JP2009164355A - 走査露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ショット領域内の露光量をより高精度に制御するために好適な技術を提供する。
【解決手段】走査露光装置は、原版および基板を走査しながら該原版のパターンを投影光学系によって該基板に投影して該基板を走査露光するように構成され、前記投影光学系の像面に入射するスリット形状の露光光の走査軸方向における重心位置を目標重心位置に基づいて調整する重心位置調整ユニット８を備える。
【選択図】図８Ｃ

Description

本発明は、走査露光装置およびそれを用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。

ウエハ上に回路パターンを形成する方法として、リソグラフィー法がよく知られている。このリソグラフィー法では、回路パターンが形成されたレチクルのパターンがウエハに投影されて該ウエハが露光される。ウエハには感光剤が塗布されていて、ウエハの露光によって該感光剤に潜像が形成される。この潜像は、現像工程によって物理的なパターンとなる。

半導体デバイスの製造工程におけるウエハプロセスでは、ウエハ表面の酸化、絶縁膜形成、電極の蒸着、イオン打ち込み、エッチングといった工程を繰り返すことにより回路パターンが形成される。このウエハプロセスにおいて、絶縁膜の厚さや露光工程での感光剤の厚さが不均一になる場合がある。このような絶縁膜の厚さや感光剤の厚さが不均一なウエハを露光すると、パターン線幅のシフトや解像不良が起こり、製品の歩留まりが低下し易い。特にステップアンドスキャン方式の露光装置では、一般にショット領域が比較的広いので、ショット領域内における厚さばらつきが大きくなり、無視できない解像不良が起こり易い。

特許文献１には、露光ビームによる基板の露光量を基板上の場所に応じて変更すること、その変更を照度、パルス発光光源のパルス発光の時間間隔、ステージの走査速度を変更することによって行うことが開示されている。
特開平７−２９８１０号公報

図１は、ウエハに入射する露光光の強度を例示する図である。走査露光においては、ウエハステージを走査軸方向に移動させながら、光源の発光を繰り返すことで、ウエハが露光される。

露光光の重心位置とは、図１に示すように、走査軸方向における光強度分布の重心位置であり、各像高（スリット軸方向における位置）毎に求められる。この明細書では、像高毎の重心位置を仮想的に結んだ曲線を重心線と呼ぶ。

特許文献１に記載された方法に従って露光量を変化させると、走査露光後の露光量（露光光の強度を時間で積分した値）の変化は、図２に例示するように重心線の湾曲に依存する。図２の例では、走査軸方向に対して、露光光の強度を１次関数的に増加させている。

図２（ａ）は、露光光の重心線がスリット軸の平行である例であり、図２（ｂ）は、露光光の重心線が湾曲している例である。図２より、走査露光されたショット領域の露光量は、露光光の重心線の湾曲に依存した不均一性を示す。よって、走査軸方向の位置に応じて露光光の強度を変化させる場合には、露光光の重心線を露光光プロファイルに応じて調整するべきである。なお、この重心線は、直線であることが好ましい場合もありうるし、制御された曲線であることが好ましい場合もありうる。

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、ショット領域内の露光量をより高精度に制御するために好適な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、走査露光装置に係り、前記走査露光装置は、原版および基板を走査しながら該原版のパターンを投影光学系によって該基板に投影して該基板を走査露光するように構成され、前記投影光学系の像面に入射するスリット形状の露光光の走査軸方向における重心位置を目標重心位置に基づいて調整する重心位置調整ユニットを備える。

本発明によれば、例えば、ショット領域内の露光量をより高精度に制御するために好適な技術が提供される。

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。

図３は、本発明の好適な実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。図３において、レーザ（光源）１から放射された光（パルス光）は、ビーム整形光学系２を通過して所定の断面形状に整形され、オプティカルインテグレータ３に入射する。オプティカルインテグレータ３は、複数の微小なレンズにより構成されており、その出射面側に複数の２次光源を形成する。

