JP2009151955A - Surface emitting light source and its manufacturing method - Google Patents

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Motonari Okada
元成 岡田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emitting light source with high light utilization efficiency. <P>SOLUTION: The surface emitting light source includes a cathode electrode 17, a luminous layer 11, and an anode electrode layer 15 formed in this order on a substrate 14. The luminous layer 11 is demarcated into a plurality of regions, and a cathode electrode layer 12 having a reflecting surface is formed on a surface opposed to the end face of the luminous layer 11. Thereby, light emitted from the end face of the luminous layer 11 is reflected by the cathode electrode layer 12 and led to an irradiation face. Thereby, light leaked from the end part of the surface emitting light source 1 is utilized as an illumination light to improve utilization efficiency of light. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ＥＬ等の自発光型の発光素子を用いた面発光光源およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a surface-emitting light source using a self-luminous light-emitting element such as an organic EL, and a manufacturing method thereof.

近年注目を浴びている発光素子として、有機ＥＬ素子がある。この素子は、図２２に示したように、一般的に、ガラス基板等の基板１０２上に、カソード電極１０３、発光層１０４および透明電極からなるアノード電極層１０５を順次積層し、あるいはその逆の順で積層して構成される。この種の有機ＥＬ素子は、電極間に電圧を印加し、キャリアを有機ＥＬ層に注入することで発光させることができ、面発光光源としても利用可能である。   There is an organic EL element as a light emitting element which has been attracting attention in recent years. As shown in FIG. 22, this element generally has a cathode electrode 103, a light emitting layer 104 and an anode electrode layer 105 made of a transparent electrode sequentially laminated on a substrate 102 such as a glass substrate, or vice versa. It is constructed by stacking in order. This type of organic EL element can emit light by applying a voltage between electrodes and injecting carriers into the organic EL layer, and can also be used as a surface-emitting light source.

なお、下記特許文献には、表示デバイスとして有機ＥＬを用いて表示面を画素毎に分割した構造が開示されている。   The following patent document discloses a structure in which a display surface is divided for each pixel using an organic EL as a display device.

特許第３８４６８１９号公報Japanese Patent No. 3846819

しかしながら、有機ＥＬ素子を面発光光源として用いる場合には、一般的に、その発光光のうちの多くが、発光層の内部で反射を繰り返しながら、正面ではなく周辺部の端面等に伝播し、そこから外部へ出射されるため、光量のロスが発生する。その光量ロスは、素子構造にもよるが、一般には、８０％にも及ぶこともある。   However, when an organic EL element is used as a surface-emitting light source, in general, most of the emitted light is repeatedly reflected inside the light-emitting layer and propagates to the end face of the peripheral portion, not the front, Since it is emitted to the outside from there, a loss of light amount occurs. The amount of light loss depends on the element structure, but generally it may reach 80%.

また、発光面上に欠陥が存在すると、有機材料を用いて構成されている発光層の性質上、欠陥は経時的に発光面の面方向に成長することが知られている。このため、欠陥が少しでもあるパネルは使用することができない。したがって、仮に単一パネルで大型化を図ろうとした場合、通常の小型パネルの生産ラインと同等の（品質レベルの）生産ラインで生産する限り、歩留は著しく低下する。この傾向はパネルの大型化に従って益々顕著になる。   In addition, it is known that when a defect exists on the light emitting surface, the defect grows in the surface direction of the light emitting surface over time due to the properties of the light emitting layer formed using an organic material. For this reason, a panel with even a few defects cannot be used. Therefore, if an attempt is made to increase the size with a single panel, the yield will be significantly reduced as long as the production is performed on a production line (of a quality level) equivalent to that of a normal small panel. This tendency becomes more pronounced as the panel size increases.

この問題に対処すべく、欠陥のない小型パネルを繋ぎ合わせて大面積の面発光光源を得る方法が考えられる。ところが、この方法では、大型化に伴って接合箇所およびパネル個数が増加するため、生産性の低下は免れない。他の方策として、高い品質レベルの（欠陥発生率の低い）生産ラインを用いて大型パネルを生産する方法も考えられるが、この場合には、生産ラインの構築に要するコストの上昇を招くおそれがある。   In order to cope with this problem, a method of obtaining a surface emitting light source having a large area by connecting small panels having no defect is conceivable. However, in this method, since the number of joints and the number of panels increase with an increase in size, a reduction in productivity is inevitable. As another measure, a method of producing a large panel using a production line with a high quality level (low defect occurrence rate) is also conceivable, but in this case, there is a risk of increasing the cost required to construct the production line. is there.

また、面発光光源では、大型化するに従い、温度分布や透明電極の抵抗が無視できなくなるため、発光面内に輝度むらが発生するおそれもある。   Further, in the surface emitting light source, as the size is increased, the temperature distribution and the resistance of the transparent electrode cannot be ignored.

本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、発光光の利用率の向上および歩留の向上を可能とする面発光光源およびその製造方法、並びに、これらに加えて輝度むらの発生を抑制することができる面発光光源およびその製造方法を提供することにある。   The present invention is intended to solve the above-described problems of the prior art, and its object is to provide a surface-emitting light source capable of improving the utilization rate of emitted light and improving the yield, a manufacturing method thereof, and In addition, an object of the present invention is to provide a surface-emitting light source capable of suppressing the occurrence of luminance unevenness and a method for manufacturing the same.

本発明の面発光光源は、複数の発光領域に区画された発光層と、互いに隣り合う発光領域の間の領域に形成され、発光層から出射された光を反射する反射構造とを備えたものである。   A surface-emitting light source according to the present invention includes a light-emitting layer partitioned into a plurality of light-emitting regions and a reflective structure that is formed in a region between adjacent light-emitting regions and reflects light emitted from the light-emitting layer. It is.

本発明の面発光光源では、発光層が複数の発光領域に区画されているので、一部の発光領域に生じた欠陥が他の発光領域に影響を与えることがない。また、ある発光層で発した光のうち隣の発光領域に向かう成分は、反射構造によって反射されるので、その光が発光層内部を次々と伝播して最外端面から外部に漏れ出ることが抑制される。   In the surface emitting light source of the present invention, since the light emitting layer is partitioned into a plurality of light emitting regions, defects generated in some light emitting regions do not affect other light emitting regions. In addition, the component of the light emitted from a certain light-emitting layer toward the adjacent light-emitting region is reflected by the reflecting structure, so that the light propagates one after another through the light-emitting layer and leaks from the outermost end surface to the outside. It is suppressed.

特に、反射構造が、発光層の積層面と交差する方向に延びる反射面を有するようにした場合には、ある発光領域から隣の発光領域へ向かう光の少なくとも一部が元の発光領域の方向へ戻され、あるいは、発光層の積層面と交差する方向（被照射面の方向）に向かうようになる。   In particular, when the reflecting structure has a reflecting surface extending in a direction intersecting the laminated surface of the light emitting layer, at least part of the light traveling from one light emitting region to the next light emitting region is the direction of the original light emitting region. Or in a direction intersecting the laminated surface of the light emitting layer (direction of irradiated surface).

さらに、特に、発光層を上下から透明電極および金属電極により挟むようにした場合には、上面発光型の面発光光源が得られる。この場合、各発光領域の発光層端面から出射した光は、反射構造の反射面によって反射され、最終的に上側の透明電極を透過して本来の被照射面を照射する。一方、基板を透明基板で構成すると共に、発光層を上下から金属電極および透明電極により挟むようにした場合には、下面発光型の面発光光源が得られる。この場合、各発光領域の発光層端面から出射した光は、反射構造の反射面によって反射され、最終的に下側の透明電極および透明基板を透過して本来の被照射面を照射する。   Furthermore, in particular, when the light emitting layer is sandwiched between the transparent electrode and the metal electrode from above and below, a top emission type surface emitting light source can be obtained. In this case, the light emitted from the end face of the light emitting layer in each light emitting region is reflected by the reflecting surface of the reflecting structure, and finally passes through the upper transparent electrode to irradiate the original irradiated surface. On the other hand, when the substrate is made of a transparent substrate and the light emitting layer is sandwiched between the metal electrode and the transparent electrode from above and below, a bottom emission surface emitting light source can be obtained. In this case, the light emitted from the end face of the light emitting layer in each light emitting region is reflected by the reflecting surface of the reflecting structure, and finally passes through the lower transparent electrode and the transparent substrate to irradiate the original irradiated surface.

また、透明電極に接するように金属からなる補助電極を追加配設し、あるいは、透明電極に接するように反射構造としての金属隔壁を設けるようにした場合には、透明電極の配線抵抗が低減される。これより、大きい面積の面発光光源であっても電圧降下が低減され、電極間印加電圧が発光領域間で異なることが抑制される。   In addition, when an auxiliary electrode made of metal is additionally provided so as to be in contact with the transparent electrode, or a metal partition as a reflective structure is provided so as to be in contact with the transparent electrode, the wiring resistance of the transparent electrode is reduced. The As a result, even in the case of a surface emitting light source having a large area, the voltage drop is reduced, and the applied voltage between the electrodes is prevented from being different between the light emitting regions.

また、透明基板上に形成された透明電極層の上に発光層を形成し、各発光領域における発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように透明電極層上に透明絶縁層を立設し、発光層および透明絶縁層の表面を覆うように金属電極層を形成すると共に、金属電極層の一部が反射構造を兼ねるようにした場合には、下面発光型の面発光光源が得られる。この場合には、反射構造としての隔壁（金属隔壁）を別途設ける必要がない。 In addition, a light emitting layer is formed on the transparent electrode layer formed on the transparent substrate, and a transparent insulating layer is erected on the transparent electrode layer so as to surround the light emitting layer in contact with the outer peripheral end face of the light emitting layer in each light emitting region. When the metal electrode layer is formed so as to cover the surfaces of the light emitting layer and the transparent insulating layer, and a part of the metal electrode layer also serves as a reflection structure, a bottom emission type surface emitting light source can be obtained. . In this case, it is not necessary to separately provide a partition (metal partition) as a reflective structure.

本発明の第１の面発光光源の製造方法は、基板上に金属電極層を形成する工程と、金属電極層における互いに離間した複数の領域をそれぞれ所定の深さまでエッチングして複数の凹部とこれらの凹部間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、金属電極層の各凹部の底面に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように透明電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、基板上に形成した金属電極層に複数の凹部が形成され、各凹部の底面に発光層が形成される。隣り合う凹部間の金属電極層部分が金属隔壁となる。透明電極層は、発光層と接触すると共に、金属隔壁上においては透明絶縁層を介してその上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた上面発光型の面発光光源が得られる。 The first surface-emitting light source manufacturing method according to the present invention includes a step of forming a metal electrode layer on a substrate, a plurality of spaced apart regions in the metal electrode layer to a predetermined depth, and a plurality of recesses. Forming a metal partition that separates the recesses of the metal, a step of forming a transparent insulating layer so as to cover from the upper surface of the metal partition to the side wall, and forming a light emitting layer on the bottom surface of each recess of the metal electrode layer And a step of forming a transparent electrode layer so as to cover from the light emitting layer to the transparent insulating layer.
In this method for manufacturing a surface light source, a plurality of recesses are formed in a metal electrode layer formed on a substrate, and a light emitting layer is formed on the bottom surface of each recess. A metal electrode layer portion between adjacent recesses becomes a metal partition. The transparent electrode layer is formed to be in contact with the light emitting layer and to extend on the metal partition via a transparent insulating layer. As a result, a top emission type surface emitting light source having a metal partition functioning as a reflecting structure is obtained.

