JP2009152822A - 記憶装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ラッチ制御信号ごとに、信号群のラッチ動作を信号間で同等のタイミングとして、ラッチ特性の向上を図った記憶装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る記憶装置は、ラッチ制御信号に応じて一連の信号群のラッチ制御を行う。ラッチ制御信号が入力されるラッチ制御端子と、一連の信号群の各々が入力される複数の信号端子とが配置されている。ここで、複数のラッチ回路は、複数の信号端子の各々に対して備えられている。複数のラッチ回路の配置位置は、複数の信号端子の各々からの距離、およびラッチ制御端子からの距離が、所定距離を超えない位置である。個々の信号端子から対応するラッチ回路に伝搬する信号の遅延時間、およびラッチ制御を行うラッチ制御信号が入力されるラッチ制御端子から個々のラッチ回路に伝搬する信号の遅延時間が、共に同等となる。これにより信号間のラッチ特性におけるスキューを低減することができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、複数ビットで構成される信号群が入力される際のラッチ特性の向上を図る記憶装置に関するものであり、特に、動作モードごとに異なるラッチ制御信号が使用される場合に、各々のラッチ制御信号によるラッチ特性の向上を図った記憶装置に関するものである。
特許文献1に開示されている半導体集積回路では、図7に示すように、2つのクロックドライバ13、14がチップ10の下辺と上辺の縁辺にそれぞれ配置されている。また、クロック入力パッド11およびクロック入力バッファ12が左辺中央部に配置されている。クロック入力バッファ12から各々のクロックドライバ13、14までの信号線の長さが等しくなり、2つのクロックドライバ13、14の入力信号のスキューの低減を図っている。
また、その他の関連文献として、特許文献2および3が例示される。
特開平5−268016号公報 特開2003−132674号公報 特開平11−345255号公報
しかしながら、前記特許文献1では、2つのクロックドライバ13、14の入力信号のスキューは改善されるものの、クロックドライバ13、14から出力されるクロック信号が各データ入出力ブロック15に入力される際のスキューは改善されない。
すなわち、特許文献1では、ビット0からビット31までのビットデータをクロック信号に同期してラッチする各データ入出力ブロック15と、2つのクロックドライバ13、14との配置関係が均等ではない。各々のクロックドライバ13、14から各データ入出力ブロック15までの信号線の距離がデータ入出力ブロック15間で異なっている。このため、クロックドライバ13、14から出力されるクロック信号について、データ入出力ブロック15の配置位置に応じてクロック信号の伝搬遅延が異なる結果、データ入出力ブロック15ごとにラッチタイミングがずれてしまうおそれがある。データ入出力ブロック15についてデータのラッチ動作におけるスキューが改善できない結果、データのセットアップ/ホールド時間を最悪値で規定せざるを得ず問題である。
本発明は、上記の課題に鑑み提案されたものである。動作モードごとに信号群をラッチするラッチ制御信号が異なる場合、各々のラッチ制御信号が入力される各々のラッチ制御端子の配置位置に近接して信号群が入力される信号端子の端子群を配置する。これにより、ラッチ制御信号ごとに、信号群のラッチ動作を信号間で同等のタイミングとして、ラッチ特性の向上を図った記憶装置を提供することを目的とする。
本発明に係る記憶装置は、ラッチ制御信号に応じて一連の信号群のラッチ制御を行う。ラッチ制御信号が入力されるラッチ制御端子と、一連の信号群の各々が入力される複数の信号端子とが配置されている。ここで、複数のラッチ回路は、複数の信号端子の各々に対して備えられている。複数のラッチ回路の配置位置は、複数の信号端子の各々からの距離、およびラッチ制御端子からの距離が、所定距離を超えない位置である。
本発明に係る記憶装置では、個々の信号端子から対応するラッチ回路に伝搬する信号の遅延時間、およびラッチ制御を行うラッチ制御信号が入力されるラッチ制御端子から個々のラッチ回路に伝搬する信号の遅延時間が、共に同等となる。
本発明の記憶装置によれば、ラッチ制御端子および信号端子からラッチ回路までの信号伝搬による遅延時間を信号間で同等とすることができる。複数のラッチ回路でのラッチ制御において、一連の信号群がラッチ制御信号に応じてラッチされるタイミングを信号間で同等にすることができる。信号間のラッチ特性におけるスキューを低減することができ、一連の信号群に対するセットアップ/ホールド時間の改善を図ることができる。