絞りターレット４は、回転板に複数の絞りを配置して構成されており、選択された絞りが光路に挿入されて、前述の複数の２次光源が形成された領域から必要な領域が切り出される。複数の絞りとしては、例えば、コヒーレンスファクタ（σ）の値を設定するための円形開口面積が相異なる複数の開口絞りや、輪帯照明用のリング形状絞り、４重極絞り等を挙げることができる。

第１光電変換装置６は、ハーフミラー５によって反射された光の一部をパルス当りの光量として検出し、その検出結果を露光量演算部２１に出力する。

コンデンサレンズ７は、オプティカルインテグレータ３の出射面側に形成された複数の２次光源から光を使ってマスキングブレード９を照明する。マスキングブレード９の近傍には可変スリット８が配置されていて、マスキングブレード９を照明する光のプロファイルをスリット形状（例えば、矩形、円弧形状等）に成形する。マスキングブレード９の開口領域を通過した光は、コンデンサレンズ１０とミラー１１を介して、マスキングブレード９が配置された面と共役な面に配置されたレチクル（原版）１３の面に照度と入射角が均一化された状態で結像する。マスキングブレード９の開口領域は、レチクル１３の照明領域と光学倍率比で相似形となっている。

レチクル１３は、レチクルステージ１４により保持される。レチクル１３を通過した光は、投影光学系１５を通り、レチクル１３のパターン面と光学的共役面上の露光画角領域に光として再度結像する。フォーカス検出系１６は、ウエハステージ１７に保持されたウエハ（基板）１８の表面の高さや傾きを検出する。走査露光時には、フォーカス検出系１６によって検出された情報に基づいて、ウエハ１８の表面が投影光学系１５の像面と一致するようにウエハステージ１７を制御しながら、レチクルステージ１４とウエハステージ１７が投影光学系１５に対して同期して走査される。この際に、ウエハ１８がスリット形状の光によって相対的に走査され、ウエハ１８の感光剤にパターンが転写される。

ウエハステージ１７上には、第２光電変換装置（検出器）１９が配置されており、露光画角領域内に入射する光の光量を測定することができる。第２光電変換装置（検出器）１９は、例えば、フォトダイオード、イメージセンサ（例えば、ＣＣＤイメージセンサ）、又は、ラインセンサ（例えば、ＣＣＤラインセンサ）を含んで構成されうる。ステージ駆動制御系２０は、不図示の駆動機構によるレチクルステージ１４およびウエハステージ１７の駆動を制御する。

第１光電変換装置６は、ウエハの露光中でも露光量の計測が可能である。第２光電変換装置１９は、ウエハの露光がなされていない状態で、投影光学系１５の像面に結像されるスリット形状の露光光の光量を検出する。露光量演算部２１は、第１光電変換装置６の出力と第２光電変換装置１９の出力との相関を求めて保持しておき、この相関と第１光電変換装置６の出力とに基づいて、露光時における露光量を演算して光量信号を生成し、これを主制御系２２に提供する。

投影光学系１５の像面におけるスリット形状の露光光の領域内における任意の位置を第２光電変換装置１９が通過するようにウエハステージ１７を走査駆動ることによって、該露光光による積算露光量を測定することができる。

レーザ制御系２３は、目標パルス光量に応じてトリガ信号および印加電圧信号をそれぞれ出力して光源１の発振周波数と出力エネルギーを制御する。ここで、レーザ制御系２３は、露光量演算器２１から出力される光量信号、主制御系２２から出力される露光パラメータに基づいて、トリガ信号および印加電圧信号を生成する。

露光パラメータ（例えば、積算露光量、必要積算露光量精度、絞り形状）は、マンマシンインターフェース若しくはメディアインターフェースとしての入力装置２４により主制御系２２に提供され、記憶部２５に格納される。

以下、本発明の好適な実施形態における露光光の重心位置の計測方法について説明する。

図４に模式的に示されるように、投影光学系１５の像面におけるスリット状の露光光をウエハステージ１７に設置された光電変換装置（検出器）１９が走査軸方向に通過するようにウエハステージ１７が走査される。なお、走査軸は、ウエハステージ１７（又はウエハ１８）、又は、レチクルステージ１４（又はレチクル１３）が走査される方向を示す軸である。スリット軸は、走査軸に直交する方向である。スリット形状の露光光は、走査軸方向の長さがスリット軸方向の長さよりも短い。

