JP2009116190A - 表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させる。
【解決手段】複数の表示領域及び複数の端子領域Tが規定された第1ガラス母基板120aaを作製する工程と、複数の表示領域が規定された第2ガラス母基板130aaを作製する工程と、各端子領域Tに熱膨張性の樹脂層33aを配置させた状態で第1ガラス母基板120aa及び第2ガラス母基板130aaを貼り合わせて貼合体150aaを作製する工程と、貼合体150aaを構成する第2ガラス母基板130aaの表面に対し第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインを形成した後に、少なくとも樹脂層33aを加熱して第2ガラス母基板130aaを各表示領域毎に分断する工程と、第2ガラス母基板130aaが分断された貼合体を構成する第1ガラス母基板120aaを各表示領域毎に分断する工程とを備える。
【選択図】図3
【解決手段】複数の表示領域及び複数の端子領域Tが規定された第1ガラス母基板120aaを作製する工程と、複数の表示領域が規定された第2ガラス母基板130aaを作製する工程と、各端子領域Tに熱膨張性の樹脂層33aを配置させた状態で第1ガラス母基板120aa及び第2ガラス母基板130aaを貼り合わせて貼合体150aaを作製する工程と、貼合体150aaを構成する第2ガラス母基板130aaの表面に対し第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインを形成した後に、少なくとも樹脂層33aを加熱して第2ガラス母基板130aaを各表示領域毎に分断する工程と、第2ガラス母基板130aaが分断された貼合体を構成する第1ガラス母基板120aaを各表示領域毎に分断する工程とを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、表示パネルの製造方法に関し、特に、互いに貼り合わされた一対のガラス基板より製造される表示パネルの製造方法に関するものである。
液晶表示パネルは、その製造効率を向上させるために、複数の表示領域がマトリクス状にそれぞれ規定された一対の基板より多面取りで製造されることが多い。
例えば、特許文献1には、2枚の大型基板を貼り合わせて形成され、電気光学物質を封入する複数の電気光学領域が形成された大型パネル構造体において、一方の大型基板に、電気光学領域毎に形成された外部接続端子に配線パターンを介して接続されるテスト端子が形成されており、貼り合わせ後にテスト端子が露呈されることが開示されている。そして、これによれば、2枚の大型基板を貼り合わせた状態のままで、テスト端子に検査用プローブの端子を接触させて、表示状態を検査することができ、検査工程の効率化が実現できる、と記載されている。
特開2005−249939号公報
ところで、特許文献1に開示された電気光学装置用大型パネル構造体では、上述したように、検査工程の効率化を実現するために、電気光学領域毎に形成された外部接続端子にそれぞれ接続されるテスト端子を一方の基板の端縁に形成する必要がある。ここで、上記テスト端子を基板の端縁に形成することなく、各電気光学領域毎に形成された外部接続端子に検査信号を直接入力するには、各電気光学領域の外部接続端子が形成された端子領域を覆う他方の基板を部分的に除去する必要がある。そして、上記他方の基板を部分的に分断して除去するために、ホイールカッターやレーザーなどにより他方の基板を構成するガラス基板の表面に互いに平行に延びる一対のスクライブラインを仮に形成したとしても、それらの一対のスクライブラインの間に配置する被除去部は、基板本体の間に嵌っているので、基板本体から切り離すことが困難である。そのため、複数の表示領域がマトリクス状にそれぞれ規定され、互いに貼り合わされた一対のガラス基板では、各表示領域の間の一方のガラス基板(上記他方の基板)を部分的に除去して端子領域を露出させることが困難である。また、1つの表示領域がそれぞれ規定され、互いに貼り合わされた一対のガラス基板であって、端子領域が基板の端縁でなく内側に規定された場合においても、一方のガラス基板を部分的に除去して端子領域を露出させることが困難と考えられる。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させることにある。
上記目的を達成するために、本発明は、第1ガラス(母)基板及び第2ガラス(母)基板を貼り合わせた貼合体の第2ガラス(母)基板にスクライブラインを形成した後に、端子領域に配置させた熱膨張性を有する樹脂層を加熱するようにしたものである。
具体的に本発明に係る表示パネルの製造方法は、画像表示をそれぞれ行う複数の表示領域、及び該各表示領域毎にそれぞれ設けられた複数の端子領域が規定された第1ガラス母基板を作製する第1ガラス母基板作製工程と、上記各表示領域に重なるように画像表示をそれぞれ行う複数の表示領域が規定された第2ガラス母基板を作製する第2ガラス母基板作製工程と、上記各端子領域に熱膨張性を有する樹脂層を配置させた状態で上記第1ガラス母基板及び第2ガラス母基板を貼り合わせることにより貼合体を作製する貼り合わせ工程と、上記貼合体を構成する第2ガラス母基板の表面に対し、上記各端子領域を露出させるための第1スクライブライン、及び該第2ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断するための第2スクライブラインを形成した後に、少なくとも上記樹脂層を加熱することにより、該第2ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断する第1分断工程と、上記第2ガラス母基板が分断された貼合体を構成する第1ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断する第2分断工程とを備えることを特徴とする。
上記の方法によれば、貼り合わせ工程において、第1ガラス母基板作製工程で作製された第1ガラス母基板と、第2ガラス母基板作製工程で作製された第2ガラス母基板とを互いの各表示領域が重なると共に各端子領域に熱膨張性を有する樹脂層が配置するように貼り合わせることにより、貼合体が作製される。そして、第1分断工程において、貼合体の第2ガラス母基板に第1スクライブライン及び第2スクライブラインを形成した後に、端子領域に配置させた樹脂層を加熱して熱膨張させることにより、少なくとも第1スクライブラインに沿って第2ガラス母基板が分断されるので、第1ガラス母基板の各端子領域が露出することになる。なお、第1分断工程において、特殊形状のカッターホイールにより第1スクライブライン及び第2スクライブラインを形成する場合には、各スクライブラインのクラックが基板厚さ方向に進行するので、第1スクライブライン及び第2スクライブラインを形成した時点で第2ガラス母基板が各表示領域毎に分断される。また、各スクライブラインのクラックが第2ガラス母基板の表面のみに形成される場合には、第2ガラス母基板に応力を付加することにより、第2ガラス母基板が各表示領域毎に分断される。その後、第2分断工程を行うことにより、貼合体の第1ガラス母基板が各表示領域毎に分断される。したがって、第2ガラス母基板を分断する第1分断工程を行うことにより、複数の表示領域がそれぞれ規定された一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させることが可能になる。
