加熱源(基板加熱手段)、装置制御系および真空排気系
は、図7および図8に示される従来のSiエピタキシャ
ル層成長装置1と同様な構造になっている。したがっ
て、従来のSiエピタキシャル層成長装置と同一部分に
ついては図1で同一の符号を付してその詳しい説明は省
略する。
置1とは異なるガス供給系Bの構成について図1を用い
て説明する。このガス供給系Bは、石英チャンバ2内に
反応ガスを供給するためのインジェクタ17,18,1
9を備えている。このうちインジェクタ18は石英チャ
ンバ12の中心軸線上に存在し、インジェクタ17,1
9は前記インジェクタ18の両側に振り分けられた状態
で設けられている。インジェクタ18にはガス供給管路
15aが、また、インジェクタ17,19にはガス供給
管路15bが接続されている。そして、ガス供給管路1
5aからはインジェクタ18を通じて、また、ガス供給
管路15bからはインジェクタ17,19を通じて、S
iソースを水素ガスで希釈しそれにドーパントを微量混
合してなる反応ガスが、前記石英チャンバ2内に供給さ
れるようになっている。この場合、ガス供給管路15a
におけるSiソースの質量流量ひいてはSiソース濃度
はマスフローコントローラ(以下MFCと称する)20
で、ドーパントの質量流量ひいてはドーパント濃度はM
FC21で調整される。また、ガス供給管路15bにお
けるSiソースの質量流量ひいてはSiソース濃度はM
FC22で、同じくガス供給管路15bを流れるドーパ
ントの質量流量ひいてはドーパント濃度はMFC23で
調整される。
調整のプロセスについて説明する。
の温度をスリップフリーの温度に設定する。次に、Si
エピタキシャル基板3(便宜上Si基板と同一符号を用
いる)の中央部のエピ層厚および抵抗率が所望の値とな
るように、インジェクタ18から吹き出されるSiソー
スおよびドーパントの各濃度をMFC20およびMFC
21を用いてそれぞれ調整する。その後、Siエピタキ
シャル基板3の周辺部のエピ層厚が中央部のそれと同じ
になるように、インジェクタ17,19から吹き出され
るSiソースの濃度をMFC22を用いて調整する。そ
して最後に、Siエピタキシャル基板3の周辺部の抵抗
率が中央部のそれと同じになるように、インジェクタ1
7,19から吹き出されるドーパントの濃度をMFC2
3を用いて調整する。ここで、インジェクタ17,19
から吹き出されるSiソースの濃度調整をドーパントの
濃度調整に対して先行させたのは、Siソースの濃度を
変えると、ドーパントの取込み率も変わってしまうこと
による。
でエピタキシャル層の成長を行い、そのエピ層厚および
エピ層抵抗率の分布を比べて見た。 (1)エピタキシャル層成長条件および測定方法 従来方法の条件は[表1]に、実施例の方法の条件は
[表2]に示されている。従来方法と実施例の方法とに
よってSi基板3上にエピ層を成長させた。この場合、
200mmφのp+型Si基板3上にp−型エピ層を形
成した。エピ層厚およびエピ層抵抗率の目標値はそれぞ
れ2.8μmおよび3.0Ωcmである。そして、エピ
層成長後に各50枚のSiエピタキシャル基板3のエピ
層厚とエピ層抵抗率とをそれぞれ中心1点、周辺5mm
の点で8点および半径の中点で8点、計17点で測定
し、そのバラツキを求めた。このバラツキを求めるにあ
たっては、{[最大値(最小値)−平均値]/平均値}
の式を用いた。
エピタキシャル基板3の中央部が周辺部よりもエピ層厚
が小さく、バラツキが大きいのに対し、実施例の方法に
よれば、図4に示すように、Siエピタキシャル基板3
の中央部および周辺部のエピ層厚はほぼ同じで、バラツ
キが小さくなっていることが判る。ちなみに、このエピ
層厚分布のバラツキは、従来法では4.2〜8.7%で
あったのに対して、実施例では0.7〜1.2%に抑え
ることができた。
に、Siエピタキシャル基板3の中央部が周辺部よりも
抵抗率が大きく、かつ、バラツキが大きいのに対し、実
施例の方法によれば、図5に示すように、Siエピタキ
シャル基板3の中央部および周辺部のエピ層抵抗率はほ
ぼ同じで、バラツキが小さくなっていることが判る。ち
なみに、このエピ層抵抗率分布のバラツキは従来法では
6.8〜10.1%であったのに対して、実施例では
1.5〜2.1%に抑えることができた。
ス濃度およびドーパント濃度の調整によって、Siエピ
タキシャル基板3のエピ層厚およびエピ層抵抗率の面内
分布が均一となるようにコントロールできるので、高品
質のSiエピタキシャル基板3が得られる。
明したが、本発明は、かかる実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能
であることはいうまでもない。
する場合について説明したが、勿論、n型不純物をドー