図５は、ウエハステージ１７の走査時に光電変換装置（検出器）１９から出力される光量を積算した積算光量を例示的に示す図である。なお、積算は、光電変換装置１９においてなされてもよいし、主制御系２２によってなされてもよいし、他のデバイスによってなされてもよい。図５において、横軸は、ウエハステージ１７の走査軸方向における位置、縦軸は露光光の積算光量を示す。重心位置は、露光光の積算光量の最大値（Ｅｍａｘ）の半分の値を示すウエハステージ１７の位置である。

図６は、露光光の重心線を計測する方法の具体例を示す図である。まず、"像高１"の重心位置を計測するために、光電変換装置（検出器）１９のスリット軸方向における位置が"像高１"になり、走査軸方向における位置が走査開始位置になるようにウエハステージ１７が駆動される。

次いで、投影光学系１５の像面に露光光が入射した状態で、走査軸方向に光電変換装置（検出器）１９が走査されるようにウエハステージ１７が駆動されながら、光電変換装置（検出器）１９によって露光光の光量が検出され、積算光量が求められる。

次いで、図５を参照して説明した方法により、積算光量の変化に基づいて露光光の重心位置が求められる。

以上のような処理を"像高２"〜"像高ｎ"のそれぞれについて実行することによって、"像高１"〜"像高ｎ"のそれぞれについて露光光の重心が得られる。"像高１"〜"像高ｎ"の各重心位置を仮想的に結ぶ線が露光光の重心線である。

次に、本発明の好適な実施形態における露光光の重心位置の調整方法について説明する。図７は、本発明の好適な実施形態における可変スリット（重心位置調整ユニット）８の構成を示す図である。可変スリット８は、開口としてのスリットを規定するための部材として、移動可能な複数の第１ブレード３０および移動可能な複数の第２ブレード３１を含む。第１ブレード３０の先端と第２ブレード３１の先端との間隔によってスリットの走査軸方向における長さ(幅）が決定される。

可変スリット８はまた、複数の第１リニアアクチュエータ３２および複数の第２リニアアクチュエータ３３を含む。複数の第１リニアアクチュエータ３２は、主制御系２２からの指令に従って複数の第１ブレード３０を走査軸方向に駆動する。複数の第２リニアアクチュエータ３３は、主制御系２２からの指令に従って複数の第２ブレード３１を走査軸方向に駆動する。

複数の第１ブレード３０は、第１ガイド機構３４によってガイドされうる。複数の第２ブレード３１は、第２ガイド機構３５によってガイドされうる。

図８Ａ〜８Ｄは、可変スリットの調整と露光光プロファイルとの関係を示している。図８Ａは、調整前の可変スリット８の状態を例示し、図８Ｂは、図８Ａの状態の可変スリット８によって形成されるウエハの表面（投影光学系の像面）における露光光プロファイルを例示している。図８Ｂには、調整前の重心線と目標重心線（基準線）とが例示的に示されている。

図８Ｃは、露光光の実際の重心位置が目標重心位置の許容範囲内に入るように主制御系２２からの指令に従って複数の第１アクチュエータ３２の全部又は一部および複数の第２アクチュエータ３３の全部又は一部を動作させた状態を例示している。図８Ｄは、図８Ｃの状態の可変スリット８によって形成されるウエハの表面（投影光学系の像面）における露光光プロファイルを例示している。

重心位置を調整するためのブレード３０、３１の位置Ｄは、主制御系２２において、（１）式に従って算出されうる。

Ｄ ＝ Ｄ＿ｄｅｆ ＋ α × （Ｐ＿１ − Ｐ＿２） ・・・・ （１）
ここで、Ｄ＿ｄｅｆ：調整前のブレードの位置
α：可変スリットとウエハ面との間の光学系の倍率
Ｐ＿１：目標露光光の重心位置
Ｐ＿２：調整前の露光光の重心位置
結像倍率が１の場合は、露光光の重心位置のずれを補正するために、可変スリット８の第１ブレード３０および第２ブレード３１を露光光の重心位置のずれと同じずれ量だけ駆動することとなる。

