JP2009117692A - Manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device manufacturing method.
各種デバイスの製造工程において、配線パターンなどを製造するときに、マイクロコンタクトプリント法（μＣＰ法）と称する印刷技術が用いられることがある。μＣＰ法は、版に配線等の原料を塗布し、これを目的の基板等に転写する方法で、精細なパターンを繰り返し精度良く転写することができる（例えば、非特許文献１を参照）。 In manufacturing processes of various devices, when manufacturing a wiring pattern or the like, a printing technique called a micro contact printing method (μCP method) may be used. The μCP method is a method in which a raw material such as wiring is applied to a plate and transferred to a target substrate or the like, and a fine pattern can be transferred repeatedly with high accuracy (for example, see Non-Patent Document 1).
ところが最近のデバイスに用いられる配線パターンは、ますますピッチの小さい、かつパターン全体の面積の大きいものとなっている。このような要請から、μＣＰ法においても、より高精細で大面積のμＣＰ用版を作成する必要が生じている。また、μＣＰ法においては、高精細、大面積であるほど、高度な転写精度も求められる。 However, wiring patterns used in recent devices are increasingly smaller in pitch and larger in overall pattern area. From such a demand, it is necessary to prepare a plate for μCP having a higher definition and a larger area even in the μCP method. In addition, in the μCP method, the higher the resolution and the larger the area, the higher the transfer accuracy is required.
高精細で大面積のμＣＰ用版は、作成が難しく製作コストが大きかった。しかも、高精細で大面積のμＣＰ用版を用意したとしても、これを用いた転写工程において、歩留まりが低下することがあった。したがって、デバイスに高精細・大面積の配線パターンを形成する方法としては、高精細かつ大面積のパターンを有する版を用いることのない、簡易な方法が求められている。
本発明の目的の１つは、簡易な版を用いて、高精細なパターンを有する電子装置を製造する方法を提供することである。 One of the objects of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic device having a high-definition pattern using a simple plate.
本発明にかかる電子装置の製造方法は、
版の平坦な面に液体層を形成する工程と、
凹凸パターンが形成された基板を準備する工程と、
前記基板の凹凸パターンと前記版の液体層とを接触させた後、前記基板と前記版とを分離し、前記液体層を前記凹凸パターンの凸部に転写する工程と、
を含む。
An electronic device manufacturing method according to the present invention includes:
Forming a liquid layer on the flat surface of the plate;
Preparing a substrate on which an uneven pattern is formed;
After contacting the concave / convex pattern of the substrate and the liquid layer of the plate, separating the substrate and the plate, and transferring the liquid layer to the convex portions of the concave / convex pattern;
including.
このようにすれば、簡易な版を用いて、高精細なパターンを有する電子装置を製造することができる。 In this way, an electronic device having a high-definition pattern can be manufactured using a simple plate.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記液体層を前記凹凸パターンの凸部に転写する工程は、前記基板の凹凸パターンと前記版の液体層とを１ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力で接触させることができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
In the step of transferring the liquid layer to the convex portions of the concave / convex pattern, the concave / convex pattern of the substrate and the liquid layer of the plate can be brought into contact with each other with a pressure of 1 kgf / cm 2 or more.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記凹凸パターンの凸部と凹部の段差は、１μｍ以下であることができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
The level difference between the convex part and the concave part of the concave / convex pattern may be 1 μm or less.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記凹凸パターンの凸部の表面は、前記凹凸パターンの凹部の表面より、前記液体層を構成する物質との親和性が高い物質から構成されることができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
The surface of the convex part of the concavo-convex pattern can be made of a substance having a higher affinity with the substance constituting the liquid layer than the surface of the concave part of the concavo-convex pattern.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記液体層は、ポリ−３−ヘキシルチオフェンを含み、
前記凹凸パターンの凸部の表面は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、およびポリ（スチレンスルホン酸）の混合物から構成されることができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
The liquid layer comprises poly-3-hexylthiophene;
The surface of the convex part of the said uneven | corrugated pattern can be comprised from the mixture of poly (3,4-ethylene dioxythiophene) and poly (styrene sulfonic acid).
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記凹凸パターンの凹部の表面は、フッ化アルキルシラン、および、ヘキサメチルジシラザンの少なくとも一方から構成されることができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
The surface of the concave portion of the concave / convex pattern can be composed of at least one of fluorinated alkylsilane and hexamethyldisilazane.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記液体層を前記凹凸パターンの凸部に転写する工程の前に、前記凹凸パターンの凹部に表面制御層を形成する工程を含むことができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
A step of forming a surface control layer in the concave portion of the concave / convex pattern may be included before the step of transferring the liquid layer to the convex portion of the concave / convex pattern.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記表面制御層は、フッ化アルキルシラン、および、ヘキサメチルジシラザンの少なくとも一方を含むことができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
The surface control layer may include at least one of fluorinated alkylsilane and hexamethyldisilazane.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記版の平坦な面に液体層を形成する工程、
前記凹凸パターンが形成された基板を準備する工程、
および、前記基板の凹凸パターンと前記版の液体層とを接触させた後、前記基板と前記版とを分離し、前記液体層を前記凹凸パターンの凸部に転写する工程、
の組を複数含むことができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
Forming a liquid layer on the flat surface of the plate;
Preparing a substrate on which the concavo-convex pattern is formed,
And, after contacting the concavo-convex pattern of the substrate and the liquid layer of the plate, separating the substrate and the plate, and transferring the liquid layer to the convex portion of the concavo-convex pattern,
A plurality of sets can be included.
以下に本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の一例として説明するものである。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following embodiment will be described as an example of the present invention.