本発明の第２の面発光光源の製造方法は、透明基板上に透明電極層を形成する工程と、透明電極層上に金属層を形成する工程と、金属層を透明電極層に達するまで選択的にエッチングして、透明電極層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、露出領域に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した透明電極層の上に金属隔壁が選択的に形成されると共に、この金属隔壁およびこれを覆う透明絶縁層によって取り囲まれた領域の透明電極層上に発光層が形成される。金属電極層は、発光層と接触すると共に、金属隔壁上においては透明絶縁層を介してその上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた下面発光型の面発光光源が得られる。 The manufacturing method of the 2nd surface emitting light source of this invention selects the process of forming a transparent electrode layer on a transparent substrate, the process of forming a metal layer on a transparent electrode layer, and a metal layer until it reaches a transparent electrode layer Etching to form a plurality of regions where the transparent electrode layer is exposed and a metal partition separating the regions, and forming a transparent insulating layer so as to cover from the upper surface to the side wall of the metal partition A step, a step of forming a light emitting layer in the exposed region, and a step of forming a metal electrode layer so as to cover from the light emitting layer to the transparent insulating layer.
In this method for manufacturing a surface-emitting light source, a metal partition is selectively formed on a transparent electrode layer formed on a transparent substrate, and a transparent electrode in a region surrounded by the metal partition and a transparent insulating layer covering the metal partition A light emitting layer is formed on the layer. The metal electrode layer is formed so as to be in contact with the light emitting layer and to extend on the metal partition via a transparent insulating layer. As a result, a bottom emission type surface emitting light source having a metal partition functioning as a reflecting structure is obtained.

本発明の第３の面発光光源の製造方法は、透明基板上に透明電極層を形成する工程と、透明電極層上の互いに離間した複数の領域をそれぞれ取り囲むように、透明電極層上に透明絶縁層を形成する工程と、透明電極層上の複数の領域の各々に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程とを含み、透明絶縁層が、発光層よりも大きい膜厚を有し複数の領域の各々を取り囲む第１の部分と、発光層よりも小さい膜厚を有し第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体をなす第２の部分とを含むようにするものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した透明電極層の上に透明絶縁層が選択的に形成されると共に、この透明絶縁層によって取り囲まれた領域の透明電極層上に発光層が形成される。金属電極層は、発光領域では発光層と接触すると共に、発光領域間では透明絶縁層上に延在するように形成される。透明絶縁層は、発光層よりも厚い膜厚をもって発光層を取り囲む内側部分（第１の部分）と、発光層よりも薄い外側部分（第２の部分）とを含むように形成される。この結果、上側の電極である金属電極層が反射構造を兼ねる下面発光型の面発光光源が得られる。 The third surface-emitting light source manufacturing method of the present invention includes a step of forming a transparent electrode layer on a transparent substrate, and a transparent surface on the transparent electrode layer so as to surround a plurality of regions separated from each other on the transparent electrode layer. Including a step of forming an insulating layer, a step of forming a light emitting layer in each of a plurality of regions on the transparent electrode layer, and a step of forming a metal electrode layer so as to cover from the light emitting layer to the transparent insulating layer. The insulating layer has a larger thickness than the light emitting layer and surrounds each of the plurality of regions, and the insulating layer has a smaller thickness than the light emitting layer and surrounds the outer periphery of the first portion. And a second portion forming an integral part.
In this method of manufacturing a surface light source, a transparent insulating layer is selectively formed on a transparent electrode layer formed on a transparent substrate, and a light emitting layer is formed on the transparent electrode layer in a region surrounded by the transparent insulating layer. Is formed. The metal electrode layer is formed to be in contact with the light emitting layer in the light emitting region and to extend on the transparent insulating layer between the light emitting regions. The transparent insulating layer is formed so as to include an inner portion (first portion) surrounding the light emitting layer with a thickness greater than that of the light emitting layer, and an outer portion (second portion) thinner than the light emitting layer. As a result, a bottom emission type surface emitting light source is obtained in which the metal electrode layer as the upper electrode also serves as a reflection structure.

本発明の第４の面発光光源の製造方法は、基板上に金属電極層を形成する工程と、金属電極層上に不透明絶縁層を形成する工程と、不透明絶縁層上に金属層を形成する工程と、金属層を不透明絶縁層に達するまで選択的にエッチングして、不透明絶縁層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、上記複数の領域に露出している不透明絶縁層を除去して金属電極層を露出させる工程と、金属隔壁の側壁面を覆うように透明絶縁層を形成する工程と、不透明絶縁層が除去された領域の金属電極層上に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層を経由して金属隔壁までを覆うように透明電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した金属電極層の上に絶縁層を介して金属層が形成されると共に、この絶縁層をエッチングストッパとして金属層が選択的にエッチングされる。この金属層のエッチング後の残余部分が金属隔壁となる。こののち、露出している絶縁層が除去されて金属電極層が露出し、金属隔壁の側壁面が透明絶縁層で覆われた後、露出した金属電極層上に発光層が形成される。透明電極層は、発光領域では発光層と接触すると共に、発光領域間では透明絶縁層および金属隔壁上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた上面発光型の面発光光源が得られる。この場合、金属隔壁は透明電極層と接触する金属配線としても機能するので、透明電極の配線抵抗が低減される。 The fourth surface emitting light source manufacturing method of the present invention includes a step of forming a metal electrode layer on a substrate, a step of forming an opaque insulating layer on the metal electrode layer, and a metal layer on the opaque insulating layer. A step of selectively etching the metal layer until it reaches the opaque insulating layer to form a plurality of regions where the opaque insulating layer is exposed and a metal partition separating the regions; and Removing the exposed opaque insulating layer to expose the metal electrode layer; forming a transparent insulating layer so as to cover the side wall surface of the metal partition; and the metal electrode layer in the region where the opaque insulating layer is removed The method includes a step of forming a light emitting layer thereon and a step of forming a transparent electrode layer so as to cover the metal partition through the transparent insulating layer from the light emitting layer.
In this surface emitting light source manufacturing method, a metal layer is formed on a metal electrode layer formed on a transparent substrate via an insulating layer, and the metal layer is selectively etched using the insulating layer as an etching stopper. . The remaining part of the metal layer after etching becomes a metal partition. Thereafter, the exposed insulating layer is removed to expose the metal electrode layer, and the side wall surface of the metal partition wall is covered with the transparent insulating layer, and then a light emitting layer is formed on the exposed metal electrode layer. The transparent electrode layer is formed to be in contact with the light emitting layer in the light emitting region and to extend on the transparent insulating layer and the metal partition between the light emitting regions. As a result, a top emission type surface emitting light source having a metal partition functioning as a reflecting structure is obtained. In this case, since the metal partition also functions as a metal wiring that contacts the transparent electrode layer, the wiring resistance of the transparent electrode is reduced.

本発明の面発光光源によれば、発光層を複数の発光領域に区画するようにしたので、一部の発光領域に生じた欠陥が他の発光領域にまで拡大することがない。また、互いに隣り合う発光領域の間の領域に反射構造を設けるようにしたので、発光した光の光利用効率を高めることができる。   According to the surface emitting light source of the present invention, since the light emitting layer is partitioned into a plurality of light emitting regions, defects generated in some of the light emitting regions do not expand to other light emitting regions. In addition, since the reflection structure is provided in the region between the light emitting regions adjacent to each other, the light use efficiency of the emitted light can be increased.

特に、透明電極に接するように金属からなる補助電極を追加配設し、あるいは、透明電極に接するように反射構造としての金属隔壁を設けるようにした場合には、透明電極の配線抵抗が低減されるので、大きい面積の面発光光源であっても発光輝度むらを低減することができる。   In particular, when an auxiliary electrode made of metal is additionally provided so as to be in contact with the transparent electrode, or a metal partition as a reflective structure is provided so as to be in contact with the transparent electrode, the wiring resistance of the transparent electrode is reduced. Therefore, even if it is a surface emitting light source with a large area, the light emission luminance unevenness can be reduced.

また、発光面側（透明電極側）にレンズ層を形成した場合には、発光面から出射した光を効率よく被照射面に導くことができ、光利用効率をさらに高めることもできる。   Further, when the lens layer is formed on the light emitting surface side (transparent electrode side), the light emitted from the light emitting surface can be efficiently guided to the irradiated surface, and the light utilization efficiency can be further increased.

また、各発光領域の発光層を取り囲むように透明電極層上に透明絶縁層を立設し、発光層および透明絶縁層の表面を覆うように金属電極層を形成すると共に、金属電極層の一部が反射構造を兼ねるようにした場合には、反射構造としての隔壁（金属隔壁）を別途設ける必要がないので、プロセスが簡単になる。   In addition, a transparent insulating layer is erected on the transparent electrode layer so as to surround the light emitting layer in each light emitting region, and the metal electrode layer is formed so as to cover the surfaces of the light emitting layer and the transparent insulating layer. When the portion also serves as a reflection structure, it is not necessary to separately provide a partition (metal partition) as the reflection structure, so that the process is simplified.

本発明の第１ないし第４の面発光光源の製造方法によれば、複数の発光領域に区画された発光層と、各発光領域の発光層を取り囲む反射構造（金属隔壁または金属電極層）とを備えた面発光光源が得られる。このため、一部の発光領域の発光層に発生した欠陥が面発光光源全体に拡大するのを抑制して製造歩留を高めることができると共に、発生光が発光層内部を外部へと伝播して失われるのを抑制して光利用効率を高めることができる。 According to the first to fourth surface emitting light source manufacturing methods of the present invention, a light emitting layer partitioned into a plurality of light emitting regions, and a reflective structure (metal partition wall or metal electrode layer) surrounding the light emitting layers of each light emitting region, Is obtained. For this reason, it is possible to increase the manufacturing yield by suppressing the defects generated in the light emitting layer in a part of the light emitting region from spreading to the entire surface emitting light source, and the generated light propagates inside the light emitting layer to the outside. It is possible to increase the light use efficiency by suppressing the loss.

特に、第４の面発光光源の製造方法によれば、透明基板上に形成した金属電極層の上に絶縁層を介して金属層を形成し、この絶縁層をエッチングストッパとして金属層を選択的にエッチングして非エッチング領域に金属隔壁を形成すると共に、その後、エッチングストッパ（絶縁層）を除去して金属電極層を露出させるようにしたので、金属電極層の膜厚および金属隔壁の高さを高精度に制御することができる。しかも、金属隔壁は、後に形成する透明電極層と接触する金属配線としても機能するので、透明電極層の配線抵抗が低減され、面発光光源全体における発光輝度むらを抑制することができる。   In particular, according to the fourth method for manufacturing a surface emitting light source, a metal layer is formed on a metal electrode layer formed on a transparent substrate via an insulating layer, and the metal layer is selectively used as an etching stopper. Etching was performed to form a metal barrier in the non-etched region, and then the etching stopper (insulating layer) was removed to expose the metal electrode layer, so that the thickness of the metal electrode layer and the height of the metal barrier Can be controlled with high accuracy. In addition, the metal partition wall also functions as a metal wiring that comes into contact with a transparent electrode layer that will be formed later, so that the wiring resistance of the transparent electrode layer is reduced, and uneven emission luminance in the entire surface emitting light source can be suppressed.

以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、単に実施の形態という。）について、図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention (hereinafter simply referred to as an embodiment) will be described in detail with reference to the drawings.

