JP2009142088A - 表示装置用dc−dcコンバータ - Google Patents

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義彦 菅原
Tamahiko Kanouda
玲彦 叶田
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徹之介 中村
Kazunori Takahashi
和徳 高橋
Teruaki Sato
輝昭 佐藤
Takayuki Shindo
卓行 進藤
Shinpei Yao
晋平 矢尾
Fusao Sakuramori
房夫 桜森
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Abstract

【課題】内部に漏れインダクタンスを備える絶縁トランスを用いることなく、信頼性を確保しつつ、基板面積を大きくしないで、部品高さ10mm以下を実現可能なDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】表示装置に駆動電力を供給するDC−DCコンバータであって、複数の絶縁トランスと共振コンデンサと、共振コイルを有し、前記複数の絶縁トランスの1次側巻線と前記共振コンデンサと前記共振コイルが直列に接続されて電流共振回路を構成するとともに、前記複数の絶縁トランスの2次側が並列接続される構成とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、表示装置用DC−DCコンバータに係り、更に詳しくは、DC−DCコンバータの薄型化技術に関する。
本発明に関連する技術として、例えば、下記特許文献1及び2がある。
図2は従来の液晶ディスプレイDC−DCコンバータ回路に於いて、絶縁トランスT3の内部の漏れインダクタンスと1次側直列共振コンデンサC3の容量とによる直列電流共振回路を構成し、電力変換効率を向上させている1例を示したものである。
同図に於いて、Q1〜Q2はスイッチング素子、IC1は制御・駆動集積回路、T3は絶縁トランス、D1〜D2は2次側整流用ダイオード、C3は電流共振コンデンサ、C2は2次側平滑用コンデンサである。絶縁トランスT3の内部の漏れインダクタンスと1次側直列共振コンデンサC3の容量とにより直列電流共振回路を構成し、電力変換効率を向上させている。
絶縁トランスは1次コイルと2次コイルを疎結合に巻回し、結合係数k=0.7程度以下を設定し、スイッチング周波数可変範囲を縮小しワイドレンジ対応の構成実現している。
特開2006−50689号公報 特開2006−149016号公報
最近のTVは液晶及びプラズマとも薄型化の傾向にあり、それに伴い、高効率を保ちつつDC−DCコンバータ回路基板面積を大きくしないで、部品高さを低くする必要がある。
図2の、内部の漏れインダクタンスを利用する1個の絶縁トランスにおいて、基板面積を大きくしないで絶縁トランス高さを低くした場合、絶縁トランス磁心の鉄損の増加と、トランスコイルの銅損の増加により絶縁トランスのコイル温度及び磁心温度が上昇し絶縁トランスの信頼性確保が難しくなる。
本発明は、上記の点に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、内部に漏れインダクタンスを備える絶縁トランスを用いることなく、信頼性を確保しつつ、基板面積を大きくしないで、低背化を実現可能なDC−DCコンバータを提供することにある。
上記目的は、例えば、特許請求の範囲に記載の発明により達成される。本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば次のとおりである。
本発明に従うコンバータは、表示装置に駆動電力を供給するDC−DCコンバータであって、複数の絶縁トランスと、共振コンデンサと、共振コイルとを有する。前記複数の絶縁トランスの1次側巻線と前記共振コンデンサと前記共振コイルが直列に接続されて電流共振回路を構成し、前記複数の絶縁トランスの2次側が並列接続されるように構成する。
本発明によれば、内部に漏れインダクタンスを備える絶縁トランスを用いることなく、信頼性を確保しつつ、基板面積を大きくしないで、低背化可能なDC−DCコンバータを供給することができる。
本発明に従うDC−DCコンバータは、表示装置に駆動電力を供給するDC−DCコンバータであって、複数の絶縁トランスと共振コンデンサと、共振コイルを有し、前記複数の絶縁トランスの1次側巻線と前記共振コンデンサと前記共振コイルが直列に接続されて電流共振回路を構成するとともに、前記複数の絶縁トランスの2次側が並列接続される。
以下、本発明に従うDC−DCコンバータの実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、一実施の形態に係るDC−DCコンバータの回路図である。
