JP2009147200A - 反射型フォトマスク、反射型フォトマスク製造方法 - Google Patents
反射型フォトマスク、反射型フォトマスク製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009147200A JP2009147200A JP2007324464A JP2007324464A JP2009147200A JP 2009147200 A JP2009147200 A JP 2009147200A JP 2007324464 A JP2007324464 A JP 2007324464A JP 2007324464 A JP2007324464 A JP 2007324464A JP 2009147200 A JP2009147200 A JP 2009147200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure light
- axis
- reflective photomask
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】露光光が角度を持って入射することに起因する射影効果を抑制し、転写パターンのコントラストに優れた反射型フォトマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の反射型フォトマスクは、順テーパ形状を備えた吸収部パターンを有することを特徴とする。本発明の構成によれば、吸収部パターンが順テーパ形状を備えるため、吸収部パターンのエッジ部において露光光が吸収部パターンに遮られることを抑制することが出来、露光光の入射角度による射影効果の影響を抑制することができる。よって、コントラストに優れた転写パターンを形成することが可能となる。
【選択図】 図4
【解決手段】本発明の反射型フォトマスクは、順テーパ形状を備えた吸収部パターンを有することを特徴とする。本発明の構成によれば、吸収部パターンが順テーパ形状を備えるため、吸収部パターンのエッジ部において露光光が吸収部パターンに遮られることを抑制することが出来、露光光の入射角度による射影効果の影響を抑制することができる。よって、コントラストに優れた転写パターンを形成することが可能となる。
【選択図】 図4
Description
本発明は、反射型フォトマスク、および反射型フォトマスクの製造方法に関する。
近年の半導体素子における高集積化に伴い、フォトリソグラフィにより転写されるパターンの微細化が加速している。パターンの解像限界は露光波長に対してほぼ比例関係にあることから、これまでに水銀ランプ(波長365nm)、エキシマレーザ(波長248nm、193nm)といった短波長源を使用した露光装置が開発されてきた。
しかしながら、波長よりも小さい100nm以下のパターンを形成するためには位相シフト法や近接効果補正等の技術を駆使する必要があり、このためにパターンデータ量が膨大となりパターンの集積度向上のための課題となってきている。
このための対策として、露光装置内でパターンを転写するウェハと縮小レンズとの間に液体を満たし露光を行う、液浸露光技術の開発により、既存の光源を用いて45nm、32nmといった微細パターンを形成することが検討されている。
一方で、さらなる微細化を見据えた次世代リソグラフィ技術として、10乃至15nmの波長を有するEUV光(極端紫外光:Extreme Ultra Violet)を光源とするリソグラフィ技術が開発されてきており、レーザプラズマや放電プラズマ光源の特性から13.5nm近傍の波長が最も有力な候補となっている。
EUVの波長領域において、ほとんどの物質の屈折率は1よりもわずかに小さい値であり、また光吸収性が非常に高い。このため、EUVリソグラフィにおいては従来から用いられてきた屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。フォトマスクも同様に従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。このように、EUVリソグラフィでは露光に使用する光学系やマスクなどが従来の露光技術とは顕著に異なる。
EUVリソグラフィ用の反射型フォトマスクの基本的な構造は、熱膨張率が非常に小さい物質からなる平坦な基板の上に、EUV波長における反射率が大きいミラー(反射鏡)を設け、さらにその上にEUV光に対して吸収性の高い物質からなる光吸収層を所望の露光パターンに応じてパターン加工して形成したものである。
反射光学系を用いることから、EUVリソグラフィ用の露光機は、露光光が反射型フォトマスクの垂直方向に対して6°などの角度を持って入射するように設計されている。(特許文献1参照)
このように、一般的に、反射型フォトマスクを利用したフォトリソグラフィの場合、露光光はフォトマスクの垂直方向に対してある角度を持って入射する。
特開2003−45782号公報
一般的に、反射型フォトマスクを利用したフォトリソグラフィの場合、露光光はフォトマスクの垂直方向に対してある角度を持って入射する。
