JP2009141081A - 半導体ウェーハ表面検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】検査中のウェーハの震動を防止する。
【解決手段】表面が鏡面化されるとともに外周部が面取り加工された半導体ウェーハについて、その外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面に検査用顕微鏡レンズを近接させて前記半導体ウェーハ表面を検査する装置であって、
前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が2カ所以上設けられ、
前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなる。
【選択図】図1
【解決手段】表面が鏡面化されるとともに外周部が面取り加工された半導体ウェーハについて、その外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面に検査用顕微鏡レンズを近接させて前記半導体ウェーハ表面を検査する装置であって、
前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が2カ所以上設けられ、
前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウェーハ表面検査装置に用いて好適な技術に関する。
シリコンウェーハの表面検査において、例えば顕微鏡での検査をおこなう際には、検査ステージ上にウェーハ検査面と反対の面(裏面)を接触させる、あるいは、ウェーハ裏面をステージ上に吸着させて保持することが通常行われている。この際、ウェーハ表面検査においては、0.1〜10nm程度の凹凸を検出可能とするために顕微鏡を用いているが、このため、顕微鏡の対物レンズとウェーハ表面との距離が×10で10mm程度、×100で1〜4mm程度、あるいは、測長の条件により200〜3000μm程度に設定された状態で、レンズと半導体ウェーハとをウェーハ面内方向に相対移動して走査をおこなっていた。
また、この検査ステージにおいては、ウェーハの震動を防止するため、特許文献1に記載されるように、ウェーハを吸着して震動を防止する手段が知られている。
しかし、検査ステージ上にウェーハを保持して検査する場合、接触個所にキズ・ダメージが入ることや、ステージからの金属汚染が発生することがあり、この金属汚染・キズ・ダメージの発生は、ウェーハ裏面であったとしても問題となっており、このような問題を回避して非破壊で検査することが困難であった。
特に、ウェーハ裏面の検査は、検査面と反対側の面がデバイス領域となるウェーハの表面であるため、表面がステージに接触するため非破壊検査は不可能であった。
特に、ウェーハ裏面の検査は、検査面と反対側の面がデバイス領域となるウェーハの表面であるため、表面がステージに接触するため非破壊検査は不可能であった。
この問題に対応するために、特許文献2に記載されるように、ウェーハの周縁部(エッジ部)のみに接触するようにウェーハを支持して検査をおこなうことがあった。この際、ウェーハ表面(検査面)が水平となるように支持しおり、ウェーハと顕微鏡レンズとの距離は、上述した距離に設定されていた。
また、特許文献3のように、ウェーハ縁部のみを支持するものが知られている。
特開2002−039745号公報
特開2003−243465号公報 図9他
特許第3744176号公報
しかし、特許文献2に記載されるように、検査ステージ上でウェーハを保持するのを単純にエッジ部で保持したのでは、ウェーハ自重によるたわみがあることで装置の微小振動がウェーハに伝わりやすい状況になっている。このため、スキャン速度に依存するが、ウェーハがその中央部での最大振幅200〜300μm程度で振動する現象が起きてしまうことがある。
特に高倍率の検査においては、上記のウェーハの振幅が、対物レンズとウェーハとの距離と等しくなる可能性があり、結果的に、レンズ等の装置部品とウェーハが接触してしまう場合があるという不具合が発生していた。
特に高倍率の検査においては、上記のウェーハの振幅が、対物レンズとウェーハとの距離と等しくなる可能性があり、結果的に、レンズ等の装置部品とウェーハが接触してしまう場合があるという不具合が発生していた。
さらに、このような場合、レンズとウェーハが接触しないとしても、ウェーハの震動により、検査におけるフォーカス(焦点)の追従ができず鮮明な画像・精密な測定値が得られないことで、検査結果の正確性が保持できないという問題点があった。
また、ウェーハエッジ部(周縁部)でウェーハを水平に保持した場合、ウェーハ自重に起因するたわみにより、ウェーハと顕微鏡レンズとの間の平行度が悪くなっているため、大きく観察場所を変化させて(高速に)スキャンした場合にウェーハとレンズが接触してしまうという問題点があった。これは、観察場所を移動してから顕微鏡のフォーカスを合わせる動作をおこなうが、ウェーハとレンズ間の平行度が悪いとフォーカスを合わせる前にウェーハに接触してしまうもので、ウェーハ面内各点における測定毎に、対物レンズが測定点に対応する位置となるようにウェーハを面内方向に移動し、顕微鏡のフォーカスをあわせる、というを繰り返すのでは相対移動のスピードが遅くなり、結果的に、ウェーハ表面検査に必要な作業時間が増大し好ましくないものである。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