同図1に於いて、Q1〜Q2はスイッチング素子、IC1は制御・駆動集積回路、T1及びT2は絶縁トランス、D1〜D4は2次側整流用ダイオード、C1は電流共振コンデンサ、C2は2次側平滑用コンデンサである。絶縁トランスT1及びT2と共振コンデンサC1と共振コイルL1が直列に接続され、電流共振回路を構成している。
絶縁トランスは2個であらわしているが、2ヶ以上の複数の絶縁トランスでも実現可能である。複数の絶縁トランスT1、T2の2次側は並列接続されている。
ハイサイドのスイッチング素子Q1とローサイドのスイッチング素子Q2は制御・駆動部IC1により制御され、ターンオンとターンオフを交互に繰返し、デューティ比は50%、50%となっている。2次側コイルは中間でグランド接地し、1次側コイルの正・逆極性の両方のパルスを伝達可能な構成とし変換効率を向上している。
スイッチング素子Q1及びスイッチング素子Q2がターンオン時及びターンオフ時には素子の電流は瞬間に0にはならないため熱的損失が発生し、コンバータとしての効率が低下する。
この改善のために、絶縁トランスT1及びT2の1次側に共振コイルL1と共振コンデンサC2直列に接続し、電流共振回路を構成し、絶縁トランスの1次側に流れる電流波形を正弦波にすることにより、ターンオン時及びターンオフ時の熱的損失を低減し、コンバータとしての効率の向上している。
更に、制御・駆動IC1の制御により、ハイサイドスイッチング素子Q1がターンオンした時点で絶縁トランスT1の1次電流の位相がマイナスで、少し遅れてプラスに転じ、ハイサイドスイッチング素子Q1がターンオフする時点で1次電流が立ち下がってきているいわゆる、電圧が零になったことを検地してスイッチングする(ZVS)ことにより、更に熱的損失を低減しコンバータとしての効率の向上をしている。
図3は、図2に於ける 絶縁トランスの漏れインダクタンスを等価的に表した図である。
絶縁トランスの1次側コイルのインダクタンスをL6、2次側インダクタンスをL7とし1次側から見た漏れインダクタンスをLι1とし、2次側から見た漏れインダクタンスをLι1とすると、1次側から見た漏れインダクタンスとし、1次側コイルと2次側コイルの結合係数をkとした場合、それぞれの関係は次式(1)〜(3)で表される。
k=1−(Lι1/L8) ・・・式(1)
Lι1=L8(1−k) ・・・式(2)
Lι2=L9(1−k) ・・・式(3)
但し、(−1≦k≦1)
又、1次側コイルの巻数をN1、2次側コイルの巻数をN2とすると1次側漏れインダクタンスLι1は次式(4)で表される。
Lι1=Lι2(N1/N22 ・・・式(4)
結合係数kは両コイルの幾何学的位置関係に大きく依存する量である。
内部の漏れインダクタンスは 幾何学的位置関係による構造できまるため、調整範囲が狭い。
絶縁トランスを複数個に直列に接続する場合、1次コイル巻数が接続トランスの個数の逆数に比例するので、漏れインダクタンスが小さくなるため、より調整範囲が狭くなる。
このため、複数個の直列接続の場合は、絶縁トランスの外に共振コイルを設け、自由に調整可能とする構成とする。
複数個の直列続の場合の外付けの共振コイルのインダクタンスL1と1次インダクタンスの比は1:5〜1:12の範囲で調整する。
絶縁トランスの複数個(n)直列接続の場合、1次側コイルのピーク電圧が1/nに低減されるため絶縁トランスからの、輻射ノイズが(1/n)2に低減される構成となっている。
図7において、絶縁トランスの1次側コイルの自己インダクタンスをL10、2次側のコイルの自己インダクタンスをL11としそれぞれ有する回路(A)、(B)が相互インダクタンスMで結合された回路の電流をそれぞれI1、I2とする回路(A)、(B)ではそれぞれ下式の関係が成立つ。
(R1+ωL10)I1+jωMI2=E−−−− 式(5)
jωMI2+(R2+jωL11)I2=0−−−− 式(6)
(但し、ωは角周波数を示す。 ω= 2πf )
上式により、回路の電流I1及びI2を求めると下式のように表される。
Figure 2009142088
回路(A)の絶縁トランスの結合係数がある場合の損失をP(A)とすると下記式が成り立つ。
(A)=(I1−I22*R1−−−− 式(10)
回路(B)で必要な電力を供給しようとする場合、結合係数が小さくなると、上式(10)の損失が増加するので、結合係数を0.95以上に上げ損失を少なくし、絶縁トランスのコイル温度を低減する必要がある。
図5は、絶縁トランスの内部に漏れインダクタンスを設けるように構成したトランス断面を示した図である。1次コイルN1と2次コイルN2-1,N2-2の間にコイルボビンに溝を設け、コイル間の距離(G)を離すことにより、漏れインダクタンスを構成している。