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る面発光光源の平面構造を表すものであり、図２は、この面発光光源における１つの発光セル（発光領域）のＡ−Ａ矢視断面構造（を表すものである。面発光光源１は、上面発光型（トップ・エミッション型）の面発光光源として構成されたものであり、図１に示したように、複数の発光セルを有する。図２に示したように、この面発光光源１は、基板１４上に、カソード電極層１２、発光層１１およびアノード電極層１５を順次積層した構造を有する。カソード電極層１２の中央部（発光領域）には凹部が形成され、この凹部の底部に発光層１１が形成されている。カソード電極層１２のうち、発光層１１を取り囲む部分（隣の発光領域との間の領域）は、反射構造としての隔壁１６を構成している。発光層１１と隔壁１６との間には、透明絶縁層１３が形成されている。この透明絶縁層１３は、隔壁１６上にまで延びている。発光層１１および透明絶縁層１３の上面には、アノード電極層１５が形成されている。すなわち、発光層１１は隔壁１６および透明絶縁層１３によって複数の発光セルに区画されている。 [First Embodiment]
FIG. 1 shows a planar structure of a surface-emitting light source according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows an AA arrow of one light-emitting cell (light-emitting region) in this surface-emitting light source. The cross-sectional structure (represents a surface emission light source 1) is configured as a top emission type (top emission type) surface emission light source, and has a plurality of light emitting cells as shown in FIG. 2, the surface-emitting light source 1 has a structure in which a cathode electrode layer 12, a light-emitting layer 11, and an anode electrode layer 15 are sequentially laminated on a substrate 14. A central portion of the cathode electrode layer 12 ( In the light emitting region, a concave portion is formed, and a light emitting layer 11 is formed at the bottom of the concave portion.A portion of the cathode electrode layer 12 surrounding the light emitting layer 11 (region between the adjacent light emitting region) is The partition 16 is formed as a reflective structure. A transparent insulating layer 13 is formed between the light emitting layer 11 and the partition 16. The transparent insulating layer 13 extends to the partition 16. On the upper surfaces of the light emitting layer 11 and the transparent insulating layer 13, the transparent insulating layer 13 is formed. The anode electrode layer 15 is formed, that is, the light emitting layer 11 is partitioned into a plurality of light emitting cells by the partition walls 16 and the transparent insulating layer 13.

基板１４としては、例えば、ガラスなどの透明（光透過性）材料により構成されるが、これには限定されず、例えば樹脂基板やセラミック基板等の不透明基板も利用可能である。   The substrate 14 is made of, for example, a transparent (light transmissive) material such as glass, but is not limited thereto. For example, an opaque substrate such as a resin substrate or a ceramic substrate can be used.

カソード電極層１２は、発光層１１に電圧を印加するための一方の電極であり、すべての発光セルに共通に延在している。カソード電極層１２は、光反射率の高い導電性材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料が利用可能である。カソード電極層１２の凹部領域は、例えば１μｍ程度の膜厚を有する。   The cathode electrode layer 12 is one electrode for applying a voltage to the light emitting layer 11 and extends in common to all the light emitting cells. The cathode electrode layer 12 can be made of a conductive material having a high light reflectivity, for example, a metal material such as aluminum (Al), silver (Ag), or titanium (Ti). The recessed area of the cathode electrode layer 12 has a film thickness of, for example, about 1 μm.

発光層１１は、外部からアノード電極層１５とカソード電極層１２との間に印加された電圧に応じて光を発するものであり、例えば、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）材料を用いて構成可能である。但し、これに限定されず、それ以外にも、例えば、無機ＥＬ材料が利用可能である。また、発光層１１の形状は、図１では円形であるが、これには限定されず、隔壁１６の形状に合わせて、例えば三角形、四角形、六角形等にしてもよい。なお、発光層１１は、例えば２００ｎｍ程度の膜厚を有することが好ましい。また、互いに隣接する発光セルの中心間距離ｄは、例えば１ｍｍ程度とすることができるが、これには限定されない。   The light emitting layer 11 emits light according to a voltage applied between the anode electrode layer 15 and the cathode electrode layer 12 from the outside, and can be configured using, for example, an organic EL (Organic Electro-Luminescence) material. It is. However, it is not limited to this, In addition, for example, an inorganic EL material can be used. Moreover, although the shape of the light emitting layer 11 is circular in FIG. 1, it is not limited to this, For example, according to the shape of the partition 16, you may make it a triangle, a square, a hexagon, etc. In addition, it is preferable that the light emitting layer 11 has a film thickness of about 200 nm, for example. Further, the distance d between the centers of the light emitting cells adjacent to each other can be, for example, about 1 mm, but is not limited thereto.

アノード電極層１５は、発光層１１に電圧を印加するための他方の電極であり、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）などの透明導電材料により構成されている。このアノード電極層１５は、すべての発光セルの発光層１１および絶縁層１３を覆うようにして発光面全体に配設されている。アノード電極層１５は、全発光領域に同時に一様な電圧が印加されることを確保すべく、配線抵抗が大きくならないように十分な膜厚を有することが好ましい。   The anode electrode layer 15 is the other electrode for applying a voltage to the light emitting layer 11 and is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO). The anode electrode layer 15 is disposed on the entire light emitting surface so as to cover the light emitting layer 11 and the insulating layer 13 of all the light emitting cells. The anode electrode layer 15 preferably has a sufficient film thickness so that the wiring resistance does not increase in order to ensure that a uniform voltage is simultaneously applied to the entire light emitting region.

隔壁１６は、アノード電極層１５の一部をなすものであり、発光層１１を個々の発光セルに区画すると共に、発光層１１で発生した光を反射して所定の方向に導くものである。隔壁１６の高さは、発光層１１の高さ（膜厚）よりも高く（厚く）することが好ましく、例えば、１μｍ程度の膜厚に形成される。隔壁１６は、図１に示したように正六角形形状に形成されている。これにより、円形に形成された発光層１１を比較的高密度（高効率）で収容することができる。なお、隔壁１６の壁厚ｌは、例えば３μｍ程度である。   The partition wall 16 forms a part of the anode electrode layer 15, partitions the light emitting layer 11 into individual light emitting cells, and reflects the light generated in the light emitting layer 11 to guide it in a predetermined direction. The height of the partition wall 16 is preferably higher (thicker) than the height (film thickness) of the light emitting layer 11, and is formed to have a film thickness of about 1 μm, for example. The partition wall 16 is formed in a regular hexagonal shape as shown in FIG. Thereby, the light emitting layer 11 formed in a circle can be accommodated at a relatively high density (high efficiency). The wall thickness l of the partition wall 16 is, for example, about 3 μm.

絶縁層１３ は、カソード電極層１２とアノード電極層１５との間の絶縁状態を確保するものである。この絶縁層１３は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）または窒化ケイ素（ＳｉＮ）等の絶縁材料、もしくは感光性ＳＯＧ（Spin-On-Glass）等の塗布型感光性絶縁材料により構成可能である。 The insulating layer 13 ensures an insulating state between the cathode electrode layer 12 and the anode electrode layer 15. The insulating layer 13 can be made of, for example, an insulating material such as silicon dioxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN), or a coating type photosensitive insulating material such as photosensitive SOG (Spin-On-Glass).

続いて、図３参照して面発光光源１の作用について説明する。   Next, the operation of the surface emitting light source 1 will be described with reference to FIG.

発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ１）がアノード電極層１５を透過して被照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ２）は、発光層１１の端面から出射し、隔壁１６の側面（反射面１８Ａ）で反射したのち、アノード電極層１５を透過して被照射面を照射する。すなわち、出射光の端面方向成分ｔ２が面発光光源１の最外周辺部にまで伝播し、その端部から漏出することが抑制される。これにより、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。 Most of the light emitted by the light emitting layer 11 (front direction component t 1 ) passes through the anode electrode layer 15 and is emitted to the irradiated surface side. On the other hand, the other part (end surface direction component t 2 ) is emitted from the end surface of the light emitting layer 11, reflected by the side surface (reflecting surface 18 A) of the partition wall 16, and then transmitted through the anode electrode layer 15 to pass through the irradiated surface. Irradiate. That is, the end face direction component t 2 of the emitted light propagates up to the outermost peripheral portion of the surface-emitting light source 1, it is prevented from leaking from the end. Thereby, the light use efficiency can be increased and the light emission luminance can be improved.

また、発光層を複数の発光領域に区画し、各発光領域毎に隔絶するようにしたので、いずれかの発光セルの発光層に欠陥が生じた場合であっても、それが他の発光セルに転移することがなく、面発光光源１の面方向への欠陥の成長が抑制される。したがって、小型の有機ＥＬ素子を製造する通常品質レベルの生産ラインを用いた場合であっても、
大型の面発光光源の製造歩留りを高めることができる。 In addition, since the light emitting layer is divided into a plurality of light emitting regions and is separated for each light emitting region, even if a defect occurs in the light emitting layer of any one of the light emitting cells, that is the case with other light emitting cells. And the growth of defects in the surface direction of the surface-emitting light source 1 is suppressed. Therefore, even when using a production line of a normal quality level for producing small organic EL elements,
The production yield of a large surface emitting light source can be increased.

以下、本実施の形態の変形例について説明する。   Hereinafter, modifications of the present embodiment will be described.

（変形例１−１）
本変形例は、図４に示したように、カソード電極層１２の一部をなす隔壁１６Ａが勾配を有するようにしたものである。その他の構成は、図２と同様である。隔壁１６Ａが勾配を有することで、隔壁１６Ａによって反射された光は、被照射面に向かって進行しやすくなり、光の利用効率が高まる。なお、「被照射面」とは、面発光光源１が光を照射する対象となる面をいい、図２の例ではアノード電極層１５と対向する面である。 (Modification 1-1)
In the present modification, as shown in FIG. 4, the partition 16A forming a part of the cathode electrode layer 12 has a gradient. Other configurations are the same as those in FIG. Since the partition wall 16A has a gradient, the light reflected by the partition wall 16A easily travels toward the irradiated surface, and the light use efficiency is increased. The “irradiated surface” refers to a surface to which the surface emitting light source 1 emits light, and is a surface facing the anode electrode layer 15 in the example of FIG.

（変形例１−２）
本変形例の面発光光源１Ａは、図５Ａに示したように、透明絶縁層１３とアノード電極層１５Ａとの間に、例えばアルミニウム、銀等の金属からなる補助電極１９を備えている。その他の構成は図２と同様である。この補助電極１９は、アノード電極層１５と電気的に接続された低抵抗の金属配線であるため、アノード電極層１５Ａの配線抵抗を軽減するように作用する。このため、カソード電極層とアノード電極層との間に印加される電圧の降下を抑制することができ、面発光光源１の中央部に印加される電圧の損失を抑制し、発光面内における発光輝度を均一にすることができる。
なお、図５Ｂに示したように、補助電極１９Ａを発光層１１（発光部分）の上部を除くアノード電極層１５の上面に形成しても同様の効果が得られる。 (Modification 1-2)
As shown in FIG. 5A, the surface-emitting light source 1A of this modification includes an auxiliary electrode 19 made of a metal such as aluminum or silver between the transparent insulating layer 13 and the anode electrode layer 15A. Other configurations are the same as those in FIG. Since the auxiliary electrode 19 is a low-resistance metal wiring electrically connected to the anode electrode layer 15, the auxiliary electrode 19 acts to reduce the wiring resistance of the anode electrode layer 15A. For this reason, the fall of the voltage applied between a cathode electrode layer and an anode electrode layer can be suppressed, the loss of the voltage applied to the center part of the surface emitting light source 1 is suppressed, and light emission in the light emission surface is carried out. The brightness can be made uniform.
As shown in FIG. 5B, the same effect can be obtained by forming the auxiliary electrode 19A on the upper surface of the anode electrode layer 15 excluding the upper portion of the light emitting layer 11 (light emitting portion).

