JP2009161858A - 耐食性CVD―SiC被覆材及びCVD装置用治具 - Google Patents
耐食性CVD―SiC被覆材及びCVD装置用治具 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】CVD−SiCは、CVD法により形成されたβ−SiCを構成する結晶のうち、SiC(111)面の占める比率が0.5以下であり、X線回折におけるSiC(111)面のピーク強度に対するSiC(200)面のピーク強度が1.0未満であり、かつ、SiC(200)面の占める比率が、SiC(220)面の占める比率、SiC(311)面の占める比率及びSiC(222)面の占める比率のそれぞれより大きい。耐食性CVD−SiC被覆材は、CVD−SiCがSiCまたは炭素質材からなる基材上に被覆されたCVD−SiC被覆材である。
【選択図】なし
Description
基材として嵩密度1.85g/cm3 の等方性黒鉛材(東洋炭素(株)製)を使用し、20×20×5mmに加工した。次にこれらをCVD装置内に設置し、原料ガスにSiCl4 +C3 H8 を使用し、炉内圧力250Torr、基材温度1400℃でCVD処理を行い、表面全面にSiCを被覆した。
比率 = (111)/((111)+(200)+(220)+(311))
である。表面を被覆したSiCの構成結晶子のうち(111)面の占める比率は0.32であった。
実施例1と同質の基材を同形状に加工後、実施例1と同じCVD装置を用いて、原料ガスにSiCl4 +C3 H8 を使用し、炉内圧力250Torr、基材温度1300℃でCVD処理を行い、表面全面にSiCを被覆した。その後、実施例1と同様にして、SiC被覆された表面のX線回折分析を行った。図2にそのX線回折結果を示す。この結果より、実施例1と同様にして、表面を被覆したSiCの構成結晶子のうち(111)面の占める比率を求めたところ、0.50であった。
基材として嵩密度1.85g/cm3 の等方性黒鉛材(東洋炭素(株)製)を使用し、実施例1と同形状である20×20×5mmに加工した。これらを金属Siとともに、CVD装置内に設置し、炉内温度を1800℃に加熱し、炭酸ガスを炉内に導入し、金属Siの昇華ガスと炭酸ガスを反応させ、基材表面にSiCを析出させた。その後、実施例1と同様にして、SiC被覆された表面のX線回折分析を行った。図3にそのX線回折結果を示す。この結果より、実施例1と同様にして、表面を被覆したSiCの構成結晶子のうち(111)面の占める比率を求めたところ、0.36であった。
実施例1と同質の基材を同形状に加工後、実施例1と同じCVD装置を用いて、原料ガスにSiCl4 +C3 H8 を使用し、炉内圧力250Torr、基材温度1200℃でCVD処理を行い、表面全面にSiCを被覆した。その後、実施例1と同様にして、SiC被覆された表面のX線回折分析を行った。図4にそのX線回折結果を示す。この結果より、実施例1と同様にして、表面を被覆したSiCの構成結晶子のうち(111)面の占める比率は1.0であった。
2 シリコンウェハー
3 サセプター
4 反応室
5 RFコイル
11 LPCVD装置反応室
12 均熱管
13 ボード
14 ウェハー
21 RTPCVD装置反応室
22 サセプター
23 ウェハー
24 治具
Claims (2)
- CVD法により形成されたβ−SiCを構成する結晶のうち、
SiC(111)面の占める比率が0.5以下であり、
X線回折におけるSiC(111)面のピーク強度に対するSiC(200)面のピーク強度が1.0未満であり、かつ、
SiC(200)面の占める比率が、SiC(220)面の占める比率、SiC(311)面の占める比率及びSiC(222)面の占める比率のそれぞれより大きいCVD−SiCが、SiCまたは炭素質材からなる基材上に被覆されている耐食性CVD−SiC被覆材。 - 請求項1に記載の耐食性CVD−SiC被覆材を用いた、半導体製造用の乾式洗浄用に使用されるCVD装置用治具。
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CN114573350A (zh) * | 2020-12-01 | 2022-06-03 | 韩国东海炭素株式会社 | 碳化钽复合材料 |
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