上記第1分断工程及び第2分断工程の間に、上記各端子領域に信号を入力して表示検査を行う検査工程を備えてもよい。
上記の方法によれば、貼合体を各表示領域毎に分断する第2分断工程の前に検査工程を行うので、各表示領域毎に分断されていない貼合体に対して表示検査を一括して行うことが可能になり、表示検査の効率を向上させることが可能になる。
上記第1ガラス母基板作製工程では、上記各端子領域が複数の列状に規定されるように上記第1ガラス母基板を作製してもよい。
上記の方法によれば、第1ガラス母基板における各端子領域が複数の列状に規定されているので、第1分断工程において、第2ガラス母基板を分断することにより、各端子領域が複数の列状に露出することになる。また、第1分断工程及び第2分断工程の間に検査工程を行う場合には、複数の出力端子が線状に配列された検査用プローブにより、表示検査を速やかに一括して行うことが可能になり、表示検査の効率をいっそう向上させることが可能になる。
上記第2ガラス母基板作製工程では、上記第2ガラス母基板の上記各端子領域に重なる位置に上記樹脂層を形成してもよい。
上記の方法によれば、第2ガラス母基板作製工程において、第1ガラス母基板の各端子領域に対応する第2ガラス母基板の領域に樹脂層が形成されると共に、第1分断工程において、その樹脂層が形成された第2ガラス母基板の一部が除去されるので、製造された表示パネルでは、熱膨張した樹脂層が存在しないことになる。
上記第1ガラス母基板作製工程では、上記第1ガラス母基板の各端子領域に上記樹脂層を形成してもよい。
上記の方法によれば、第1ガラス母基板作製工程において、第1ガラス母基板の各端子領域に樹脂層が形成されるので、製造された表示パネルに熱膨張した樹脂層が残存していることになる。
上記第1分断工程では、上記樹脂層を上記第2ガラス母基板から突出しないように熱膨張させてもよい。
上記の方法によれば、熱膨張した樹脂層が第2ガラス母基板から突出していないので、端子領域にFPC(flexible printed circuit)などを実装する工程における歩留まりの低下が抑制される。
上記貼り合わせ工程及び第1分断工程の間に、上記貼合体を構成する第2ガラス母基板を少なくとも薄板化する薄板化工程を備え、上記第1分断工程では、上記樹脂層を上記薄板化された第2ガラス母基板から突出しないように熱膨張させてもよい。
上記の方法によれば、熱膨張した樹脂層が薄板化工程で薄板化された第2ガラス母基板から突出していないので、端子領域にFPC(flexible printed circuit)などを実装する工程における歩留まりの低下が抑制される。
上記貼り合わせ工程及び第1分断工程の間に、上記貼合体を構成する第1ガラス母基板及び第2ガラス母基板の少なくとも一方を薄板化する薄板化工程を備えてもよい。
上記の方法によれば、薄板化工程において、第1ガラス母基板及び第2ガラス母基板の少なくとも一方が薄板化されるので、製造される表示パネルの薄型化及び軽量化が可能になる。また、薄板化工程において、第2ガラス母基板が薄板化された場合には、第1分断工程で除去する第2ガラス母基板が軽量化されるので、各端子領域に配置させる樹脂層の量を減らすことが可能になる。
上記貼り合わせ工程では、上記第1ガラス母基板の各表示領域と上記第2ガラス母基板の各表示領域との間に液晶層をそれぞれ配置させてもよい。
上記の方法によれば、貼り合わせ工程において、例えば、各表示領域毎に形成された枠状のシール材を介して、第1ガラス母基板及び第2ガラス母基板の間に液晶層が封入されるので、表示パネルとして液晶表示パネルが具体的に製造される。
また、本発明に係る表示パネルの製造方法は、画像表示を行う表示領域、及び該表示領域に信号を入力するための端子領域がそれぞれ規定された第1ガラス基板を作製する第1ガラス基板作製工程と、上記表示領域に重なるように画像表示を行う表示領域が規定された第2ガラス基板を作製する第2ガラス基板作製工程と、上記端子領域に熱膨張性を有する樹脂層を配置させた状態で上記第1ガラス基板及び第2ガラス基板を貼り合わせることにより貼合体を作製する貼り合わせ工程と、上記貼合体を構成する第2ガラス基板の表面に上記端子領域の周端に沿ってスクライブラインを形成した後に、上記樹脂層を加熱することにより、該第2ガラス基板を分断する分断工程とを備えることを特徴とする。
上記の方法によれば、貼り合わせ工程において、第1ガラス基板作製工程で作製された第1ガラス基板と、第2ガラス基板作製工程で作製された第2ガラス基板とを各表示領域が重なると共に端子領域に熱膨張性を有する樹脂層が配置するように貼り合わせることにより、貼合体が作製される。そして、分断工程において、貼合体の第2ガラス基板にスクライブラインを形成した後に、端子領域に配置させた樹脂層を加熱して熱膨張させることにより、スクライブラインに沿って第2ガラス基板が分断されるので、第1ガラス基板の端子領域が露出することになる。したがって、第2ガラス基板を分断する分断工程を行うことにより、一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させることが可能になる。
本発明によれば、第1ガラス(母)基板及び第2ガラス(母)基板を貼り合わせた貼合体の第2ガラス(母)基板にスクライブラインを形成した後に、端子領域に配置させた樹脂層を加熱して熱膨張させるので、一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態では、表示パネルとして液晶表示パネルを例示するが、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《発明の実施形態1》
図1〜図7は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態1を示している。
図1〜図7は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態1を示している。
図1は、本実施形態の液晶表示パネル50aの断面図である。
