JP4274096B2 - 電気光学装置の製造装置及び製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、アレイ製造された素子基板を用いて電気光学装置の組立を行う電気光学装置の製造装置及び製造方法に関する。

液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶装置では、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。

即ち、ＴＦＴ素子によってマトリクス状に配列された画素電極（ＩＴＯ）に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。

電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するために、一方の基板（アクティブマトリクス基板（素子基板ともいう））及び他方の基板（対向基板）の液晶層に接する面上に配向膜を形成し、配向膜にラビング処理を施す。

ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。

パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶を封入する。

ところで、スループットを向上させるために、組立工程終了まではマザーガラス基板投入時のサイズのままで処理を進めて、マザーガラス基板に複数のＴＦＴ基板を同時に作成するアレイ製造が採用されることがある。アレイ製造では、複数のＴＦＴ基板が形成されたマザーガラス基板のままで組立工程に投入され、組立工程中の最初に行われる洗浄工程から最後に行われる検査工程までを流動させる。液晶注入・封止後の検査工程終了後に、各液晶セルを分断して以後のセル工程に移行する。

このような液晶装置を投写型表示装置のライトバルブとして採用することがある。投射型表示装置においては、液晶パネルの画面上の画像をスクリーンに拡大投射する。従って、液晶パネルの画面上にゴミが付着すると、ゴミの影響によって表示画像の画質の劣化が著しい。そこで、ゴミの影響等を低減するために、液晶パネルの少なくとも入射面に防塵ガラスを取付けて、デフォーカス作用によってゴミの影響を無くすようになっている。
特開２００１−１４７４２３公報

ところで、防塵ガラスは、ＴＦＴ基板と対向基板とによって構成される液晶パネルの完成後に、手作業によって貼り合わされる。この場合、液晶パネルと防塵ガラスとの間への塵の付着等を防止するための洗浄の工程を必要とする点、比較的小さい液晶パネルを貼り合わせる作業性や精度の点が問題となる。

そこで、特許文献１においては、分断前のマザーガラス基板（大板ともいう）の状態で大板の防塵ガラスを貼り合わせた後に分断して、防塵ガラスが貼り付けられた液晶パネルを製造する方法を開示している。大板状態のＴＦＴ基板と大板の防塵ガラスとを貼り合わせることから、組立工程中の洗浄工程を利用した洗浄や、組立工程におけるアライメント作業を利用することができ、工程数の削減、貼り合わせ精度の向上を期待することができる。

しかしながら、大板の同士を貼り合わせた状態で、精度良く分断する技術については開示されておらず、特許文献１においては、液晶パネルの端面の加工精度、特に、大板周縁部に形成された液晶パネルの加工精度が低いという問題点があった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、端面の加工精度を向上させることができる電気光学装置の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置の製造装置は、電気光学装置の表示領域を構成する画素が各々形成された第１の基板に分断可能な第１のマザー基板と、前記第１のマザー基板の前記第１の基板毎に各々対向配置される複数の第２の基板と、前記第１のマザー基板の前記第２の基板配置面の反対側の面に貼り付けられる第３のマザー基板とによって構成される電気光学装置基板が載置され、前記第２の基板表面と接する保持板と、前記第１のマザー基板上の前記第２の基板を配置する領域外の前記第１のマザー基板の周縁部において、前記第１のマザー基板と前記保持板との間に介装されて前記第１のマザー基板の周縁部を支持する受け治具と、前記第１のマザー基板を分断する手段とを具備したことを特徴とする。

このような構成によれば、電気光学装置基板は、第１のマザー基板の一方面に第２の基板を配置し他方面に第３のマザー基板を貼り合わせて構成される。この電気光学装置基板を保持板に載置する際には、受け治具が第１のマザー基板の周縁部に介装される。これにより、第１のマザー基板の周縁部は受け治具によって支持される。例えば、第１のマザー基板に形成したスクライブライン上の第３のマザー基板の表面を印圧することで、第１のマザー基板は分断される。第１のマザー基板の周縁部においては、第２の基板と受け治具とによって第１のマザー基板が支持されていることから、第１のマザー基板の最外周近傍のスクライブライン上で第３のマザー基板の表面を印圧を加えた場合でも、第１のマザー基板を容易に分断することができる。