1.顕微鏡検査におけるウェーハと対物レンズとの接触を防止すること。
2.検査時のウェーハ表裏面における金属汚染、キズ、ダメージ発生を防止すること。
3.検査中のウェーハの震動を防止すること。
4.検査中の対物レンズとウェーハ表面との距離を安定させること。
5.検査中のウェーハ表面に対する焦点追従を確実におこなうこと。
1.顕微鏡検査におけるウェーハと対物レンズとの接触を防止すること。
2.検査時のウェーハ表裏面における金属汚染、キズ、ダメージ発生を防止すること。
3.検査中のウェーハの震動を防止すること。
4.検査中の対物レンズとウェーハ表面との距離を安定させること。
5.検査中のウェーハ表面に対する焦点追従を確実におこなうこと。
本発明の半導体ウェーハ表面検査装置は、表面が鏡面化されるとともに外周部が面取り加工された半導体ウェーハについて、その外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面に検査用顕微鏡レンズを近接させて前記半導体ウェーハ表面を検査する装置であって、
前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が2カ所以上設けられ、
前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなることにより上記課題を解決した。
本発明において、前記接触部分における前記半導体ウェーハ中心軸方向の接触面曲率は、前記半導体ウェーハの震動を防止するために、前記半導体ウェーハ面取り部分の曲率と等しく設定されてなることがより好ましい。
本発明の前記ウェーハ把持部分には、少なくとも鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より上側に位置した前記接触部分を前記半導体ウェーハ中心軸方向に摺動可能に支持する震動防止手段を有することが可能である。
本発明において、前記接触部分が、鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より下側に少なくとも1カ所、鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より上側に1カ所設けられる手段を採用することもできる。
前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が2カ所以上設けられ、
前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなることにより上記課題を解決した。
本発明において、前記接触部分における前記半導体ウェーハ中心軸方向の接触面曲率は、前記半導体ウェーハの震動を防止するために、前記半導体ウェーハ面取り部分の曲率と等しく設定されてなることがより好ましい。
本発明の前記ウェーハ把持部分には、少なくとも鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より上側に位置した前記接触部分を前記半導体ウェーハ中心軸方向に摺動可能に支持する震動防止手段を有することが可能である。
本発明において、前記接触部分が、鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より下側に少なくとも1カ所、鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より上側に1カ所設けられる手段を採用することもできる。
本発明によれば、ウェーハの保持をエッジ部で行い、さらに垂直にすることで装置からの振動が最小限に抑えられ、表面・裏面を接触させずに非破壊で検査することが可能になった。
ウェーハの保持を垂直にすることで振動を抑えているが、装置自体を除振台の上に設置するとさらに明瞭な画像、正確な測定値が得られる。
ウェーハの表面及び裏面に接触個所がないのでキズ・ダメージ・金属汚染の懸念がなく、表面だけでなく裏面について顕微鏡での非破壊検査が可能になる。そのため、顕微鏡での検査のために余分にウェーハを抜取る必要がなく、歩留向上及び生産性向上に役立つ。また、垂直にウェーハを保持することで装置の降下パーティクルの影響も少なくできるため、検査によってウェーハ品質を損なう危険性を最小限にできるという効果を奏することができる。
ウェーハの保持を垂直にすることで振動を抑えているが、装置自体を除振台の上に設置するとさらに明瞭な画像、正確な測定値が得られる。
ウェーハの表面及び裏面に接触個所がないのでキズ・ダメージ・金属汚染の懸念がなく、表面だけでなく裏面について顕微鏡での非破壊検査が可能になる。そのため、顕微鏡での検査のために余分にウェーハを抜取る必要がなく、歩留向上及び生産性向上に役立つ。また、垂直にウェーハを保持することで装置の降下パーティクルの影響も少なくできるため、検査によってウェーハ品質を損なう危険性を最小限にできるという効果を奏することができる。
また、垂直保持によりウェーハ自重によるたわみをなくせるため、顕微鏡レンズとウェーハとの平行度を出しやすくなり高速でXYスキャンをした場合でも、焦点を合わせることが可能になった。