図９は、露光光の重心位置を調整するシーケンスを示す図である。このシーケンスは、主制御系２２によって制御されうる。なお、初期状態では、可変スリット８は、予め定められた状態に設定されているものとする。

ステップ１０１では、主制御系２２は、像高毎の目標重心位置を読み出す。目標とする重心位置（重心線、基準線）は、感光剤の塗布処理などの露光プロセスに依存するため、入力装置２４を通してオペレータによって入力されるデータに基づいて決定されうる。例えば、ＥＵＶリソグラフィーの円弧照明において、照明領域が円弧形状である場合は、重心線（基準線）は円弧状の曲線である。

複数の第１ブレードと複数の第２ブレードとは、目標重心線に基づいて調整される。また、重心線に基づいたブレードのガイド機構の設定により、ブレードの移動に関わらず重心位置を一定として、初期から目標重心線上にあるようにしてもよい。例えば、複数の第１ブレードの先端位置と複数の第２ブレードの先端位置との中点に光量重心位置がある場合を考える。この場合において、第１ブレードの移動量と同じ移動量だけ第２ブレードが第１ブレードの移動方向と反対方向に移動するとすれば、重心位置は該中点の位置からは変わらない。

ステップ１０２では、主制御系２２は、投影光学系１５の像面におけるスリット形状の露光光の光量を前述の方法に従って光電変換装置（検出器）１９によって検出することによって該露光光の像高毎の重心位置を求める。

ステップ１０３では、主制御系２２は、ステップ１０３で得た露光光の重心位置の良否を判定する。具体的には、主制御系２２は、例えば、ステップ１０２で得た露光光の重心位置と、ステップ１０１で取得した目標重心位置とを比較して、両者の差が許容範囲内であれば"良"、許容範囲外であれば"不良"と判定する。主制御系２２は、判定結果が"良"である場合には、処理をステップ１０６に進め、判定結果が"不良"である場合には、処理をステップ１０２に進める。

ステップ１０４では、主制御系２２は、（１）式に従って複数の第１ブレード３０の位置および複数の第２ブレード３１の位置を算出する。そして、主制御系２２は、その算出結果に基づいて、複数の第１リニアアクチュエータ３２に対する駆動指令値および複数の第２リニアアクチュエータ３３に対する駆動指令値を算出する。

なお、（１）式において、Ｄ＿ｄｅｆは、ステップ１０２で重心位置を計測したときのブレード３０、３１の位置、Ｐ＿１は、ステップ１０１で読み出した露光光の目標重心位置であり、Ｐ＿２は、ステップ１０２で計測された露光光の重心位置である。

複数の第１ブレード３０および複数の第２ブレード３１の位置を決定する際に、露光光の重心位置の調整とともに、スリット軸方向の照度むらの低減についても考慮されてもよい。

ステップ１０５では、ステップ１０４で算出した駆動指令値を複数の第１リニアアクチュエータ３２および複数の第２リニアアクチュエータ３３に送る。これによって、複数の第１ブレード３０の位置および複数の第２ブレード３１の位置が調整される。その後、再び、ステップ１０２が実行される。

ステップ１０６では、ステップ１０１で読み出した目標重心位置と、ブレード３０、３１の駆動量（リニアアクチュエータ３２、３３への駆動指令値）を保存する。ウエハの露光シーケンスを実行する際には、ここで保存した駆動量に基づいてブレード３０、３１が駆動される。

ステップ１０７では、主制御系２２は、他の条件に対応する重心位置の調整を行うか否かを判断し、行う場合には処理をステップ１０１に進め、他の条件のためにステップ１０１〜１０６の処理を繰り返す。このように、この実施の形態では、複数の条件（例えば、複数の照明条件、複数のスリット寸法など）のそれぞれについてブレード３０、３１の駆動量（すなわち、可変スリット８の設定）が決定されうる。

図１０は、ウエハを露光するシーケンスの概略を示す図である。ステップ２０１では、露光装置のウエハステージ１７にウエハが搬送される。この搬送に伴って、主制御系２２による制御の下で、ウエハの位置の計測、フォーカス面の計測等の各種の計測が行われうる。