（変形例１−３）
本変形例は、上記面発光光源１に出射方向を制御する機構を加えたものである。面発光光源１Ｂは、図６Ａに示したように、アノード電極層１５の上面に、出射方向を制御するマイクロレンズ２０とを備えている。このマイクロレンズ２０を発光層１１の上部（光取出し部分）に設けることで、出射光を照射面に集光し、光利用効率を高めることができる。 (Modification 1-3)
In this modification, a mechanism for controlling the emission direction is added to the surface-emitting light source 1. As illustrated in FIG. 6A, the surface light source 1 </ b> B includes a microlens 20 that controls the emission direction on the upper surface of the anode electrode layer 15. By providing the microlens 20 on the upper portion (light extraction portion) of the light emitting layer 11, the emitted light can be condensed on the irradiation surface, and the light utilization efficiency can be improved.

また、本変形例のマイクロレンズ２０と変形例２の補助電極１９とを組み合わせるようにしてもよい。図６Ｂに示したように、透明絶縁層１３とアノード電極層１５Ａとの間に補助電極１９を形成し、かつ、アノード電極層１５Ａの上面にマイクロレンズ２０を形成する。この場合には、面発光光源の光利用効率を高めると共に、発光面全体における発光輝度の均一性を確保することができる。   Further, the microlens 20 of the present modification and the auxiliary electrode 19 of the modification 2 may be combined. As shown in FIG. 6B, the auxiliary electrode 19 is formed between the transparent insulating layer 13 and the anode electrode layer 15A, and the microlens 20 is formed on the upper surface of the anode electrode layer 15A. In this case, it is possible to increase the light use efficiency of the surface emitting light source and to ensure the uniformity of the light emission luminance over the entire light emitting surface.

（変形例１−４）
本変形例は、基板自体がカソード電極および反射構造をも兼用するようにしたものである。本変形例の面発光光源１Ｃは、図７に示したように、基板２４と、発光層１１と、透明絶縁層１３と、アノード電極層１５とを備えている。基板２４は、カソード電極１７および隔壁１６を兼ねており、上記実施の形態（図２）のカソード電極と同様の材料により形成されている。このように、基板２４がカソード電極１７および隔壁１６をも兼用するようにすることにより、成膜プロセスを減らし簡略化することができる。 (Modification 1-4)
In this modification, the substrate itself also serves as a cathode electrode and a reflection structure. As illustrated in FIG. 7, the surface-emitting light source 1 </ b> C of this modification includes a substrate 24, a light emitting layer 11, a transparent insulating layer 13, and an anode electrode layer 15. The substrate 24 also serves as the cathode electrode 17 and the partition wall 16, and is formed of the same material as the cathode electrode of the above embodiment (FIG. 2). Thus, by making the substrate 24 also serve as the cathode electrode 17 and the partition wall 16, the film forming process can be reduced and simplified.

次に、図８を参照して、図２に示した面発光光源１の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the surface-emitting light source 1 shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG.

まず、図８（Ａ）に示したように、基板１４の上に、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition；物理気相成長）により、カソード電極となる膜厚１μｍ程度のＡｌ層を形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィ法などのエッチング技術ないしはレーザ加工等の微細加工技術により、Ａｌ層の一部（発光層１１を形成するために必要部分）を除去して凹部２８および隔壁１６を形成する。隔壁１６の高さは、後述する発光層１３の膜厚よりも大きくする。なお、Ａｌ層の形成には、製造方法は異なるが、上記ＰＶＤ以外にもＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法が利用可能である。   First, as shown in FIG. 8A, an Al layer having a thickness of about 1 μm serving as a cathode electrode is formed on the substrate 14 by, for example, PVD (Physical Vapor Deposition). Subsequently, the recess 28 and the partition 16 are formed by removing a part of the Al layer (a part necessary for forming the light emitting layer 11) by an etching technique such as photolithography or a fine processing technique such as laser processing. . The height of the partition 16 is made larger than the film thickness of the light emitting layer 13 to be described later. For the formation of the Al layer, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method can be used in addition to the PVD, although the manufacturing method is different.

次に、図８（Ｂ）に示したように、隔壁１６の上に、例えばＣＶＤ法やＰＶＤ法により膜厚１５０ｎｍ程度のＳｉＯ２層（透明絶縁層１３）を形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィ法などのエッチング技術またはレーザ加工等の微細加工技術により、透明絶縁層１３の一部を除去して凹部２８の表面を露出させる。 Next, as shown in FIG. 8B, an SiO 2 layer (transparent insulating layer 13) having a thickness of about 150 nm is formed on the partition wall 16 by, for example, a CVD method or a PVD method. Subsequently, the surface of the concave portion 28 is exposed by removing a part of the transparent insulating layer 13 by an etching technique such as a photolithography method or a fine processing technique such as laser processing.

次に、図８（Ｃ）に示したように、カソード電極層１２の凹部底面（透明絶縁層１３に囲まれた領域）に、例えばインクジェットやレーザ転写等により膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。   Next, as shown in FIG. 8C, the light emitting layer 11 having a thickness of about 200 nm is formed on the bottom surface of the recess of the cathode electrode layer 12 (region surrounded by the transparent insulating layer 13) by, for example, ink jet or laser transfer. Form.

次に、図８（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３の上面（発光面全体）に、アノード電極層１５を形成する。   Next, as shown in FIG. 8D, the anode electrode layer 15 is formed on the top surfaces (entire light emitting surfaces) of the light emitting layer 11 and the transparent insulating layer 13.

以上の工程により、面発光光源１を形成することができる。説明を省略したが、この面発光光源１には、上記方法により複数の発光領域が形成される。このとき、隣接する発光領域の間の距離ｄは、例えば１ｍｍ程度である。   The surface emitting light source 1 can be formed by the above steps. Although not described, a plurality of light emitting areas are formed in the surface emitting light source 1 by the above method. At this time, the distance d between adjacent light emitting regions is, for example, about 1 mm.

本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、面発光光源１の発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、面発光光源１内の一部に欠陥が発生した場合であっても、その欠陥の面方向における成長を抑制することができ、その製造歩留を高めることができる。   In the method for manufacturing the surface-emitting light source according to the present embodiment, the light-emitting surface of the surface-emitting light source 1 is formed by dividing it into a plurality of light-emitting regions, so that a defect occurs in a part of the surface-emitting light source 1. Even if it is a case, the growth in the surface direction of the defect can be suppressed, and the manufacturing yield can be increased.

特に、面発光光源を大面積化する場合には、欠陥の発生を考慮した小型の光源パネルを複数作製し、それらを繋ぎ合わせる等の作業が不要となり、生産性を高めることができる。   In particular, when the area of the surface emitting light source is increased, it is not necessary to produce a plurality of small light source panels in consideration of the occurrence of defects and to connect them, thereby increasing productivity.

また、発光層１１の下面にカソード電極１２を形成し、その上面にアノード電極層１５を形成するようにしたので、トップ・エミッション型の面発光光源を形成することができる。   Further, since the cathode electrode 12 is formed on the lower surface of the light emitting layer 11 and the anode electrode layer 15 is formed on the upper surface thereof, a top emission type surface emitting light source can be formed.

［第２の実施の形態］
続いて、本発明の第２の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、下面発光型（ボトム・エミッション型）の面発光光源として構成したものであり、アノード電極とカソード電極がそれぞれ反対側に設けられ、かつ、隔壁とカソード電極が別体となっている。上述した第１の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。 [Second Embodiment]
Then, the structure of the surface emitting light source of the 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. The surface emitting light source of this embodiment is configured as a bottom emission type (bottom emission type) surface emitting light source, and an anode electrode and a cathode electrode are provided on opposite sides, and a partition wall and a cathode electrode are provided. It is a separate body. The same parts as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図９は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源２は、基板３４と、アノード電極層１５Ｂと、隔壁１６Ｂと、発光層１１と、透明絶縁層１３と、カソード電極１７Ａとを備えている。基板３４の上には、アノード電極層１５Ｂが形成されている。アノード電極層１５Ｂの上には発光層１１および隔壁１６Ｂが互いに離間した状態で形成されている。隔壁１６Ｂの側面および上面には透明絶縁層１３が形成されている。また、発光層１１および透明絶縁層１３の上には、カソード電極１７Ａが形成されている。そして、発光層１１と隔壁１６Ｂ、およびアノード電極層１５Ｂとカソード電極１７Ａは、それぞれ透明絶縁層１３によって隔絶された状態となっている。   The planar configuration of the surface emitting light source according to the present embodiment is the same as that shown in FIG. FIG. 9 illustrates a cross-sectional configuration of the surface-emitting light source according to the present embodiment taken along the line AA. The surface emitting light source 2 includes a substrate 34, an anode electrode layer 15B, a partition wall 16B, a light emitting layer 11, a transparent insulating layer 13, and a cathode electrode 17A. On the substrate 34, an anode electrode layer 15B is formed. On the anode electrode layer 15B, the light emitting layer 11 and the partition 16B are formed in a state of being separated from each other. A transparent insulating layer 13 is formed on the side surface and the upper surface of the partition wall 16B. A cathode electrode 17 </ b> A is formed on the light emitting layer 11 and the transparent insulating layer 13. The light emitting layer 11 and the partition wall 16B, and the anode electrode layer 15B and the cathode electrode 17A are separated from each other by the transparent insulating layer 13.

隔壁１６Ｂは、上記隔壁１６と同質のものである。その膜厚は、発光層１１の膜厚よりも大きく、例えば、１μｍ程度である。発光層１１によって発光された光の側面方向成分を照射面（基板３４側）に導くために発光層１１の端面を囲むように設けられている。また、アノード電極層１５Ｂと接着した状態となることで、アノード電極層１５Ｂの補助配線としての機能も有している。   The partition wall 16B is the same quality as the partition wall 16 described above. The film thickness is larger than the film thickness of the light emitting layer 11 and is, for example, about 1 μm. The light emitting layer 11 is provided so as to surround the end surface of the light emitting layer 11 in order to guide the side direction component of the light emitted by the light emitting layer 11 to the irradiation surface (substrate 34 side). In addition, since it is bonded to the anode electrode layer 15B, it also has a function as an auxiliary wiring of the anode electrode layer 15B.

アノード電極層１５Ｂおよびカソード電極１７Ａは、発光層１４に電圧を印加するための一対の電極となるものである。アノード電極層１５Ｂは上記アノード電極層１５と同様の透明電極である。また、カソード電極１７Ａは、上記カソード電極１７と同様の金属電極である。   The anode electrode layer 15B and the cathode electrode 17A form a pair of electrodes for applying a voltage to the light emitting layer 14. The anode electrode layer 15B is a transparent electrode similar to the anode electrode layer 15 described above. The cathode electrode 17A is a metal electrode similar to the cathode electrode 17 described above.

続いて、図１０を参照して面発光光源２の作用について説明する。 Then, the effect | action of the surface emitting light source 2 is demonstrated with reference to FIG.