以下、本発明に係る半導体ウェーハ表面検査装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態における半導体ウェーハ表面検査装置における検査状態を示す側面図であり、図2は、本実施形態における半導体ウェーハ表面検査装置の一部を示す正面図であり、図において、符号20は、把持部分である。
本実施形態における半導体ウェーハ表面検査装置(シリコンウェーハの検査装置)は、図1に示すように、半導体ウェーハの一例であるシリコンウェーハWの外周部を把持しウェーハを鉛直状態に保持する把持部分20と、シリコンウェーハWの表面W1を検査する表面検査手段としてウェーハW表面を面内方向に走査してウェーハW表面を検査する検査用顕微鏡レンズ12と、を有する。なお、図1では、把持部分20のうち、ウェーハと接触する箇所のみを示している。
ここで使用されているシリコンウェーハW は、CZ法により引き上げられたシリコン単結晶棒をブロック切断、ウェーハ切断、面取り、機械的化学的研磨、RCA洗浄による最終洗浄を施して得られたシリコンウェーハである。このシリコンウェーハW は、ウェーハ表面W1が鏡面に仕上げられている。
把持部分20は、シリコンウェーハ外周部に接触する接触部分21が2カ所以上設けられ、この接触部分21が、図2(a)に示すように、鉛直方向に把持したシリコンウェーハWの中心より下側に少なくとも1カ所と、シリコンウェーハの中心より上側に1カ所設けられる。
具体的には、把持部分20が、図2(a)に示すように、鉛直方向に把持したシリコンウェーハWの頂部に1カ所と、シリコンウェーハW最下部から中心角10〜50°の位置に1カ所ずつ、計2カ所とされ、把持部分20が3カ所設けられる。
なお、把持部分20が、図2(b)に示すように、鉛直方向に把持したシリコンウェーハWの頂部に1カ所の接触部分21と、シリコンウェーハW最下部から中心角−50〜−10ないし10〜50°の範囲にわたってウェーハWの外周に沿った形状の1カ所設の接触部分22とを設けることも可能である。
具体的には、把持部分20が、図2(a)に示すように、鉛直方向に把持したシリコンウェーハWの頂部に1カ所と、シリコンウェーハW最下部から中心角10〜50°の位置に1カ所ずつ、計2カ所とされ、把持部分20が3カ所設けられる。
なお、把持部分20が、図2(b)に示すように、鉛直方向に把持したシリコンウェーハWの頂部に1カ所の接触部分21と、シリコンウェーハW最下部から中心角−50〜−10ないし10〜50°の範囲にわたってウェーハWの外周に沿った形状の1カ所設の接触部分22とを設けることも可能である。
これらの把持部分20としては、シリコンウェーハの中心より上側に設けられた接触部分21が、ウェーハW外周部に接触する把持位置とウェーハW外周部から離間する解除位置との間で可動とされ、シリコンウェーハWの把持、解除とを切り替え可能となっている。
なお、ウェーハWの上下位置とは、検査時におけるウェーハの把持状態に際して便宜的に呼称するものであり、搬送時・検査準備時等におけるウェーハWの姿勢はこの限りではない。
なお、ウェーハWの上下位置とは、検査時におけるウェーハの把持状態に際して便宜的に呼称するものであり、搬送時・検査準備時等におけるウェーハWの姿勢はこの限りではない。
図3は、把持部分とシリコンウェーハとを示す側面図である。
この接触部分21には、図3に示すように、前記半導体ウェーハW面取り部分W3の表面側位置W3aに接触する表面接触部21aと、該表面接触部21と前記半導体ウェーハW円周方向同位置で前記半導体ウェーハ面取り部分W3の裏面側位置W3bとで接触する裏面接触部21bとが設けられている。
この接触部分21には、図3に示すように、前記半導体ウェーハW面取り部分W3の表面側位置W3aに接触する表面接触部21aと、該表面接触部21と前記半導体ウェーハW円周方向同位置で前記半導体ウェーハ面取り部分W3の裏面側位置W3bとで接触する裏面接触部21bとが設けられている。
前記接触部分20における前記半導体ウェーハW中心軸方向の接触面曲率は、表面接触部21aの接触面曲率R1と、裏面接触部21bの接触面曲率R2とが、半導体ウェーハWの震動を防止するために、半導体ウェーハW面取り部分W3の曲率Rwと等しく設定される。
また、接触部分20は、ウェーハの把持と震動低減を同時に可能な硬度を有するフッ素化合物樹脂からなるものとされる。
また、接触部分20は、ウェーハの把持と震動低減を同時に可能な硬度を有するフッ素化合物樹脂からなるものとされる。
図4は、検査用顕微鏡レンズとシリコンウェーハとの関係を示す側面図(a)正面図(b)である。
上記検査用顕微鏡レンズ(表面検出装置)12は、具体的には光学顕微鏡の対物レンズ部分とされ、シリコンウェーハWの表面w1に対して、直交する方向からその表面を観察する装置である。
この装置構成は、ウェーハ表面w1からの反射光を検出装置12のレンズが捕獲することで、シリコンウェーハWの表面の異物、キズ、突起、COP、汚れなどであるパーティクルの個数等を検出する。
上記検査用顕微鏡レンズ(表面検出装置)12は、具体的には光学顕微鏡の対物レンズ部分とされ、シリコンウェーハWの表面w1に対して、直交する方向からその表面を観察する装置である。
この装置構成は、ウェーハ表面w1からの反射光を検出装置12のレンズが捕獲することで、シリコンウェーハWの表面の異物、キズ、突起、COP、汚れなどであるパーティクルの個数等を検出する。
また、顕微鏡としては、通常の光学顕微鏡、レーザー顕微鏡、DUV顕微鏡等が適用可能であり、顕微鏡のメーカー、形式などによらず、通常の顕微鏡レンズを有する顕微鏡であれば汎用的に使用可能である。