１．電子装置の製造方法
図１ないし図６、図８および図９は、本実施形態の電子装置の製造工程を模式的に示す断面図である。図７は、本実施形態の製造方法で製造できる電子装置１００の細部を模式的に示す断面図である。図１０は、本実施形態の製造方法で製造できる電子装置２００の細部を模式的に示す断面図である。図１１は、本実施形態の製造方法で製造される電子装置３００の一例を模式的に示す平面図である。図１２は、本実施形態の製造方法で製造できる電子装置３００の一例を模式的に示す断面図である。図１１のＡ−Ａ線の断面は、図１２に相当する。
1. Manufacturing Method of Electronic Device FIGS. 1 to 6, 8, and 9 are cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the electronic device of this embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing details of the electronic device 100 that can be manufactured by the manufacturing method of the present embodiment. FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing details of the electronic device 200 that can be manufactured by the manufacturing method of the present embodiment. FIG. 11 is a plan view schematically showing an example of the electronic device 300 manufactured by the manufacturing method of the present embodiment. FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing an example of an electronic device 300 that can be manufactured by the manufacturing method of the present embodiment. A cross section taken along line AA in FIG. 11 corresponds to FIG.
本実施形態の電子装置１００の製造方法は、版１０に液体層３０ａを形成する工程と、凹凸パターンが形成された基板２０を準備する工程と、基板２０の凹凸パターン４０と版１０の液体層３０ａとを接触させた後、基板２０と版１０とを分離し、液体層３０ａを凹凸パターンの凸部４２に転写する工程と、を含む。 The manufacturing method of the electronic device 100 according to the present embodiment includes the step of forming the liquid layer 30a on the plate 10, the step of preparing the substrate 20 on which the concavo-convex pattern is formed, the concavo-convex pattern 40 of the substrate 20 and the liquid layer of the plate 10. A step of separating the substrate 20 and the plate 10 after contacting the substrate 30a and transferring the liquid layer 30a to the convex portion 42 of the concave-convex pattern.
まず、図１に示すような、平坦な面を有する版１０を準備する。版１０は、板状であってもよく、平坦な面を有するかぎり、平面的に見た形状や他の面の形状は任意である。版１０の平坦な面には、次の工程で液体（インク等）が塗布され、液体層３０ａが形成される。版１０の材質は、特に限定されない。版１０の材質としては、たとえば、ガラス、金属、樹脂等を用いることができる。版１０の材質として、たとえば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の可とう性を有するものを選べば、基板２０への密着性、追従性を高めることができる。また、版１０の材質は、液体との親和性や反応性を考慮して選ぶことができる。版１０の材質としてＰＤＭＳを用いることは、ＰＤＭＳが化学的に安定な材料であるため、本実施形態の製造方法を幅広い種類の液体層３０ａの転写に対応させることができ好適である。版１０の平坦な面には、液体との親和性を調節するために、たとえば、真空紫外線（ＶＵＶ）処理やプラズマ処理等の表面処理を施しても良い。このような表面処理を行うと、たとえば、当該表面の液体の濡れ性等を変化させることができ、扱う液体の性状に合わせて幅広く対応することができる。また、版１０のたわみ等を抑制するために、たとえば、版１０の平坦な面の反対側に、補強板をさらに有していてもよい。補強板としては、ガラス板や金属板などが挙げられる。 First, a plate 10 having a flat surface as shown in FIG. 1 is prepared. The plate 10 may have a plate shape, and as long as it has a flat surface, the shape in plan view and the shape of other surfaces are arbitrary. A liquid (ink or the like) is applied to the flat surface of the plate 10 in the next step to form a liquid layer 30a. The material of the plate 10 is not particularly limited. For example, glass, metal, resin, or the like can be used as the material of the plate 10. If a material having flexibility such as polydimethylsiloxane (PDMS), acrylic resin, urethane resin, or the like is selected as the material of the plate 10, adhesion to the substrate 20 and followability can be improved. The material of the plate 10 can be selected in consideration of the affinity and reactivity with the liquid. The use of PDMS as the material of the plate 10 is preferable because PDMS is a chemically stable material, so that the manufacturing method of the present embodiment can be applied to transfer of a wide variety of liquid layers 30a. The flat surface of the plate 10 may be subjected to surface treatment such as vacuum ultraviolet (VUV) treatment or plasma treatment in order to adjust the affinity with the liquid. When such a surface treatment is performed, for example, the wettability of the liquid on the surface can be changed, and a wide range of measures can be taken according to the properties of the liquid to be handled. Moreover, in order to suppress the bending of the plate 10 or the like, for example, a reinforcing plate may be further provided on the opposite side of the flat surface of the plate 10. Examples of the reinforcing plate include a glass plate and a metal plate.
次に、版１０に液体を塗布して、液体層３０ａを形成する（図２参照）。塗布する液体の例としては、基板２０に半導体のパターンを形成する場合には、ポリチオフェン類をクロロホルムやキシレンに溶解させた溶液が挙げられる。また、塗布する液体の他の例としては、基板２０に電極や配線パターンを形成する場合には、銀のナノ粒子をエタノール等に分散させた分散体、導電性高分子溶液および、白金ペーストなどが挙げられる。さらに、塗布する液体の例として、基板２０に絶縁膜を形成する場合には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを、適宜溶媒に分散させた液体を挙げることができる。さらに、基板２０に誘電体膜を形成する場合には、塗布する液体として誘電体の原料溶液を用いることができる。液体層３０ａを形成するための塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ダイコート法、バーコート法、スプレーコート法、ディッピング法、インクジェット法などを用いることができる。 Next, a liquid is applied to the plate 10 to form a liquid layer 30a (see FIG. 2). Examples of the liquid to be applied include a solution in which polythiophenes are dissolved in chloroform or xylene when a semiconductor pattern is formed on the substrate 20. Other examples of the liquid to be applied include a dispersion in which silver nanoparticles are dispersed in ethanol, a conductive polymer solution, and a platinum paste when an electrode or a wiring pattern is formed on the substrate 20. Is mentioned. Further, as an example of the liquid to be applied, when an insulating film is formed on the substrate 20, a liquid in which an acrylic resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or the like is appropriately dispersed in a solvent can be given. Further, when a dielectric film is formed on the substrate 20, a dielectric raw material solution can be used as the liquid to be applied. As a coating method for forming the liquid layer 30a, a spin coating method, a slit coating method, a die coating method, a bar coating method, a spray coating method, a dipping method, an ink jet method, or the like can be used.