液晶表示パネル50aは、図1に示すように、互いに対向して配置されたTFT(thin film transistor)アレイ基板20a及びCF(color filter)基板30aと、TFTアレイ基板20a及びCF基板30aの間に設けられた液晶層25と、TFTアレイ基板20a及びCF基板30aを互いに接着すると共に液晶層25を封入するために枠状に設けられたシール材26とを備えている。また、液晶表示パネル50aでは、図1に示すように、画像表示を行うための矩形状の表示領域D、及び表示領域Dの周囲に枠状の額縁領域Fがそれぞれ規定されている。さらに、液晶表示パネル50aでは、その1辺において、TFTアレイ基板20aがCF基板30aよりも突出しており、TFTアレイ基板20aの突出した領域が端子領域Tを構成している。なお、液晶表示パネル50aの端子領域Tには、後述する検査工程の後に、液晶表示駆動用のドライバーなどが実装される。
TFTアレイ基板20aは、図1に示すように、絶縁基板10aと、絶縁基板10a上の表示領域Dに設けられたTFTアレイ層12、及び端子領域Tに設けられた複数の接続端子11とを備えている。
TFTアレイ層12は、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線(不図示)と、それらの各ゲート線と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線(不図示)と、それらの各ゲート線及び各ソース線の交差部毎にそれぞれ設けられた複数のTFT(不図示)と、それらの各TFTを覆うように設けられた保護絶縁膜(不図示)と、その保護絶縁膜上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極(不図示)とを備えている。
上記各TFTは、上記各ゲート線が側方に突出したゲート電極と、そのゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上でゲート電極に対応する位置に島状に設けられた半導体層と、その半導体層上で互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。ここで、上記ソース電極は、上記各ソース線が側方に突出した部分である。そして、上記ドレイン電極は、上記保護絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記各画素電極にそれぞれ接続されている。
接続端子11は、上記各ゲート線及び各ソース線などの表示用配線に接続されている。
CF基板30aは、図1に示すように、絶縁基板10bと、絶縁基板10b上に設けられたCF層21と、CF層21を覆うように設けられた共通電極22とを備えている。
CF層21は、額縁領域Fに枠状に且つその枠内の表示領域Dに格子状に設けられたブラックマトリクス(不図示)と、そのブラックマトリクスの各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの着色層(不図示)とを備えている。
液晶層25は、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
上記構成の液晶表示パネル50aは、画像の最小単位である各画素を構成するサブ画素において、ゲート線からのゲート信号がTFTのゲート電極に送られてTFTがオン状態になったときに、ソース線からのソース信号がTFTに送られてTFTの半導体層を介して画素電極に所定の電荷が書き込まれることにより、TFTアレイ基板20aの各画素電極とCF基板30aの共通電極22との間において電位差が生じ、液晶層25に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示パネル50aでは、液晶層25の印加電圧の大きさに応じて液晶層25の配向状態が変わることを利用して、バックライトから入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
次に、上記構成の液晶表示パネル50aの製造方法について、図2〜図7を用いて説明する。ここで、図2は、液晶表示パネル50aを製造するためのフローチャートである。また、図3は、貼り合わせ工程で作製された貼合体150aaの断面図であり、図4は、貼合体150aaの斜視図である。そして、図5は、薄板化工程で作製された貼合体150abの断面図である。さらに、図6は、第1分断工程を行った後の貼合体150acの断面図であり、図7は、貼合体150acの斜視図である。なお、本実施形態の製造方法は、以下の第1ガラス母基板(TFT側基板)作製工程、第2ガラス母基板(CF側基板)作製工程、貼り合わせ工程、薄板化工程、第1分断工程、検査工程及び第2分断工程を備える。
〜TFT側基板作製工程〜
TFT側基板作製工程は、図2に示すように、以下のTFTアレイ層形成工程、配向膜形成工程及び導電ペースト塗布工程を備える。
TFT側基板作製工程は、図2に示すように、以下のTFTアレイ層形成工程、配向膜形成工程及び導電ペースト塗布工程を備える。
<TFTアレイ層形成工程>
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスからなる絶縁基板(10a)の基板全体に、アルミニウムなどの金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線及びゲート電極を形成する。
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスからなる絶縁基板(10a)の基板全体に、アルミニウムなどの金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線及びゲート電極を形成する。
続いて、上記ゲート線及びゲート電極が形成された基板全体に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。
さらに、上記ゲート絶縁膜が形成された基板全体に、CVD法により真性アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたn+アモルファスシリコン膜を連続して成膜し、その後、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィによりゲート電極上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びn+アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する。
そして、上記半導体層が形成された基板全体に、チタンなどの金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