検査用顕微鏡レンズ12は、図4(a)(b)に示すように、鉛直方向移動用レール16aと水平方向移動用レール16bと、これらにより鉛直方向の平面内を移動可能とされる移動部13とからなる走査手段によって鉛直方向の平面内を移動可能とされた移動部13に設けられている。
これらの走査手段および検査用顕微鏡レンズ12は、ウェーハWの表面W1と裏面W2とを同時に検査可能なように対向して2組設けられ、この対向した2組の検査用顕微鏡レンズ12の間の位置にウェーハWを把持部分20により検査位置として固定可能となっている。
これらの走査手段および検査用顕微鏡レンズ12は、ウェーハWの表面W1と裏面W2とを同時に検査可能なように対向して2組設けられ、この対向した2組の検査用顕微鏡レンズ12の間の位置にウェーハWを把持部分20により検査位置として固定可能となっている。
図5,図6,図7は、接触部分を示す側面図である。
把持部分20である接触部分21には、この接触部分1を支持する支持部17に対して取り付けられる際に、図5に示すように、ウェーハWをウェーハ中心軸方向fに摺動可能として支持可能にする震動防止手段として、ウェーハW面内方向にその外周部外側から接触部分21をウェーハWに向かって押圧するバネ37が少なくとも1カ所設けられる。バネ37のバネ定数は検査対象であるウェーハWの口径、厚さ、など、発生する振動を低減可能な範囲に設定される。
これにより、図1に符号fで示すウェーハWにおける主面垂直方向の震動を低減し、検査用顕微鏡レンズ12とウェーハWが接触することを防止する。
把持部分20である接触部分21には、この接触部分1を支持する支持部17に対して取り付けられる際に、図5に示すように、ウェーハWをウェーハ中心軸方向fに摺動可能として支持可能にする震動防止手段として、ウェーハW面内方向にその外周部外側から接触部分21をウェーハWに向かって押圧するバネ37が少なくとも1カ所設けられる。バネ37のバネ定数は検査対象であるウェーハWの口径、厚さ、など、発生する振動を低減可能な範囲に設定される。
これにより、図1に符号fで示すウェーハWにおける主面垂直方向の震動を低減し、検査用顕微鏡レンズ12とウェーハWが接触することを防止する。
さらに、図6に示すように、2つ以上の接触部分21に、それぞれ震動防止手段としてのバネ37を設け、より一層震動を低減することもできる。
さらに、図7に示すように、震動防止手段として、接触部分21と支持部17との間を接続し、この接触部分21をウェーハWに向かって押圧するエアシリンダー38aとガス調節機構38bとを有する可変振動防止手段38を設け、このガス調節機構38bによりシリンダー38a内のエア圧を制御可能として、ウェーハWの口径、厚み、他の寸法等に対応して震動を低減可能として対応可能に設けることもできる。
さらに、図7に示すように、震動防止手段として、接触部分21と支持部17との間を接続し、この接触部分21をウェーハWに向かって押圧するエアシリンダー38aとガス調節機構38bとを有する可変振動防止手段38を設け、このガス調節機構38bによりシリンダー38a内のエア圧を制御可能として、ウェーハWの口径、厚み、他の寸法等に対応して震動を低減可能として対応可能に設けることもできる。
さらに、これら、ウェーハを把持し、その位置を設定する機構として、ロボットハンド11を設けることもできる。
図8は、ガイドローラとウェーハとを示す断面図である。
図8において、ロボットハンド11は、固定側把持アーム14と、この固定側把持アーム14とともに、シリコンウェーハWの外周部を側方から挟持する可動側把持アーム15とを備えている。ガイドローラ28には、ウェーハWの面取り部W3の曲率と一致する曲率を持った面が設けられ、ウェーハと当接する接触部分21とされる。
図8において、ロボットハンド11は、固定側把持アーム14と、この固定側把持アーム14とともに、シリコンウェーハWの外周部を側方から挟持する可動側把持アーム15とを備えている。ガイドローラ28には、ウェーハWの面取り部W3の曲率と一致する曲率を持った面が設けられ、ウェーハと当接する接触部分21とされる。
把持部分(把持手段)20などの一例であるロボットハンド11は、図8に示すように、XYZθ方向へ三次元的に可動のロボットアーム23の先端部に装着されている。このロボットハンド11は、基台部24と、この基台部24に固着されたウェーハクランプ用の固定側把持アーム14と、図外のクランプ開閉モータを駆動源として、基台部24に摺動可能に取り付けられた可動側把持アーム15と、シリコンウェーハWの回転手段27とを備えている。
固定および可動側把持アーム14,15には、外周面にシリコンウェーハWの外周部を保持する溝を有するガイドローラ28が複数個配設されている。
また、この回転手段27は、基台部24から固定側把持アーム14の元部にかけて組み付けられており、小型の駆動モータ29,駆動プーリ30,従動プーリ31,ガイドローラ32,動力伝達用のベルト33およびウェーハ回転用ローラ34を有している。駆動モータ29により駆動プーリ30が回転し、その回転力はベルト33を介して従動プーリ31を経てウェーハ回転用ローラ34へ伝達される。これにより、このローラ34が回転することで、固定,可動側把持アーム14,15に把持されたシリコンウェーハWが、その周方向へ回転可能である。