発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ３）がアノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ４）は、発光層１１の端面から出射し、複数の反射面、例えば、反射面１８Ｂ、反射面１８Ｃおよび反射面１８Ｄのすべて、もしくはそれらのいずれかとの反射を繰り返したのち、アノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面を照射する。 Most of the light emitted by the light emitting layer 11 (front direction component t 3 ) passes through the anode electrode layer 15B and the substrate 34 and is emitted to the irradiation surface side. On the other hand, the other part (end surface direction component t 4 ) is emitted from the end surface of the light emitting layer 11, and is a plurality of reflection surfaces, for example, the reflection surface 18B, the reflection surface 18C, the reflection surface 18D, or any one of them. After repeating this reflection, the irradiated surface is irradiated through the anode electrode layer 15B and the substrate 34.

以下、本実施の形態の変形例について説明する。   Hereinafter, modifications of the present embodiment will be described.

（変形例２）
本変形例は、基板の下面をレンズ状に形成したものである。図１１に示したように、基板３４Ａの下面を光の出射方向を制御する機構、例えば、レンズ状に形成する。これにより、光の出射方向を制御することができ、光の利用効率を高めることができる。 (Modification 2)
In this modification, the lower surface of the substrate is formed in a lens shape. As shown in FIG. 11, the lower surface of the substrate 34A is formed in a mechanism for controlling the light emission direction, for example, a lens shape. Thereby, the light emission direction can be controlled, and the light utilization efficiency can be increased.

以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、隔壁１６Ｂを設け、発光層１１の端面を覆うようにしたので、発光した光の端面方向成分が面発光光源２の端部から漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。   As described above, in the surface emitting light source according to the present embodiment, the partition wall 16B is provided so as to cover the end surface of the light emitting layer 11, so that the end surface direction component of the emitted light is from the end of the surface emitting light source 2. Leakage can be avoided, light utilization efficiency can be increased, and light emission luminance can be improved.

特に、隔壁１６Ｂとアノード電極層１５とを接着させることで、アノード電極層１５Ｂの配線抵抗を低減させることができ、発光面内における輝度むらを抑制することができる。   In particular, by bonding the partition wall 16B and the anode electrode layer 15, the wiring resistance of the anode electrode layer 15B can be reduced, and uneven brightness in the light emitting surface can be suppressed.

また、基板下面の形状をレンズ状に形成した場合には、光の出射方向を制御することができ、光利用効率をさらに高めることができる。   Further, when the shape of the lower surface of the substrate is formed in a lens shape, the light emission direction can be controlled, and the light utilization efficiency can be further improved.

次に、図１２を参照して、図９に示した面発光光源２の製造方法について説明する。   Next, with reference to FIG. 12, the manufacturing method of the surface emitting light source 2 shown in FIG. 9 is demonstrated.

まず、図１２（Ａ）に示したように、基板３４の上に、例えば、膜厚１５０ｎｍ程度のアノード電極層１５Ｂを形成する。続いて、例えば、膜厚１μｍ程度のＡｌ層２１を形成する。ここで、Ａｌ層２１の膜厚は、後述する発光層１１の膜厚よりも厚くする。   First, as shown in FIG. 12A, an anode electrode layer 15B having a film thickness of, for example, about 150 nm is formed on a substrate. Subsequently, for example, an Al layer 21 having a thickness of about 1 μm is formed. Here, the film thickness of the Al layer 21 is made thicker than the film thickness of the light emitting layer 11 described later.

次に、図１２（Ｂ）に示したように、Ａｌ層２１の一部（発光層１１を形成するために必要な部分）を選択的に除去して隔壁１６Ｂを形成する。続いて、隔壁１６Ｂを含むアノード電極層１５Ｂ上に、膜厚１５０ｎｍ程度の透明絶縁層１３を形成する。その後、透明絶縁層１３の一部（発光層１１を形成するために必要な部分）を除去してアノード電極層１５Ｂの一部を露出させる。   Next, as shown in FIG. 12B, a part of the Al layer 21 (a part necessary for forming the light emitting layer 11) is selectively removed to form the partition 16B. Subsequently, the transparent insulating layer 13 having a thickness of about 150 nm is formed on the anode electrode layer 15B including the partition wall 16B. Thereafter, a part of the transparent insulating layer 13 (a part necessary for forming the light emitting layer 11) is removed to expose a part of the anode electrode layer 15B.

次に、図１２（Ｃ）に示したように、露出したアノード電極層１５Ｂの上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。   Next, as shown in FIG. 12C, the light emitting layer 11 having a thickness of about 200 nm is formed on the exposed upper surface of the anode electrode layer 15B by, for example, ink jet or laser transfer.

次に、図１２（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３の上面（発光面全体）に、カソード電極１６Ａを形成する。   Next, as illustrated in FIG. 12D, the cathode electrode 16 </ b> A is formed on the upper surfaces (the entire light emitting surface) of the light emitting layer 11 and the transparent insulating layer 13.

以上の工程により、面発光光源２を形成することができる。上記面発光光源１と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。   Through the above steps, the surface emitting light source 2 can be formed. Similar to the surface-emitting light source 1, a plurality of light-emitting regions are formed simultaneously.

本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、隔壁１６Ｂを形成することで、発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、上記第１の実施の形態の製造方法と同様に、製造歩留を高めることができ、かつ、面発光光源を大面積化する場合には、その生産性を高めることができる。   In the method for manufacturing the surface light source according to the present embodiment, the partition wall 16B is formed so that the light emitting surface is divided into a plurality of light emitting regions, so that the manufacturing method of the first embodiment is performed. Similarly to the above, the production yield can be increased, and the productivity can be increased when the area of the surface emitting light source is increased.

特に、発光層１１の下面にカソード電極１７を形成し、その上面にアノード電極層１５を形成するようにしたので、ボトム・エミッション型の面発光光源を形成することができる。   In particular, since the cathode electrode 17 is formed on the lower surface of the light emitting layer 11 and the anode electrode layer 15 is formed on the upper surface thereof, a bottom emission type surface emitting light source can be formed.

［第３の実施の形態］
続いて、本発明の第３の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、ボトム・エミッション型の面発光光源として構成したものであり、隔壁を用いず、カソード電極によって発光層の側面を覆うようにしたものである。上述した第１および第２の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。 [Third Embodiment]
Then, the structure of the surface emitting light source of the 3rd Embodiment of this invention is demonstrated. The surface-emitting light source according to the present embodiment is configured as a bottom emission type surface-emitting light source, and uses a cathode electrode to cover the side surface of the light-emitting layer without using a partition wall. Parts that are the same as those in the first and second embodiments described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図１３は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源３は、基板３４と、アノード電極層１５Ｂと、発光層１１と、透明絶縁層１３Ｂと、カソード電極２７とを備えている。基板３４の上には、アノード電極層１５Ｂが形成されている。アノード電極層１５Ｂの上には発光層１１および透明絶縁層１３Ｂ形成され、発光層１１および透明絶縁層１３Ｂの上には、カソード電極２７が形成されている。   The planar configuration of the surface emitting light source according to the present embodiment is the same as that shown in FIG. FIG. 13 illustrates a cross-sectional configuration of the surface-emitting light source according to the present embodiment taken along the line AA. The surface light source 3 includes a substrate 34, an anode electrode layer 15B, a light emitting layer 11, a transparent insulating layer 13B, and a cathode electrode 27. On the substrate 34, an anode electrode layer 15B is formed. A light emitting layer 11 and a transparent insulating layer 13B are formed on the anode electrode layer 15B, and a cathode electrode 27 is formed on the light emitting layer 11 and the transparent insulating layer 13B.

透明絶縁層１３Ｂは、アノード電極層１５Ｂとカソード電極２７との間を絶縁するものであり、例えば、ＳｉＯ2等の絶縁材料である。この透明絶縁層１３Ｂは、発光層１１の外周端面と対向するようにアノード電極層１５Ｂ上に立設された第１部位１３Ｃと、第１部位の外周面に設けられた第２部位とを含んでいる。第１部位の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも厚い、例えば、６００ｎｍ程度である。また、第２部位の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも薄い、例えば、１５０ｎｍ程度である。 The transparent insulating layer 13B insulates between the anode electrode layer 15B and the cathode electrode 27, and is an insulating material such as SiO 2 , for example. The transparent insulating layer 13B includes a first portion 13C standing on the anode electrode layer 15B so as to face the outer peripheral end surface of the light emitting layer 11, and a second portion provided on the outer peripheral surface of the first portion. It is out. The film thickness of the first part is larger than the film thickness of the light emitting layer 11, for example, about 600 nm. The film thickness of the second part is thinner than the film thickness of the light emitting layer 11, for example, about 150 nm.

カソード電極２７は、アノード電極層１５Ｂと一対となり、発光層に電圧を印加するための電極である。このカソード電極２７は、発光層１１の上面に設けられた上面部２７Ａと、発光層１１の端面と対向するように設けられた端面部２７Ｂとを含んでいる。端面部２７Ｂは、発光層を発光領域毎に区画する隔壁としての機能も有している。   The cathode electrode 27 is an electrode for pairing with the anode electrode layer 15B and applying a voltage to the light emitting layer. The cathode electrode 27 includes an upper surface portion 27 </ b> A provided on the upper surface of the light emitting layer 11 and an end surface portion 27 </ b> B provided so as to face the end surface of the light emitting layer 11. The end face portion 27B also has a function as a partition that partitions the light emitting layer for each light emitting region.

続いて、図１４を参照して面発光光源３の作用について説明する。   Then, the effect | action of the surface emitting light source 3 is demonstrated with reference to FIG.

発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ５）がアノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ６）は、発光層１１の端面から出射し、複数の反射面、例えば、反射面１８Ｅ、反射面１８Ｆおよび反射面１８Ｇのとの反射を繰り返したのち、アノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面を照射する。 Most of the light emitted by the light emitting layer 11 (front direction component t 5 ) passes through the anode electrode layer 15B and the substrate 34 and is emitted to the irradiation surface side. On the other hand, the other part (end surface direction component t 6 ) is emitted from the end surface of the light emitting layer 11 and is repeatedly reflected on a plurality of reflecting surfaces, for example, the reflecting surface 18E, the reflecting surface 18F, and the reflecting surface 18G. The irradiated surface is irradiated through the anode electrode layer 15B and the substrate 34.

以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、発光層１１の端面と対向するようにしてカソード電極２７の一部（端面部２７Ｂ）を形成するようにしたので、発光面の端部から出射光の一部が漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。   As described above, in the surface emitting light source according to the present embodiment, a part of the cathode electrode 27 (end surface portion 27B) is formed so as to face the end surface of the light emitting layer 11, so It is possible to avoid leakage of a part of the emitted light from the end portion, increase the light use efficiency, and improve the light emission luminance.

次に、図１５を参照して、図１３に示した面発光光源３の製造方法について説明する。   Next, with reference to FIG. 15, the manufacturing method of the surface emitting light source 3 shown in FIG. 13 is demonstrated.

まず、図１５（Ａ）に示したように、基板３４の上に、例えば、膜厚１５０ｎｍ程度のアノード電極層１５Ｂを形成する。 First, as shown in FIG. 15A, an anode electrode layer 15B having a film thickness of, for example, about 150 nm is formed on the substrate.