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1を参照して、本発明の記憶装置における端子の配置の一例を説明する。なお、図1においてr1、r2などの大きさは説明上のものであって、実際の大小関係等を反映するものではない。チップ1において、T1〜T7は一連の信号群の各々が入力される複数の信号端子の一部である。C1〜C7はそれぞれ信号端子T1〜T7からの距離が所定距離r1を超えない領域を示す。T10は一連の信号群のラッチ制御を行うラッチ制御信号が入力されるラッチ制御端子の1つである。C10はラッチ制御端子T10からの距離が所定距離r2を超えない領域を示す。
信号端子T1〜T5は、各々の信号端子からの距離が所定距離r1を超えない共通の領域a1(斜線部分)を有する信号端子からなる端子群を構成する。ラッチ制御端子T10は、ラッチ制御端子T10からの距離が所定距離r2を超えない領域C10の少なくとも一部と上記共通の領域a1の少なくとも一部とが重複するように、信号端子T1〜T5からなる端子群に対して配置される。例えば、図1では領域a2(斜線部分のうち実線で囲われた部分)が重複するようにラッチ制御端子T10が配置されている。信号端子T1〜T5の各々に対して、領域a2にラッチ回路の入力が配置される。したがって、各信号端子T1〜T5およびラッチ制御端子T10からラッチ回路までの距離は、それぞれ所定距離r1、r2を超えない。
このように、本発明では複数の信号端子を端子群に分け、端子群ごとにラッチ制御端子が配置される。また、各信号端子およびラッチ制御端子からそれぞれ所定距離を超えない位置にラッチ回路が配置される。これにより、信号端子およびラッチ制御端子からラッチ回路までの信号伝搬による遅延時間を信号間で同等とすることができる。複数のラッチ回路でのラッチ制御において、一連の信号群がラッチ制御信号によりラッチされるタイミングを信号間で同等にすることができる。各端子からラッチ回路までの伝搬遅延時間が記憶装置の仕様上許される最大伝搬遅延時間となる距離を所定距離r1、r2として、信号間のラッチ特性におけるスキューを低減することができ、一連の信号群に対するセットアップ/ホールド時間の改善を図ることができる。
図2は本発明の第1実施形態を示す。チップ1の下辺と上辺の縁辺に端子が配置されている。端子のうち、A0〜A15はアドレス信号が入力される信号端子である。また、黒色で示されるCLK、/CE、/AVDはラッチ制御信号が入力されるラッチ制御端子である。ラッチ制御回路21、22が下辺、上辺それぞれのラッチ制御端子に対して備えられる。ラッチ制御回路21、22からラッチ信号31、32が出力され、それぞれラッチ回路41、42に入力される。2つのラッチ回路41、42の出力はレシーブ回路5に入力される。
下辺のアドレス信号端子A0〜A2は図1で説明された端子群を構成する。アドレス信号端子A0〜A2からラッチ回路41までの距離は、アドレス信号端子A0〜A2からラッチ回路41までの信号配線による伝搬遅延時間が仕様上許される最大伝搬遅延時間となる距離以下とされる。また、下辺のラッチ制御端子CLK、/CE、/AVDからラッチ回路41までの距離は、各ラッチ制御信号が各ラッチ制御端子に入力されラッチ制御回路21を介してラッチ信号31としてラッチ回路41に伝搬するまでの伝搬遅延時間が、仕様上許される最大伝搬遅延時間となる距離以下とされる。
一方、上辺のアドレス信号端子A3〜A15は図1で説明された端子群を構成する。アドレス信号端子A3〜A15からラッチ回路42までの距離は、アドレス信号端子A3〜A15からラッチ回路42までの信号配線による伝搬遅延時間が仕様上許される最大伝搬遅延時間となる距離以下とされる。また、上辺のラッチ制御端子CLK、/CE、/AVDからラッチ回路42までの距離は、各ラッチ制御信号が各ラッチ制御端子に入力されラッチ制御回路22を介してラッチ信号32としてラッチ回路42に伝搬するまでの伝搬遅延時間が、仕様上許される最大伝搬遅延時間となる距離以下とされる。
このように、第1実施形態では複数のアドレス信号端子A0〜A15が2つの端子群に分けられ、端子群ごとにラッチ制御端子CLK、/CE、/AVDが配置される。また、アドレス信号端子A0〜A2からラッチ回路41までの距離およびアドレス信号端子A3〜A15からラッチ回路42までの距離、ならびに下辺のラッチ制御端子CLK、/CE、/AVDからラッチ回路41までの距離および上辺のラッチ制御端子CLK、/CE、/AVDからラッチ回路42までの距離が、それぞれ仕様上許される最大伝搬遅延時間を超えないようにラッチ回路41、42は配置される。
