JP2007081395A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007081395A JP2007081395A JP2006238794A JP2006238794A JP2007081395A JP 2007081395 A JP2007081395 A JP 2007081395A JP 2006238794 A JP2006238794 A JP 2006238794A JP 2006238794 A JP2006238794 A JP 2006238794A JP 2007081395 A JP2007081395 A JP 2007081395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation beam
- radiation
- substrate
- control device
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 168
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 7
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、パターニング・デバイス(パターン化された放射ビームを形成するべく放射ビームに断面パターンを付与するように構築されている)を支持するように構築されたサポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムとを備えている。強度調整デバイスは、放射システム内に配置され、且つ、パターニング・デバイスを照射している放射ビームに半影を投げかけるための複数の部材を備えている。また、基板の目標部分に投射されるパターン化された放射ビームの減衰がパターン化された放射ビームの断面全体にわたって制御されるように前記部材を調整するための減衰制御デバイスが提供される。
【選択図】図1
Description
放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
パターン化された放射ビームを形成するべく放射ビームに断面パターンを付与するように構築されたパターニング・デバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
放射システム内に配置され、且つ、パターニング・デバイスを照射している放射ビームに半影を投げかけるための複数の部材を備えた強度調整デバイスと、
基板の目標部分に投射されるパターン化された放射ビームの減衰がパターン化された放射ビームの断面全体にわたって制御される方法で前記部材を調整するための減衰制御デバイスであって、前記部材によって減衰した後に位置検出器に到達する検出放射ビームの検出に応じて、前記個々の部材の位置を表す出力を提供するための個別位置検出器が組み込まれた減衰制御デバイスと
を備え、前記部材の位置を検出するための検出放射ビームを生成するための共通の放射源が減衰制御デバイスに組み込まれたリソグラフィ装置が提供される。
放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
パターン化された放射ビームを形成するべく放射ビームに断面パターンを付与するように構築されたパターニング・デバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
放射システム内に配置され、且つ、パターニング・デバイスを照射している放射ビームに半影を投げかけるための複数の部材を備えた強度調整デバイスと、
基板の目標部分に投射されるパターン化された放射ビームの減衰がパターン化された放射ビームの断面全体にわたって制御される方法で前記部材を調整するための減衰制御デバイスと
を備え、複数の前記部材のうちの少なくとも1つの形状が非対称形状であるリソグラフィ装置が提供される。
− 放射(例えばUV放射)の投影ビームPBを提供するための照明システム(イルミネータ)IL
− パターニング手段(例えばマスク)MAを支持するための、該パターニング手段をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された支持構造(例えばマスク・テーブル)MT
− 基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、該基板をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WT
− パターニング手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(例えば1つ又は複数のダイが含まれている)に画像化するための投影システム(例えば屈折投影レンズ又は反射投影レンズ)PL
を備えている。
1.ステップ・モード:マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モード:放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:プログラム可能パターニング・デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動又は走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する度に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターニング・デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターニング・デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
B 放射ビーム
BD ビーム引渡しシステム
C 基板の目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
MA パターニング手段(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
n、n+1 減衰ブレードの番号
PB 放射の投影ビーム(投影ビーム)
PL 投影システム(レンズ)
PM 第1の位置決め手段(第1のポジショナ)
Pn、Pn+1 半影
PW 第2の位置決め手段(第2のポジショナ)
P1、P2 基板アライメント・マーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
10 減衰制御デバイス
11 ブレード
12 アクチュエータ
13、30 コントローラ
13A シャフト
14 ベーン
16 光検出器(角度検出器)
17 可動磁石
18 ヨーク
19 コイル
20 角度検出器
20 共通光源
21 光インテグレータ
22 開口
23 基準検出器
31、33 増幅器
32 加算器
Claims (21)
- 放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
パターン化された放射ビームを形成するべく前記放射ビームに断面パターンを付与するように構築されたパターニング・デバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
放射システム内に配置され、且つ、前記パターニング・デバイスを照射している前記放射ビームに半影を投げかけるための複数の部材を備えた強度調整デバイスと、
前記基板の前記目標部分に投射される前記パターン化された放射ビームの減衰が前記パターン化された放射ビームの断面全体にわたって制御される方法で前記部材を調整するための減衰制御デバイスであって、前記部材によって減衰した後に位置検出器に到達する検出放射ビームの検出に応じて、個々の部材の位置を表す出力を提供するための個別位置検出器が組み込まれた減衰制御デバイスとを備えたリソグラフィ装置であって、
