JP4372988B2 - 耐NH3に優れるCVD−SiC、耐NH3に優れるCVD−SiC被覆材及びCVDまたはMBE装置用治具 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐NH3 に優れたCVD−SiC及び基材表面が耐NH3 に優れたCVD−SiCで被覆されたCVD−SiC被覆材及びそれらを用いたCVDまたはMBE装置用治具に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体製造工程における各種装置の構成部品や、治具等には、SiC単独のものや、黒鉛等の炭素質材料やセラミックス等からなる基材表面をCVD−SiCで被覆したCVD−SiC被覆材が広く利用されている。
【0003】
しかしながら、この種のSiCは、例えば、GaN、InN、AlN、Si3 N4 、BN等の窒化物の結晶を成長させる、例えば、MOCVD、HVPE等のCVD装置またはMBE装置等のようにNH3 雰囲気の装置の治具として使用すると、NH3 と反応、分解することで、部分的または全体的にNH3 によって腐食されていく。これによって、例えば、基材の黒鉛が露出してしまい、製品となるGaN、InN、AlN、Si3 N4 、BN等の窒化物の結晶の成長過程に悪影響を与え、GaN、InN、AlN、Si3 N4 、BN等の製造の歩留りの低下の原因となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明では、NH3 に対して耐食性に優れたCVD−SiC、それにより基材表面を被覆されたCVD−SiC被覆材及びこれらを用いたCVDまたはMBE装置用治具を提供する事を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、CVD法によって表面に形成されているβ−SiCの(111)面が、形成される主な結晶面中に占める比率が0.5未満であるときに、NH3 に対して耐食性が優れていることを見いだし、本発明を完成させた。
【0006】
すなわち、本発明の請求項1の発明は、CVD法により形成されたβ‐SiCを構成する結晶のうち、X線回折図形において、SiC(200)面の占める比率が、SiC(220)面の占める比率及びSiC(311)面の占める比率のそれぞれより大きく、且つ、SiC(111)面のピーク強度の占める比率であるSiC(111)/{SiC(111)+SiC(200)+SiC(220)+SiC(311)}が、0.5未満である耐NH3性に優れるCVD−SiCである。また、本発明の請求項2の発明は、前記SiC(111)面のピーク強度の占める比率が0.3〜0.4である請求項1に記載の耐NH 3 性に優れるCVD−SiCである。
【0007】
請求項3の発明は、CVD法により形成されたβ‐SiCを構成する結晶のうち、X線回折図形において、SiC(200)面の占める比率が、SiC(220)面の占める比率及びSiC(311)面の占める比率のそれぞれより大きく、且つ、SiC(111)面のピーク強度の占める比率であるSiC(111)/{SiC(111)+SiC(200)+SiC(220)+SiC(311)}が、0.5未満であるCVD−SiCが、SiCまたは炭素質材からなる基材上に被覆されてなる耐NH3に優れるCVD−SiC被覆材である。また、請求項4の発明は、前記SiC(111)面のピーク強度の占める比率が0.3〜0.4である請求項3に記載の耐NH 3 性に優れるCVD−SiCである。
【0008】
請求項5の発明は、請求項1又は2に記載のCVD−SiCを用いたCVDまたはMBE装置用治具である。また、請求項6の発明は、請求項3又は4に記載のCVD−SiC被覆材を用いたCVDまたはMBE装置用治具である。
【0009】
本発明におけるSiCは、黒鉛基材にCVD法によりSiCを被覆し、その後、黒鉛を機械的あるいは化学的に除去させ緻密質なCVD−SiCのみとしたもの、また、黒鉛材、黒鉛材から転化したSiC、焼結質SiC、前記CVD−SiCのうち何れかからなる基材表面にCVD法で被覆形成されたものの何れであってもよい。ここで、黒鉛材から転化したSiCとは、黒鉛材とSiOガスを反応させて黒鉛材の一部または全部をSiCに転化させた、いわゆるCVR−SiCのことであり、焼結質SiCとはSiC粉末に焼結助剤を添加し、1600℃以上の高温で焼結させたもののことである。
【0010】
また、CVD法により形成されるSiCとは、CVD処理時に原料ガスより生成されるSiCが、基材表面に析出し、成長していくことにより形成される非常に緻密な膜である。また、SiCには六方晶及び菱面体晶であるα型、立方晶であるβ型の2種類があるが、本発明にかかるCVD法ではβ型のSiCが生成される。
【0011】
このCVD法によるβ−SiCの表面を構成する結晶のうち(111)面方向の結晶方位を示す結晶の占める比率を全体の0.5未満、好ましくは0.45以下、更に好ましくは0.4以下とする。0.5より大きい場合は、同一面の配向性が大きくなることによって、結晶間若しくは結晶層間が浸食されやすくなると考えられ、NH3 に対して、耐食性が発現しない。ここで、この比率の対象となる結晶面は、(111)面と方位の異なる(200)面、(220)面、(311)面である。この比率は、X線回折結果より、前記(111)面と(111)面と方位の異なる結晶面を表すピークのピーク強度(ピーク高さ)の和で、(111)面のピーク強度を割った値を採用している。
【0012】