なお、図8において、35は基台部24の側面から突出して、可動側把持アーム15の摺動を案内するガイドピン、36は可動側把持アーム15の元部に穿設されて、ガイドピン35が挿通される長孔、37aはクッションバネ(振動防止手段)である。
また、この回転手段27は、基台部24から固定側把持アーム14の元部にかけて組み付けられており、小型の駆動モータ29,駆動プーリ30,従動プーリ31,ガイドローラ32,動力伝達用のベルト33およびウェーハ回転用ローラ34を有している。駆動モータ29により駆動プーリ30が回転し、その回転力はベルト33を介して従動プーリ31を経てウェーハ回転用ローラ34へ伝達される。これにより、このローラ34が回転することで、固定,可動側把持アーム14,15に把持されたシリコンウェーハWが、その周方向へ回転可能である。
なお、図8において、35は基台部24の側面から突出して、可動側把持アーム15の摺動を案内するガイドピン、36は可動側把持アーム15の元部に穿設されて、ガイドピン35が挿通される長孔、37aはクッションバネ(振動防止手段)である。
図1に示すように、全体装置内でロボットハンド11によりシリコンウェーハWを鉛直状態に保持することで、シリコンウェーハWを水平保持した場合に懸念される、ウェーハ中央部が自重で下方へ撓むおそれや、検査中にウェーハWが振動することが解消される。これにより、検査中のすべての時間において表面検出装置12のフォーカス(焦点)がウェーハ表面W1と一致するように正確に設定でき、ウェーハ表裏面w1の検査を正確に行うことができる。
次に、このシリコンウェーハの検査装置を用いたシリコンウェーハの検査方法を説明する。
図2に示すように、ロボットハンド11を作動させて、固定,可動側把持アーム14,15で把持されたシリコンウェーハWを、表面検出装置12の正面位置に、垂直状態で配置する。
その後、シリコンウェーハWの表裏面w1の検査を開始する。すなわち、ウェーハ表面w1の反射光を表面検出装置12で捕獲することにより、この表面w1に付着したパーティクル等の状態を検出する。検査中、シリコンウェーハWの表面w1に対する表面検出装置12の検査位置を移動し走査させるために、ロボットハンド11を可動させたり、回転手段27の駆動モータ29を駆動して、シリコンウェーハWをXYZ方向へ移動させたり、θ方向へ回動させる。
その後、シリコンウェーハWの表裏面w1の検査を開始する。すなわち、ウェーハ表面w1の反射光を表面検出装置12で捕獲することにより、この表面w1に付着したパーティクル等の状態を検出する。検査中、シリコンウェーハWの表面w1に対する表面検出装置12の検査位置を移動し走査させるために、ロボットハンド11を可動させたり、回転手段27の駆動モータ29を駆動して、シリコンウェーハWをXYZ方向へ移動させたり、θ方向へ回動させる。
本実施形態によれば、表面検出装置12とウェーハ表面W1との距離Tが200μm程度(180〜300μm)であったとしても、ウェーハWの振動を防止することができるので、顕微鏡検査におけるウェーハと対物レンズとの接触を防止し、検査時のウェーハ表裏面における金属汚染、キズ、ダメージ発生を防止することができるとともに、検査中のウェーハの震動を防止して、検査中の対物レンズとウェーハ表面との距離を安定させ、検査中のウェーハ表面に対する焦点追従を確実におこない、検査の正確性を向上することができる。
なお、ウェーハWがφ300mmである場合には、振幅200〜300μm程度の振動が発生することが多く、また、ウェーハWがφ200mmである場合には、振幅100〜200μm程度の振動が発生することが多いが、これらの影響を確実に低減できる。
なお、特許文献3では、半導体ウェーハについてその外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面にレーザ光を垂直方向から照射する方法であり、このようなレーザー光学系においては、ウェーハ近くにレーザー光をウェーハ表面へ照射するための部品を配置せずとも必要な光を照射することができるのに対し、一方、本実施形態における検査装置が観察対象とする検査項目は、ウェーハ主面(裏面を含む)の顕微鏡検査である。
本実施形態においては、顕微鏡の対物レンズの特性上、ウェーハ近くへのレンズ配置は必須であり、本実施形態のような顕微鏡レビューステーションでは、この対物レンズをウェーハに近づけた状態にて、高速にウェーハの観察箇所を変えることが、検査の高速化には必要となる。この場合、ウェーハを載せた状態で各観察箇所への移動を行うウェーハステージが、対物レンズに対しての平行に保たれていることが重要となる。
本実施形態においては、顕微鏡の対物レンズの特性上、ウェーハ近くへのレンズ配置は必須であり、本実施形態のような顕微鏡レビューステーションでは、この対物レンズをウェーハに近づけた状態にて、高速にウェーハの観察箇所を変えることが、検査の高速化には必要となる。この場合、ウェーハを載せた状態で各観察箇所への移動を行うウェーハステージが、対物レンズに対しての平行に保たれていることが重要となる。
しかし、特許文献3等のようにウェーハ横置きでかつエッジハンドリングのステージの場合、ウェーハ自重によるたわみが、この平行度を得るにおいて、最大の障害となっている。このため、市販のφ300mmウエーハの顕微鏡ステージは、すべて裏面接触型である。しかし、このような裏面接触型のステージでは出荷前のウェーハを乗せるのは裏面にパーティクルを付着させたり、キズをつけたりする恐れが有るため、不適であった。そこで、本実施形態では、上述のように構成することにより、ウェーハ自重による変形の影響を防ぎ、対物レンズに対し、平行度を保ったウエーハ設置を可能とすることができる。