また、前記受け治具は、前記第２の基板を配置する領域に相当する開口部を有する平板状の部材であることを特徴とする。

このような構成によれば、第１のマザー基板の第２の基板の配置領域を受け治具の開口部内に配置するだけで、第１のマザー基板の周縁部を保持板上に支持することができる。

また、前記受け治具の開口部は、前記第２の基板を配置する領域に沿った形状を有することを特徴とする。

このような構成によれば、第１のマザー基板に形成したスクライブラインから第２の基板までの距離と受け治具までの距離とを均一にすることができ、第１のマザー基板の分断を一層容易にすることができる。

また、前記保持板は、印圧された部分を中心に撓む構造となっていることを特徴とする。

このような構成によれば、第１のマザー基板に形成したスクライブライン上の第３のマザー基板の表面を印圧した場合には、第１のマザー基板がスクライブラインを中心として、中心側と周縁側とで逆向きに傾斜しやすくなり、分断を一層容易にすることができる。

また、前記第１のマザー基板を分断する手段は、先端が角形状又は曲面形状のブレイクバーであることを特徴とする。

このような構成によれば、第１のマザー基板はブレイクバーによって分断される。ブレイクバーは先端が角形状又は曲面形状となっており、圧力を集中させやすく、分断が容易である。

また、前記第１のマザー基板を分断するためのスクライブを前記第１のマザー基板に形成する手段を設けたことを特徴とする。

このような構成によれば、第１のマザー基板にはスクライブが形成されるので、このスクライブを利用することで、容易に第１のマザー基板の分断が可能である。

また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置の表示領域を構成する画素が各々形成された複数の第１の基板に分断可能な第１のマザー基板上に、前記第１の基板毎に複数の第２の基板を各々対向配置して貼り合わせる工程と、前記第１のマザー基板の前記第２の基板配置面の反対側の面に第３のマザー基板を貼り付けて電気光学装置基板を形成する工程と、前記第１のマザー基板上の前記第２の基板を配置する領域外の前記第１のマザー基板の周縁部において、前記第１のマザー基板の周縁部を支持する受け治具を介装して、前記第２の基板が保持板に接するように前記電気光学装置基板を保持板上に載置する工程と、前記第３のマザー基板の表面から印圧することで、少なくとも前記第１のマザー基板を分断する工程と具備したことを特徴とする。

このような構成によれば、第１のマザー基板上の一方面に、第２の基板を配置して貼り合わせ、他方面に第３のマザー基板を貼り付けて電気光学装置基板を形成する。第２の基板を配置する領域外の第１のマザー基板の周縁部において、第１のマザー基板の周縁部を支持する受け治具を介装しながら、電気光学装置基板を保持板上に載置する。この状態で第３のマザー基板の表面を印圧する。第１のマザー基板の周縁部においては、第１のマザー基板に形成したスクライブラインは、第２の基板と受け治具との間に形成されることになり、第１のマザー基板が容易に分断される。

また、前記第１及び第３のマザー基板にはスクライブが予め形成されており、前記第３のマザー基板において前記スクライブに対応する箇所にブレイクバーを当接させることで、前記第１及び第３のマザー基板を分断することを特徴とする。

このような構成によれば、第１のマザー基板にはスクライブが形成されており、このスクライブを利用することで、容易に第１のマザー基板の分断が可能である。

また、前記第３のマザー基板の前記第１のマザー基板との貼り合せ面に前記スクライブが設けられており、前記ブレイクバーは前記貼り合わせ面と反対側の面に当接させることを特徴とする。