このため、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向に対して平行に形成されている吸収部パターンに関しては入射角度に応じて射影効果が生じるため、これを転写した際に、転写パターンエッジ部のコントラストに影響を及ぼしてしまう(図2)。
このため、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向に対して平行に形成されている吸収部パターンに関しては入射角度に応じて射影効果が生じるため、これを転写した際に、転写パターンエッジ部のコントラストに影響を及ぼしてしまう(図2)。
そこで、本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、露光光が角度を持って入射することに起因する射影効果を抑制し、転写パターンのコントラストに優れた反射型フォトマスクを提供することを目的とする。
請求項1に記載の本発明は、吸収部パターンが、順テーパ形状を備えた吸収部パターンであることを特徴とする反射型フォトマスクである。
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の反射型フォトマスクであって、基板と、前記基板上に設けられた露光光波長に対する反射部と、前記反射部上に設けられた露光光波長に対する吸収部と、前記吸収部に設けられた吸収部パターンと、を少なくとも備え、前記吸収部パターンは、露光光の入射角度方向に順テーパ形状を備えた吸収部パターンであることを特徴とする反射型フォトマスクである。
請求項3に記載の本発明は、請求項1または2のいずれかに記載の反射型フォトマスクであって、前記吸収部パターンは、更に、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向垂直方向に垂直断面形状を備えた吸収部パターンであることを特徴とする反射型フォトマスクである。
請求項4に記載の本発明は、請求項1から3のいずれかに記載の反射型フォトマスクであって、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向をX軸とし、X軸と直交し基板平面と平行な軸方向をY軸とし、基板平面に対して垂直な方向をZ軸とした3次元直交空間系にあって、露光光が入射角θ1で入射する場合、XZ平面で切り出した吸収部パターンの断面側壁のテーパ角θ2は、
θ2=90°−θ1
に示す関係を満たすことを特徴とする反射型フォトマスクである。
θ2=90°−θ1
に示す関係を満たすことを特徴とする反射型フォトマスクである。
請求項5に記載の本発明は、請求項1から4のいずれかに記載の反射型フォトマスクであって、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向をX軸とし、X軸と直交し基板平面と平行な軸方向をY軸とし、基板平面に対して垂直な方向をZ軸とした3次元直交空間系にあって、露光光が入射角θ1で入射し、吸収部の厚さをhとし、XY平面にあってX軸に対して角度θ3だけ傾いた吸収部パターンを形成する場合、吸収部パターンの順テーパ形状における部位の線幅bは、
b=h×sinθ3/tanθ1
に示す関係を満たすことを特徴とする反射型フォトマスクである。
b=h×sinθ3/tanθ1
に示す関係を満たすことを特徴とする反射型フォトマスクである。
請求項6に記載の本発明は、基板と、前記基板の上に設けられた露光光波長に対する反射部と、前記反射部の上に設けられた露光光波長に対する吸収部とを備えた反射型フォトマスクブランクを用意する工程と、前記吸収部にパターンを形成する工程と、前記吸収部に形成されたパターンの側壁に順テーパ形状を形成し、吸収部パターンを形成する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする反射型フォトマスク製造方法である。
本発明の反射型フォトマスクは、順テーパ形状を備えた吸収部パターンを有することを特徴とする。
本発明の構成によれば、吸収部パターンが順テーパ形状を備えるため、吸収部パターンのエッジ部において露光光が吸収部パターンに遮られることを抑制することが出来、露光光の入射角度による射影効果の影響を抑制することができる。
よって、コントラストに優れた転写パターンを形成することが可能となる。
本発明の構成によれば、吸収部パターンが順テーパ形状を備えるため、吸収部パターンのエッジ部において露光光が吸収部パターンに遮られることを抑制することが出来、露光光の入射角度による射影効果の影響を抑制することができる。
よって、コントラストに優れた転写パターンを形成することが可能となる。
以下、従来の反射型フォトマスクを例示する。
なお、本明細書において、X軸、Y軸、Z軸で示される空間座標系は、「露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向をX軸とし、X軸と直交し基板平面と平行な軸方向をY軸とし、基板平面に対して垂直な方向をZ軸とした3次元直交空間系」であるものとする。また、露光光の入射角度はθ1であるものとする。