次に、凹凸パターンが形成された基板２０を準備する。基板２０は、凹凸パターンが形成された面を有する限り任意である。たとえば、図３に示すように、基板２０は、一方の面に凹凸パターン４０が形成されたものであることができる。また、基板２０は、図４に示すように、基体２２に配線層２４等の他の部材を形成し、これによって凹凸パターン４０が形成されたものであってもよい。凸部４２の表面は、たとえば、ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）で構成することができる。基板２０の凹凸パターンの段差ｈ（凸部４２と凹部４４の高さの差）（図３，図４参照）は、特に限定されない。しかし、段差ｈは、１μｍ以下であると、基板２０と版１０との密着性が高まり、次の転写工程において欠陥の発生を低減することができる。基板２０としては、たとえば、凹凸パターン４０が形成された半導体基板や、配線（凹凸）パターン４０が形成されたフレキシブル基板（樹脂基板）等を用いることができる。基板２０の凸部４２と凹部４４は、次の転写工程において、凸部４２のみに液体層３０ａが転写されるようにするため、凹部４４は、液体層３０ａとの親和性が低いものとすることが望ましい。換言すると、凹部４４の表面は、表面自由エネルギーの低い材料で構成されるとよい。たとえば、基板２０が上記例示した樹脂基板であれば、基体２２が凹部４４の底面を構成する。このような場合には、凹部４４（基体２２）の材質として、フッ化アルキルシラン（ＦＡＳ）や、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を用いることにより、当該部位を液体層３０ａとの親和性が低いものとすることができる。一方、基板２０が上記例示した半導体基板であれば、凹部４４は、各種の材質となりうる。このような場合、たとえば、酸化シリコン等のように凹部４４が液体層３０ａと親和性が低ければ、そのまま使用することができる。しかし、凹部４４が液体層３０ａと親和性が高い場合には、凹部４４の液体層３０ａとの親和性を低くするほうが望ましい。このような場合には、凹部４４に上述のＦＡＳやＨＭＤＳ等の表面制御層をさらに設けることができる。以上のようにすれば、液体層３０ａが凸部４２に転写され、かつ、凹部４４に転写されにくくすることができる。 Next, the substrate 20 on which the uneven pattern is formed is prepared. The board | substrate 20 is arbitrary as long as it has the surface in which the uneven | corrugated pattern was formed. For example, as shown in FIG. 3, the substrate 20 may have a concavo-convex pattern 40 formed on one surface. Further, as shown in FIG. 4, the substrate 20 may be one in which another member such as the wiring layer 24 is formed on the base body 22, thereby forming the concave / convex pattern 40. The surface of the convex part 42 can be comprised by the poly (3,4-ethylene dioxythiophene) (PEDOT / PSS) which doped the polystyrene sulfonic acid, for example. The step h (difference in height between the convex portion 42 and the concave portion 44) of the concave / convex pattern of the substrate 20 (see FIGS. 3 and 4) is not particularly limited. However, when the level difference h is 1 μm or less, the adhesion between the substrate 20 and the plate 10 is enhanced, and the occurrence of defects can be reduced in the next transfer step. As the substrate 20, for example, a semiconductor substrate on which an uneven pattern 40 is formed, a flexible substrate (resin substrate) on which a wiring (unevenness) pattern 40 is formed, or the like can be used. The convex portion 42 and the concave portion 44 of the substrate 20 have a low affinity with the liquid layer 30a so that the liquid layer 30a is transferred only to the convex portion 42 in the next transfer step. It is desirable. In other words, the surface of the recess 44 may be made of a material having a low surface free energy. For example, if the substrate 20 is the resin substrate exemplified above, the base 22 constitutes the bottom surface of the recess 44. In such a case, by using fluorinated alkylsilane (FAS) or hexamethyldisilazane (HMDS) as the material of the recess 44 (base 22), the portion has a low affinity with the liquid layer 30a. Can be. On the other hand, if the substrate 20 is the semiconductor substrate exemplified above, the recess 44 can be made of various materials. In such a case, for example, if the recess 44 has low affinity with the liquid layer 30a, such as silicon oxide, it can be used as it is. However, when the recess 44 has a high affinity with the liquid layer 30a, it is desirable to reduce the affinity of the recess 44 with the liquid layer 30a. In such a case, a surface control layer such as the aforementioned FAS or HMDS can be further provided in the recess 44. As described above, the liquid layer 30 a can be transferred to the convex portion 42 and hardly transferred to the concave portion 44.
上述のように、凸部４２および凹部４４の液体層３０ａに対する親和性の差によって、液体層３０ａの転写を調節することができる。本実施形態では、さらに、凹凸パターン４０の配置によって転写を適宜制御することができ、これを以下に説明する。 As described above, the transfer of the liquid layer 30a can be adjusted by the difference in the affinity of the convex portion 42 and the concave portion 44 to the liquid layer 30a. In the present embodiment, the transfer can be appropriately controlled by the arrangement of the uneven pattern 40, which will be described below.
基板２０の凹凸パターン４０において、凸部４２と隣り合う凸部４２が近い場合、両者の間の凹部４４に液体層３０ａを転写させにくくするためには、該凹部４４の液体層３０ａとの親和性は、より低いほうが望ましいことは上述の通りである。しかしながら、凹部４４の液体層３０ａに対する親和性を一定に保ったまま、該凹部４４を挟んで隣り合う凸部４２の間隔を狭くすることにより、該凹部４４に積極的に液体層３０ａを転写させるという制御も可能である。このように、凹部４４の液体層３０ａに対する親和性の選定のみならず、凸部４２間の間隔を調節することによって、液体層３０ａの転写を制御することができる。 In the concavo-convex pattern 40 of the substrate 20, when the convex portion 42 and the adjacent convex portion 42 are close, in order to make it difficult to transfer the liquid layer 30 a to the concave portion 44 between them, the affinity of the concave portion 44 with the liquid layer 30 a As described above, it is desirable that the property be lower. However, the liquid layer 30a is positively transferred to the concave portion 44 by narrowing the interval between the adjacent convex portions 42 with the concave portion 44 interposed therebetween while keeping the affinity of the concave portion 44 to the liquid layer 30a constant. Such control is also possible. Thus, not only the selection of the affinity of the recess 44 for the liquid layer 30a but also the transfer of the liquid layer 30a can be controlled by adjusting the interval between the protrusions 42.