このような構成によれば、第１のマザー基板の貼り合わせ面に形成されたスクライブを利用して、ブレイクバーにより容易に第１のマザー基板の分断が可能である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１乃至図７は本発明の第１の実施の形態に係り、図１は本実施の形態に係る電気光学装置の製造装置を示す正面図である。図２は電気光学装置としての液晶装置を構成するＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図である。図３は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。図４は図１中のブレイク受け治具の平面形状を示す平面図である。図５はブレイクバーの他の例を示す説明図である。図６は組立工程を説明するためのフローチャートである。図７は大板状態での貼り合わせを説明するための説明図であり、図８は貼り合わせ工程及び分断工程を示す工程図である。図９は図６中の貼り合わせ・分断工程を説明するためのフローチャートである。図１０はブレイク方法を説明するための説明図である。

本実施の形態は電気光学装置としての液晶装置を製造するものに適用したものである。先ず、図２及び図３を参照して、完成した液晶装置の構造について説明する。

液晶パネルは、図２及び図３に示すように、第１の基板であるＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０及び対向基板２０としてはガラスや石英等が用いられる。素子基板１０上には画素を構成する画素電極９ａ等が図示しないスイッチング素子と共にマトリクス状に配置される。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。

一方、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。対向基板２０の全面には、上述したように、ＩＴＯ等の透明導電性膜が対向電極２１として形成され、更に、対向電極２１の全面にはポリイミド系の配向膜２２が形成される。配向膜１６，２２は、液晶分子に所定のプレティルト角を付与するように、所定方向にラビング処理されている。

遮光膜５３の外側の領域には液晶を封入するシール材５２が、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材５２は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材５２は、ＴＦＴ基板１０の１辺の一部において欠落しており、液晶５０を注入するための液晶注入口１０８が形成される。貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶注入口１０８より液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口１０８を封止材１０９で封止するようになっている。

シール材５２の外側の領域には、図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する二辺に沿って、図示しない走査線及びゲート電極に走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極を駆動する走査線駆動回路１０４が設けられている。走査線駆動回路１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置においてＴＦＴ基板１０上に形成される。また、ＴＦＴ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。

上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成される。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間には、下端が上下導通端子１０７に接触し、上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。

各画素のスイッチング素子がオンになると、画像信号が各画素毎に画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。

素子基板１０と対向基板２０とによって構成される液晶パネル１２０の素子基板１０の表面には、第３のマザー基板としての防塵ガラス３０が貼り付けられて液晶装置１が構成されている。防塵ガラス３０のデフォーカス作用によって、液晶装置１を投射装置のライトバルブとして用いた場合でも、塵の影響を回避することができる。

本実施の形態においては、図２及び図３の液晶装置の製造には、組立工程終了まで大板状態（マザー基板）で製造するアレイ製造を採用する。図１の装置はアレイ製造中の分断工程に用いるものである。

図１において、テーブル７１上には、保持板７２が設けられている。保持板７２は金属板等によって構成される。なお、保持板７２は、樹脂やゴム材料によって構成してもよい。保持板７２は所定の厚み、所定の硬度を有して、印圧されることによって撓む構造となっている。

例えば、十分なたわみ量を確保するために、保持板７２を、比較的薄い２枚の金属板とこれらの金属板相互間に介装するクッション材の３層構造によって構成してもよい。

本実施の形態においては、この保持板７２上に防塵ガラスが貼り合わせされた大板状態の液晶パネル（以下、液晶装置基板という）７７を載置するようになっている。即ち、電気光学装置基板としての液晶装置基板７７は、複数の素子基板（図２及び図３の素子基板１０に相当）が作り込まれた第１のマザー基板としてのＴＦＴマザー基板７４の一方面に複数の対向基板７５（図２及び図３の対向基板２０に相当）が貼り合わされ、更に、他方面に大板状態の防塵ガラス７６が貼り合わされた構造となっている。