なお、本明細書において、X軸、Y軸、Z軸で示される空間座標系は、「露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向をX軸とし、X軸と直交し基板平面と平行な軸方向をY軸とし、基板平面に対して垂直な方向をZ軸とした3次元直交空間系」であるものとする。また、露光光の入射角度はθ1であるものとする。
一般的に、反射型フォトマスクは図1に示すような、基板1の上に反射部2、反射部2の上に吸収部3を設けたフォトマスクブランクを用いて、吸収部に吸収部パターンを微細加工法により形成し、製造する。
図2に従来の反射型フォトマスクの一例を示す。図2aは斜視概略図、図2bはXZ平面における断面概略図、図2cはXY平面における平面図、図2dはXY平面における転写パターン平面図である。
従来の反射型フォトマスクでは、露光光はフォトマスクの垂直方向に対してある角度を持って入射するため、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向に対して平行に形成されている吸収部パターンに関しては入射角度に応じて射影効果が生じる(図2a、図2b)。このため、転写パターンエッジ部のコントラストに影響を及ぼしてしまう(図2d)。
図2bに、この反射型フォトマスク100のXZ平面を示す。反射型フォトマスク100を用いて転写露光を実施すると、吸収部3に形成したマスクパターンの側壁角度が90°で形成されているため、パターン側壁部ではx軸に対する正射影だけ露光光を完全に吸収することができない。
図2cに示す反射型フォトマスク100のXY平面で考えた場合、反射型フォトマスクに対しては吸収部3と反射部2からなるマスクパターンが正確に形成されていたとしても、露光機にこの反射型フォトマスクを設置し、転写した場合、図2dに示すウェハ上に形成されるパターンのうち、Y軸に対して平行に形成されているパターンにおいては、感光部5と非感光部6との境目に転写コントラスト低下部7を生じてしまう。
以下、本発明の反射型フォトマスクについて説明を行う。
図3に本発明の反射型フォトマスクの一例を示す。図3aは斜視概略図、図3bはXZ平面における断面概略図、図3cはXY平面における平面図、図3dはXY平面における転写パターン平面図である。
図3に本発明の反射型フォトマスクの一例を示す。図3aは斜視概略図、図3bはXZ平面における断面概略図、図3cはXY平面における平面図、図3dはXY平面における転写パターン平面図である。
図3に示す反射型フォトマスクは、露光光の入射角度方向に順テーパ形状を備えた吸収部パターンを有する。吸収部パターンが露光光の入射角度方向に順テーパ形状を備えるため、吸収部パターンのエッジ部において露光光が吸収部パターンに遮られることを抑制することが出来、露光光の入射角度による射影効果の影響を抑制することができる。よって、コントラストに優れた転写パターンを形成することが可能となる。
また、本発明の反射型フォトマスクは、吸収部パターンは、更に、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向垂直方向に垂直断面形状を備えた吸収部パターンであることが好ましい。
吸収部パターンを露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向垂直方向に垂直断面形状を備えたパターンとすることにより、入射角度方向と垂直方向の転写パターンのコントラストを向上することが出来る。
吸収部パターンを露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向垂直方向に垂直断面形状を備えたパターンとすることにより、入射角度方向と垂直方向の転写パターンのコントラストを向上することが出来る。
図4に、吸収部パターンが露光光の入射角度方向に順テーパ形状を備えた吸収部パターンであり、かつ、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向と垂直方向に垂直断面形状を備えた吸収部パターンの場合における本発明の反射型フォトマスクの実施の一例を示す。図4aは斜視概略図、図4bはXZ平面における断面概略図、図4cはXY平面における平面図、図4dはXY平面における転写パターン平面図である。
このとき、転写パターンを比較する(図3dと、図4dとを比較)と、図3dの場合、ウェハ上に形成される転写パターンのうちX軸に対して平行に形成されている転写パターンにおいては、順テーパ形状の部位は吸収部の厚みが小さくなることから露光光を十分に吸収することができないため、感光部5と非感光部6との境目に転写コントラスト低下部7を生じてしまうが、図4dでは、X軸に対して平行に形成されている転写パターンであっても、充分に露光光を吸収できるため、良好なコントラストで転写することが出来る。