図4は、絶縁トランスの1次側コイルN1と2次側コイルN2-1,N2-2を磁心の同心円上に重ねて巻回して、1次側コイルと2次側コイルの結合度を0.95以上に上げ損失を少なくしたトランスの一例を示した図である。
重ねて巻回することにより、絶縁トランスのコイル温度を8〜11℃低減することが可能である。
図6−bは、絶縁トランスの2次コイルN2-1-2と逆極性の同一巻数の2次コイルN2-2-2をコイルボビン3にバイファイラーに巻回した一例を示した図である。
両極性のコイルと並列巻分のコイルの4本を同時にコイルボビン1に巻回することにより、2次側コイルを1層で巻回可能とし、絶縁トランス高さを10mm以下にすることを可能にしている。
又、バイファイラー巻により、2次コイル間の結合度を0.98以上に上げ、コイルによる出力電圧の差を低減し、バランスをとり、リップル電流の低減を図っている。
図6−aは、絶縁トランスの1次コイルN1をコイルボビン1巻回した一例を示した図である。
1次側コイルに使用する線材は3層絶縁線を使用することにより、1次側コイルと2次側コイル間の絶縁システム強化し、絶縁トランスの高さを10mm以下にすることを可能にしている。
図6−a,図6−bは、絶縁トランスの1次コイルと2次コイルをコイルボビン1に1方向に巻回し、途中で折り返しの無い一例を示した図である。
2次側コイルの中間接続部は基板パターンにより接続し、途中折り返しをコイルボビン上では行わないことにより、絶縁トランス高さ10mm以下にすることを可能にしている。
図8−a,図8−bは、本発明の絶縁トランスの外形寸法の一例を示した図である。
絶縁トランスの高さ寸法は10mm以下5mm以上で、縦寸法は20mm以上50mm以下、横寸法は30mm以上70mm以下としている。
絶縁トランスの1個あたりの出力電力は50W〜80Wとすることにより、トランスの1個あたりの発熱を分散し、コイル温度、磁心の温度を105度以下にすることを可能にしている。
図8は、絶縁トランスのコイルボビンの端子装着部台座2に、1次側端子5と2次側端子4、間に絶縁と実装時の位置決めを兼ねた突起3を設け、回路基板面積の大きくしない方法をとっている。
図8−a,図8−bは、本発明の共振トランスの外形寸法の一例を示した図である。
絶縁トランスの高さ寸法は10mm以下5mm以上で、縦寸法は20mm以上50mm以下、横寸法は30mm以上70mm以下としている。
図9−a,図9−bにおいて、2次側端子の一方に2次側コイルを巻回し、コイルボビン内で接続されている他方の端子は平板形状にして面実装可能な構成としている。
コイルを複数個使用することで、個々の重量を低減し、ピン端子に加わる重量を低減することで、面実装を実現可能にしている。
図10は、共振トランスを複数の絶縁トランスのうちいずれかに隣接して配置されている一例を示した図である。
絶縁トランスの一つと他方の絶縁トランスを90°に配置し、その内側に、絶縁トランスの一方に共振トランスを配置して配置面積を最小にしながら、各トランス間の距離を短くして、大電流によるパターン損失を減らし、スイッチングによるノイズの発振源とならないようにしている。
以上、本発明に従う表示装置用DC−DCコンバータの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良や変形を行うことができる。
上記実施の形態で説明したように、本発明に従うDC-DCコンバータは、複数の絶縁トランスと共振コンデンサと、共振コイルを有し、前述複数の絶縁トランスの1次側巻線と前記共振コンデンサと前記共振コイルが直列に接続されて電流共振回路を構成するとともに、前記複数の絶縁トランスの2次側が並列接続することにより、内部に漏れインダクタンスを備える絶縁トランスを用いることなく、信頼性が確保され、基板面積を大きくしないでも部品高さを10mm以下にすることができる。
本発明の実施例に係る表示装置に駆動電圧を供給するDC−DCコンバータの回路図である。 従来の絶縁トランスの漏れインダクタンスを共振に利用した公知の回路図である。 従来の絶縁トランスの漏れインダクタンスを等価的に表した回路図である。 絶縁トランス(分かつコンバータトランス(重ね巻方式)の断面の一例を示した図である。 絶縁トランス(分割巻方式)の断面の一例を示した図である。 絶縁コンバータトランスの1次側を巻回した一例示した図である。 絶縁コンバータトランスの21側を巻回した一例示した図である。 絶縁コンバータトランスの相互インダクタンス有する等価回路図である。 本発明の実施例の絶縁コンバータトランスの外形図の一例を示した図である。 図8−a のA方向から見た図の一例を示した図である。 本発明の実施例の共振トランスの外形図の一例を示した図である。 図9−aのB方向から見た図の一例を示した図である。 本発明の絶縁トランス及び共振トランスの基板実装の配置の例を示した図である。
符号の説明
1:磁心