保持板７２は、分断工程中において液晶装置基板７７を固定的に支持するように、吸着機構を有している。例えば、保持板７２は、適宜の間隔で配置された図示しない複数の吸着孔を有しており、この吸着孔を介して液晶装置基板７７を真空吸着する。

真空吸着が容易なように、例えば、液晶装置基板７７の保持板７２への載置面、即ち、第２の基板としての対向基板７５の表面には、フィルム状のシート８０を貼り付けるようになっている。液晶装置基板７７に貼り付けられたシート８０を保持板７２に真空吸着することで、液晶装置基板７７を固定するようになっている。

なお、シート８０を用いない場合には、保持板７２の吸着孔を対向基板７５に対向する位置に配置すればよい。

図１に示すように、液晶装置基板７７を対向基板７５側を保持板７２側に向けて、保持板７２上に載置する。この場合において、本実施の形態においては、ＴＦＴマザー基板７４の周縁部を支持するために、ＴＦＴマザー基板７４と保持板７２との間にブレイク受け治具７３を配置するようになっている。図４（ａ），（ｂ）は図１中のブレイク受け治具７３の平面形状の例を示している。

ブレイク受け治具７３は、例えば図４（ａ）に示すように、矩形状の外形を有して構成され、中央は開口している。中央の開口部８５はＴＦＴマザー基板７４上の対向基板７５の配置領域に応じた形状を有している。この形状によって、ＴＦＴマザー基板７４上の対向基板７５の配置領域をブレイク受け治具７３の開口部８５内に配置するだけで、ＴＦＴマザー基板７４を保持板７２上に支持することができる。なお、ブレイク受け治具７３の外形状は、円形状等であってもよい。

ブレイク受け治具７３の肉厚は、対向基板の厚さと略同様であり、ブレイク受け治具７３の厚みをＢｔとし、対向基板７５の厚みをＴｃとすると、例えば、
−１ｍｍ≦Ｂｔ−Ｔｃ＜０．４ｍｍ
の範囲に設定する。

ブレイク受け治具７３の肉部分８６は、裏面においてシート８０表面に当接し、表面において液晶装置基板７７のＴＦＴマザー基板７４の表面に当接する。この場合には、好ましくは、ＴＦＴマザー基板７４の全周縁部がブレイク受け治具７３に当接するようになっている。更に、対向基板７５端面と分断位置（後述する切り込みライン）との距離をＬとし、液晶装置基板７７の最外周近傍の対向基板７５端面とブレイク受け治具７３の肉部分端面８７との距離をＬｃＢとすると、
ＬｃＢ＜２Ｌ …（１）
を満足するように、ブレイク受け治具７３の肉部分８６の形状及びサイズを決定する。

なお、好ましくは、隣接する対向基板７５の端面同士の距離をＬとすると、距離ＬｃＢは、０〜３Ｌｃの範囲に設定する。
また、本実施の形態においては、上記（１）式を満足させるために、肉部分８６の形状を、対向基板７５の配置領域の形状に一致させたが、素子基板の全周縁部がブレイク受け治具７３に当接するのであれば、上記（１）式を必ずしも満足させる必要はなく、図４（ｂ）に示すように、開口部８５の平面形状を円形状とすることも可能である。

また、ブレイク受け治具７３としては、種々の材料を用いることができるが、好ましくは、ＴＦＴマザー基板７４よりも柔らかい材料、例えばピッカース硬度が８００以下の材料を用いた方がよい。これにより、ＴＦＴマザー基板７４が損傷を受けることを防止することができる。

ＴＦＴマザー基板７４には、対向基板７５形成面側に、各素子基板を分断するためのスクライブ７８が形成されている。各素子基板の分断はスクライブ７８が形成されたライン（切り込みライン（以下、スクライブラインともいう））に沿って行われる。即ち、分断時においては、図１に示すように、液晶装置基板７７を保持板７２及びブレイク受け治具７３上に配置した状態で、ブレイクバー７９をスクライブライン上又はその近傍の防塵ガラス７６の表面に配置して、上方から衝撃又は静圧を印圧する。これにより、切り込みライン位置において、液晶装置基板７７のみ又は液晶装置基板７７及び防塵ガラス７６の双方を同時に、分断することができる。

