JP2009147231A - 実装方法、半導体チップ、及び半導体ウエハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この実装方法においては、回路面33a上のバンプ電極35を埋め込むように絶縁性接着剤層37が形成された半導体チップ30を準備し、この半導体チップ30の絶縁性接着剤層37とLCD50の平面電極55との間に、絶縁性の接着剤基材61及び導電粒子63を含む異方導電接着剤層60を挟んで、半導体チップ30をLCD50に加圧し圧着させる。そして、半導体チップ30の絶縁性接着剤層37は、バンプ電極35の高さと略同じ厚さに形成されており、異方導電接着剤層60は、導電粒子63の粒径と略同じ厚さに形成されている。
【選択図】図5
Description
以下、半導体ウエハを個片化して上記半導体チップを準備する工程について説明する。図1に示すように、半導体ウエハ10は、所定の工程を経て回路面13a側に回路が形成された半導体ウエハ本体13と、当該半導体ウエハ13の回路面13a上に突出して形成されたバンプ電極15とを備えている。半導体ウエハ10の回路面13a側に、ベースフィルム21上の絶縁性接着剤フィルム23を押し当て加圧し、絶縁性接着剤フィルム23をラミネートする。ベースフィルム21には、変形可能な柔らかい基材が用いられる。なお、このような絶縁性接着剤フィルム23は、一般に、「NCF(Non Conductive Film)」等と呼ばれる場合がある。
まず、半導体チップ30をLCD50に圧着させる処理に先立ち、図4に示すように、実装基板であるLCD50の実装面50a上に、異方導電接着剤層60を形成する処理が行われる。この異方導電接着剤層60は、絶縁性の接着剤基材61中に、導電粒子63を分散させてなる層であり、回路電極同士の接続時に、対向する電極同士を結ぶ方向に導電性を示し、その対向する回路電極同士のみを電気的に接続することが可能な異方導電性を有する層である。なお、このような異方導電接着剤層60は、一般に、「ACF(Anisotropic Conductive Film)」等と呼ばれる場合がある。
Claims (7)
- 電子部品の主面上に突出して形成された突出電極を実装基板上に形成された接続用電極に接続させ、前記主面を前記実装基板に対向させた状態で前記電子部品を前記実装基板上に実装する実装方法であって、
前記主面上の前記突出電極を埋め込むように絶縁性接着剤層が前記主面上に形成された前記電子部品を準備する電子部品準備工程と、
前記実装基板上に、絶縁性の接着剤基材及び当該接着剤基材中に分散された導電粒子を含む異方導電接着剤層を形成する実装基板準備工程と、
前記電子部品準備工程で準備された前記電子部品と前記実装基板準備工程で準備された実装基板を加圧し圧着させる電子部品圧着工程と、を備え、
前記電子部品準備工程では、
前記電子部品の前記絶縁性接着剤層が、前記突出電極の高さと略同じ厚さに形成され、
前記実装基板準備工程では、
前記異方導電接着剤層が、前記導電粒子の粒径と略同じ厚さに形成されることを特徴とする実装方法。 - 前記実装基板準備工程では、
前記異方導電接着剤層の前記接着剤基材が、前記導電粒子の粒径の0.80〜1.2倍の厚さに形成されることを特徴とする請求項1に記載の実装方法。 - 前記電子部品準備工程では、
前記電子部品の前記絶縁性接着剤層が、前記突出電極の高さの0.9〜1.1倍の厚さに形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の実装方法。 - 前記電子部品は、バンプ電極が前記突出電極として前記主面上に突出して形成された半導体チップであることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の実装方法。
- 前記電子部品準備工程は、
前記主面上にバンプ電極が形成された半導体ウエハを準備するウエハ準備ステップと、
前記半導体ウエハの前記主面上に前記バンプ電極の高さと略同じ厚さの絶縁性接着剤層を形成させる絶縁性接着剤層形成ステップと、
前記半導体ウエハのダイシングを行い、個片化された半導体チップを前記電子部品として作製するダイシングステップと、を有することを特徴とする請求項4に記載の実装方法。 - 回路が形成された半導体チップ本体と、前記半導体チップ本体の前記回路が存在する回路面上に形成されたバンプ電極と、を備え、
前記回路面上には、当該回路面上の前記突出電極を埋め込むように前記バンプ電極の高さと略同じ厚さに絶縁性接着剤層が形成されていることを特徴とする半導体チップ。 - 回路が形成された半導体ウエハ本体と、前記半導体ウエハ本体の前記回路が存在する回路面上に形成されたバンプ電極と、を備え、
前記回路面上には、当該回路面上の前記突出電極を埋め込むように前記バンプ電極の高さと略同じ厚さに絶縁性接着剤層が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ。
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