前記部材の位置を検出するための前記検出放射ビームを生成するための共通の放射源が前記減衰制御デバイスに組み込まれたリソグラフィ装置。 - 前記減衰制御デバイスに、前記共通の放射源から直接基準検出器に到達する検出放射ビームの検出に応じて基準出力を提供するための基準検出器が組み込まれた、請求項1に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスに混合ユニットが組み込まれ、前記混合ユニットが、前記共通の放射源から検出放射を受け取り、且つ、前記ユニット内の各開口を通して個々の検出放射ビームを前記部材の各々に向けて放出する、請求項1に記載の装置。
- 前記混合ユニットが、前記共通の放射源からの反射検出放射を前記開口へ向けて逓倍するための反射壁を有している、請求項3に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスに、関連する位置検出器によって検出される前記検出放射ビームを減衰させる役割を果している個々の部材の検出ベーン部分が、前記パターニング・デバイスを照射している前記放射ビームに半影を投げかけている前記部材のブレード部分とは間隔を隔てて組み込まれた、請求項1に記載の装置。
- 前記パターン化された放射ビームと前記基板の前記目標部分の間に走査方向の相対移動を提供する走査システムをさらに備え、前記部材が、前記走査方向を横切る経路に沿って分布している、請求項1に記載の装置。
- 前記走査システムに、前記経路に沿って展開している、前記基板の前記目標部分に投射される前記パターン化された放射ビームが通過する湾曲したスリットが組み込まれ、前記減衰制御デバイスが、前記パターン化された放射ビームの強度が前記スリットの長さ全体にわたって実質的に一定になるよう、異なる量で前記部材を調整するように適合された、請求項6に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスが、走査中、前記基板の前記目標部分に投射される前記パターン化された放射ビームの強度が前記走査方向を横切る方向に変化するように前記部材を調整するようになされた、請求項6に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスの前記部材が一連の複数のブレードであり、それらが投げかける半影の幅を調整するべく個々の傾斜軸の周りで傾斜可能な、互いに実質的に平行な傾斜軸で配置された一連のブレードである、請求項1に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスが、フィードバック制御を利用して、前記位置検出器から受け取られた前記部材の位置を表す出力信号に応じて、前記部材を必要な調整位置にもたらすための制御信号を前記部材に供給する、請求項1に記載の装置。
- 基板を提供するステップと、
照明システムを使用して放射ビームを提供するステップと、
前記放射ビームを透過又は反射し、且つ、パターン化された放射ビームを形成するべく前記放射ビームに断面パターンを付与するためにパターニング・デバイスを使用するステップと、
パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するステップと、
前記パターニング・デバイスに半影を投げかけるべく前記放射ビームの光路に複数の部材を配置するステップと、
前記部材によって減衰した後の個々の検出放射ビームの検出に応じて、個々の部材の位置を表す個々の出力を提供するステップと、
前記出力に応じて、前記基板の前記目標部分に投射される前記パターン化された放射ビームの減衰が前記パターン化された放射ビームの断面全体にわたって制御される方法で前記部材を調整するステップであって、前記部材の位置を検出するための前記検出放射ビームが共通の放射源から供給されるステップとを含むデバイス製造方法。 - 放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
パターン化された放射ビームを形成するべく前記放射ビームに断面パターンを付与するように構築されたパターニング・デバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
放射システム内に配置され、且つ、前記パターニング・デバイスを照射している前記放射ビームに半影を投げかけるための複数の部材を備えた強度調整デバイスと、
前記基板の前記目標部分に投射される前記パターン化された放射ビームの減衰が前記パターン化された放射ビームの断面全体にわたって制御される方法で前記部材を調整するための減衰制御デバイスとを備えたリソグラフィ装置であって、
前記複数の部材のうちの少なくとも1つの形状が非長方形であるリソグラフィ装置。 - 前記複数の部材のうちの少なくとも1つが、その回転軸に対して直線及び/又は平行ではない面を有することを特徴とする形状を有する、請求項12に記載の装置。
- 前記複数の部材のうちの少なくとも1つが、1つ又は複数の透過領域を有することを特徴とする形状を有する、請求項12に記載の装置。
- 前記複数の部材のうちの少なくとも1つが、三次元構造を有することを特徴とする形状を有する、請求項12に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスに、前記部材によって減衰した後に位置検出器に到達する検出放射ビームの検出に応じて、個々の部材の位置を表す出力を提供するための個別位置検出器が組み込まれた、請求項12に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスに、前記部材の位置を検出するための検出放射ビームを生成するための共通の放射源が組み込まれた、請求項14に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスに、関連する位置検出器によって検出される検出放射ビームを減衰させる役割を果している個々の部材の検出ベーン部分が、前記パターニング・デバイスを照射している前記放射ビームに半影を投げかけている前記部材のブレード部分とは間隔を隔てて組み込まれた、請求項12に記載の装置。
- 前記パターン化された放射ビームと前記基板の前記目標部分の間に走査方向の相対移動を提供する走査システムをさらに備え、前記部材が、前記走査方向を横切る経路に沿って分布している、請求項12に記載の装置。
- 前記走査システムに、前記経路に沿って展開している、前記基板の前記目標部分に投射される前記パターン化された放射ビームが通過する湾曲したスリットが組み込まれ、前記減衰制御デバイスが、前記パターン化された放射ビームの強度が前記スリットの長さ全体にわたって実質的に一定になるよう、異なる量で前記部材を調整するように適合された、請求項17に記載の装置。
- 前記減衰制御デバイスが、前記基板の前記目標部分に投射される前記パターン化された放射ビームの強度が、前記走査方向及び前記走査方向を横切る方向の両方の方向に変化するように前記部材を調整するようになされた、請求項17に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/224,303 US7375353B2 (en) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081395A true JP2007081395A (ja) | 2007-03-29 |
JP4464945B2 JP4464945B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=37854154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006238794A Active JP4464945B2 (ja) | 2005-09-13 | 2006-09-04 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7375353B2 (ja) |