上述したように転写の制御は、種々の条件によって行うことができる。また、基板２０に形成される凹凸パターン４０の形状は限定されない。たとえば、凹凸パターン４０の形状は、面積の大きいパターンであってもよく、また、線幅の狭いパターンであっても良い。さらに、凹凸パターン４０の配置（凸部間の間隔等）も上記のように転写の制御に用いることができる。したがって、基板２０に形成される凹凸パターン４０は、これらを考慮して自由に設計されることができ、高精細なものとすることができる。 As described above, the transfer control can be performed under various conditions. Further, the shape of the uneven pattern 40 formed on the substrate 20 is not limited. For example, the shape of the concavo-convex pattern 40 may be a pattern having a large area or a pattern having a narrow line width. Furthermore, the arrangement of the concavo-convex pattern 40 (interval between convex portions, etc.) can also be used for transfer control as described above. Therefore, the concavo-convex pattern 40 formed on the substrate 20 can be freely designed in consideration of these, and can have a high definition.
次に、基板２０の凹凸パターン４０と版１０の液体層３０ａとを接触させた後、基板２０と版１０とを分離し、液体層３０ａを凹凸パターンの凸部４２に転写する工程を行う（図５ないし図７参照）。本工程は、マイクロコンタクトプリント（μＣＰ）法で一般的に行われる方法と同様に行うことができる。まず、基板２０の凹凸パターン４０と版１０の液体層３０ａとを接触させる。図５に示す例では、凸部４２の上面のみに液体層３０ａが接触しているが、図６に示すように凹凸パターン４０の全体すなわち凸部４２および凹部４４に液体層３０ａが接触してもよい。なお図５および図６では、図２の版１０の上下を逆にして描いてある。基板２０の凹凸パターン４０と版１０の液体層３０ａとを接触させるときに印加する圧力は、μＣＰ法において一般的に行われる程度で十分であるが、１ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力で接触させると、転写不良等の欠陥を低減することができる。図５および図６に示すように、版１０の平坦な面に塗布された液体層３０ａが、基板２０の凹凸パターン４０に接触する。そのため、基板２０と版１０とのアライメント調整（位置あわせ）を非常に容易に行うことができる。 Next, after making the uneven | corrugated pattern 40 of the board | substrate 20 and the liquid layer 30a of the plate 10 contact, the process of separating the board | substrate 20 and the plate 10 and transferring the liquid layer 30a to the convex part 42 of an uneven | corrugated pattern is performed. (See FIGS. 5 to 7). This step can be performed in the same manner as a method generally performed by a micro contact printing (μCP) method. First, the concave / convex pattern 40 of the substrate 20 is brought into contact with the liquid layer 30a of the plate 10. In the example shown in FIG. 5, the liquid layer 30 a is in contact only with the upper surface of the convex portion 42. However, as shown in FIG. 6, the liquid layer 30 a is in contact with the entire concave and convex pattern 40, that is, the convex portion 42 and the concave portion 44. Also good. 5 and 6, the plate 10 of FIG. 2 is drawn upside down. The pressure applied when the concave / convex pattern 40 of the substrate 20 and the liquid layer 30a of the plate 10 are brought into contact with each other is sufficient to be generally performed in the μCP method, but when the contact is made at a pressure of 1 kgf / cm 2 or more. Defects such as transfer defects can be reduced. As shown in FIGS. 5 and 6, the liquid layer 30 a applied to the flat surface of the plate 10 contacts the concave / convex pattern 40 of the substrate 20. Therefore, alignment adjustment (positioning) between the substrate 20 and the plate 10 can be performed very easily.
続いて基板２０と版１０を分離する。基板２０と版１０との分離は、μＣＰ法で一般に行われる方法と同様に行うことができる。この工程によって、図７に示すような基板２０の凹凸パターン４０の凸部４２の上に、版１０に形成された液体層３０ａが転写され、液体層３０が形成される。 Subsequently, the substrate 20 and the plate 10 are separated. Separation of the substrate 20 and the plate 10 can be performed in the same manner as that generally performed by the μCP method. By this step, the liquid layer 30a formed on the plate 10 is transferred onto the convex portions 42 of the concave / convex pattern 40 of the substrate 20 as shown in FIG.
本実施形態の製造工程において、以上の工程の他、必要に応じて、乾燥・加熱等の工程を有してもよく、図７に示すような半導体の電極パターン、配線パターン、誘電体パターンを有する電子装置１００を製造することができる。以上説明した製造方法により、簡易な版１０を用いて、高精細なパターンを有する電子装置１００を製造することができる。 In the manufacturing process of this embodiment, in addition to the above processes, if necessary, it may have a process such as drying / heating. A semiconductor electrode pattern, a wiring pattern, and a dielectric pattern as shown in FIG. The electronic device 100 having the same can be manufactured. With the manufacturing method described above, the electronic device 100 having a high-definition pattern can be manufactured using the simple plate 10.