これにより、アドレス信号端子A0〜A15およびラッチ制御端子CLK、/CE、/AVDからラッチ回路41、42までの信号伝搬による遅延時間を信号間で同等とすることができる。複数のラッチ回路41、42でのラッチ制御において、一連のアドレス信号群がラッチ制御信号CLK、/CE、/AVDに応じてラッチ信号31、32によりラッチされるタイミングを信号間で同等にすることができる。各端子からラッチ回路41、42までの伝搬遅延時間が記憶装置の仕様上許される最大伝搬遅延時間となる距離を超えない位置にラッチ回路41、42が配置されて、信号間のラッチ特性におけるスキューを低減することができ、一連のアドレス信号群に対するセットアップ/ホールド時間の改善を図ることができるのは図1で説明した通りである。
図3は、図2に示される第1実施形態について、ラッチ制御回路21、22およびラッチ回路41、42の回路構成の概略を示す図である。ラッチ制御信号CLK、/CE、/AVDおよび同期、非同期のモード切り替えを行うモード信号Modeがラッチ制御回路2に入力される。ラッチ制御回路2は図3に示されるように、例えば複数のインバータ、ANDゲート、モードを切り替えるスイッチを備えて構成される。ラッチ制御回路2からラッチ信号3が出力され、ラッチ回路4に入力される。ラッチ回路4は、複数のアドレス信号の各々に対して、ラッチ回路ユニット401と同一の構成をもつ複数のユニットを備えて構成される。各ラッチ回路ユニットは図3に示されるように、例えばラッチ信号3によりオンオフされるスイッチ、複数のインバータ、出力バッファを備えて構成される。ラッチ回路4の出力はレシーブ回路5に入力される。
このように構成されたラッチ制御回路2によるラッチ信号3の生成、およびラッチ回路4によるアドレス信号の取り込みについて、同期、非同期のモードごとに図4、5を参照して説明する。図4は、同期モードにおけるラッチ制御回路2によるラッチ信号3の生成について、概略を示すタイミングチャートである。同期モードにおいて、ラッチ信号3を制御するラッチ制御信号はCLKと/AVDである。ラッチ制御回路2は、ラッチ制御信号/AVDのLレベルが確保された状態で、ラッチ制御信号CLKの立ち上がりエッジから所定時間のパルス幅でラッチ信号3(Latch)を生成する。すなわち、ラッチ制御信号CLKの立ち上がりエッジからラッチ回路4によるアドレス信号の取り込みが開始され、所定時間経過後にアドレス信号は確定される。
図5は、非同期モードにおけるラッチ制御回路2によるラッチ信号3の生成について、概略を示すタイミングチャートである。非同期モードにおいて、ラッチ信号3を制御するラッチ制御信号は/CEと/AVDである。ラッチ制御回路2は、ラッチ制御信号/AVDのLレベルが確保された状態で、ラッチ制御信号/CEの立ち下がりエッジからラッチ制御信号/AVDの立ち上がりエッジまでの所定時間のパルス幅でラッチ信号3(Latch)を生成する。すなわち、ラッチ制御信号/CEの立ち下がりエッジからラッチ回路4によるアドレス信号の取り込みが開始され、ラッチ制御信号/AVDの立ち上がりエッジでアドレス信号は確定される。
すでに説明されたように本発明では、アドレス信号端子の端子群ごとにラッチ制御信号CLK、/CE、/AVDの入力されるラッチ制御端子が設けられる。これにより同期、非同期どちらのモードにおいてもラッチ特性の向上が図られる。
ここで、特許請求の範囲との対応は以下の通りである。
アドレス信号端子A0〜A15は一連の信号群、およびその各々が入力される複数の信号端子の一例である。
CLK、/CE、/AVDは一連の信号群のラッチ制御を行うラッチ制御信号、およびそれが入力されるラッチ制御端子の一例である。
ラッチ回路4、41、42は複数のラッチ回路の一例である。
ラッチ制御回路2、21、22はラッチ制御回路の一例である。
a1は共通の領域の一例である。
以上、詳細に説明したように、本発明の第1実施形態によれば、動作モードごとに信号群をラッチするラッチ制御信号が異なる場合、各々のラッチ制御信号が入力される各々のラッチ制御端子の配置位置に近接して信号群が入力される信号端子の端子群が配置される。これにより、ラッチ制御信号ごとに、信号群のラッチ動作を信号間で同等のタイミングとして、ラッチ特性の向上が図られる。
また、各端子からラッチ回路までの伝搬遅延時間が記憶装置の仕様上許される最大伝搬遅延時間となる距離を超えない位置にラッチ回路が配置されて、信号間のラッチ特性におけるスキューを低減することができ、一連のアドレス信号群に対するセットアップ/ホールド時間の改善を図ることが可能となる。
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内での種々の改良、変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、一連の信号群としてアドレス信号をラッチする場合について説明したが、これに限定されるものではない。一連の信号群はデータ信号であってもよいことは言うまでもない。