このため、本発明の吸収部パターンは、露光光の入射角度方向に順テーパ形状を備えた吸収部パターンであり、更に、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向と垂直方向に垂直断面形状を備えた吸収部パターンとすることにより、入射角度方向と垂直方向の露光光を充分に吸収することが出来、入射角度方向と垂直方向の転写パターンのコントラストを向上することが出来る。
このため、本発明の吸収部パターンは、露光光の入射角度方向に順テーパ形状を備えた吸収部パターンであり、更に、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向と垂直方向に垂直断面形状を備えた吸収部パターンとすることにより、入射角度方向と垂直方向の露光光を充分に吸収することが出来、入射角度方向と垂直方向の転写パターンのコントラストを向上することが出来る。
また、本発明の反射型フォトマスクは、露光光の進行方向の射影軸をX軸とし、基板平面をXY平面とし、基板平面に対して垂直な方向をZ軸とした3次元直交空間系にあって、露光光が入射角θ1で入射する場合、XZ平面で切り出した吸収部パターンの断面側壁のテーパ角θ2は、
θ2=90°−θ1
に示す関係を満たすことが好ましい。
テーパ角を上記式を満たすθ2とすることにより、入射角度に適したテーパ角度とすることが出来る。
θ2=90°−θ1
に示す関係を満たすことが好ましい。
テーパ角を上記式を満たすθ2とすることにより、入射角度に適したテーパ角度とすることが出来る。
図3bに、反射型フォトマスク200のXZ平面を示す。反射型フォトマスク200を用いて転写露光を実施すると、吸収部のパターン側壁角度θ2が90°−θ1となっているため、入射角度θ1の露光光は吸収部パターン側壁に対しては、平行な入射、反射となり、図2dで示した転写コントラスト低下部7は解消される。
また、本発明の反射型フォトマスクは、露光光の進行方向の射影軸をX軸とし、基板平面をXY平面とし、基板平面に対して垂直な方向をZ軸とした3次元直交空間系にあって、吸収部の厚さをhとし、XY平面にあってX軸に対して角度θ3だけ傾いた吸収部パターンを形成する場合、吸収部パターンの順テーパ形状における部位の線幅bは、
b=h×sinθ3/tanθ1
に示す関係を満たすことが好ましい。
b=h×sinθ3/tanθ1
に示す関係を満たすことが好ましい。
XY平面にあってX軸に対して角度θ3だけ傾いた吸収部パターンを形成する場合、吸収部の膜厚hと、露光光の入射角度θ1と、吸収部パターンのX軸に対する角度θ3と、から吸収部パターンの順テーパ形状を導出することにより、露光光の入射角度に適した順テーパ形状を決定することが出来る。
図5に、XY平面にあってX軸に対して角度θ3だけ傾いた吸収部パターンを形成する場合における本発明の反射型フォトマスクの一例を示す。図5aは斜視概略図、図5bはXZ平面における断面概略図、図26はXY平面における平面図である。
図5aにおいて、吸収部3の膜厚がhであり、形成するパターンのx軸に対して傾きがθ3であり、露光光の進行方向の射影軸がx軸であり、入射角がθ1である場合を考える。
XY平面において吸収部パターンがx軸に対してθ3傾いている場合においても、図5bに示すように、xz平面では形成した吸収部3のパターンの側壁角度θ2は90°−θ1であることが好ましい。
このため、XZ平面での吸収部3のパターンについて、側壁のテーパ角を形成している部分の線幅aは、
線幅a=h/tanθ1・・・(数式1)
で示され、吸収部3の厚さhと露光光の入射角度θ1で表すことが出来る。
このため、XZ平面での吸収部3のパターンについて、側壁のテーパ角を形成している部分の線幅aは、
線幅a=h/tanθ1・・・(数式1)
で示され、吸収部3の厚さhと露光光の入射角度θ1で表すことが出来る。
また、図5cで示すように、XY平面で吸収部パターンがX軸に対してθ3傾いている場合において、傾きθ3に対して引いた垂線上での線幅bは、
線幅b=線幅a×sinθ3・・・(数式2)
と表すことができる。
線幅b=線幅a×sinθ3・・・(数式2)
と表すことができる。
上記(数式2)に(数式1)を代入することにより、
線幅b=h×sinθ3/tanθ1・・・(数式3)
が導出される。
よって、(数式3)を満たすとき、露光光の入射角度に適した、特に好適なテーパ形状を備えた吸収部パターンとすることが出来る。
線幅b=h×sinθ3/tanθ1・・・(数式3)
が導出される。
よって、(数式3)を満たすとき、露光光の入射角度に適した、特に好適なテーパ形状を備えた吸収部パターンとすることが出来る。
このとき、XY平面において、X軸に平行なパターンに対してはθ3=0であるから、線幅b=0となり、その結果θ3=0のパターンに対してはテーパ角をつけないほうが好ましいことも示す。
このように、側壁をテーパ形状とする部分の線幅bを決定し、これに応じたレジストパターンを形成して、ドライエッチングすることで、X軸に対して任意の角度で傾いたパターンに関しても、転写コントラストを低下させることのない反射型フォトマスク400を作成することができる。