2:コイルボビン
3:位置決め用突起
4:2次コイル用端子
5:1次コイル用端子
6:基板
7a:絶縁トランスa
7b:絶縁トランスb
8:共振トランス
9:共振コンデンサ
10:絶縁用層間紙
Q1:スイッチング素子1
Q2:スイッチング゛素子2
IC1:制御・駆動部1
T1:絶縁トランス1
T2:絶縁トランス2
T3:絶縁トランス3
1:共振トランス
2:1次側インダクタンス(ハイサイド)
3:1次側インダクタンス(ロウサイド)
4:2次側インダクタンス(ハイサイド)
5:2次側インダクタンス(ロウサイド)
6:1次側インダクタンス
7:2次側インダクタンス
8:1次側インダクタンス
9:2次側インダクタンス
Lι1: 1次側漏れインダクタンス
Lι2: 2次側漏れインダクタンス
C1:共振コンデンサ
C2:整流平滑コンデンサ
D1:整流ダイオード1
D2:整流ダイオード2
D3:整流ダイオード3
D4:整流ダイオード4
1:1次側巻数
2:2次側巻数
2-1:2次側巻数(正)
2-2:2次側巻数(逆)
2-1-1:2次側巻数(正)並列巻1
2-1-2:2次側巻数(正)並列巻2
2-1-1:2次側巻数(逆)並列巻1
2-1-2:2次側巻数(逆)並列巻2

Claims (11)

  1. 表示装置に駆動電力を供給するDC−DCコンバータであって、
    複数の絶縁トランスと、
    共振コンデンサと、
    共振コイルとを有し、
    前記複数の絶縁トランスの1次側巻線と前記共振コンデンサと前記共振コイルが直列に接続されて電流共振回路を構成し、前記複数の絶縁トランスの2次側が並列接続されることを特徴とするDC−DCコンバータ。
  2. 請求項1記載のDC−DCコンバータにおいて、前記絶縁トランスは、その1次コイルと2次コイルを磁心同軸上に重ねて巻き回した形態であるとともに、前記絶縁トランスの1次コイルと2次コイル間の結合係数は0.9以上であることを特徴とするDC−DCコンバータ。
  3. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、前記絶縁トランスは、その2次コイルと逆極性の同一巻数の2次コイルをバイファイラーに巻き回した形態であるともに、前記絶縁トランスの2次コイル間の結合係数は0.98以上であることを特徴とするDC−DCコンバータ。
  4. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、前記絶縁トランスは、その1次コイルと2次コイルを磁心と同軸上に配置したボビンの1方向に巻き回し、途中で折り返りの無いことを特徴とするDC−DCコンバータ。
  5. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、前記絶縁トランスは、そのコイルのうち少なくとも1次側は3層絶縁線を用いて巻き回されることを特徴とするDC−DCコンバータ。
  6. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、前記絶縁トランスは、その外形寸法のうち高さを5mm以上10mm以下であるとともに、縦寸法を20mm以上50mm以下とし、横寸法を30mm以上70mm以下とすること特徴とするDC−DCコンバータ。
  7. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、前記絶縁トランスは、その出力電力が1個あたり50W〜80Wとすることを特徴とするDC−DCコンバータ。
  8. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、前記絶縁トランスの縦寸法が横寸法よりも短く、縦の辺に1次側端子と2次側端子の対を有するとともに端子間に絶縁と実装時の位置決めを兼ねた突起を有することを特徴とするDC−DCコンバータ。
  9. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、絶縁トランスの縦寸法が横寸法よりも短く、縦の辺に1次側端子と2次側コの字端子の対を有するとともに、絶縁トランスの基板への面実装が可能であることを特徴とするDC−DCコンバータ。
  10. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、前記共振トランスは、その外形寸法のうち高さが5mm以上10mm以下であり、前記絶縁トランスの高さと略同一であることを特徴とするDC−DCコンバータ。
  11. 請求項1のDC−DCコンバータにおいて、前記共振トランスは、前記複数の絶縁トランスのうちいずれかに隣接して配置されることを特徴とするDC−DCコンバータ。
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