図2では複数のアドレス信号端子A0〜A15が2つの端子群に分けられるが、これに限定されるものではない。2つ以上の端子群に分けられることも当然に考えられる。また、全ての端子群について信号端子から対応するラッチ回路までの距離、および全てのラッチ制御端子から個々のラッチ回路までの距離を、同一の所定距離以内とすることで、全ての端子群および動作モードにおけるラッチ特性を揃えることが可能となる。
ここまで、ラッチ回路は、端子群を構成する各々の信号端子からの距離が所定距離を超えない共通の領域(図1:a1参照)とラッチ制御端子からの距離が所定距離を超えない領域(図1:C10参照)とが重複する領域(図1:a2参照)にまとまって配置されるとして説明された。しかし、これに限定されるものではない。例えば図6に示されるように、各々の信号端子T1〜T3からの距離が所定距離r1以内である共通の領域が存在しない場合でも、T1〜T3を端子群としてラッチ制御端子T10を配置することもできる。その場合は、ラッチ制御端子T10からの距離が所定距離を超えない領域C10の少なくとも一部が、各信号端子T1〜T3からの距離が所定距離を超えない領域C1〜C3のそれぞれの少なくとも一部と重複するようにラッチ制御端子T10を配置する。各信号端子T1〜T3に対応するラッチ回路は信号端子ごとに分けて配置すればよい。信号端子T1に対応するラッチ回路は領域a3(横線部分)に、信号端子T2に対応するラッチ回路は領域a4(ドット部分)に、信号端子T3に対応するラッチ回路は領域a5(縦線部分)にそれぞれ配置すれば、各信号端子T1〜T3およびラッチ制御端子T10からラッチ回路までの距離は所定距離以内となる。したがって、信号端子およびラッチ制御端子からラッチ回路までの信号伝搬による遅延時間を信号間で同等とすることができる。信号間のラッチ特性におけるスキューを低減することができ、一連の信号群に対するセットアップ/ホールド時間の改善を図ることができる。
本発明の記憶装置における端子の配置の一例を示す説明図である。 本発明の第1実施形態を示す図である。 第1実施形態の回路構成の概略を示す図である。 同期モードにおけるラッチ信号生成の概略を示すタイミングチャートである。 非同期モードにおけるラッチ信号生成の概略を示すタイミングチャートである。 本発明の記憶装置における端子の配置について他の例を示す説明図である。 従来例の概略を示す説明図である。
符号の説明
1、10 チップ
2、21、22 ラッチ制御回路
3、31、32 ラッチ信号
4、41、42 ラッチ回路
5 レシーブ回路
11 クロック入力パッド
12 クロック入力バッファ
13、14 クロックドライバ
15 データ入出力ブロック
401 ラッチ回路ユニット
A0〜A15 アドレス信号端子
a1〜a5、C1〜C7、C10 領域
CLK、/AVD、/CE ラッチ制御端子
Mode モード信号
r1、r2 所定距離
T1〜T7、T10 端子

Claims (4)

  1. 一連の信号群のラッチ制御を行うラッチ制御信号が入力されるラッチ制御端子と、
    前記一連の信号群の各々が入力される複数の信号端子と、
    前記複数の信号端子の各々に対して備えられ、前記複数の信号端子からの距離および前記ラッチ制御端子からの距離が、所定距離を超えない位置に配置される複数のラッチ回路とを備えることを特徴とする記憶装置。
  2. 前記複数の信号端子は、各々の前記信号端子からの距離が前記所定距離を超えない共通の領域を有する前記信号端子からなる端子群を構成し、
    前記ラッチ制御端子は、前記ラッチ制御端子からの距離が前記所定距離を超えない領域の少なくとも一部と前記共通の領域の少なくとも一部とが重複するように、前記端子群ごとに配置されることを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
  3. 前記ラッチ制御端子に接続されて前記ラッチ制御信号が入力され、前記ラッチ回路にラッチ信号を出力するラッチ制御回路を備え、
    前記信号端子から前記ラッチ回路までの前記所定距離とは、前記信号端子から前記ラッチ回路までの信号配線による伝搬遅延時間が最大伝搬遅延時間となる距離であり、
    前記ラッチ制御端子から前記ラッチ回路までの前記所定距離とは、前記ラッチ制御信号が前記ラッチ制御端子に入力され前記ラッチ制御回路を介して前記ラッチ信号として前記ラッチ回路に伝搬するまでの伝搬遅延時間が、前記最大伝搬遅延時間となる距離であることを特徴とする請求項1または2に記載の記憶装置。
  4. 前記一連の信号群は、アドレス信号または/およびデータ信号であることを特徴とする請求項1乃至3の少なくとも何れか1項に記載の記憶装置。
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