なお、ブレイクバー７９は、切り込みラインに沿って線状に印圧可能な先端形状を有し、断面形状は例えば、３０°〜１５０°の角の先端を有する角形状に形成される。また、断面形状として、図５に示すように、Ｒ２．５ｍｍ〜１００ｍｍ程度のＲ形状（曲面形状）の先端を有するＲ形状に形成したブレイクバー８１を採用してもよい。更に、防塵ガラス７６の上面から切り込みライン又はその近傍に沿って印圧可能な形状であれば、必ずしも先端は鋭角でなくてもよく、先端はある程度の面積を有して防塵ガラス７６上面に接するようになっていてもよい。

次に、図６乃至図１０を参照して貼り合わせ工程及び分断工程を含むパネル組立工程について説明する。
ＴＦＴ基板と対向基板とは、別々に製造される。上述したように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板はマザーガラス基板投入時のサイズのまま処理を行うアレイ製造によって製造される。図７に示すように、ＴＦＴマザー基板７４上には図２及び図３に示す素子基板１０と同様の素子基板（図示せず）が複数作り込まれている。一方、対向基板７５については、図２及び図３の対向基板２０と同様の分断された基板が投入される。

対向基板７５については、図６のステップＳ６で用意された対向基板７５に対して、次のステップＳ７では、配向膜２２に相当するポリイミドを塗布する。次に、ステップＳ８において、対向基板７５表面の配向膜に対して、ラビング処理を施す。そして、ステップＳ９において洗浄を行う、ステップＳ９の洗浄工程は、対向基板７５のラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。

一方、ＴＦＴマザー基板７４については、ステップＳ１で用意されたＴＦＴマザー基板７４に対して、次のステップＳ３において、配向膜１６に相当するポリイミドを塗布する。次に、ステップＳ３において、ＴＦＴマザー基板７４表面の配向膜に対して、ラビング処理を施す。次に、ステップＳ４において洗浄を行う。

次に、ＴＦＴマザー基板７４の各素子基板の位置に対応させて夫々対向基板７５を貼り合わせる。即ち、ステップＳ５において、シール材５２、及び導通材１０６（図２参照）を形成する。シール材５２は、例えば、ディスペンス塗布によって形成する。なお、シール材をスクリーン印刷法によって形成してもよい。

シール材５２を形成した後、次に、ステップＳ１０で、各ＴＦＴマザー基板７４上の各素子位置に夫々対向基板７５を貼り合わせ、ステップＳ１１でアライメントを施しながら圧着し、シール材５２を硬化させる。

次に、ステップＳ１２において、シール材５２の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を封止する。図８（ａ）はＴＦＴマザー基板７４上に複数の対向基板７５が貼り合わされた状態を示している。本実施の形態においては、次のステップＳ１３では、防塵ガラスを貼り合わせた後に、各素子基板を分断する。

図９は図６中の貼り合わせ・分断工程の具体的な手順を示すフローチャートである。

図９のステップＳ２１において、大板状態のＴＦＴマザー基板７４に大板状態の防塵ガラス７６を貼り付ける。これらのＴＦＴマザー基板７４と防塵ガラス７６との貼り合わせの前後で、ＴＦＴマザー基板７４のみ又はＴＦＴマザー基板７４及び防塵ガラス７６の双方に、分断位置に沿ったスクライブを形成する。

図７の例はＴＦＴマザー基板７４及び防塵ガラス７６の双方に、スクライブＬｓ，Ｌｐを形成した例を示している。なお、ＴＦＴマザー基板７４と防塵ガラス７６との貼り合わせの前にスクライブを形成した場合には、貼り合わせ工程の前にスクライブ形成後の洗浄工程が必要である。また、ＴＦＴマザー基板７４のみにスクライブＬｓを形成する場合には、貼り合わせ工程後にスクライブＬｓを形成すればよい。

