JP2009170395A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第2電極20と補助配線18Bとの間は、導電性のコンタクト部15Bを介して電気的に接続される。コンタクト部15Bは、最下層のTi層15B1(第1導電層)と、中間層のAl層15B2(第2導電層)と、最上層のMo層15B3(第3導電層)との積層構造を有している。Ti層15B1はAl層15B2およびMo層15B3よりも幅広となっており、この拡幅部Wにおいて第2電極20とTi層15B1が直接接触している。Al層15B2が大気中で自然酸化し、光取り出し側電極(第2電極20)との間で良好な電気接続ができなくなったとしても、最下層のTi層15B1と光取り出し側電極との間において良好な電気接続を確保することができる。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置(有機EL表示装置)の構成を表すものである。この有機EL表示装置1は、極薄型の有機ELカラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、透明基板10Aの上に、後述する複数の有機EL素子ELがマトリクス状に配置されてなる表示領域110が形成されると共に、この表示領域110の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が形成されたものである。
次に、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置について説明する。なお、第1の実施の形態における構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して、適宜説明を省略する。
図12は、図5のコンタクト部15Bに対応する比較例2のコンタクト部115Bの構造を表すものである。配線層115Aおよびコンタクト部115Bは、Ti層115B3(膜厚50nm)/Al層115B2(膜厚500nm)/Ti層115B1(膜厚50nm)の三層構造となっている。第2電極120は上層のTi層115B3と電気的な接続が取れるように、保護絶縁膜116および平坦化絶縁膜117A上に配置されている。これ以外の構造については上記実施の形態と同様である。
図14は、本発明の第3の実施の形態に係る有機EL表示装置1の表示領域110の平面構成を表したものであり、図15は図14におけるXV−XV線に沿った断面構成を表したものである。この有機EL表示装置1は、補助配線15Cを、コンタクト部15Bと同一の積層構造とすると共にコンタクト部15Bと一体に形成するようにしたことを除いては、上記第1の実施の形態で説明した有機EL表示装置と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図22に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、封止用基板50および接着層40から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図23は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図24は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図25は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図26は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図27は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
Claims (20)
- 複数の駆動素子と、前記駆動素子に電気的に接続された配線部とを備えた表示装置であって、
前記駆動素子および前記配線部上に各駆動素子と対応して形成された複数の第1電極と、
前記第1電極上にそれぞれ形成された複数の発光部と、
前記発光部からの光を透過可能な材料により形成されると共に前記複数の発光部上に設けられた共通の第2電極と、
前記第2電極よりも低抵抗の補助配線部と、
複数の導電性層の積層構造により形成されると共に、前記第2電極と前記補助配線部との間を電気的に接続するコンタクト部とを備え、
前記コンタクト部の複数の導電性層のうちの少なくとも最下層の導電性層が前記第2電極と直接接触している
表示装置。 - 前記補助配線部は、前記第1電極の間の領域に、前記第1電極と同一の材料により構成されており、
前記コンタクト部の複数の導電性層のうちの最上層の導電性層が前記補助配線部と接触している
請求項1記載の表示装置。 - 前記補助配線部は、前記コンタクト部と同一の積層構造を有すると共に前記コンタクト部と一体に形成されている
請求項1記載の表示装置。 - 前記コンタクト部は、第1導電層の上に第2導電層を有する二層構造であり、前記第1導電層の幅は第2導電層のそれよりも広く、その拡幅部分に前記第2電極が接触している
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第1導電層は、Ti,TiN,Al,Mo,W,Cr,Au,Pt,Cu,ITO,IZOもしくはAg、またはこれらの金属材料を主成分とする合金を含む金属層である
請求項4に記載の表示装置。 - 前記第2導電層は、Alを含む金属層である
請求項5に記載の表示装置。 - 前記コンタクト部は、前記駆動素子の配線部と同一の層により形成されている
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記コンタクト部の下部には前記駆動素子側に形成される絶縁膜および金属膜を含む膜が形成されている
請求項7記載の表示装置。 - 前記コンタクト部と前記第2電極との層間に、前記コンタクト部に対応する領域にそれぞれ開口を有する絶縁層が形成され、
前記開口の側面は、上が広く下が狭い順テーパ形状に形成されている
請求項7記載の表示装置。 - 前記コンタクト部の複数の導電性層のうちの最下層の導電性層は前記第1電極に対して高いエッチング選択性を示す材料により構成されている
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 基板上に複数の駆動素子および配線部を形成してこれら複数の駆動素子と配線部との間を電気的に接続する工程と、
複数の導電性層の積層構造を有するコンタクト部を形成する工程と、
前記駆動素子および前記配線部上に、前記複数の駆動素子にそれぞれ対応する複数の第1電極を形成すると共に補助配線部を形成する工程と、
前記第1電極上にそれぞれ発光部を形成する工程と、
前記複数の発光部上に、各発光部からの光を透過可能な材料によって第2電極を共通に形成すると共に、前記コンタクト部によって前記第2電極と前記補助配線部との間を電気的に接続する工程と
を含み、
前記補助配線部を、前記第2電極よりも低抵抗の材料により形成すると共に、
前記コンタクト部の複数の導電性層のうちの少なくとも最下層の導電性層を前記第2電極に直接接触させる
表示装置の製造方法。 - 前記コンタクト部を、第1導電層の上に第2導電層を有する積層構造とし、前記第1導電層の上に前記第2導電層を積層し、前記積層構造上にマスクを形成したのち、前記マスクを用いたウェットエッチングにより前記第2導電層までを選択的に除去し、かつ、前記マスクを用いたドライエッチングにより前記第1導電層を選択的に除去することにより形成し、その後、前記第1導電層および前記第2導電層を覆うように前記第2電極を形成する
請求項11記載の表示装置の製造方法。 - 前記コンタクト部を、前記駆動素子の配線部と同一の層により形成する
請求項11または12記載の表示装置の製造方法。 - 前記コンタクト部と前記第2電極との層間に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層における前記コンタクト部に対応する領域を選択的に除去することにより、上が広く下が狭い順テーパ形状の側面をなす開口を形成する工程とを含む