JP (1) | JP4464945B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164355A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Canon Inc | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8766212B2 (en) * | 2006-07-19 | 2014-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Correction of spatial instability of an EUV source by laser beam steering |
US8159499B2 (en) * | 2007-08-02 | 2012-04-17 | Disney Enterprises, Inc. | Rendering of shadows with hand-painted appearance |
US8908151B2 (en) * | 2008-02-14 | 2014-12-09 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, compensation filter, and exposure optical system |
US9411240B2 (en) * | 2014-05-15 | 2016-08-09 | United Microeletronics Corporation | Method for compensating slit illumination uniformity |
JP2024504714A (ja) * | 2021-01-28 | 2024-02-01 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 均一性ドリフトの高速補正 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5315629A (en) * | 1990-10-10 | 1994-05-24 | At&T Bell Laboratories | Ringfield lithography |
KR100551209B1 (ko) * | 2001-09-07 | 2006-02-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 |
US7023524B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-04-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7030958B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Optical attenuator device, radiation system and lithographic apparatus therewith and device manufacturing method |
-
2005
- 2005-09-13 US US11/224,303 patent/US7375353B2/en active Active
-
2006
- 2006-09-04 JP JP2006238794A patent/JP4464945B2/ja active Active
- 2006-11-02 US US11/591,673 patent/US20070170376A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164355A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Canon Inc | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4464945B2 (ja) | 2010-05-19 |
US20070170376A1 (en) | 2007-07-26 |
US20070057201A1 (en) | 2007-03-15 |
US7375353B2 (en) | 2008-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4566137B2 (ja) | フォトリソグラフィ・パターン化装置を生成する方法、コンピュータ・プログラム、パターン化装置、基板上若しくは基板の近傍の目標画像の位置を決定する方法、測定装置及びリソグラフィ装置 | |
JP4571603B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR100551209B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP4313328B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び可変減衰器 | |
KR101267144B1 (ko) | 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크 | |
TWI383268B (zh) | 器件製造方法、電腦可讀取媒體及微影裝置 | |
JP4004461B2 (ja) | デバイス製造方法、コンピュータ・プログラム、及びリソグラフィ投影装置 | |
TW200944968A (en) | Method and lithographic apparatus for measuring and acquiring height data relating to a substrate surface | |
JP4955028B2 (ja) | デバイス製造方法、リソグラフィ装置及びそれによって製造されたデバイス | |
JP2008160109A (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
JP4464945B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2008277822A (ja) | リソグラフィ装置 | |
TWI490660B (zh) | 微影裝置及方法 | |
JP4303192B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2006270071A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4838295B2 (ja) | パルス修正器、リソグラフィ装置 | |
JP2009510792A (ja) | リソグラフィ装置及び制御方法 | |
JP5033175B2 (ja) | リソグラフィ装置及びパターニングデバイス | |
JP4848229B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4418782B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、較正方法およびコンピュータ・プログラム製品 | |
JP2009194368A (ja) | 露光スリットの形状が調整された、基板トポロジーによる焦点誤差の抑制を可能にするリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US20120147346A1 (en) | Lithographic Apparatus and Method | |
JP2010205794A (ja) | 光強度計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090911 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100212 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4464945 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |