JP2009116284A - ペリクルおよびペリクルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のペリクル10は、13.5nmの波長の光に対する吸収係数が0.005/nm以下であるシリコン結晶膜をペリクル膜11として備えている。シリコン結晶膜は間接遷移型の半導体膜であるために光吸収係数は相対的に低いが、特に単結晶シリコン膜は、非晶質シリコン膜や多結晶シリコン膜に比較して吸収係数が低く、EUV用ペリクル膜としての所望の透過率を得ることが容易である。このようなペリクル膜は、SOI基板(SOQ基板やSOG基板を含む)を薄膜化して得られたSOI膜から作製することができる。SOI基板からシリコン結晶膜のペリクル膜を形成すると、ペリクル膜形成過程で極度の応力が加わることがなく、しかも室温程度の温度下でペリクル膜形成が完了するために歪みが導入されることもない。
【選択図】図1
Description
2 シリコン結晶膜
10 ペリクル
11 ペリクル膜
12 ペリクルフレーム
13 保護膜
Claims (11)
- 13.5nmの波長の光に対する吸収係数が0.005/nm以下であるシリコン結晶膜をペリクル膜として備えていることを特徴とするペリクル。
- 前記シリコン結晶膜は単結晶シリコン膜である請求項1に記載のペリクル。
- 前記単結晶シリコン膜はSOI基板を薄膜化して得られたものである請求項2に記載のペリクル。
- 前記単結晶シリコン膜の結晶面方位は(100)面である請求項2又は3に記載のペリクル。
- 前記シリコン結晶膜の少なくとも一方の主面に保護膜を備えている請求項1乃至4の何れか1項に記載のペリクル。
- 前記保護膜の13.5nmの波長の光に対する吸収係数が0.05/nm以下である請求項5に記載のペリクル。
- 前記保護膜は、SiC、SiO2、Si3N4、SiON、Y2O3、YN、Mo、Ru、及びRhからなる群のうちの少なくとも1つの材料からなるものである請求項5又は6に記載のペリクル。
- 一方主面にシリコン結晶膜が形成されたSOI基板にペリクル膜保持部を設ける工程と、前記SOI基板の他方主面側から支持基板を除去して前記シリコン結晶膜をペリクル膜とする工程とを備え、前記シリコン結晶膜は13.5nmの波長の光に対する吸収係数が0.005/nm以下であることを特徴とするペリクルの製造方法。
- 前記シリコン結晶膜の少なくとも一方の面に保護膜を形成する工程を更に備えている請求項8に記載のペリクルの製造方法。
- 前記保護膜の形成が、SiC、SiO2、Si3N4、SiON、Y2O3、YN、Mo、Ru、及びRhからなる群のうちの少なくとも1つの材料からなる膜を被膜することにより実行される請求項9に記載のペリクルの製造方法。
- 前記保護膜の被膜方法がガスクラスタ・イオンビーム蒸着法である請求項10に記載のペリクルの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007293692A JP4861963B2 (ja) | 2007-10-18 | 2007-11-12 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007270843 | 2007-10-18 | ||
JP2007270843 | 2007-10-18 | ||
JP2007293692A JP4861963B2 (ja) | 2007-10-18 | 2007-11-12 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009116284A true JP2009116284A (ja) | 2009-05-28 |
JP4861963B2 JP4861963B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=40594710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007293692A Active JP4861963B2 (ja) | 2007-10-18 | 2007-11-12 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4861963B2 (ja) |
CN (1) | CN101414118A (ja) |
DE (1) | DE602008003641D1 (ja) |
TW (1) | TWI414883B (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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