続いて、各表示領域D毎に、上記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして半導体層のn+アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル部をパターニングして、TFTを形成する。
さらに、上記TFTが形成された基板全体に、スピンコーティング法を用いて、感光性アクリル樹脂などを成膜し、その後、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィによりドレイン電極上にコンタクトホールをパターニングして、保護絶縁膜を形成する。
そして、上記保護絶縁膜が形成された基板全体に、ITO(Indium Tin Oxide)膜をスパッタリング法により成膜し、その後、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、画素電極を形成する。
以上のようにして、絶縁基板(10a)上に複数のTFTアレイ層12がマトリクス状に形成される。なお、各端子領域Tに配設する複数の接続端子11については、各表示領域Tに配設する上記ゲート線、ソース線及び画素電極などを構成する金属膜を適宜パターニングすることにより形成される。
<配向膜形成工程>
上記TFTアレイ層形成工程で複数のTFTアレイ層12が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
上記TFTアレイ層形成工程で複数のTFTアレイ層12が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
<導電ペースト塗布工程>
上記配向膜形成工程で配向膜が形成された基板の各額縁領域の一部に、TFTアレイ基板20a上の各ゲート線の間に延びる容量線とCF基板30aの共通電極22とを導通するための導電性ペーストを塗布する。
上記配向膜形成工程で配向膜が形成された基板の各額縁領域の一部に、TFTアレイ基板20a上の各ゲート線の間に延びる容量線とCF基板30aの共通電極22とを導通するための導電性ペーストを塗布する。
以上のようにして、複数の表示領域D及び複数の端子領域Tがそれぞれ規定されたTFT側基板120aaを作製することができる。
〜CF側基板作製工程〜
CF側基板作製工程は、図2に示すように、以下のCF層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程、液晶滴下工程及び樹脂層形成工程を備える。
CF側基板作製工程は、図2に示すように、以下のCF層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程、液晶滴下工程及び樹脂層形成工程を備える。
<CF層形成工程>
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスからなる絶縁基板(10b)の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、クロム薄膜を成膜し、その後、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ブラックマトリクスを形成する。
まず、例えば、厚さ0.7mm程度の無アルカリガラスからなる絶縁基板(10b)の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、クロム薄膜を成膜し、その後、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ブラックマトリクスを形成する。
続いて、上記ブラックマトリクスが形成された基板全体に、例えば、赤、緑又は青に着色された感光性レジスト材料などを塗布した後に、各表示領域D毎に、フォトリソグラフィにより格子間にパターニングして、選択した色の着色層(例えば、赤色層)を形成する。その後、他の2色についても同様な工程を繰り返すことにより、他の着色層(例えば、緑色層及び青色層)を形成して、各表示領域D毎に、CF層21を形成する。
<共通電極形成工程>
上記CF層形成工程でCF層21が形成された基板上に、スパッタリング法により、ITO膜を成膜して、各表示領域D毎に、共通電極22を形成する。
上記CF層形成工程でCF層21が形成された基板上に、スパッタリング法により、ITO膜を成膜して、各表示領域D毎に、共通電極22を形成する。
<配向膜形成工程>
上記共通電極形成工程で共通電極22が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
上記共通電極形成工程で共通電極22が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
<スペーサ散布工程>
上記配向膜形成工程で配向膜が形成された基板の表面に、シリカやプラスチック製の球状スペーサを散布する。
上記配向膜形成工程で配向膜が形成された基板の表面に、シリカやプラスチック製の球状スペーサを散布する。
<シール材形成工程>
上記スペーサ散布工程でスペーサが散布された基板に対し、例えば、ディスペンサーなどの描画装置を用いて、各表示領域D毎に、UV硬化型の樹脂を枠状に吐出して描画することにより、シール材26を形成する。
上記スペーサ散布工程でスペーサが散布された基板に対し、例えば、ディスペンサーなどの描画装置を用いて、各表示領域D毎に、UV硬化型の樹脂を枠状に吐出して描画することにより、シール材26を形成する。
<液晶滴下工程>
上記シール材形成工程でシール材26が形成された基板の各表示領域D上に液晶材料(25)を滴下する。
上記シール材形成工程でシール材26が形成された基板の各表示領域D上に液晶材料(25)を滴下する。
<樹脂層形成工程>
上記液晶滴下工程で液晶材料(25)が滴下された基板に対し、TFT側基板120aの各端子領域Tの両端部に重なる位置に熱膨張性を有する樹脂膜をシリンジなどで塗布した後に、その塗布された樹脂膜にUV光を照射することにより、樹脂層33aを形成する。
上記液晶滴下工程で液晶材料(25)が滴下された基板に対し、TFT側基板120aの各端子領域Tの両端部に重なる位置に熱膨張性を有する樹脂膜をシリンジなどで塗布した後に、その塗布された樹脂膜にUV光を照射することにより、樹脂層33aを形成する。
ここで、樹脂層33aは、熱膨張性を有するマイクロカプセル32aを含有するUV硬化型樹脂31aなどにより構成されている。マイクロカプセル32aは、熱可塑性のシェルと、そのシェルの内部に封入されたコアとを備えている。上記シェルは、アクリロニトリル系、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリル酸エステル、アクリロニトリル、メタクリル酸エステル、スチレン、酢酸ビニル及びそれらの共重合体などにより構成されている。また、上記コアは、炭化水素、石油エーテルなどの沸点が−50℃〜150℃程度の範囲の有機溶剤、及び熱分解や化学反応によって炭酸ガスが発生する炭酸塩や重炭酸塩などにより構成されている。そして、マイクロカプセル32aは、100℃〜170℃程度に加熱されると、上記シェルが軟化すると共に、上記コアの蒸気圧力が高くなることにより、熱膨張する特性を有している。
また、マイクロカプセル32aに十分な熱量が与えたときに発生する力は、カプセル1個当たり、1.0MPa〜3.0MPa(1.0N/mm2〜3.0N/mm2)程度である。そして、端子領域Tに配置するCF側基板の被除去部は、大きいもので縦4mm×横40mmであるので、ガラス基板の厚さを0.1mm〜1.1mmとすれば、被除去部の体積は、16mm3〜176mm3となる。さらに、無アルカリガラスの比重が2.5g/cm3であるので、上記被除去部の重量は、0.04g〜0.44gとなる。ここで、1個のマイクロカプセル32aで発生する力は、上記のように、1.0N/mm2〜3.0N/mm2であるので、例えば、端子近傍の領域に、マイクロカプセル32aが1個/mm2程度含有された樹脂層33aを4.4×10−2mm2程度形成することにより、上記被除去部を押し上げるための力は十分に確保される。
以上のようにして、複数の表示領域Dが規定されたCF側基板130aaを作製することができる。
〜貼り合わせ工程〜
まず、上記TFT側基板作製工程で作製されたTFT側基板120aaと、上記CF側基板作製工程で作製されたCF側基板130aaとを、減圧下で互いの各表示領域Dが重なり合うように貼り合わせることにより、図3及び図4に示すように、貼合体150aaを作製する。
まず、上記TFT側基板作製工程で作製されたTFT側基板120aaと、上記CF側基板作製工程で作製されたCF側基板130aaとを、減圧下で互いの各表示領域Dが重なり合うように貼り合わせることにより、図3及び図4に示すように、貼合体150aaを作製する。
続いて、貼合体150aaを大気圧に開放することにより、貼合体150aaの表面及び裏面を加圧する。
さらに、貼合体150aaの各額縁領域Fに対し、UV光を照射してシール材26を硬化させる。
〜薄板化工程〜
上記貼り合わせ工程でシール材26を本硬化させた貼合体150aaの表面及び裏面をケミカルエッチングや機械研磨などの処理を行うことにより、TFT側基板120aa及びCF側基板130aaを構成するガラス基板(10a及び10b)をそれぞれ0.3mm程度に薄板化して、図5に示すように、薄板化されたTFT側基板120ab及びCF側基板130abを備えた貼合体150abを作製する。
上記貼り合わせ工程でシール材26を本硬化させた貼合体150aaの表面及び裏面をケミカルエッチングや機械研磨などの処理を行うことにより、TFT側基板120aa及びCF側基板130aaを構成するガラス基板(10a及び10b)をそれぞれ0.3mm程度に薄板化して、図5に示すように、薄板化されたTFT側基板120ab及びCF側基板130abを備えた貼合体150abを作製する。
〜第1分断工程〜
まず、上記薄板化工程で作製された貼合体150abのCF側基板130abの表面において、図5に示すように、各表示領域Dの周端(各額縁領域Fの外周端)に沿って、例えば、ホイールの先端に微小サイズの凹凸を有し、クラックが通常よりも深く形成されるペネット(登録商標)などの高浸透分断のカッターホイールを転動させることにより、第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインL2(図4参照)を形成する。なお、本実施形態では、上記のように、特殊形状のカッターホイールを用いて基板表面にクラックを形成するので、その形成されたクラックが基板厚さ方向に進行して、貼合体150abを構成するCF側基板130abが各表示領域D毎に分断される。
まず、上記薄板化工程で作製された貼合体150abのCF側基板130abの表面において、図5に示すように、各表示領域Dの周端(各額縁領域Fの外周端)に沿って、例えば、ホイールの先端に微小サイズの凹凸を有し、クラックが通常よりも深く形成されるペネット(登録商標)などの高浸透分断のカッターホイールを転動させることにより、第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインL2(図4参照)を形成する。なお、本実施形態では、上記のように、特殊形状のカッターホイールを用いて基板表面にクラックを形成するので、その形成されたクラックが基板厚さ方向に進行して、貼合体150abを構成するCF側基板130abが各表示領域D毎に分断される。
続いて、貼合体150abの各端子領域Tに配置された樹脂層33aにレーザー光を照射することにより、樹脂層33aを100℃〜150℃程度に加熱して、樹脂層33aを熱膨張させる。これにより、熱膨張したUV硬化型樹脂31b及びマイクロカプセル32bを備えた樹脂層33bが形成されるので、図6及び図7に示すように、CF側基板130abからガラス端材Sが除去されて、TFT側基板120ab及びCF基板30aを備えた貼合体150acが作製される。
〜検査工程〜
上記第1分断工程で作製された貼合体150acの各端子領域Tの複数の接続端子11に検査用プローブを接触させて、その検査用プローブから複数の接続端子11を介して各表示領域Dに所定の検査信号を入力することにより各サブ画素を適宜点灯状態にして、各表示領域Dの表示状態をCCD(charge coupled device)カメラなどの画像読み込みデバイスなどで観察することにより、表示検査を一括して行う。
上記第1分断工程で作製された貼合体150acの各端子領域Tの複数の接続端子11に検査用プローブを接触させて、その検査用プローブから複数の接続端子11を介して各表示領域Dに所定の検査信号を入力することにより各サブ画素を適宜点灯状態にして、各表示領域Dの表示状態をCCD(charge coupled device)カメラなどの画像読み込みデバイスなどで観察することにより、表示検査を一括して行う。
〜第2分断工程〜
上記検査工程で表示検査が行われた貼合体150acのTFT側基板120abの表面において、各端子領域Tとそれに隣り合う各表示領域Dとの間の辺、及び隣り合う各表示領域D同士の間の辺に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、図7に示すように、第3スクライブラインL3を形成して、貼合体150acを構成するTFT側基板120abを各表示領域D毎に分断する。
上記検査工程で表示検査が行われた貼合体150acのTFT側基板120abの表面において、各端子領域Tとそれに隣り合う各表示領域Dとの間の辺、及び隣り合う各表示領域D同士の間の辺に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、図7に示すように、第3スクライブラインL3を形成して、貼合体150acを構成するTFT側基板120abを各表示領域D毎に分断する。
以上のようにして、本実施形態の液晶表示パネル50aを製造することができる。その後、上記検査工程で良品と判断された液晶表示パネル50aに対して、その表面及び裏面に偏光板を貼り付け、端子領域Tに液晶表示駆動用のドライバーなどを実装することにより、液晶モジュールが製造される。
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル50aの製造方法によれば、貼り合わせ工程において、TFT側基板作製工程で作製されたTFT側基板120aaと、CF側基板作製工程で作製されたCF側基板130aaとを互いの各表示領域Dが重なると共に各端子領域Tに熱膨張性を有する樹脂層33aが配置するように貼り合わせることにより、貼合体150aa(150ab)が作製される。そして、第1分断工程において、貼合体150abのCF側基板130abに第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインL2を形成した後に、端子領域Tに配置させた樹脂層33aを加熱して熱膨張させることにより、少なくとも第1スクライブラインL1に沿ってCF側基板130abが分断されるので、TFT側基板120abの各端子領域Tが露出することになる。なお、第1分断工程では、特殊形状のカッターホイールで第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインL2を形成することにより、各スクライブラインL1及びL2のクラックが基板厚さ方向に進行するので、第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインL2を形成した時点でCF側基板130abが各表示領域D毎に分断される。その後、第2分断工程を行うことにより、貼合体150acのTFT側基板120abが各表示領域D毎に分断される。したがって、CF側基板130abを分断する第1分断工程を行うことにより、複数の表示領域Dがそれぞれ規定されたTFT側基板120aa(120ab)及びCF側基板130aa(130ab)の一方を部分的に除去して各端子領域Tを容易に露出させることができる。
また、本実施形態によれば、貼合体150acを各表示領域D毎に分断する第2分断工程の前に検査工程を行うので、各表示領域D毎に分断されていない貼合体150acに対して表示検査を一括して行うことができ、表示検査の効率を向上させることができる。
また、本実施形態によれば、TFT側基板120aa(120ab)における各端子領域Tが複数の列状に規定されているので、第1分断工程において、CF側基板130abを分断することにより、各端子領域Tが複数の列状に露出することになる。また、第1分断工程及び第2分断工程の間に検査工程を行うので、複数の出力端子が線状に配設された検査用プローブにより、表示検査を速やかに一括して行うことができ、表示検査の効率をいっそう向上させることができる。
また、本実施形態によれば、CF側基板作製工程において、TFT側基板120aaの各端子領域Tに対応するCF側基板130aaの領域に樹脂層33aが形成されると共に、第1分断工程において、その樹脂層33aが熱膨張した樹脂層33bが形成されたCF側基板130abの一部(ガラス端材S)が除去されるので、製造された液晶表示パネル50aでは、ガラス基板の分断に利用した樹脂層33bが存在しないことになる。
また、本実施形態によれば、薄板化工程において、TFT側基板120aa及びCF側基板130aaの双方が薄板化されるので、製造される液晶表示パネルの薄型化及び軽量化を図ることができる。また、薄板化工程において、第1分断工程で除去するCF側基板130aaが軽量化されるので、各端子領域Tに配置させる樹脂層33aの量を減らすことができる。
《発明の実施形態2》
図8〜図13は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態2を示している。上記実施形態1では、熱膨張性を有する樹脂層33aをCF側基板130aaに形成する方法を例示したが、本実施形態では、熱膨張性を有する樹脂層36aをTFT側基板120baに形成する方法を例示する。なお、以下の各実施形態において、図1〜図7と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図8〜図13は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態2を示している。上記実施形態1では、熱膨張性を有する樹脂層33aをCF側基板130aaに形成する方法を例示したが、本実施形態では、熱膨張性を有する樹脂層36aをTFT側基板120baに形成する方法を例示する。なお、以下の各実施形態において、図1〜図7と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図8は、本実施形態の液晶表示パネル50bの断面図である。
液晶表示パネル50bは、図1に示すように、互いに対向して配置されたTFTアレイ基板20b及びCF基板30aと、TFTアレイ基板20b及びCF基板30aの間に設けられた液晶層25と、TFTアレイ基板20b及びCF基板30aを互いに接着すると共に液晶層25を封入するために枠状に設けられたシール材26とを備えている。
TFTアレイ基板20bは、図8に示すように、絶縁基板10aと、絶縁基板10a上の表示領域Dに設けられたTFTアレイ層12、並びに端子領域Tに設けられた複数の接続端子11及び樹脂層36bとを備えている。
樹脂層36bは、熱膨張したUV硬化型樹脂34b及びマイクロカプセル35bを有し、端子領域Tに列状に配列された複数の接続端子11の両端部に形成されている。(図13参照)。
次に、上記構成の液晶表示パネル50bの製造方法について、図9〜図13を用いて説明する。ここで、図9は、液晶表示パネル50bを製造するためのフローチャートである。また、図10は、貼り合わせ工程で作製された貼合体150baの断面図である。そして、図11は、薄板化工程で作製された貼合体150bbの断面図である。さらに、図12は、第1分断工程を行った後の貼合体150bcの断面図であり、図13は、貼合体150bcの斜視図である。なお、本実施形態の製造方法は、以下の第1ガラス母基板(TFT側基板)作製工程、第2ガラス母基板(CF側基板)作製工程、貼り合わせ工程、薄板化工程、第1分断工程、検査工程及び第2分断工程を備える。
〜TFT側基板作製工程〜
TFT側基板作製工程は、図9に示すように、TFTアレイ層形成工程、配向膜形成工程、導電ペースト塗布工程及び樹脂層形成工程を備える。
TFT側基板作製工程は、図9に示すように、TFTアレイ層形成工程、配向膜形成工程、導電ペースト塗布工程及び樹脂層形成工程を備える。
TFTアレイ層形成工程、配向膜形成工程及び導電ペースト塗布工程については、上記実施形態1の対応する各工程と実質的に同じであるので、詳細な説明を省略する。
<樹脂層形成工程>
上記TFTアレイ層形成工程、配向膜形成工程及び導電ペースト塗布工程を順次行い、導電性ペーストが塗布された基板に対し、各端子領域Tの両端部に熱膨張性を有する樹脂膜をシリンジなどで塗布した後に、その塗布された樹脂膜にUV光を照射することにより、樹脂層36aを形成する。
上記TFTアレイ層形成工程、配向膜形成工程及び導電ペースト塗布工程を順次行い、導電性ペーストが塗布された基板に対し、各端子領域Tの両端部に熱膨張性を有する樹脂膜をシリンジなどで塗布した後に、その塗布された樹脂膜にUV光を照射することにより、樹脂層36aを形成する。
以上のようにして、複数の表示領域D及び複数の端子領域Tがそれぞれ規定されたTFT側基板120baを作製することができる。
〜CF側基板作製工程〜
CF側基板作製工程は、図9に示すように、CF層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程及び液晶滴下工程を備える。上記CF層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程及び液晶滴下工程については、上記実施形態1の対応する各工程と実質的に同じであるので、詳細な説明を省略する。
CF側基板作製工程は、図9に示すように、CF層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程及び液晶滴下工程を備える。上記CF層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程及び液晶滴下工程については、上記実施形態1の対応する各工程と実質的に同じであるので、詳細な説明を省略する。
上記CF層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程及び液晶滴下工程を順次行うことにより、複数の表示領域Dが規定されたCF側基板130baを作製することができる。
〜貼り合わせ工程〜
まず、上記TFT側基板作製工程で作製されたTFT側基板120baと、上記CF側基板作製工程で作製されたCF側基板130baとを、減圧下で互いの各表示領域Dが重なり合うように貼り合わせることにより、図10に示すように、貼合体150baを作製する。
まず、上記TFT側基板作製工程で作製されたTFT側基板120baと、上記CF側基板作製工程で作製されたCF側基板130baとを、減圧下で互いの各表示領域Dが重なり合うように貼り合わせることにより、図10に示すように、貼合体150baを作製する。
続いて、貼合体150baを大気圧に開放することにより、貼合体150baの表面及び裏面を加圧する。
さらに、貼合体150baの各額縁領域Fに対し、UV光を照射してシール材26を硬化させる。
〜薄板化工程〜
上記貼り合わせ工程でシール材26を本硬化させた貼合体150baの表面及び裏面をケミカルエッチングや機械研磨などの処理を行うことにより、TFT側基板120ba及びCF側基板130baを構成するガラス基板(10a及び10b)をそれぞれ0.3mm程度に薄板化して、図11に示すように、薄板化されたTFT側基板120bb及びCF側基板130bbを備えた貼合体150bbを作製する。
上記貼り合わせ工程でシール材26を本硬化させた貼合体150baの表面及び裏面をケミカルエッチングや機械研磨などの処理を行うことにより、TFT側基板120ba及びCF側基板130baを構成するガラス基板(10a及び10b)をそれぞれ0.3mm程度に薄板化して、図11に示すように、薄板化されたTFT側基板120bb及びCF側基板130bbを備えた貼合体150bbを作製する。
〜第1分断工程〜
まず、上記薄板化工程で作製された貼合体150bbのCF側基板130bbの表面において、各表示領域Dの周端(各額縁領域Fの外周端)に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインL2を形成して、貼合体150bbを構成するCF側基板130bbを各表示領域D毎に分断する。
まず、上記薄板化工程で作製された貼合体150bbのCF側基板130bbの表面において、各表示領域Dの周端(各額縁領域Fの外周端)に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、第1スクライブラインL1及び第2スクライブラインL2を形成して、貼合体150bbを構成するCF側基板130bbを各表示領域D毎に分断する。
続いて、貼合体150bbの各端子領域Tに配置された樹脂層36aにレーザー光を照射することにより、樹脂層36aを100℃〜150℃程度に加熱して、樹脂層36aを熱膨張させる。これにより、熱膨張したUV硬化型樹脂34b及びマイクロカプセル35bを備えた樹脂層36bが形成されるので、図12及び図13に示すように、CF側基板130bbからガラス端材Sが除去されて、TFT側基板120bb及びCF基板30aを備えた貼合体150bcが作製される。
〜検査工程〜
上記第1分断工程で作製された貼合体150bcの各端子領域Tの複数の接続端子11に検査用プローブを接触させて、その検査用プローブから複数の接続端子11を介して各表示領域Dに所定の検査信号を入力することにより各サブ画素を適宜点灯状態にして、各表示領域Dの表示状態をCCD(charge coupled device)カメラなどの画像読み込みデバイスなどで観察することにより、表示検査を一括して行う。
上記第1分断工程で作製された貼合体150bcの各端子領域Tの複数の接続端子11に検査用プローブを接触させて、その検査用プローブから複数の接続端子11を介して各表示領域Dに所定の検査信号を入力することにより各サブ画素を適宜点灯状態にして、各表示領域Dの表示状態をCCD(charge coupled device)カメラなどの画像読み込みデバイスなどで観察することにより、表示検査を一括して行う。
〜第2分断工程〜