しかも、本実施形態によれば、エッジハンドリングのステージを縦置きとすることで、ウェーハの対物レンズに対する平行度維持を容易にして、ウェーハと顕微鏡(検査装置)とにおける高速の相対移動を可能とし、検査時間を短縮して、ウェーハ製造コストの削減を可能とすることができる。
しかも、本実施形態によれば、エッジハンドリングのステージを縦置きとすることで、ウェーハの対物レンズに対する平行度維持を容易にして、ウェーハと顕微鏡(検査装置)とにおける高速の相対移動を可能とし、検査時間を短縮して、ウェーハ製造コストの削減を可能とすることができる。
さらに、移動部13の検査用顕微鏡レンズ12付近に超音波センサーなどの距離測定手段を設け、ウェーハとレンズの距離Tを一定に保つように制御することも可能である。
20 把持部分
W シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)
W シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)
Claims (4)
- 表面が鏡面化されるとともに外周部が面取り加工された半導体ウェーハについて、その外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面に検査用顕微鏡レンズを近接させて前記半導体ウェーハ表面を検査する装置であって、
前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が2カ所以上設けられ、
前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなることを特徴とする半導体ウェーハ表面検査装置。 - 前記接触部分における前記半導体ウェーハ中心軸方向の接触面曲率は、前記半導体ウェーハの震動を防止するために、前記半導体ウェーハ面取り部分の曲率と等しく設定されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハ表面検査装置。
- 前記ウェーハ把持部分には、少なくとも鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より上側に位置した前記接触部分を前記半導体ウェーハ中心軸方向に摺動可能に支持する震動防止手段を有することを特徴とする請求項1または2記載の半導体ウェーハ表面検査装置。
- 前記接触部分が、鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より下側に少なくとも1カ所、鉛直方向に把持した前記半導体ウェーハの中心より上側に1カ所設けられることを特徴とする請求項3記載の半導体ウェーハ表面検査装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101703904B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2017-02-22 | (주)오로스 테크놀로지 | 웨이퍼 그립핑 장치 및 이를 포함하는 양면 웨이퍼 스트레스 검사장치 |
JP2017228602A (ja) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | ウエハ検査装置 |
WO2023190699A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 株式会社ナノシステムソリューションズ | ウェーハ回転装置、ウェーハ検査装置及びウェーハの検査方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283616A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ |
JP2009289877A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ |
JP5379432B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2013-12-25 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの検査方法 |
CN109285794B (zh) * | 2017-07-21 | 2020-11-20 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种用于晶圆的目视检测机及检测方法 |
CN111370346B (zh) * | 2020-03-19 | 2023-07-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆翘曲度测量装置及方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63128728A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Nec Corp | 縦型半導体基板外観検査装置 |