図８ないし図１０は、凹部４４を挟んで隣り合う凸部４２の間隔によって転写を制御した場合の一例を示す模式図である。図８に示すように、凸部４２と他の凸部４２との間の凹部４４の幅が小さい部分を有する基板２０を準備した場合には、該幅を狭くした部位に積極的に液体層３０ａの転写を起こさせることができる。図８の例では、凹部４４ｂは、幅を狭く形成され、凹部４４ａは、幅が広く形成されている。このような基板２０に、液体層３０ａが形成された版１０を、図９に示すように、各凹部に液体層３０ａが侵入するように接触させる。そして、基板２０と版１０とを分離すると、図１０に示すように、凹部４４ａには液体層３０が転写されず、凹部４４ｂには液体層３０が転写されるようにすることができる。このような制御を行うことのできる凹部４４ｂの幅は、液体層３０ａに用いた液体と凹部４４ｂとの親和性と、凹凸パターン４０の立体的な形状により適宜設定されることができる。凹部４４ｂの幅を小さくすることによって液体層３０ａの転写を生じさせるメカニズムは、毛細管現象に依っていると考えられる。しかしながら、転写を起こさせる凹部４４ｂの幅は、液体層３０ａの液体の種類等の条件によって異なるため、特定の幅よりも狭いと転写が生じる等の規定は難しい。このような方法による転写の制御については、一例を実験例として後述する。以上のような制御方法によって、図１０に示すような、基板２０の凹凸パターン４０の凸部４２の上、および凹部４４ｂの上に、版１０に形成された液体層３０ａが転写され、液体層３０が形成される。このような製造方法により、簡易な版１０を用いて、高精細な凹凸パターン４０を有する電子装置２００を製造することができる。 FIG. 8 to FIG. 10 are schematic views showing an example in which the transfer is controlled by the interval between the convex portions 42 adjacent to each other with the concave portion 44 interposed therebetween. As shown in FIG. 8, when the substrate 20 having a portion where the width of the concave portion 44 between the convex portion 42 and the other convex portion 42 is small is prepared, the liquid layer is positively applied to the narrowed portion. 30a can be transferred. In the example of FIG. 8, the recess 44b is formed with a narrow width, and the recess 44a is formed with a wide width. As shown in FIG. 9, the plate 10 on which the liquid layer 30a is formed is brought into contact with such a substrate 20 so that the liquid layer 30a enters the respective recesses. Then, when the substrate 20 and the plate 10 are separated, as shown in FIG. 10, the liquid layer 30 is not transferred to the recess 44a and the liquid layer 30 is transferred to the recess 44b. The width of the recess 44b that can perform such control can be appropriately set according to the affinity between the liquid used for the liquid layer 30a and the recess 44b and the three-dimensional shape of the uneven pattern 40. The mechanism that causes the transfer of the liquid layer 30a by reducing the width of the recess 44b is considered to depend on the capillary phenomenon. However, since the width of the recess 44b that causes transfer varies depending on conditions such as the type of liquid in the liquid layer 30a, it is difficult to define that transfer occurs when the width is narrower than a specific width. The transfer control by such a method will be described later as an experimental example. By the control method as described above, the liquid layer 30a formed on the plate 10 is transferred onto the convex portions 42 and the concave portions 44b of the concave-convex pattern 40 of the substrate 20 as shown in FIG. 30 is formed. With such a manufacturing method, it is possible to manufacture the electronic device 200 having the high-precision concavo-convex pattern 40 using the simple plate 10.
図１１および図１２は、本実施形態の製造方法によって製造される電子装置の一例を示す。図１１および図１２に示す装置は、表示素子であり、その一部を電子装置３００として描いてある。電子装置３００は、ボトムゲートボトムコンタクト型のＴＦＴを有している。本実施形態の製造方法によれば、電子装置３００を簡便に製造することができる。図１１および図１２に示すように、電子装置３００は、ガラス基板３１０の上に、絶縁層３３０および画素電極３２０が形成されている。また、ガラス基板３１０の上に、ゲート電極３４０およびソース配線層３５０がそれぞれ形成され、絶縁層３３０の一部がＴＦＴのゲート絶縁膜３３２となっている。そして、絶縁層３３０、画素電極３２０、およびソース配線層３５０の上面は、平坦化されている。図示のようなガラス基板３１０、絶縁層３３０、画素電極３２０、ゲート電極３４０、ソース配線層３５０、およびゲート絶縁膜３３２からなる基部３０１の上にソース電極３６０およびドレイン電極３７０が形成され、その上に半導体層３８０が形成されている。 11 and 12 show an example of an electronic device manufactured by the manufacturing method of this embodiment. The device shown in FIGS. 11 and 12 is a display element, and a part thereof is depicted as an electronic device 300. The electronic device 300 includes a bottom gate bottom contact type TFT. According to the manufacturing method of the present embodiment, the electronic device 300 can be easily manufactured. As shown in FIGS. 11 and 12, in the electronic device 300, an insulating layer 330 and a pixel electrode 320 are formed on a glass substrate 310. A gate electrode 340 and a source wiring layer 350 are formed on the glass substrate 310, respectively, and a part of the insulating layer 330 is a gate insulating film 332 of the TFT. The upper surfaces of the insulating layer 330, the pixel electrode 320, and the source wiring layer 350 are flattened. A source electrode 360 and a drain electrode 370 are formed on a base 301 composed of a glass substrate 310, an insulating layer 330, a pixel electrode 320, a gate electrode 340, a source wiring layer 350, and a gate insulating film 332 as shown in FIG. A semiconductor layer 380 is formed.
本実施形態の製造方法は、ソース電極３６０およびドレイン電極３７０の上に半導体層３８０を形成する際に適用されることができる。半導体層３８０が形成される前の、平坦化された基部３０１にソース電極３６０およびドレイン電極３７０が形成された状態は、上述した凹凸パターン４０を有する基板２０に相当する。そしてソース電極３６０およびドレイン電極３７０は、上述した凸部４２に相当する。このような基板２０に半導体層３８０を上述の方法により転写する。半導体層３８０となりうる液体としては、たとえば、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）を溶剤に溶解したものを用いることができる。このような液体を版１０の平坦な面に塗布し、凸部４２に転写することにより、電子装置３００を形成することができる。 The manufacturing method of this embodiment can be applied when forming the semiconductor layer 380 on the source electrode 360 and the drain electrode 370. The state in which the source electrode 360 and the drain electrode 370 are formed on the planarized base portion 301 before the semiconductor layer 380 is formed corresponds to the substrate 20 having the uneven pattern 40 described above. The source electrode 360 and the drain electrode 370 correspond to the convex portion 42 described above. The semiconductor layer 380 is transferred to such a substrate 20 by the method described above. As the liquid that can become the semiconductor layer 380, for example, a solution in which poly-3-hexylthiophene (P3HT) is dissolved in a solvent can be used. By applying such a liquid to the flat surface of the plate 10 and transferring it to the convex portion 42, the electronic device 300 can be formed.