以下、本発明の反射型フォトマスク製造方法について説明を行う。
本発明の反射型フォトマスクを製造するには、パターン形成後、<パターンの側壁に順テーパ形状を形成する工程>を行えば良い。順テーパ形状を形成する工程は、公知の微細加工技術を用いてよく、例えば、電子線リソグラフィを用いて形成してもよい。
以下、一例として、電子線リソグラフィを用いた場合の本発明の反射型フォトマスク製造方法を示す。
本発明の反射型フォトマスクを製造するには、パターン形成後、<パターンの側壁に順テーパ形状を形成する工程>を行えば良い。順テーパ形状を形成する工程は、公知の微細加工技術を用いてよく、例えば、電子線リソグラフィを用いて形成してもよい。
以下、一例として、電子線リソグラフィを用いた場合の本発明の反射型フォトマスク製造方法を示す。
まず、基板1、反射部2、吸収部3からなる反射型フォトマスクブランクを用意し、これに電子線リソグラフィ用レジスト8を塗布し、電子線描画、現像を実施し、フォトマスクブランク上に電子線リソグラフィ用レジストパターンAを形成する(図6a)。
次に、ドライエッチングにより、吸収部3にパターンを形成する。このとき、ドライエッチングの条件は、吸収部パターンの側壁角度が90°になるように設定する。
次に、電子線リソグラフィ用レジスト8を剥離することで、90°の側壁角度を吸収部パターンが形成された反射型フォトマスクを得る(図6b)。
次に、電子線リソグラフィ用レジスト8を剥離することで、90°の側壁角度を吸収部パターンが形成された反射型フォトマスクを得る(図6b)。
次に、再度電子線リソグラフィ用レジスト8を塗布し、パターンの側壁にテーパ角をつけるための電子線リソグラフィ用レジストパターンを電子線描画、および現像により形成する。
このとき、電子線リソグラフィ用レジストパターンの例としては、
(1)先の工程で形成した吸収部パターンの線幅に、テーパ角をつける部位の線幅αを追加したレジストパターンB1(図6c)や、
(2)先の工程で形成した吸収部パターンの線幅に加え、テーパ角をつける部位上のレジストが順テーパ形状になるように形成したレジストパターンB2。(図6d)などを用いても良い。
(1)先の工程で形成した吸収部パターンの線幅に、テーパ角をつける部位の線幅αを追加したレジストパターンB1(図6c)や、
(2)先の工程で形成した吸収部パターンの線幅に加え、テーパ角をつける部位上のレジストが順テーパ形状になるように形成したレジストパターンB2。(図6d)などを用いても良い。
次に、形成した電子線リソグラフィ用レジストパターンをマスクとして、吸収部3の側壁が順テーパ形状になるような条件でドライエッチングし、順テーパ形状を備えた吸収部パターンを形成する(図6e)。
以上より、本発明の反射型フォトマスクを製造することが出来る。
以下、本発明の反射型フォトマスク製造方法の実施の一例を示す。
まず、低熱膨張ガラス基板10の裏面に露光時の静電チャックに対する保持用としてCrN層9が設けられ、低熱膨張ガラス基板10表面に、MoおよびSiを交互に40対積層させた多層反射層11、11nmのSiからなる保護層12、10nmのCrからなる緩衝層13、75nmのTaを主成分としSiを含む材料からなる光吸収層下層14、14nmのTaを主成分としSiを含む材料の酸化物からなる光吸収層上層15が順次設けられたフォトマスクブランクを用意した(図7a)。
次に、用意したフォトマスクブランクの最表面に、電子線リソグラフィ用レジスト16(FEP171:富士フィルムエレクトロニクス社製)を膜厚300nm塗布し、これらを電子線描画、および現像し、レジストパターンCを形成した(図7b)。
次に、Taを主成分としSiを含む材料からなる光吸収層上層15、およびTaを主成分としSiを含む材料の酸化物からなる光吸収層下層14をF系ガスプラズマによりドライエッチングし、光吸収部のパターンを形成した。
このとき、ドライエッチング条件は、形成されたパターンの側壁角度が90°になるように制御されたドライエッチング条件とした。
このとき、ドライエッチング条件は、形成されたパターンの側壁角度が90°になるように制御されたドライエッチング条件とした。
次に、電子線リソグラフィ用レジストを剥離し、90°の側壁角度の光吸収層パターンを形成した(図7c)。
次に、再度電子線リソグラフィ用レジスト16(FEP171:富士フィルムエレクトロニクス社製)をレジスト膜厚300nm塗布し、これを電子線描画、および現像し、レジストパターンCに、テーパ角をつける部分の線幅を加えた設計のレジストパターンDを形成した(図7d)。
次に、剥き出しとなったTaを主成分としSiを含む材料からなる光吸収層下層15、およびTaを主成分としSiを含む材料の酸化物からなる光吸収層上層14をF系ガスプラズマによりドライエッチングし、光吸収層のパターンを形成した。
このとき、エッチング条件は、剥き出しとなった光吸収層が、その線幅を底辺、光吸収層上下層合わせた膜厚を高さとする、直角三角形の順テーパ形状を形成するように設定した。