こうして、大板状態でＴＦＴマザー基板７４と防塵ガラス７６とを貼り合わせて形成した液晶装置基板７７を、図１の保持板７２上に載置する。この場合には、好ましくは、ステップＳ２２において対向基板７５表面にシート８０を貼り付ける。次いで、液晶装置基板７７と保持板７２（シート８０）との間にブレイク受け治具７３を介装して（ステップＳ２３）、液晶装置基板７７を保持板７２上に載置する（ステップＳ２４）。

次いで、ステップＳ２５において、真空吸着を行って、液晶装置基板７７を保持板７２上に固定する。次のステップＳ２６では、ＴＦＴマザー基板７４のみ又はＴＦＴマザー基板７４及び防塵ガラス７６の双方をブレイクする。即ち、図１０に示すように、防塵ガラス７６表面の各スクライブライン上又はその近傍にブレイクバー７９を配置し、防塵ガラス７６表面から印圧する。

ブレイクバー７９による静圧又は衝撃によって、ブレイクバー７９下方に形成されたスクライブ７８（図７のＬｓ，Ｌｐに相当）を起点として、ＴＦＴマザー基板７４又はＴＦＴマザー基板７４及び防塵ガラス７６の双方に亀裂が入り、スクライブラインに沿ってＴＦＴマザー基板７４又はＴＦＴマザー基板７４及び防塵ガラス７６の双方が分断される。なお、図１０はＴＦＴマザー基板７４及び防塵ガラス７６の双方にスクライブ７８を形成した例であり、この場合には、ＴＦＴマザー基板７４及び防塵ガラス７６の双方が同時に分断される。

なお、保持板７２が撓むようになっていることから、ブレイク時には、ブレイクバー７９の防塵ガラス７６表面からの印圧によって、液晶装置基板７７及びブレイク受け治具７３がスクライブラインを中心に傾斜する。即ち、ブレイクラインを中心に液晶装置基板７７の中心側と外周側とで、傾斜が逆向きになって、分断が容易となる。

また、この際、最初はＴＦＴマザー基板７４のみにスクライブラインを形成して、ＴＦＴマザー基板７４を分断した後、防塵ガラス７６にスクライブラインを形成して、防塵ガラス７６を分断してもよい。

以後、左右方向及び上下方向の全てのスクライブＬｓ，Ｌｐに沿ってブレイクバーの印圧を繰返すことで、液晶装置基板７７から各液晶装置１を分断することができる。図８（ｃ）は分断後の液晶装置１を示している。

液晶装置基板７７の最外周近傍のスクライブＬｓ，Ｌｐを用いたブレイク工程については、ブレイクバー７９下方の位置では、液晶装置基板７７内周側において最外周に配置された対向基板７５がＴＦＴマザー基板７４と保持板７２との間に介在しており、外周側においてはブレイク受け治具７３がＴＦＴマザー基板７４と保持板７２との間に介在している。また、この最外周の対向基板７５のスクライブライン側の端面は、スクライブラインに平行であり、同様に、この対向基板７５の近傍位置のブレイク受け治具７３も、端面８７がスクライブラインに平行である。更に、ブレイクバー７９下方の位置と最外周に配置された対向基板７５端面までの距離とこの位置近傍のブレイク受け治具７３端面までの距離とは略々等しい。従って、液晶装置基板７７最外周のスクライブＬｓについては、そのラインの両側の適宜の距離においてＴＦＴマザー基板７４が対向基板７５及びブレイク受け治具７３によって、両側から支持されることになり、ブレイクバー７９の印圧がスクライブ７８に集中しやすく、スクライブラインにおける分断を容易にする。