上述した各工程は、複数回繰り返して行うことが可能である。以下は、上述した工程を繰り返して行って、電子装置４００を製造する方法について述べる。電子装置４００は、電子装置が圧電素子である場合の例である。個々の工程については、上述したと同様であるため、詳細な説明を省略する。 Each process described above can be repeated a plurality of times. Hereinafter, a method for manufacturing the electronic device 400 by repeating the above-described steps will be described. The electronic device 400 is an example when the electronic device is a piezoelectric element. Since each process is the same as described above, detailed description thereof is omitted.
図１３および図１４は、本実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。図１５は、本実施形態の製造方法で製造される電子装置４００の一例を模式的に示す断面図である。 13 and 14 are cross-sectional views schematically showing an example of a method for manufacturing the electronic device of the present embodiment. FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing an example of an electronic device 400 manufactured by the manufacturing method of the present embodiment.
まず、図１３に示すように、基体４２２の上に、配線層４２４を形成する。本実施形態の電子装置４００においては、配線層４２４は、圧電素子の下部電極に相当する。配線層４２４は、たとえば、白金インクを印刷法によって設けることができる。白金インクとしては、市販のものを用いることができ、たとえば、Ｎ．Ｅ．ケムキャット社製、商品名；Ｐｔ Ｐａｓｔｅ Ｅ−３１００を用いることができる。配線層４２４は、印刷された後、乾燥、焼成等の操作が行われてもよい。基体４２２の上に配線層４２４が形成されると、基板４２０の凹凸パターン４４０が形成されている。このようにして形成された図１４に示す構造体を、基板４２０とする。 First, as shown in FIG. 13, the wiring layer 424 is formed on the base 422. In the electronic device 400 of this embodiment, the wiring layer 424 corresponds to the lower electrode of the piezoelectric element. The wiring layer 424 can be provided with, for example, platinum ink by a printing method. As the platinum ink, commercially available ones can be used. E. Product name; Pt Paste E-3100 manufactured by Chemcat Corporation can be used. After the wiring layer 424 is printed, operations such as drying and baking may be performed. When the wiring layer 424 is formed on the base 422, the uneven pattern 440 of the substrate 420 is formed. The structure shown in FIG. 14 formed as described above is a substrate 420.
次に、凹凸パターン４４０の凹部４４４に表面制御層４５０を形成する。表面制御層４５０は、凹部４４４の表面自由エネルギーを低くするために設けることができる。表面制御層４５０は、例えば、ＦＡＳによって形成することができる。基体４２２の材質は、限定されないが、酸化シリコン、酸化ジルコニウム等である場合は、ＦＡＳのようなシランカップリング剤と化学結合が可能なため、表面制御層４５０（ＦＡＳ）を選択的に凹部４４４に形成することができる。 Next, the surface control layer 450 is formed in the concave portion 444 of the concave / convex pattern 440. The surface control layer 450 can be provided to reduce the surface free energy of the recess 444. The surface control layer 450 can be formed by FAS, for example. The material of the base 422 is not limited; however, in the case of silicon oxide, zirconium oxide, or the like, the surface control layer 450 (FAS) is selectively recessed 444 because it can be chemically bonded to a silane coupling agent such as FAS. Can be formed.
一方、液体層３０ａが形成された版１０は、上述したと同様に作成する。ここでは、液体層３０ａは、圧電体の原料溶液で構成されたものを用いている。次に、既述のように、基板４２０の凹凸パターン４４０と版１０の液体層３０ａとを接触させた後、基板４２０と版１０とを分離し、液体層３０ａを凹凸パターン４４０の凸部４４２に転写する。凹部４４４には表面制御層４５０が形成されているため、凹部４４への液体層３０ａの転写は抑制される。その結果、図１４に示すように、凸部４４２の上に液体層４３２（圧電体）が形成される。液体層４３２は、形成された後、乾燥、焼成等の操作が行われてもよい。 On the other hand, the plate 10 on which the liquid layer 30a is formed is prepared in the same manner as described above. Here, the liquid layer 30a is composed of a piezoelectric material solution. Next, as described above, after bringing the concave / convex pattern 440 of the substrate 420 into contact with the liquid layer 30a of the plate 10, the substrate 420 and the plate 10 are separated, and the liquid layer 30a is separated from the convex portion 442 of the concave / convex pattern 440. Transcript to. Since the surface control layer 450 is formed in the recess 444, the transfer of the liquid layer 30a to the recess 44 is suppressed. As a result, as shown in FIG. 14, a liquid layer 432 (piezoelectric body) is formed on the convex portion 442. After the liquid layer 432 is formed, operations such as drying and baking may be performed.