次に、図１５（Ｂ）に示したように、透明絶縁層１３Ｂを形成する。具体的には、膜厚６００ｎｍ程度のＳｉＯ２層を形成する。続いて、ＳｉＯ２層における発光層１１が形成される領域２２Ａを選択的に除去してアノード電極層１５Ｂを露出させる。さらに、残るＳｉＯ２層の一部（カソード電極２７の端面部分２７Ｂが形成される領域）２２Ｂを選択的に除去する。以上の工程により、膜厚６００ｎｍ程度の透明絶縁層の第１部位１３Ｃと、膜厚１５０ｎｍ程度の透明絶縁層の第２部位１３Ｄとを有する透明絶縁層１３Ｂを形成する。なお、アノード電極層１５Ｂの上部に存在するＳｉＯ２層の膜厚を減少させ、続いて、ＳｉＯ２層の一部２２Ｂとともにアノード電極層１５Ｂの上部に存在するＳｉＯ２層を除去する方法により、透明絶縁層１３Ｂを形成することもできる。 Next, as shown in FIG. 15B, a transparent insulating layer 13B is formed. Specifically, a SiO 2 layer having a thickness of about 600 nm is formed. Subsequently, the region 22A where the light emitting layer 11 is formed in the SiO 2 layer is selectively removed to expose the anode electrode layer 15B. Further, a part of the remaining SiO 2 layer (region where the end face portion 27B of the cathode electrode 27 is formed) 22B is selectively removed. Through the above steps, the transparent insulating layer 13B having the first portion 13C of the transparent insulating layer having a thickness of about 600 nm and the second portion 13D of the transparent insulating layer having a thickness of about 150 nm is formed. Incidentally, the film thickness of the SiO 2 layer is present on top of the anode electrode layer 15B is reduced, followed by a method of removing the SiO 2 layer is present together with a part 22B of the SiO 2 layer on top of the anode electrode layer 15B, The transparent insulating layer 13B can also be formed.

次に、図１５（Ｃ）に示したように、露出したアノード電極層１５Ｂの上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。   Next, as shown in FIG. 15C, the light emitting layer 11 having a thickness of about 200 nm is formed on the exposed upper surface of the anode electrode layer 15B by, for example, ink jet or laser transfer.

次に、図１５（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３Ｂの上面（発光面全体）に、例えばＰＶＤ法によりカソード電極２７を形成する。   Next, as shown in FIG. 15D, the cathode electrode 27 is formed on the upper surfaces (entire light emitting surfaces) of the light emitting layer 11 and the transparent insulating layer 13B by, for example, the PVD method.

以上の工程により、面発光光源３を形成することができる。上記面発光光源１および２と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。   Through the above steps, the surface emitting light source 3 can be formed. Similar to the surface emitting light sources 1 and 2, a plurality of light emitting regions are formed simultaneously.

本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、透明絶縁層１３Ｂの一部（第２部位１３Ｄ）の膜厚を発光層１１の膜厚よりも薄く形成し、かつ、カソード電極２７の一部（端面部部２７Ｂ）を発光層１１の端面と対向するように形成したので、出射光の端面成分を照射面に導くことが可能となり光利用効率を高めることができ、かつ、別個に隔壁を設ける必要がなく、その製造工程数を減らすことができる。   In the method for manufacturing the surface emitting light source according to the present embodiment, a part of the transparent insulating layer 13 </ b> B (second portion 13 </ b> D) is formed thinner than the light emitting layer 11, and one of the cathode electrodes 27 is formed. Since the portion (end surface portion 27B) is formed so as to face the end surface of the light emitting layer 11, the end surface component of the emitted light can be guided to the irradiation surface, the light use efficiency can be improved, and the partition wall can be separately provided. The number of manufacturing steps can be reduced.

［第４の実施の形態］
続いて、本発明の第４の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、トップ・エミッション型の面発光光源として構成したものであり、補助電極としても機能する金属隔壁をアノード電極層の下面に配設すると共に、金属隔壁とカソード電極層との間に、エッチングストッパ層としても機能する電極間絶縁膜を設けるようにしたものである。上述した第１および第３の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。 [Fourth Embodiment]
Then, the structure of the surface emitting light source of the 4th Embodiment of this invention is demonstrated. The surface-emitting light source of the present embodiment is configured as a top emission type surface-emitting light source, and a metal partition that also functions as an auxiliary electrode is disposed on the lower surface of the anode electrode layer, and the metal partition and the cathode electrode An interelectrode insulating film that also functions as an etching stopper layer is provided between the two layers. The same parts as those in the first and third embodiments described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図１６は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源４は、基板１４と、カソード電極１７と、不透明絶縁層２３と、透明絶縁層１３Ｅと、発光層１１と、隔壁１６Ｃと、アノード電極層１５とを備えている。基板１２の上には、カソード電極１７が形成されている。このカソード電極１７の上面の一部には、発光層１１が形成されている。カソード電極１７の上面に、かつ、発光層１１の外周端面と接するように透明絶縁層１３Ｅが形成されている。カソード電極１７の上面に、かつ、透明絶縁層１３Ｅの外周端面と接するように不透明絶縁層２３が形成されている。また、不透明絶縁層２３の上面に、透明絶縁層１３Ｅの外周端面と接するように隔壁１６Ｃが形成されている。   The planar configuration of the surface emitting light source according to the present embodiment is the same as that shown in FIG. FIG. 16 illustrates a cross-sectional configuration of the surface-emitting light source according to the present embodiment taken along the line AA. The surface emitting light source 4 includes a substrate 14, a cathode electrode 17, an opaque insulating layer 23, a transparent insulating layer 13E, a light emitting layer 11, a partition wall 16C, and an anode electrode layer 15. A cathode electrode 17 is formed on the substrate 12. A light emitting layer 11 is formed on a part of the upper surface of the cathode electrode 17. A transparent insulating layer 13E is formed on the upper surface of the cathode electrode 17 and in contact with the outer peripheral end face of the light emitting layer 11. An opaque insulating layer 23 is formed on the upper surface of the cathode electrode 17 and in contact with the outer peripheral end surface of the transparent insulating layer 13E. In addition, a partition wall 16C is formed on the upper surface of the opaque insulating layer 23 so as to be in contact with the outer peripheral end surface of the transparent insulating layer 13E.

不透明絶縁層２３は、カソード電極１７と隔壁１６Ｃとを電気的に絶縁するためのものであり、かつ、面発光光源の製造時においては、隔壁１６Ｃの膜厚を制御する機能をも有する。この不透明絶縁層２３としては、例えば、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３である。またはＳｉＯ２やＳｉＮであっても構わない。また、不透明絶縁層２３の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも薄く、例えば、１００ｎｍ程度である。 The opaque insulating layer 23 is for electrically insulating the cathode electrode 17 and the partition 16C, and also has a function of controlling the thickness of the partition 16C during the manufacture of the surface emitting light source. The opaque insulating layer 23 is, for example, AlN or Al 2 O 3 . Or it may be SiO 2 or SiN. The opaque insulating layer 23 is thinner than the light emitting layer 11 and is, for example, about 100 nm.

透明絶縁層１３Ｅは、アノード電極層１５Ｂとカソード電極２７との間を絶縁するものであり、上記透明絶縁層１３と同質のものである。   The transparent insulating layer 13E insulates between the anode electrode layer 15B and the cathode electrode 27, and is the same quality as the transparent insulating layer 13.

隔壁１６Ｃは、上記隔壁１６と同質のものである。その膜厚は、発光層１１の膜厚よりも大きく、例えば、６００ｎｍ程度である。発光層１１によって発光された光の側面方向成分を照射面（基板１４側）に導くために発光層１１の端面を囲むように設けられている。また、隔壁１６Ｃおよび上記透明絶縁層１３Ｅの膜厚は、発光層１１の膜厚よりも厚くする。隔壁１６Ｃは、アノード電極層１５と接した状態となることで、アノード電極層１５の補助配線としての機能も有する。   The partition wall 16 </ b> C is the same quality as the partition wall 16. The film thickness is larger than the film thickness of the light emitting layer 11, for example, about 600 nm. The light emitting layer 11 is provided so as to surround the end surface of the light emitting layer 11 in order to guide the side direction component of the light emitted by the light emitting layer 11 to the irradiation surface (substrate 14 side). Further, the film thickness of the partition wall 16C and the transparent insulating layer 13E is made larger than the film thickness of the light emitting layer 11. The partition wall 16 </ b> C also has a function as an auxiliary wiring of the anode electrode layer 15 by being in contact with the anode electrode layer 15.

続いて、図１７を参照して面発光光源４の作用について説明する。   Next, the operation of the surface emitting light source 4 will be described with reference to FIG.

発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ７）がアノード電極層１５を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ８）は、発光層１１の端面から出射し、例えば、反射面１８Ｈと反射したのち、アノード電極層１５を透過して照射面を照射する。 Most of the light emitted from the light emitting layer 11 (front direction component t 7 ) passes through the anode electrode layer 15 and is emitted to the irradiation surface side. On the other hand, the other part (end surface direction component t 8 ) is emitted from the end surface of the light emitting layer 11, and is reflected by the reflection surface 18 H, for example, and then passes through the anode electrode layer 15 to irradiate the irradiation surface.

以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、発光層１１の端面と対向するようにして側壁１６Ｃを形成するようにしたので、発光面の端部から出射光の一部が漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。   As described above, in the surface emitting light source according to the present embodiment, the side wall 16C is formed so as to face the end surface of the light emitting layer 11, so that a part of the emitted light is emitted from the end of the light emitting surface. Leakage can be avoided, light utilization efficiency can be increased, and light emission luminance can be improved.

特に、アノード電極層１５と隔壁１６Ｃとを接して設けるようにしたので、アノード電極の配線抵抗を低減することができ、発光面内における発光輝度を均一にすることができる。   In particular, since the anode electrode layer 15 and the partition wall 16C are provided in contact with each other, the wiring resistance of the anode electrode can be reduced, and the light emission luminance in the light emitting surface can be made uniform.

次に、図１８，１９を参照して、図１６に示した面発光光源４の製造方法について説明する。について説明する。   Next, a method for manufacturing the surface-emitting light source 4 shown in FIG. 16 will be described with reference to FIGS. Will be described.

まず、図１８（Ａ）に示したように、基板１４の上に、例えば、ＰＶＤ法により膜厚６００ｎｍ程度のカソード電極１７を形成する。続いて、例えば、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍ程度の不透明絶縁層２３を形成する。その後、例えば、ＰＶＤ法により膜厚１μｍ程度の金属の補助電極層２５を形成する。   First, as shown in FIG. 18A, the cathode electrode 17 having a thickness of about 600 nm is formed on the substrate 14 by, for example, the PVD method. Subsequently, the opaque insulating layer 23 having a thickness of about 100 nm is formed by, for example, the PVD method or the CVD method. Thereafter, for example, a metal auxiliary electrode layer 25 having a thickness of about 1 μm is formed by a PVD method.

次に、図１８（Ｂ）に示したように、補助電極層２５の一部を除去する。具体的には、補助電極層２５の残存させる領域の上面にレジスト層２６を形成し、続いて、露出した補助電極層２５を、補助電極層のみエッチングする条件により選択的にエッチングして隔壁１６Ｃを形成すると共に、不透明絶縁層２３を露出させる。   Next, as shown in FIG. 18B, part of the auxiliary electrode layer 25 is removed. Specifically, a resist layer 26 is formed on the upper surface of the region where the auxiliary electrode layer 25 is to remain, and then the exposed auxiliary electrode layer 25 is selectively etched under the condition of etching only the auxiliary electrode layer to form the partition 16C. And the opaque insulating layer 23 is exposed.