このとき、エッチング条件は、剥き出しとなった光吸収層が、その線幅を底辺、光吸収層上下層合わせた膜厚を高さとする、直角三角形の順テーパ形状を形成するように設定した。
次に、電子線リソグラフィ用レジストを剥離し、順テーパ形状を備えた光吸収層パターンを形成した(図7e)。
次に、Cl系ガスとO系ガスの混合ガスプラズマにより緩衝層13をドライエッチングし、保護層を露出させた。
このとき、エッチング条件は緩衝層パターンが、光吸収層パターンと同じ角度のテーパ形状を形成するように設定した(図7f)。
このとき、エッチング条件は緩衝層パターンが、光吸収層パターンと同じ角度のテーパ形状を形成するように設定した(図7f)。
以上より、本発明の反射型フォトマスクを製造することが出来た。
1・・・基板
2・・・反射部
3・・・吸収部
4・・・吸収部パターン側壁角度順テーパ形成部
5・・・感光部
6・・・非感光部
7・・・転写コントラスト低下部
8・・・レジスト
9・・・CrN層
10・・・低熱膨張ガラス基板
11・・・多層反射層
12・・・保護層
13・・・緩衝層
14・・・光吸収層下層
15・・・光吸収層上層
16・・・電子線リソグラフィ用レジスト
2・・・反射部
3・・・吸収部
4・・・吸収部パターン側壁角度順テーパ形成部
5・・・感光部
6・・・非感光部
7・・・転写コントラスト低下部
8・・・レジスト
9・・・CrN層
10・・・低熱膨張ガラス基板
11・・・多層反射層
12・・・保護層
13・・・緩衝層
14・・・光吸収層下層
15・・・光吸収層上層
16・・・電子線リソグラフィ用レジスト
Claims (6)
- 吸収部パターンが、順テーパ形状を備えた吸収部パターンであること
を特徴とする反射型フォトマスク。 - 請求項1に記載の反射型フォトマスクであって、
基板と、
前記基板上に設けられた露光光波長に対する反射部と、
前記反射部上に設けられた露光光波長に対する吸収部と、
前記吸収部に設けられた吸収部パターンと、を少なくとも備え、
前記吸収部パターンは、露光光の入射角度方向に順テーパ形状を備えた吸収部パターンであること
を特徴とする反射型フォトマスク。 - 請求項1または2のいずれかに記載の反射型フォトマスクであって、
前記吸収部パターンは、更に、露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向と垂直方向に垂直断面形状を備えた吸収部パターンであること
を特徴とする反射型フォトマスク。 - 請求項1から3のいずれかに記載の反射型フォトマスクであって、
露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向をX軸とし、X軸と直交し基板平面と平行な軸方向をY軸とし、基板平面に対して垂直な方向をZ軸とした3次元直交空間系にあって、
露光光が入射角θ1で入射する場合、
XZ平面で切り出した吸収部パターンの断面側壁のテーパ角θ2は、
θ2=90°−θ1
に示す関係を満たすこと
を特徴とする反射型フォトマスク。 - 請求項1から4のいずれかに記載の反射型フォトマスクであって、
露光光の進行方向の基板平面への射影軸方向をX軸とし、X軸と直交し基板平面と平行な軸方向をY軸とし、基板平面に対して垂直な方向をZ軸とした3次元直交空間系にあって、
露光光が入射角θ1で入射し、吸収部の厚さをhとし、XY平面にあってX軸に対して角度θ3だけ傾いた吸収部パターンを形成する場合、
吸収部パターンの順テーパ形状における部位の線幅bは、
b=h×sinθ3/tanθ1
に示す関係を満たすこと
を特徴とする反射型フォトマスク。 - 基板と、前記基板の上に設けられた露光光波長に対する反射部と、前記反射部の上に設けられた露光光波長に対する吸収部とを備えた反射型フォトマスクブランクを用意する工程と、
前記吸収部にパターンを形成する工程と、
前記吸収部に形成されたパターンの側壁に順テーパ形状を形成し、吸収部パターンを形成する工程と、
を少なくとも備えたこと
を特徴とする反射型フォトマスク製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324464A JP2009147200A (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 反射型フォトマスク、反射型フォトマスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324464A JP2009147200A (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 反射型フォトマスク、反射型フォトマスク製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009147200A true JP2009147200A (ja) | 2009-07-02 |
Family