請求項11または12記載の表示装置の製造方法。 - 前記順テーパ形状の側面をなす開口を、ハーフトーンマスクまたはグレイトーンマスクを用いて形成する
請求項14記載の表示装置の製造方法。 - 基板上に複数の駆動素子および配線部を形成してこれら複数の駆動素子と配線部との間を電気的に接続する工程と、
複数の導電性層の積層構造を有するコンタクト部および前記コンタクト部と同一の積層構造を有する補助配線部を一体に形成する工程と、
前記駆動素子および前記配線部上に、前記複数の駆動素子にそれぞれ対応する複数の第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上にそれぞれ発光部を形成する工程と、
前記複数の発光部上に、各発光部からの光を透過可能な材料によって第2電極を共通に形成すると共に、前記コンタクト部によって前記第2電極と前記補助配線部との間を電気的に接続する工程と
を含み、
前記補助配線部を、前記第2電極よりも低抵抗の材料により形成すると共に、
前記コンタクト部の複数の導電性層のうちの少なくとも最下層の導電性層を前記第2電極に直接接触させる
表示装置の製造方法。 - 前記コンタクト部を、第1導電層の上に第2導電層を有する積層構造とし、前記第1導電層の上に前記第2導電層を積層し、前記積層構造上にマスクを形成したのち、前記マスクを用いたウェットエッチングにより前記第2導電層までを選択的に除去し、かつ、前記マスクを用いたドライエッチングにより前記第1導電層を選択的に除去することにより形成し、その後、前記第1導電層および前記第2導電層を覆うように前記第2電極を形成する
請求項16記載の表示装置の製造方法。 - 前記コンタクト部を、前記駆動素子の配線部と同一の層により形成する
請求項16または17記載の表示装置の製造方法。 - 前記コンタクト部と前記第2電極との層間に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層における前記コンタクト部に対応する領域を選択的に除去することにより、上が広く下が狭い順テーパ形状の側面をなす開口を形成する工程とを含む
請求項16または17記載の表示装置の製造方法。 - 前記順テーパ形状の側面をなす開口を、ハーフトーンマスクまたはグレイトーンマスクを用いて形成する
請求項19記載の表示装置の製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012227138A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
JP2013229292A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-11-07 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器 |
CN103426900A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-12-04 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
US9391292B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-07-12 | Samaung Display Co., Ltd. | Display device, method of manufacturing the same, and method of repairing the same |
TWI582977B (zh) * | 2012-05-18 | 2017-05-11 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
JP2017142999A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
CN109860232A (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-07 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示设备 |
JP2019153569A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | Tianma Japan株式会社 | 表示装置 |
CN111047994A (zh) * | 2014-09-22 | 2020-04-21 | 索尼公司 | 显示装置、制造显示装置的方法以及电子装置 |
CN113284921A (zh) * | 2020-02-19 | 2021-08-20 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
JP2022084777A (ja) * | 2012-01-20 | 2022-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI479948B (zh) * | 2012-02-29 | 2015-04-01 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 顯示面板及顯示裝置 |
US9178174B2 (en) * | 2012-03-27 | 2015-11-03 | Sony Corporation | Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus |
KR102132884B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2020-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102155370B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2020-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102315824B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2021-10-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR102320591B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2021-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
KR102374833B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2022-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102426691B1 (ko) * | 2015-02-05 | 2022-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6457879B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2019-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