ステップ２０２では、主制御系２２は、露光ジョブのレシピに含まれる露光量、露光光の形状等に応じて、ステージ１４、１７の走査速度、光源の発振周波数、光源が発生する光の目標エネルギー、光源の発光パルス数、可変スリット８の設定を決定する。可変スリット８の設定には、複数の第１ブレード３０および複数の第２ブレード３１の駆動位置が含まれる。ここで、可変スリット８の複数の第１ブレード３０および複数の第２ブレード３１の駆動位置は、図９に示すシーケンスで予め保存された情報に基づいて決定されうる。但し、露光ジョブのレシピに含まれる露光量、露光光の形状に一致する条件における第１ブレード３０および第２ブレード３１の駆動位置が予め登録されていない場合には、当該条件の下で、図９のステップ１０１〜１０６のシーケンスを実行すればよい。

ウエハのショット領域内における露光量の分布が均一でない場合、走査軸方向（Ｙ方向）に対しては、ステージ１７の走査速度、光源１の発振周波数、目標エネルギーにより、走査軸方向における位置に応じて露光量を変更する。スリット軸方向に対しては、露光光のスリット軸方向の照度むらを低減するように第１ブレード３０の先端と第２ブレード３１の先端との間隔を変更する。

第１ブレード３０および第２ブレード３１の駆動位置の決定について補足すると、主制御系２２は、指定された露光量に基づいて、最適な露光光の重心位置を決定しうる。この決定は、露光量とそれに対応する最適な露光光の重心位置との関係を提供する予め準備された関数又はテーブルを主制御系２２が参照することによってなされうる。また、露光光の重心位置と当該重心位置を実現するためのブレード３０、３１の駆動量との関係を示すデータを図９に示すシーケンスの繰り返しによって蓄積しておき、そのデータを補間処理することで任意の重心位置を実現する駆動量を決定してもよい。

ステップ２０３では、主制御系２２は、ステップ２０２で決定した露光条件を該当する制御系に設定する。具体的には、主制御系２２は、レーザ１の発振周波数および目標エネルギー、発光パルス数をレーザ制御系２３に設定し、ステージ１４、１７の走査速度をステージ駆動制御系２０に設定し、可変スリット８の駆動位置をそれの制御ユニット（不図示）に設定する。ここで、可変スリット８における複数の第１ブレード３０と複数の第２ブレード３１は、この設定に基づいて、露光の開始前に駆動される。

ステップ２０４では、主制御系２２は、ウエハが露光されるように各制御系を制御する。ステージ駆動制御系２０は、設定された条件に従ってステージ１４、１７の駆動し、レーザ制御系２３は、ステージ１４、１７の移動に同期させてレーザ１の発振を制御する。

ステップ２０５では、主制御系２２は、露光したショット領域に対する露光結果を判定する。この判定には、例えば、露光中の光品位（例えば、発振波長および線幅）の判定と、ショット領域に対する露光量の判定とが含まれうる。

光品位の判定では、例えば、露光中にモニタされた発振波長および線幅の設定値に対する絶対誤差やパルス毎のばらつきを算出する。各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのショット領域の露光はエラーと判定される。また、露光量の判定では、図３中の第１光電変換装置６によって露光中にモニタされた光量の設定値に対する絶対誤差やパルス毎のばらつきが算出される。各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのショット領域の露光はエラーと判定される。エラー判定がなされた場合には、表示部２６等によりエラー情報がオペレータに提供される。

ステップ２０６では、主制御系２２は、ウエハに未露光のショット領域が存在するか否かを判定し、未露光のショット領域に存在する場合には、処理をステップ２０２に戻して次のショット領域を処理する。未露光のショット領域が存在しない場合には、主制御系２２は、処理をステップ２０７に進める。

ステップ２０７では、ウエハステージ１７上の露光処理済みのウエハがウエハ収納ケースに収納される。

ステップ２０８では、未処理のウエハが存在するか否かが判定され、未処理のウエハが存在する場合にはステップ２０１〜２０７が繰り返され、未処理のウエハが存在しない場合には、露光シーケンスが終了する。