JP2002261155A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Kuroda Precision Ind Ltd | 薄円板の支持方法および薄円板の支持構造 |
JP2002539621A (ja) * | 1999-03-16 | 2002-11-19 | エーディーイー コーポレーション | ウエーハグリッピングフィンガ |
JP2005203661A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄板材の測定方法および測定装置 |
JP2006261271A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの保持用グリッパー及び保持方法並びに形状測定装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7000622B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-02-21 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus |
US7234477B2 (en) * | 2000-06-30 | 2007-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces |
JP3629244B2 (ja) * | 2002-02-19 | 2005-03-16 | 本多エレクトロン株式会社 | ウエーハ用検査装置 |
US7252097B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process |
US7240679B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-07-10 | Lam Research Corporation | System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
US6988327B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
US7069937B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-07-04 | Lam Research Corporation | Vertical proximity processor |
-
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-
2008
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63128728A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Nec Corp | 縦型半導体基板外観検査装置 |
JP2002539621A (ja) * | 1999-03-16 | 2002-11-19 | エーディーイー コーポレーション | ウエーハグリッピングフィンガ |
JP2002261155A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Kuroda Precision Ind Ltd | 薄円板の支持方法および薄円板の支持構造 |
JP2005203661A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄板材の測定方法および測定装置 |
JP2006261271A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの保持用グリッパー及び保持方法並びに形状測定装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101703904B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2017-02-22 | (주)오로스 테크놀로지 | 웨이퍼 그립핑 장치 및 이를 포함하는 양면 웨이퍼 스트레스 검사장치 |
JP2017228602A (ja) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | ウエハ検査装置 |
WO2023190699A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 株式会社ナノシステムソリューションズ | ウェーハ回転装置、ウェーハ検査装置及びウェーハの検査方法 |
JP7473748B2 (ja) | 2022-03-29 | 2024-04-23 | 株式会社ナノシステムソリューションズ | ウェーハ回転装置、ウェーハ検査装置及びウェーハの検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20090147250A1 (en) | 2009-06-11 |
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