β−SiCの表面は、CVD処理条件を調整することで、構成する結晶子の(111)面方向の結晶の比率が0.5未満とすることができ、表面を被覆したSiCを構成する各結晶の方位が乱雑となる。そして、(111)面方向にのみ成長した結晶子で形成されたβ−SiCに比較すると、NH3 に対して耐食性に優れるようになる。
【0013】
この(111)面の方位と異なる結晶面である(200)面、(220)面、(311)面はCVD処理時の基材、基材温度、原料ガス、炉内圧力、原料ガス濃度等の各制御因子のなかでも特に温度に影響を受け、CVD処理時の基材温度が高くなるほど、顕著に現れる。したがって、(111)面の占める比率を0.5未満、好ましくは0.45以下、更に好ましくは0.4以下とするためには、CVD処理時の基材温度を少なくとも1300℃、好ましくは1400℃以上とする。
【0014】
以上のように、CVD−SiCや、或いは黒鉛等の炭素質材やSiC等のセラミックスの基材表面にSiCをCVD法で被覆したCVD−SiC被覆材の表面に形成されたβ−SiCを構成する結晶のうち、(111)面の占める比率を0.5未満とすることで、NH3 に対して耐食性を有することとなる。これによりGaN、InN、AlN、Si3 N4 、BN等の窒化物の結晶を成長させるMOCVD、HVPE等のCVD装置、または、MBE装置等のCVDまたはMBE装置用治具として使用することができ、治具表面に本発明に係るCVD−SiCを形成させることで、ピンホールや剥離等の発生を抑制することができ、耐用寿命の延命化が行える。
【0015】
以上のように、本発明におけるCVD−SiC若しくはCVD−SiC被覆材はCVDまたはMBE装置用の治具として適用することができる。また、CVDまたはMBE装置用治具に限らず、例えば、耐NH3 に優れた特性を生かし、GaN、InN、AlN、Si3 N4 、BN等の窒化物の結晶の成長用の基板としても使用することができる。
【0016】
以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明する。
【0017】
【実施例】
(実施例1)
基材として嵩密度1.85g/cm3 の等方性黒鉛材(東洋炭素(株)製)を使用し、20×20×5mmに加工した。次にこれらをCVD装置内に設置し、原料ガスにSiCl4 +C3 H8 を使用し、炉内圧力250Torr、基材温度1400℃でCVD処理を行い、表面全面にSiCを被覆した。
【0018】
CVD−SiCを被覆後、その表面をCuの管球を使用しX線回折分析を行った。図1にその分析結果を示す。図中に記載しているβ−SiC(111)等は各結晶面を表している。次に、表面を構成する結晶のうち、この(111)面の占める比率は、(111)面と結晶方位を異にする各結晶面の強度比(各結晶面を表すピークの高さ)を用いて、次式により算出した。すなわち、
比率 = (111)/((111)+(200)+(220)+(311))
である。表面を被覆したSiCの構成結晶子のうち(111)面の占める比率は0.3であった。
【0019】
(実施例2)
実施例1と同質の基材を同形状に加工後、実施例1と同じCVD装置を用いて、原料ガスにSiCl4 +C3 H8 を使用し、炉内圧力250Torr、基材温度1350℃でCVD処理を行い、表面全面にSiCを被覆した。その後、実施例1と同様にして、SiC被覆された表面のX線回折分析を行った。図2にそのX線回折結果を示す。この結果より、実施例1と同様にして、表面を被覆したSiCの構成結晶子のうち(111)面の占める比率を求めたところ、0.4であった。
【0020】
(比較例1)
実施例1と同質の基材を同形状に加工後、実施例1と同じCVD装置を用いて、原料ガスにSiCl4 +C3 H8 を使用し、炉内圧力250Torr、基材温度1300℃でCVD処理を行い、表面全面にSiCを被覆した。その後、実施例1と同様にして、SiC被覆された表面のX線回折分析を行った。図3にそのX線回折結果を示す。この結果より、実施例1と同様にして、表面を被覆したSiCの構成結晶子のうち(111)面の占める比率を求めたところ、0.5であった。
【0021】
(比較例2)
実施例1と同質の基材を同形状に加工後、実施例1と同じCVD装置を用いて、原料ガスにSiCl4 +C3 H8 を使用し、炉内圧力250Torr、基材温度1280℃でCVD処理を行い、表面全面にSiCを被覆した。その後、実施例1と同様にして、SiC被覆された表面のX線回折分析を行った。図4にそのX線回折結果を示す。この結果より、実施例1と同様にして、表面を被覆したSiCの構成結晶子のうち(111)面の占める比率を求めたところ、0.6であった。
【0022】
実施例1及び2と比較例1及び2は、CVD処理時の基材温度が違うのみで、それ以外の処理条件は全て同じであるが、CVD処理時の基材温度が高くなることによって、表面を構成する結晶のうち(111)面の占める割合が小さくなる。換言すると、基材温度が高くなることによって、SiCの析出成長する方向が多方向になり、表面を構成する結晶が乱雑になるといえる。
【0023】
実施例1及び2と比較例1の試料のNH3 に対する耐食性を調べるために、各試料を1200℃、13.3kPaのNH3 に180分暴露し、その時のエッチング速度を求めた。
【0024】
表1に各試料のNH3 に対する耐食性を示す。
【0025】
【表1】
【0026】
表1より、CVD法により形成されたβーSiCを構成する結晶のうち(111)面の占める比率が0.5で、NH3 に対する耐食性が異なる、すなわち、エッチング速度が0.5を境にして0.5未満では遅く、0.5を越えると速くなっていることがわかる。したがって、CVD法により形成されたβーSiCを構成する結晶のうち(111)面の占める比率を0.5未満とすることで、NH3 に対する耐食性が向上することがわかる。