ID=40917453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007324464A Pending JP2009147200A (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 反射型フォトマスク、反射型フォトマスク製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009147200A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141338A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム |
WO2012014495A1 (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク |
JP2012124371A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
WO2013027412A1 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
JP2013074194A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク |
KR20160143917A (ko) * | 2015-06-04 | 2016-12-15 | 한양대학교 산학협력단 | 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법 |
WO2022264832A1 (ja) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法 |
-
2007
- 2007-12-17 JP JP2007324464A patent/JP2009147200A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141338A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム |
KR20180029096A (ko) * | 2010-07-30 | 2018-03-19 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 반사형 마스크 |
WO2012014495A1 (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク |
JP2012033715A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク |
KR102144730B1 (ko) | 2010-07-30 | 2020-08-14 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 반사형 마스크 |
US8785086B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-22 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, method of manufacturing the same, and reflective mask |
KR102127904B1 (ko) | 2010-07-30 | 2020-07-09 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 반사형 마스크 |
KR20190047118A (ko) * | 2010-07-30 | 2019-05-07 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 반사형 마스크 |
JP2012124371A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
WO2013027412A1 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
US9285672B2 (en) | 2011-08-25 | 2016-03-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | Reflective mask and method for manufacturing same |
JP2013074194A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク |
KR101726045B1 (ko) | 2015-06-04 | 2017-04-13 | 한양대학교 산학협력단 | 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법 |