ピングする場合にも本発明を適用できるし、p+型Si
基板上にエピ層を成長させる場合のみならず、n+型S
i基板上にエピ層を成長させる場合についても本発明を
適用できる。
に説明したが、1つのサセプタ上に複数枚のSi基板3
を載せてエピ成長を行うバッチ式のものにも適用でき
る。
クタ17,18,19を設け、Siソース濃度および/
またはドーパント濃度の異なる2種の反応ガスを流すよ
うにしたが、4個以上のインジェクタを設け、石英チャ
ンバ2の幅方向位置によりSiソース濃度および/また
はドーパント濃度の異なる2種あるいは3種以上の反応
ガスを流すようにしても良い。
6図を参照して説明する。この第2実施例の成長装置
は、第1実施例の成長装置におけるガス供給管路15
a、15bに水素の質量流量を調整するMFC24、2
5を設けたものである。すなわち、石英チャンバ12の
中心軸線上に存するインジェクタ18に接続されたガス
供給管路15aには、MFC24を、このインジェクタ
18の両側に振り分けられたインジェクタ17、19に
接続されたガス供給管路15bには、MFC25をそれ
ぞれ設けて、各ガス供給管路15a、15bにおいて、
水素の質量流量をそれぞれ調整することができるように
している。
Siソースの質量流量、ドーパントの質量流量および水
素の質量流量の3つを適宜調整することができるように
構成されているので、Siエピタキシャル基板3のエピ
層厚およびエピ層抵抗率の面内分布が均一となるように
さらに細かくコントロールすることができる結果、高品
質のSiエピタキシャル基板3が得られる。
板の面内におけるエピ層厚およびエピ層抵抗率の細かい
コントロールが可能となり、エピ層厚およびエピ層抵抗
率分布の改善を図ることができる。
概略構成を示す図である。
得られたSiエピタキシャル基板のエピ層厚分布を示す
グラフである。
得られたSiエピタキシャル基板のエピ層抵抗率分布を
示すグラフである。
よって得られたSiエピタキシャル基板のエピ層厚分布
を示すグラフである。
よって得られたSiエピタキシャル基板のエピ層抵抗率
分布を示すグラフである。
概略構成を示す図である。
断面図である。
断面図である。
ントローラ A 反応炉系 B ガス供給系
Claims (2)
- 【請求項1】 チャンバの幅方向に複数配列されたイン
ジェクタから同時かつ平行に反応ガスを吹き出させ、前
記チャンバ内のサセプタ上に保持されたシリコン基板の
主面上にエピタキシャル層を成長させるにあたり、サセ
プタを回転させるとともに、シリコンソースの質量流
量、ドーパントの質量流量および水素の質量流量の少な
くとも1つを前記チャンバの幅方向中央部側と周辺部側
とで適宜変化させた反応ガスを、前記複数のインジェク
タから吹き出させるようにしたことを特徴とするシリコ
ンエピタキシャル層の成長方法。 - 【請求項2】 チャンバの幅方向に複数配列されたイン
ジェクタから同時かつ平行に反応ガスを吹き出させ、前
記チャンバ内のサセプタ上に保持されたシリコン基板の
主面上にエピタキシャル層を成長させる装置において、
前記サセプタを回転駆動するためのサセプタ駆動手段
と、シリコンソースの質量流量、ドーパントの質量流量
および水素の質量流量の少なくとも1つを前記チャンバ
の幅方向中央部側と周辺部側とで適宜変化させ得るガス
供給系とを備えていることを特徴とするシリコンエピタ
キシャル層の成長装置。
Priority Applications (5)
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---|---|---|---|
JP5193194A JP2790009B2 (ja) | 1992-12-11 | 1993-07-08 | シリコンエピタキシャル層の成長方法および成長装置 |
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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JP35294092 | 1992-12-11 | ||
JP5193194A JP2790009B2 (ja) | 1992-12-11 | 1993-07-08 | シリコンエピタキシャル層の成長方法および成長装置 |
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JPH06232060A true JPH06232060A (ja) | 1994-08-19 |
JP2790009B2 JP2790009B2 (ja) | 1998-08-27 |
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