このように本実施の形態においては、大板のＴＦＴマザー基板７４と大板の防塵ガラス７６とを貼り合わせた後に分断する場合であっても、ＴＦＴマザー基板７４の周縁部を支持するブレイク受け治具７３を用いていることから、最外周のスクライブラインに沿ったブレイクであっても、確実にスクライブラインに沿った分断が可能であり、素子基板の端面の加工精度を向上させることができる。

（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置の製造装置を用いて構成した電気光学装置である液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１１は、投射型カラー表示装置の説明図である。

図１１において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。

また、本発明の電気光学装置は、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、アクティブマトリクス型の液晶パネル（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル）にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）（別名ＤＭＤ：Digital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。

本実施の形態に係る電気光学装置の製造装置を示す正面図。 電気光学装置としての液晶装置を構成するＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。 素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。 図１中のブレイク受け治具の平面形状を示す平面図。 ブレイクバーの他の例を示す説明図。 組立工程を説明するためのフローチャート。 大板状態での貼り合わせを説明するための説明図。 貼り合わせ工程及び分断工程を示す工程図。 図６中の貼り合わせ・分断工程を説明するためのフローチャート。 ブレイク方法を説明するための説明図。 投射型カラー表示装置の説明図。

符号の説明

７２…保持板、７３…ブレイク受け治具、７４…ＴＦＴマザー基板、７５…対向基板、７６…防塵ガラス、７７…液晶装置基板、７８…スクライブ、７９…ブレイクバー。

Claims (9)

1. 電気光学装置の表示領域を構成する画素が各々形成された第１の基板に分断可能な第１のマザー基板と、前記第１のマザー基板の前記第１の基板毎に各々対向配置される複数の第２の基板と、前記第１のマザー基板の前記第２の基板配置面の反対側の面に貼り付けられる第３のマザー基板とによって構成される電気光学装置基板が載置され、前記第２の基板表面と接する保持板と、
   前記第１のマザー基板上の前記第２の基板を配置する領域外の前記第１のマザー基板の周縁部において、前記第１のマザー基板と前記保持板との間に介装されて前記第１のマザー基板の周縁部を支持する受け治具と、
   前記第１のマザー基板を分断する手段とを具備したことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
2. 前記受け治具は、前記第２の基板を配置する領域に相当する開口部を有する平板状の部材であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
3. 前記受け治具の開口部は、前記第２の基板を配置する領域に沿った形状を有することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造装置。
4. 前記保持板は、印圧された部分を中心に撓む構造となっていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
5. 前記第１のマザー基板を分断する手段は、先端が角形状又は曲面形状のブレイクバーであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
6. 前記第１のマザー基板を分断するためのスクライブを前記第１のマザー基板に形成する手段を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
7. 電気光学装置の表示領域を構成する画素が各々形成された複数の第１の基板に分断可能な第１のマザー基板上に、前記第１の基板毎に複数の第２の基板を各々対向配置して貼り合わせる工程と、
   前記第１のマザー基板の前記第２の基板配置面の反対側の面に第３のマザー基板を貼り付けて電気光学装置基板を形成する工程と、
   前記第１のマザー基板上の前記第２の基板を配置する領域外の前記第１のマザー基板の周縁部において、前記第１のマザー基板の周縁部を支持する受け治具を介装して、前記第２の基板が保持板に接するように前記電気光学装置基板を保持板上に載置する工程と、
   前記第３のマザー基板の表面から印圧することで、少なくとも前記第１のマザー基板を分断する工程と具備したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 前記第１及び第３のマザー基板にはスクライブが予め形成されており、前記第３のマザー基板において前記スクライブに対応する箇所にブレイクバーを当接させることで、前記第１及び第３のマザー基板を分断することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記第３のマザー基板の前記第１のマザー基板との貼り合せ面に前記スクライブが設けられており、前記ブレイクバーは前記貼り合わせ面と反対側の面に当接させることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。

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