次に、このようにして形成された図１４に示す構造体を、新たな基板４２０とする。図１４に示す構造体において、基板４２０の凸部４４２は、配線層４２４と液体層４３２とから形成されている。そして再度、平坦な面を有する版１０を準備し、これに液体層３０ａを形成する。ここでは、液体層３０ａは、白金インクで構成されている。白金インクは、上述したものを用いることができる。再び、上述したと同様に基板４２０の凹凸パターンと版１０の液体層３０ａとを接触させた後、基板４２０と版１０とを分離し、液体層３０ａを凹凸パターン４４０の凸部４４２に転写する。凹部４４４には表面制御層４５０が形成されているため、凹部４４への液体層３０ａは転写は抑制される。その結果、図１５に示すように、凸部４４２の上に液体層４３４（白金インク）が形成される。本実施形態の電子装置４００においては、配線層４３４は、圧電素子の上部電極に相当する。図１５に示す電子装置４００は、配線層４２４が下部電極となり、液体層４３２が圧電体層となり、液体層４３４が上部電極となる圧電素子を有している。液体層４３４は、形成された後、乾燥、焼成等の操作が行われてもよい。電子装置４００の圧電素子は、本実施形態の製造方法を用いることにより、高精細なパターン（平面形状）を有するものとすることができる。以上のようにして、図１５に示すような電子装置４００（圧電素子）を製造することができる。 Next, the structure shown in FIG. 14 thus formed is used as a new substrate 420. In the structure shown in FIG. 14, the convex portion 442 of the substrate 420 is formed of a wiring layer 424 and a liquid layer 432. Then, again, a plate 10 having a flat surface is prepared, and a liquid layer 30a is formed thereon. Here, the liquid layer 30a is composed of platinum ink. As the platinum ink, those described above can be used. Again, as described above, after the concave / convex pattern of the substrate 420 and the liquid layer 30a of the plate 10 are brought into contact with each other, the substrate 420 and the plate 10 are separated, and the liquid layer 30a is transferred to the convex portion 442 of the concave / convex pattern 440. . Since the surface control layer 450 is formed in the recess 444, transfer of the liquid layer 30a to the recess 44 is suppressed. As a result, a liquid layer 434 (platinum ink) is formed on the convex portion 442 as shown in FIG. In the electronic device 400 of this embodiment, the wiring layer 434 corresponds to the upper electrode of the piezoelectric element. An electronic device 400 illustrated in FIG. 15 includes a piezoelectric element in which the wiring layer 424 serves as a lower electrode, the liquid layer 432 serves as a piezoelectric layer, and the liquid layer 434 serves as an upper electrode. After the liquid layer 434 is formed, operations such as drying and baking may be performed. The piezoelectric element of the electronic device 400 can have a high-definition pattern (planar shape) by using the manufacturing method of this embodiment. As described above, an electronic device 400 (piezoelectric element) as shown in FIG. 15 can be manufactured.
２．実験例
以下に実験例を記す。本実験例では、表面に酸化シリコン層が形成されたシリコン基板を準備し、該表面にインクジェット法によってポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の水溶液を印刷法により塗布したものを上記の基板とした。本実験例では、酸化シリコン層の上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなる凹凸パターンを形成した。図１３に示すように、凹凸パターンは、間隔（チャネル長）が約１０μｍの２本のライン状に形成されている。一方、版は、ＰＤＭＳで作成され、一方の面に、Ｐ３ＨＴのクロロホルム溶液が塗布されたものを用いた。そして、上述したように基板の凹凸パターンが形成された面と版の液体層（Ｐ３ＨＴ）とを接触させた後、基板と版とを分離した。その結果得られたパターンが形成された面を光学顕微鏡で観察した結果が図１６である。
2. Experimental Example An experimental example is described below. In this experimental example, an aqueous solution of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT / PSS) prepared by preparing a silicon substrate having a silicon oxide layer formed on the surface and doping polystyrene sulfonic acid on the surface by an inkjet method. The above-mentioned substrate was obtained by applying the above by a printing method. In this experimental example, an uneven pattern made of PEDOT / PSS was formed on the silicon oxide layer. As shown in FIG. 13, the concavo-convex pattern is formed in two lines with an interval (channel length) of about 10 μm. On the other hand, the plate was prepared by PDMS, and one having a P3HT chloroform solution applied on one side was used. And as mentioned above, after making the surface in which the uneven | corrugated pattern of the board | substrate was formed and the liquid layer (P3HT) of a plate contacted, the board | substrate and the plate were isolate | separated. FIG. 16 shows the result of observing the surface on which the resulting pattern is formed with an optical microscope.
図１６には、説明のために画像の領域にＡないしＣの符号を付した。図１６における領域Ａには、シリコン基板の酸化シリコン層の表面が観察された。図１６における領域Ｂは、酸化シリコン層の上にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳのライン状のパターンが２本あり、かつ、その上にＰ３ＨＴの層が形成された領域である。図１６における領域Ｃは、酸化シリコン層の上にＰ３ＨＴの層のみが形成された領域である。図１６をみると、領域ＡにはＰ３ＨＴは転写されておらず、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの上、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳのラインの間、およびＰＥＤＯＴ／ＰＳＳのラインの縁にＰ３ＨＴが転写されたことがわかる。本実験例の結果から、平坦な面を有する簡易な版を用いて、基板の凹部に転写欠陥がない良好な転写が得られていることがわかった。また、本実験例の結果から、凹部の幅を狭くすることにより、液体層の転写を積極的に起こすことが可能であることがわかった。また、本実験例に用いた材料の組み合わせにおいては、幅が２０μｍ以下の凹部、および凸部の縁に液体層が転写されることがわかった。 In FIG. 16, reference numerals A to C are attached to image regions for the sake of explanation. In the region A in FIG. 16, the surface of the silicon oxide layer of the silicon substrate was observed. Region B in FIG. 16 is a region in which two PEDOT / PSS line-shaped patterns are formed on the silicon oxide layer, and a P3HT layer is formed thereon. A region C in FIG. 16 is a region in which only the P3HT layer is formed on the silicon oxide layer. FIG. 16 shows that P3HT has not been transferred to region A, and P3HT has been transferred onto PEDOT / PSS, between the PEDOT / PSS lines, and to the edge of the PEDOT / PSS line. From the results of this experimental example, it was found that a good transfer having no transfer defect in the concave portion of the substrate was obtained using a simple plate having a flat surface. Further, from the results of this experimental example, it was found that the liquid layer can be positively transferred by narrowing the width of the recess. It was also found that in the combination of materials used in this experimental example, the liquid layer was transferred to the recesses having a width of 20 μm or less and the edges of the projections.