次に、図１８（Ｃ）に示したように、不透明絶縁層２３の一部を除去する。具体的には、露出した不透明絶縁層２３を、不透明絶縁層２３のみエッチングする条件により選択的にエッチングしてカソード電極１７を露出させる。なお、このとき後処理としてレジスト層２６を除去する。なお、これらのエッチング処理（図１８（Ｂ），（Ｃ））が同一工程での処理であっても構わない。   Next, as shown in FIG. 18C, part of the opaque insulating layer 23 is removed. Specifically, the exposed opaque insulating layer 23 is selectively etched under the condition of etching only the opaque insulating layer 23 to expose the cathode electrode 17. At this time, the resist layer 26 is removed as post-processing. Note that these etching processes (FIGS. 18B and 18C) may be performed in the same process.

次に、図１９（Ａ）に示したように、透明絶縁層１３Ｅを形成する。具体的には、隔壁１６Ｃおよびカソード電極１７の上に、例えば、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成し、続いてこの上からエッチングする。これにより、隔壁１６Ｃおよび不透明絶縁層２３の側面部分のみが残存し、透明絶縁層１３Ｅが形成される。 Next, as shown in FIG. 19A, a transparent insulating layer 13E is formed. Specifically, an SiO 2 film is formed on the partition wall 16C and the cathode electrode 17 by, for example, a CVD method, and subsequently etched from above. Thereby, only the side surfaces of the partition walls 16C and the opaque insulating layer 23 remain, and the transparent insulating layer 13E is formed.

次に、図１９（Ｂ）に示したように、露出したカソード電極１７の上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、１μｍ程度の発光層１１を形成する。   Next, as shown in FIG. 19B, the light emitting layer 11 of about 1 μm is formed on the exposed upper surface of the cathode electrode 17 by, for example, ink jet or laser transfer.

次に、図１９（Ｃ）に示したように、発光層１１、透明絶縁層１３Ｅおよび隔壁１６Ｃの上面（発光面全体）に、アノード電極層１５を形成する。   Next, as shown in FIG. 19C, the anode electrode layer 15 is formed on the light emitting layer 11, the transparent insulating layer 13E, and the upper surface (entire light emitting surface) of the partition 16C.

以上の工程により、面発光光源４を形成することができる。上記面発光光源１ないし３と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。   The surface emitting light source 4 can be formed by the above process. Similar to the surface emitting light sources 1 to 3, a plurality of light emitting regions are formed simultaneously.

本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、上記面発光光源１の製造方法と同様に、発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、面発光光源１内の一部に欠陥が発生した場合であっても、その欠陥の面方向における成長を抑制することができ、その製造歩留を高めることができる。   In the method for manufacturing the surface-emitting light source according to the present embodiment, the light-emitting surface is divided into a plurality of light-emitting regions as in the method for manufacturing the surface-emitting light source 1. Even when a defect is partially generated, growth in the surface direction of the defect can be suppressed, and the manufacturing yield can be increased.

特に、カソード電極１７と隔壁１６Ｃとの間に不透明絶縁層２３を形成し、かつ、隔壁１６Ｃおよび不透明絶縁層２３をそれぞれ性質の異なるエッチング法によりエッチングするようにしたので、隔壁１６Ｃおよびカソード電極１７の膜厚を高精度に制御することができる。   In particular, since the opaque insulating layer 23 is formed between the cathode electrode 17 and the partition 16C, and the partition 16C and the opaque insulating layer 23 are etched by etching methods having different properties, the partition 16C and the cathode 17 Can be controlled with high accuracy.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、発光領域の形状を変えても良い。例えば、図２０に示したように、四角形にしてもよい、この場合には、発光領域の形成を容易に行うことができる。また、図２１に示したように、三角形にしてもよい。   Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to this embodiment, and various modifications can be made. For example, the shape of the light emitting region may be changed. For example, as shown in FIG. 20, a quadrangular shape may be used. In this case, the light emitting region can be easily formed. Moreover, as shown in FIG. 21, it may be a triangle.

本発明の第１の実施の形態に係る面発光光源の平面図である。It is a top view of the surface emitting light source which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図１に示した面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。It is sectional drawing showing the principal part sectional structure of the surface emitting light source shown in FIG. 図１に示した面発光光源の出射光路を表す図である。It is a figure showing the emitted optical path of the surface emitting light source shown in FIG. 第１の実施の形態に係る変形例を表す図である。It is a figure showing the modification which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。It is a figure showing the other modification which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。It is a figure showing the other modification which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。It is a figure showing the other modification which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。It is a figure showing the other modification which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。It is a figure showing the other modification which concerns on 1st Embodiment. 図１に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。It is sectional drawing showing the manufacturing method of the surface emitting light source shown in FIG. 本発明の第２の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。It is sectional drawing showing the principal part sectional structure of the surface emitting light source which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図９に示した面発光光源の出射光路を表す図である。It is a figure showing the emitted optical path of the surface emitting light source shown in FIG. 第２の実施の形態に係る変形例を表す図である。It is a figure showing the modification which concerns on 2nd Embodiment. 図９に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。It is sectional drawing showing the manufacturing method of the surface emitting light source shown in FIG. 本発明の第３の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。It is sectional drawing showing the principal part sectional structure of the surface emitting light source which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図１３に示した面発光光源の出射光路を表す図である。It is a figure showing the emitted optical path of the surface emitting light source shown in FIG. 図１３に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。It is sectional drawing showing the manufacturing method of the surface emitting light source shown in FIG. 本発明の第４の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。It is sectional drawing showing the principal part sectional structure of the surface emitting light source which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 図１６に示した面発光光源の出射光路を表す図である。It is a figure showing the emitted optical path of the surface emitting light source shown in FIG. 図１６に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。It is sectional drawing showing the manufacturing method of the surface emitting light source shown in FIG. 図１７に続く図である。It is a figure following FIG. 本発明に係る面発光光源の変形例を表す図である。It is a figure showing the modification of the surface emitting light source which concerns on this invention. 本発明に係る面発光光源の他の変形例を表す図である。It is a figure showing the other modification of the surface emitting light source which concerns on this invention. 従来の面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。It is sectional drawing showing the principal part sectional structure of the conventional surface emitting light source.

符号の説明Explanation of symbols

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，２，３，４…面発光光源、１１…発光層、１２…カソード電極層、１３，１３Ｂ，１３Ｅ…透明絶縁層、１３Ｃ…透明絶縁層の第１部位、１３Ｄ…透明絶縁層の第２部位、１４，２４，３４…基板、１５，１５Ａ，１５Ｂ…アノード電極層、１６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ…隔壁、１７，１７Ａ，２７…カソード電極、１９，１９Ａ…補助電極、２０…マイクロレンズ、２３…不透明絶縁層、２７Ａ…カソード電極の上面部、２７Ｂ…カソード電極の端面部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1A, 1B, 1C, 2, 3, 4 ... Surface emitting light source, 11 ... Light emitting layer, 12 ... Cathode electrode layer, 13, 13B, 13E ... Transparent insulating layer, 13C ... 1st site | part of a transparent insulating layer, 13D ... 2nd part of transparent insulating layer, 14, 24, 34 ... substrate, 15, 15A, 15B ... anode electrode layer, 16, 16A, 16B, 16C ... partition wall, 17, 17A, 27 ... cathode electrode, 19, 19A ... Auxiliary electrode, 20... Micro lens, 23... Opaque insulating layer, 27 A.

Claims (24)