【0027】
【発明の効果】
本発明にかかる、少なくとも表面がβ−SiCで形成され、その表面を構成する結晶のうち(111)面の占める比率を0.5未満とすることによって、NH3 に対する耐食性が向上し、NH3 雰囲気下で使用されるCVDまたはMBE装置用の治具として使用することが可能となる。これにより、GaN、InN、AlN、Si3 N4 、BN等の窒化物の結晶の製造における生産効率、歩留りの向上に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】1400℃でCVD処理を行ったSiCのX線回折結果である。
【図2】1350℃でCVD処理を行ったSiCのX線回折結果である。
【図3】1300℃でCVD処理を行ったSiCのX線回折結果である。
【図4】1280℃でCVD処理を行ったSiCのX線回折結果である。
Claims (6)
- CVD法により形成されたβ‐SiCを構成する結晶のうち、
X線回折図形において、SiC(200)面の占める比率が、SiC(220)面の占める比率及びSiC(311)面の占める比率のそれぞれより大きく、且つ、SiC(111)面のピーク強度の占める比率であるSiC(111)/{SiC(111)+SiC(200)+SiC(220)+SiC(311)}が、0.5未満である耐NH3性に優れるCVD−SiC。 - 前記SiC(111)面のピーク強度の占める比率が0.3〜0.4である請求項1に記載の耐NH 3 性に優れるCVD−SiC。
- CVD法により形成されたβ‐SiCを構成する結晶のうち、X線回折図形において、SiC(200)面の占める比率が、SiC(220)面の占める比率及びSiC(311)面の占める比率のそれぞれより大きく、且つ、SiC(111)面のピーク強度の占める比率であるSiC(111)/{SiC(111)+SiC(200)+SiC(220)+SiC(311)}が、0.5未満であるCVD−SiCが、SiCまたは炭素質材からなる基材上に被覆されてなる耐NH3に優れるCVD−SiC被覆材。
- 前記SiC(111)面のピーク強度の占める比率が0.3〜0.4である耐NH 3 性に優れる請求項3に記載のCVD−SiC被覆材。
- 請求項1又は2に記載のCVD−SiCを用いたCVDまたはMBE装置用治具。
- 請求項3又は4に記載のCVD−SiC被覆材を用いたCVDまたはMBE装置用治具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000311379A JP4372988B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-10-12 | 耐NH3に優れるCVD−SiC、耐NH3に優れるCVD−SiC被覆材及びCVDまたはMBE装置用治具 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-154398 | 2000-05-22 | ||
JP2000154398 | 2000-05-22 | ||
JP2000311379A JP4372988B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-10-12 | 耐NH3に優れるCVD−SiC、耐NH3に優れるCVD−SiC被覆材及びCVDまたはMBE装置用治具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002047570A JP2002047570A (ja) | 2002-02-15 |
JP4372988B2 true JP4372988B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=26592555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000311379A Expired - Fee Related JP4372988B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-10-12 | 耐NH3に優れるCVD−SiC、耐NH3に優れるCVD−SiC被覆材及びCVDまたはMBE装置用治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4372988B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4739777B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-08-03 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
JP4739776B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-08-03 | ローム株式会社 | サセプタ |
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2000
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002047570A (ja) | 2002-02-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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