３．作用効果
本発明の実施形態において説明した電子装置の製造方法によれば、大面積で高精細なパターンを有する版を用いることなく、大面積で高精細なパターンを有する電子装置を製造することができる。すなわち、本発明にかかる電子装置の製造方法に用いる版は、平坦な面を有する。そして、版の平坦な面の全体に液体層が形成され、該液体層が基板に転写される。したがって、本発明の電子装置の製造方法は、簡易な版を用いて、高精細なパターンを有する電子装置を製造することができる。その上、本発明の電子装置の製造方法では、平坦な面を有する簡易な版を用いるため、転写の際のアライメント調整（位置あわせ）を極めて容易に行うことができる。本発明の電子装置の製造方法は、表示デバイス、半導体デバイス、光学デバイスおよび圧電／誘電デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造に好適に適用されることができる。
3. According to the method for manufacturing an electronic device described in the embodiment of the present invention, an electronic device having a large area and a high-definition pattern can be manufactured without using a plate having a large area and a high-definition pattern. it can. That is, the plate used in the method for manufacturing an electronic device according to the present invention has a flat surface. Then, a liquid layer is formed on the entire flat surface of the plate, and the liquid layer is transferred to the substrate. Therefore, the electronic device manufacturing method of the present invention can manufacture an electronic device having a high-definition pattern using a simple plate. In addition, since the method for manufacturing an electronic device according to the present invention uses a simple plate having a flat surface, alignment adjustment (positioning) during transfer can be performed very easily. The method for manufacturing an electronic apparatus according to the present invention can be suitably applied to manufacturing a device having a fine pattern, such as a display device, a semiconductor device, an optical device, and a piezoelectric / dielectric device.
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that achieves the same effect as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. In addition, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
１０ 版、２０，４２０ 基板、２２，４２２ 基体、２４，４２４ 配線層、
３０，３０ａ 液体層、４０，４４０ 凹凸パターン、４２，４４２ 凸部、
４４，４４ａ，４４ｂ，４４４ 凹部、３０１ 基部、３１０ ガラス基板、
３２０ 画素電極、３３０ 絶縁層、３３２ ゲート絶縁膜、３４０ ゲート電極、
３５０ ソース配線層、３６０ ソース電極、３７０ ドレイン電極、
３８０ 半導体層、４３２，４３４ 液体層、４５０ 表面制御層、
１００，２００，３００，４００ 電子装置
10th edition, 20,420 substrate, 22,422 substrate, 24,424 wiring layer,
30, 30a Liquid layer, 40,440 Concavity and convexity pattern, 42,442 Convex part,
44, 44a, 44b, 444 recess, 301 base, 310 glass substrate,
320 pixel electrode, 330 insulating layer, 332 gate insulating film, 340 gate electrode,
350 source wiring layer, 360 source electrode, 370 drain electrode,
380 Semiconductor layer, 432, 434 Liquid layer, 450 Surface control layer,
100, 200, 300, 400 Electronic device
Claims (9)
凹凸パターンが形成された基板を準備する工程と、
前記基板の凹凸パターンと前記版の液体層とを接触させた後、前記基板と前記版とを分離し、前記液体層を前記凹凸パターンの凸部に転写する工程と、
を含む、電子装置の製造方法。 Forming a liquid layer on the flat surface of the plate;
Preparing a substrate on which an uneven pattern is formed;
After contacting the concave / convex pattern of the substrate and the liquid layer of the plate, separating the substrate and the plate, and transferring the liquid layer to the convex portions of the concave / convex pattern;
A method for manufacturing an electronic device, comprising:
前記液体層を前記凹凸パターンの凸部に転写する工程は、前記基板の凹凸パターンと前記版の液体層とを１ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力で接触させる、電子装置の製造方法。 In claim 1,
The step of transferring the liquid layer to the convex portion of the concavo-convex pattern is a method of manufacturing an electronic device in which the concavo-convex pattern of the substrate and the liquid layer of the plate are brought into contact with each other with a pressure of 1 kgf / cm 2 or more.
前記凹凸パターンの凸部と凹部の段差は、１μｍ以下である、電子装置の製造方法。 In claim 1 or claim 2,
The method for manufacturing an electronic device, wherein a step between the convex and concave portions of the concave / convex pattern is 1 μm or less.
前記凹凸パターンの凸部の表面は、前記凹凸パターンの凹部の表面より、前記液体層を構成する物質との親和性が高い物質から構成される、電子装置の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The method of manufacturing an electronic device, wherein a surface of the convex portion of the concave / convex pattern is made of a substance having a higher affinity with a substance constituting the liquid layer than a surface of the concave portion of the concave / convex pattern.
前記液体層は、ポリ−３−ヘキシルチオフェンを含み、
前記凹凸パターンの凸部の表面は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、およびポリ（スチレンスルホン酸）の混合物から構成される、電子装置の製造方法。 In claim 4,
The liquid layer comprises poly-3-hexylthiophene;
The surface of the convex part of the said uneven | corrugated pattern is a manufacturing method of an electronic device comprised from the mixture of poly (3,4-ethylene dioxythiophene) and poly (styrene sulfonic acid).
前記凹凸パターンの凹部の表面は、フッ化アルキルシラン、および、ヘキサメチルジシラザンの少なくとも一方から構成される、電子装置の製造方法。 In claim 4 or claim 5,
The method of manufacturing an electronic device, wherein the surface of the concave portion of the concave / convex pattern is composed of at least one of fluorinated alkylsilane and hexamethyldisilazane.
前記液体層を前記凹凸パターンの凸部に転写する工程の前に、前記凹凸パターンの凹部に表面制御層を形成する工程を含む、電子装置の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The manufacturing method of an electronic device including the process of forming a surface control layer in the recessed part of the said uneven | corrugated pattern before the process of transferring the said liquid layer to the convex part of the said uneven | corrugated pattern.
前記表面制御層は、フッ化アルキルシラン、および、ヘキサメチルジシラザンの少なくとも一方を含む、電子装置の製造方法。 In claim 7,
The method for manufacturing an electronic device, wherein the surface control layer includes at least one of fluorinated alkylsilane and hexamethyldisilazane.
前記版の平坦な面に液体層を形成する工程、
前記凹凸パターンが形成された基板を準備する工程、
および、前記基板の凹凸パターンと前記版の液体層とを接触させた後、前記基板と前記版とを分離し、前記液体層を前記凹凸パターンの凸部に転写する工程、
の組を複数含む、電子装置の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 8,
Forming a liquid layer on the flat surface of the plate;
Preparing a substrate on which the concavo-convex pattern is formed,
And, after contacting the concavo-convex pattern of the substrate and the liquid layer of the plate, separating the substrate and the plate, and transferring the liquid layer to the convex portion of the concavo-convex pattern,
An electronic device manufacturing method including a plurality of sets.
Priority Applications (1)
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