以上の実施形態では、露光光の重心位置を調整するための重心位置調整ユニットとして、可変スリット８を使用する例を説明しているが、当該重心位置調整ユニットは、例えば、マスキングブレード９でもよいし、不図示の濃度フィルタでもよい。濃度フィルタは、光を透過させる透光部と光を遮蔽する遮光部を有し、該透過部を透過する光量が位置に応じて変化する。

次に上記の露光装置を利用したデバイス製造方法を説明する。図１１は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクル（原版）を作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。

図１２は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（ＣＭＰ）ではＣＭＰ工程によって絶縁膜を平坦化する。ステップ１６（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１７（露光）では上記の走査露光装置を用いて、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウエハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ１８（現像）ではウエハ上のレジストに形成された潜像パターンを現像してレジストパターンを形成する。ステップ１９（エッチング）ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ２０（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

上記のデバイス製造方法は、半導体デバイス以外のデバイスの製造にも応用することができる。

ウエハに入射する露光光の強度を例示する図である。 露光光の重心線の湾曲と露光量との関係を例示する図である。 本発明の好適な実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。 露光光の重心位置の計測を説明するための図である。 露光光の重心位置の計測を説明するための図である。 露光光の重心位置の計測を説明するための図である。 可変スリットの構成例を示す図である。 調整前の可変スリットの状態を例示する図である。 調整前の可変スリットによって形成されるウエハ面（投影光学系の像面）における露光光プロファイルを例示する図である。 調整後の可変スリットの状態を例示する図である。 調整後の可変スリットによって形成されるウエハ面（投影光学系の像面）における露光光プロファイルを例示する図である。 露光光の重心位置を調整するシーケンスを示す図である。 ウエハを露光するシーケンスの概略を示す図である。 デバイス製造方法を示す図である。 デバイス製造方法を示す図である。

符号の説明

１：レーザ（光源）、２：ビーム整形光学系、３：オプティカルインテグレータ、４：絞りターレット、５：ハーフミラー、６：第１光電変換装置、７：コンデンサレンズ、８：可変スリット、９：マスキングブレード、１０：コンデンサレンズ、１１：ミラー、１２：コンデンサレンズ、１３：レチクル、１４：レチクルステージ、１５：投影光学系、１６：フォーカス検出系、１７：ウエハステージ、１８：ウエハ、１９：第２光電変換装置（検出器）、２０：ステージ制御系、２１：露光量演算部、２２：主制御系、２３：レーザ制御系、２４：入力装置、２５：記憶部、２６：入力部、３０：第１ブレード、３１：第２ブレード、３２：第１リニアアクチュエータ、３３：第２リニアアクチュエータ、３４：第１ガイド機構、３５：第２ガイド機構

Claims (5)

1. 原版および基板を走査しながら該原版のパターンを投影光学系によって該基板に投影して該基板を走査露光する走査露光装置であって、
   前記投影光学系の像面に入射するスリット形状の露光光の走査軸方向における重心位置を目標重心位置に基づいて調整する重心位置調整ユニットを備えることを特徴とする走査露光装置。
2. 前記重心位置調整ユニットは、露光光による前記原版の照明領域を規定し、移動可能な複数の第１ブレードと複数の第２ブレードとを含み、前記複数の第１ブレードおよび前記複数の第２ブレードを移動することによって、前記露光光の走査軸方向における重心位置を調整することを特徴とする請求項１に記載の走査露光装置。
3. 前記重心位置調整ユニットは、原版が配置される面と共役な面又は前記共役な面の近傍に配置されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の走査露光装置。
4. 前記露光光の前記走査軸方向における重心位置を検出する検出器を更に備え、
   前記重心位置調整ユニットは、前記検出器による検出結果に基づいて、前記露光光の前記走査軸方向における重心位置を調整する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の走査露光装置。
5. デバイス製造方法であって、
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載の走査露光装置を用いて基板を露光する工程と、
   該基板を現像する工程と、
   を含むことを特徴とするデバイス製造方法。