US10061190B2 (en) | 2015-06-04 | 2018-08-28 | Iucf-Hyu(Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | Mask for extreme ultraviolet lithography process and method of fabricating the same |
KR20160143917A (ko) * | 2015-06-04 | 2016-12-15 | 한양대학교 산학협력단 | 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법 |
WO2022264832A1 (ja) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5711533B2 (ja) | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 | |
US7642017B2 (en) | Reflective photomask, method of fabricating the same, and reflective blank photomask | |
JP2011029334A (ja) | 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 | |
US20200209732A1 (en) | Phase-shift mask for extreme ultraviolet lithography | |
JP2009147200A (ja) | 反射型フォトマスク、反射型フォトマスク製造方法 | |
JP2008027992A (ja) | Euvlマスク用基板の製造方法及びその基板を用いたeuvlマスクの製造方法 | |
KR101076886B1 (ko) | 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법 | |
US11262647B2 (en) | Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method | |
JP6915280B2 (ja) | 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランク | |
KR20160140511A (ko) | 반사형 포토마스크와 반사형 마스크 블랭크 | |
JP2009206287A (ja) | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 | |
JP2009098611A (ja) | ハーフトーン型euvマスク、ハーフトーン型euvマスクブランク、ハーフトーン型euvマスクの製造方法及びパターン転写方法 | |
JP2007201306A (ja) | 反射型レチクル及び反射型レチクルの製造方法 | |
JP2009075207A (ja) | フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2011249391A (ja) | 反射型フォトマスク及びその製造方法並びにパターン形成方法 | |
JP2011103344A (ja) | 反射型投影露光マスクブランク、反射型投影露光マスク及び反射型投影露光マスクの製造方法 | |
JP4910820B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及びリソグラフィ方法 | |
US8673521B2 (en) | Blank substrates for extreme ultra violet photo masks and methods of fabricating an extreme ultra violet photo mask using the same | |
US8906582B2 (en) | Blank masks for extreme ultra violet lithography, methods of fabricating the same, and methods of correcting registration errors thereof | |
JP5754592B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法および反射型マスク | |
JP2016173392A (ja) | 光反射型リソグラフィマスク、その製造方法、マスクデータの生成方法、およびマスクブランク | |
US11415876B2 (en) | Method of fabricating a photomask | |
US20230400758A1 (en) | Extreme ultraviolet (euv) photomask | |
JP2008205338A (ja) | 露光用マスク | |
JPH11143048A (ja) | 位相シフトマスク |