複数の発光領域に区画された発光層と、
互いに隣り合う発光領域の間の領域に形成され、前記発光層から出射された光を反射する反射構造と
を備えたことを特徴とする面発光光源。 A light-emitting layer partitioned into a plurality of light-emitting regions;
A surface-emitting light source comprising: a reflection structure that is formed in a region between light-emitting regions adjacent to each other and reflects light emitted from the light-emitting layer. 前記反射構造は、前記発光層の積層面と交差する方向に延びる反射面を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to claim 1, wherein the reflection structure has a reflection surface extending in a direction intersecting with the stacked surface of the light-emitting layers. 基板と、
前記基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する第１の電極層と、
前記発光層の上面に接するように形成された第２の電極層と
を備え、
前記反射構造は、各発光領域における発光層の外周端面に対向して発光層を取り囲むように前記第１の電極層上に立設されて前記発光層を複数の発光領域に区画する隔壁であり、
前記隔壁の側壁面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。 A substrate,
A first electrode layer formed on the substrate and supporting the light emitting layer while being in contact therewith;
A second electrode layer formed in contact with the upper surface of the light emitting layer,
The reflective structure is a partition wall that stands on the first electrode layer so as to surround the light emitting layer so as to face the outer peripheral end face of the light emitting layer in each light emitting region and partition the light emitting layer into a plurality of light emitting regions. ,
The surface-emitting light source according to claim 2, wherein a side wall surface of the partition wall constitutes the reflection surface. 各発光領域の発光層の外周端面と前記隔壁との間の領域から前記隔壁の上面領域にかけて透明絶縁層が形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to claim 3, wherein a transparent insulating layer is formed from a region between the outer peripheral end face of the light-emitting layer in each light-emitting region and the partition wall to an upper surface region of the partition wall. 前記第１の電極層が金属電極であり、前記第２の電極層が透明電極である
ことを特徴とする請求項４に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to claim 4, wherein the first electrode layer is a metal electrode, and the second electrode layer is a transparent electrode. 前記隔壁と前記第１の電極層とが同一の金属材料により一体に形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to claim 5, wherein the partition wall and the first electrode layer are integrally formed of the same metal material. 前記透明絶縁層の上面に金属からなる補助電極層が形成され、
前記第２の電極層が前記発光層の上面から前記補助電極層の上面まで延設されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。 An auxiliary electrode layer made of metal is formed on the upper surface of the transparent insulating layer;
The surface-emitting light source according to claim 5, wherein the second electrode layer extends from the upper surface of the light-emitting layer to the upper surface of the auxiliary electrode layer. 前記第２の電極層が前記発光層の上面から前記透明絶縁層の上面まで延設され、
前記透明絶縁層の上方の前記第２の電極層の上面に金属からなる補助電極層が形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。 The second electrode layer extends from the top surface of the light emitting layer to the top surface of the transparent insulating layer;
The surface-emitting light source according to claim 5, wherein an auxiliary electrode layer made of metal is formed on an upper surface of the second electrode layer above the transparent insulating layer. 前記第２の電極層の上に形成されたレンズ層
をさらに備えたことを特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれか１項に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to claim 5, further comprising a lens layer formed on the second electrode layer. 前記第１の電極層が透明電極であり、前記第２の電極層が金属電極であり、前記基板が透明基板である
ことを特徴とする請求項４に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to claim 4, wherein the first electrode layer is a transparent electrode, the second electrode layer is a metal electrode, and the substrate is a transparent substrate. 前記隔壁と前記第１の電極層とが互いに異なる材料により別体に形成され、かつ、前記隔壁が金属材料により形成されている
ことを特徴とする請求項１０に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to claim 10, wherein the partition wall and the first electrode layer are separately formed of different materials, and the partition wall is formed of a metal material. 透明基板と、
前記透明基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する透明電極層と、
各発光領域における発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように前記透明電極層上に立設され、各発光領域間を分離する透明絶縁層と、
前記発光層および前記透明絶縁層の表面を覆うように形成された金属電極層と
を備え、
前記金属電極層の一部が前記反射構造を兼ねている
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。 A transparent substrate;
A transparent electrode layer formed on the transparent substrate and supporting the light emitting layer while being in contact therewith,
A transparent insulating layer standing on the transparent electrode layer so as to surround the light emitting layer while being in contact with the outer peripheral end face of the light emitting layer in each light emitting region, and separating each light emitting region;
A metal electrode layer formed so as to cover the surface of the light emitting layer and the transparent insulating layer,
The surface emitting light source according to claim 2, wherein a part of the metal electrode layer also serves as the reflecting structure. 前記透明絶縁層は、
前記発光層よりも大きい膜厚を有し、発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように形成された第１の部分と、
前記発光層よりも小さい膜厚を有し、前記第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体に形成された第２の部分と
を含み、
前記金属電極層の、前記第１の部分の側壁面と接する面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項１２に記載の面発光光源。 The transparent insulating layer is
A first portion having a thickness greater than that of the light emitting layer and formed so as to surround the light emitting layer while being in contact with the outer peripheral end surface of the light emitting layer;
A second portion having a thickness smaller than that of the light emitting layer and formed integrally therewith so as to surround an outer periphery of the first portion;
The surface-emitting light source according to claim 12, wherein a surface of the metal electrode layer that contacts the side wall surface of the first portion constitutes the reflective surface. 前記基板の下面がレンズ形状を有する
ことを特徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれか１項に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to any one of claims 10 to 13, wherein a lower surface of the substrate has a lens shape. 前記隔壁が前記発光層よりも大きい膜厚を有する
ことを特徴とする請求項３に記載の面発光光源。 The surface-emitting light source according to claim 3, wherein the partition wall has a film thickness larger than that of the light-emitting layer. 基板と、
前記基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する金属電極層と、
前記発光層の上面と接するように形成された透明電極層と
を備え、
前記反射構造は、各発光領域における発光層の外周端面に対向して発光層を取り囲むように前記第１の電極層上に絶縁層を介して立設されて前記発光層を複数の発光領域に区画する金属隔壁であり、
前記金属隔壁の側壁面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。 A substrate,
A metal electrode layer formed on the substrate and supporting the light emitting layer in contact with the light emitting layer;
A transparent electrode layer formed so as to be in contact with the upper surface of the light emitting layer,
The reflective structure is erected on the first electrode layer via an insulating layer so as to surround the light emitting layer so as to oppose the outer peripheral end face of the light emitting layer in each light emitting region, and the light emitting layer is formed into a plurality of light emitting regions. A partition metal partition,
The surface-emitting light source according to claim 2, wherein a side wall surface of the metal partition wall constitutes the reflection surface. 各発光領域の発光層の外周端面と前記金属隔壁との間の領域に形成された透明絶縁層を備え、
前記透明電極層が、前記発光層、前記透明絶縁層および前記金属隔壁を覆うように形成されている
ことを特徴とする請求項１６に記載の面発光光源。 A transparent insulating layer formed in a region between the outer peripheral end face of the light emitting layer of each light emitting region and the metal partition,
The surface-emitting light source according to claim 16, wherein the transparent electrode layer is formed so as to cover the light-emitting layer, the transparent insulating layer, and the metal partition wall. 基板上に金属電極層を形成する工程と、
前記金属電極層における互いに離間した複数の領域をそれぞれ所定の深さまでエッチングして複数の凹部とこれらの凹部間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記金属電極層の各凹部の底面に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように透明電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。 Forming a metal electrode layer on the substrate;
Etching a plurality of regions spaced apart from each other in the metal electrode layer to a predetermined depth to form a plurality of recesses and metal partition walls separating the recesses;
Forming a transparent insulating layer so as to cover from the upper surface to the side wall surface of the metal partition;
Forming a light emitting layer on the bottom surface of each recess of the metal electrode layer;
Forming a transparent electrode layer so as to cover from the light emitting layer to the transparent insulating layer. 前記金属隔壁の高さが前記発光層の膜厚よりも大きくなるようにエッチングを行う
ことを特徴とする請求項１８に記載の面発光光源の製造方法。 The method for manufacturing a surface-emitting light source according to claim 18, wherein etching is performed such that a height of the metal partition wall is larger than a film thickness of the light-emitting layer. 透明基板上に透明電極層を形成する工程と、
前記透明電極層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を前記透明電極層に達するまで選択的にエッチングして、透明電極層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記露出領域に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。 Forming a transparent electrode layer on the transparent substrate;
Forming a metal layer on the transparent electrode layer;
Selectively etching the metal layer until it reaches the transparent electrode layer to form a plurality of regions where the transparent electrode layer is exposed and metal partition walls separating these regions;
Forming a transparent insulating layer so as to cover from the upper surface to the side wall surface of the metal partition;
Forming a light emitting layer in the exposed region;
Forming a metal electrode layer so as to cover from the light emitting layer to the transparent insulating layer. 前記金属層を前記発光層よりも厚く形成する
ことを特徴とする請求項１８に記載の面発光光源の製造方法。 The method for manufacturing a surface-emitting light source according to claim 18, wherein the metal layer is formed thicker than the light-emitting layer. 透明基板上に透明電極層を形成する工程と、
前記透明電極層上の互いに離間した複数の領域をそれぞれ取り囲むように、透明電極層上に透明絶縁層を形成する工程と、
前記透明電極層上の前記複数の領域の各々に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程と
を含み、
前記透明絶縁層が、
前記発光層よりも大きい膜厚を有し、複数の領域の各々を取り囲む第１の部分と、
前記発光層よりも小さい膜厚を有し、前記第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体をなす第２の部分と
を含むようにする
ことを特徴とする面発光光源の製造方法。 Forming a transparent electrode layer on the transparent substrate;
Forming a transparent insulating layer on the transparent electrode layer so as to surround each of the plurality of spaced apart regions on the transparent electrode layer;
Forming a light emitting layer in each of the plurality of regions on the transparent electrode layer;
Forming a metal electrode layer so as to cover from the light emitting layer to the transparent insulating layer,
The transparent insulating layer is
A first portion having a larger film thickness than the light emitting layer and surrounding each of the plurality of regions;
A method of manufacturing a surface-emitting light source comprising: a second portion having a thickness smaller than that of the light-emitting layer and surrounding the outer periphery of the first portion so as to be integrated therewith. . 基板上に金属電極層を形成する工程と、
前記金属電極層上に不透明絶縁層を形成する工程と、
前記不透明絶縁層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を不透明絶縁層に達するまで選択的にエッチングして、不透明絶縁層が露出した複数の領域と、これらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記領域に露出している不透明絶縁層を除去して前記金属電極層を露出させる工程と、
前記金属隔壁の側壁面を覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記不透明絶縁層が除去された領域の金属電極層上に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層を経由して前記金属隔壁までを覆うように透明電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。 Forming a metal electrode layer on the substrate;
Forming an opaque insulating layer on the metal electrode layer;
Forming a metal layer on the opaque insulating layer;
Selectively etching the metal layer until it reaches the opaque insulating layer to form a plurality of regions where the opaque insulating layer is exposed, and metal partition walls separating these regions;
Removing the opaque insulating layer exposed in the region to expose the metal electrode layer;
Forming a transparent insulating layer so as to cover a side wall surface of the metal partition;
Forming a light emitting layer on the metal electrode layer in the region where the opaque insulating layer has been removed;
Forming a transparent electrode layer so as to cover from the light emitting layer to the metal partition via the transparent insulating layer. 前記金属層を前記発光層よりも厚く形成する
ことを特徴とする請求項２３に記載の面発光光源の製造方法。 The method for manufacturing a surface-emitting light source according to claim 23, wherein the metal layer is formed thicker than the light-emitting layer.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012133425A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 日本ゼオン株式会社 Light emitting element and illuminating apparatus
JP2012209107A (en) * 2011-03-29 2012-10-25 Nippon Zeon Co Ltd Surface light emitting element and lighting apparatus
JP2012212508A (en) * 2011-03-30 2012-11-01 Nippon Zeon Co Ltd Light-emitting element and illumination apparatus
WO2013038970A1 (en) * 2011-09-12 2013-03-21 シャープ株式会社 Light emitting device, display device, and illumination device
JP2013058324A (en) * 2011-09-07 2013-03-28 Sony Corp Light emitting panel, display, and electronic apparatus
JP2013073821A (en) * 2011-09-28 2013-04-22 Nippon Zeon Co Ltd Light-emitting element and lighting fixture
WO2013186919A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 パイオニア株式会社 Organic electroluminescence device
WO2016076221A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-19 シャープ株式会社 Organic electroluminescence device, illumination device, and display device
JP2019531572A (en) * 2016-08-26 2019-10-31 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． OLED device and manufacturing method, display panel and display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017273A (en) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp Display device and its manufacturing method
JP2003059641A (en) * 2001-08-09 2003-02-28 Stanley Electric Co Ltd Electroluminescent element
JP2003133057A (en) * 2001-10-24 2003-05-09 Seiko Epson Corp Light emitting device and electronic apparatus
JP2003282255A (en) * 2002-03-22 2003-10-03 Seiko Epson Corp Display device
JP2003317971A (en) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its producing method
JP2004006327A (en) * 2002-04-23 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its fabrication method
JP2004039553A (en) * 2002-07-05 2004-02-05 Toyota Industries Corp Lighting system and displayer
JP2004119197A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Seiko Epson Corp Organic el panel, its manufacturing method, electrooptical panel and electronic equipment using the same

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017273A (en) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp Display device and its manufacturing method
JP2003059641A (en) * 2001-08-09 2003-02-28 Stanley Electric Co Ltd Electroluminescent element
JP2003133057A (en) * 2001-10-24 2003-05-09 Seiko Epson Corp Light emitting device and electronic apparatus
JP2003282255A (en) * 2002-03-22 2003-10-03 Seiko Epson Corp Display device
JP2004006327A (en) * 2002-04-23 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its fabrication method
JP2003317971A (en) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its producing method
JP2004039553A (en) * 2002-07-05 2004-02-05 Toyota Industries Corp Lighting system and displayer
JP2004119197A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Seiko Epson Corp Organic el panel, its manufacturing method, electrooptical panel and electronic equipment using the same

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2693840A1 (en) * 2011-03-29 2014-02-05 Zeon Corporation Light emitting element and illuminating apparatus
JP2012209107A (en) * 2011-03-29 2012-10-25 Nippon Zeon Co Ltd Surface light emitting element and lighting apparatus
WO2012133425A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 日本ゼオン株式会社 Light emitting element and illuminating apparatus
US9112182B2 (en) 2011-03-29 2015-08-18 Zeon Corporation Light-emitting element and illuminating apparatus
EP2693840A4 (en) * 2011-03-29 2014-12-24 Zeon Corp Light emitting element and illuminating apparatus
JP2012212508A (en) * 2011-03-30 2012-11-01 Nippon Zeon Co Ltd Light-emitting element and illumination apparatus
JP2013058324A (en) * 2011-09-07 2013-03-28 Sony Corp Light emitting panel, display, and electronic apparatus
WO2013038970A1 (en) * 2011-09-12 2013-03-21 シャープ株式会社 Light emitting device, display device, and illumination device
JP2013073821A (en) * 2011-09-28 2013-04-22 Nippon Zeon Co Ltd Light-emitting element and lighting fixture
WO2013186919A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 パイオニア株式会社 Organic electroluminescence device
WO2016076221A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-19 シャープ株式会社 Organic electroluminescence device, illumination device, and display device
US10143062B2 (en) 2014-11-12 2018-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device, illumination device, and display device
JP2019531572A (en) * 2016-08-26 2019-10-31 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． OLED device and manufacturing method, display panel and display device
JP7051440B2 (en) 2016-08-26 2022-04-11 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 OLED device and manufacturing method, display panel and display device

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