KR102465826B1 (ko) * | 2015-10-29 | 2022-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102578834B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2023-09-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101878187B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2018-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20180046229A (ko) * | 2016-10-27 | 2018-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN114141826B (zh) * | 2021-11-16 | 2023-08-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004071365A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2005011810A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Eastman Kodak Co | 上面発光型oledデバイスの製造方法 |
JP2006113571A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-04-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007141844A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置とその製造方法 |
JP2007287354A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
WO2007148540A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Sony Corporation | 発光表示装置およびその製造方法 |
JP2009124108A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006030937A1 (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
2008
- 2008-05-09 JP JP2008123004A patent/JP4600786B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004071365A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2005011810A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Eastman Kodak Co | 上面発光型oledデバイスの製造方法 |
JP2006113571A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-04-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007141844A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置とその製造方法 |
JP2007287354A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
WO2007148540A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Sony Corporation | 発光表示装置およびその製造方法 |
JP2009124108A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012227138A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
JP2022084777A (ja) * | 2012-01-20 | 2022-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP7401636B2 (ja) | 2012-01-20 | 2023-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2023029970A (ja) * | 2012-01-20 | 2023-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP7191258B2 (ja) | 2012-01-20 | 2022-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2013229292A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-11-07 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器 |
CN103426900A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-12-04 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
TWI587498B (zh) * | 2012-05-16 | 2017-06-11 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
TWI582977B (zh) * | 2012-05-18 | 2017-05-11 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
US9391292B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-07-12 | Samaung Display Co., Ltd. | Display device, method of manufacturing the same, and method of repairing the same |
US11476322B2 (en) | 2014-09-22 | 2022-10-18 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the display device, and electronic apparatus |
CN111047994A (zh) * | 2014-09-22 | 2020-04-21 | 索尼公司 | 显示装置、制造显示装置的方法以及电子装置 |
JP2017142999A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
CN109860232A (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-07 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示设备 |
CN109860232B (zh) * | 2017-11-30 | 2023-07-04 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示设备 |
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JP2019153569A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | Tianma Japan株式会社 | 表示装置 |
CN113284921A (zh) * | 2020-02-19 | 2021-08-20 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
CN113284921B (zh) * | 2020-02-19 | 2023-05-09 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
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