上記検査工程で表示検査が行われた貼合体150bcのTFT側基板120bbの表面において、各端子領域Tとそれに隣り合う各表示領域Dとの間の辺、及び隣り合う各表示領域D同士の間の辺に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、図13に示すように、第3スクライブラインL3を形成して、貼合体150bcを構成するTFT側基板120bbを各表示領域D毎に分断する。
上記検査工程で表示検査が行われた貼合体150bcのTFT側基板120bbの表面において、各端子領域Tとそれに隣り合う各表示領域Dとの間の辺、及び隣り合う各表示領域D同士の間の辺に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、図13に示すように、第3スクライブラインL3を形成して、貼合体150bcを構成するTFT側基板120bbを各表示領域D毎に分断する。
以上のようにして、本実施形態の液晶表示パネル50bを製造することができる。その後、上記検査工程で良品と判断された液晶表示パネル50bに対して、その表面及び裏面に偏光板を貼り付け、端子領域Tに液晶表示駆動用のドライバーなどを実装することにより、液晶モジュールが製造される。
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル50bの製造方法によれば、上記実施形態1と同様に、端子領域Tに配置させた樹脂層36aを加熱して熱膨張させることにより、CF側基板130bbを分断することができるので、複数の表示領域Dがそれぞれ規定されたTFT側基板120ba(120bb)及びCF側基板130ba(130bb)の一方を部分的に除去して各端子領域Tを容易に露出させることができる。
また、本実施形態によれば、TFT側基板作製工程において、TFT側基板120baの各端子領域Tに樹脂層36aが形成されるので、製造された液晶表示パネル50bにガラス基板の分断に利用した樹脂層36bが残存している。しかしながら、その熱膨張した樹脂層36bがCF基板30aから突出していないので、各端子領域TにFPCなどを実装する工程における歩留まりの低下を抑制することができる。なお、本実施形態では、貼り合わせ工程及び第1分断工程の間に薄板化工程を行う方法を例示したが、この薄板化工程を行わない場合には、第1分断工程において、CF側基板130baから突出しないように、樹脂層36aを熱膨張させてもよい。
《発明の実施形態3》
図14及び図15は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態3を示している。上記各実施形態では、多面取りで液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、単面取りで液晶表示パネルを製造する方法を例示する。
図14及び図15は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態3を示している。上記各実施形態では、多面取りで液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、単面取りで液晶表示パネルを製造する方法を例示する。
図14は、本実施形態の液晶表示パネル50caの斜視図である。
液晶表示パネル50caは、図14に示すように、互いに対向して配置されたTFTアレイ基板20a及びCF基板30caと、TFTアレイ基板20a及びCF基板30caの間に設けられた液晶層(不図示)と、TFTアレイ基板20a及びCF基板30caを互いに接着すると共に液晶層を封入するために枠状に設けられたシール材(不図示)とを備えている。
また、液晶表示パネル50caでは、その4辺において、TFTアレイ基板20aの周端とCF基板30caの外周端とが一致しており、CF基板30caに矩形状に形成された開口部Cにより、TFTアレイ基板20aの端子領域TがCF基板30caから露出している。
CF基板30caの構成は、上記のように開口部Cを有している以外、上記各実施形態のCF基板30aと実質的に同じであるので、その詳細な説明を省略する。
次に、上記構成の液晶表示パネル50caの製造方法について、図15を用いて説明する。ここで、図15は、液晶表示パネル50bを製造するための貼合体50cbの斜視図である。なお、本実施形態の製造方法は、以下の第1ガラス基板(TFTアレイ基板)作製工程、第2ガラス基板(CF基板)作製工程、貼り合わせ工程及び分断工程を備える。
TFTアレイ基板作製工程及びCF基板作製工程については、上記実施形態1の多面取りによるTFT側基板作製工程及びCF側基板作製工程を、単面取りに置き換えれば、TFTアレイ基板及びCF基板をそれぞれ作製することができるので、その詳細な説明を省略する。
〜貼り合わせ工程〜
まず、上記TFTアレイ基板作製工程で作製されたTFTアレイ基板20aと、上記CF基板作製工程で作製されたCF基板30cbとを、減圧下で各表示領域Dが重なり合うように貼り合わせることにより、図15に示すように、貼合体50cbを作製する。
まず、上記TFTアレイ基板作製工程で作製されたTFTアレイ基板20aと、上記CF基板作製工程で作製されたCF基板30cbとを、減圧下で各表示領域Dが重なり合うように貼り合わせることにより、図15に示すように、貼合体50cbを作製する。
続いて、貼合体50cbを大気圧に開放することにより、貼合体50cbの表面及び裏面を加圧する。
さらに、貼合体50cbの各額縁領域に対し、UV光を照射してシール材を硬化させる。
〜分断工程〜
まず、上記貼り合わせ工程で作製された貼合体50cbのCF基板30cbの表面において、図15に示すように、TFTアレイ基板20aの端子領域Tに重なる領域の周端に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、スクライブラインLを形成して、貼合体50cbを構成するCF基板30cbの一部が分断される。
まず、上記貼り合わせ工程で作製された貼合体50cbのCF基板30cbの表面において、図15に示すように、TFTアレイ基板20aの端子領域Tに重なる領域の周端に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、スクライブラインLを形成して、貼合体50cbを構成するCF基板30cbの一部が分断される。
続いて、貼合体50cbの端子領域Tに配置された樹脂層にレーザー光を照射することにより、樹脂層を100℃〜150℃程度に加熱して、樹脂層を熱膨張させる。これにより、図14に示すように、CF基板30cbからガラス端材が除去されて、開口部Cが形成されたCF基板30caが作製される。
その後、検査工程を経て、本実施形態の液晶表示パネル50caを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル50caの製造方法によれば、貼り合わせ工程において、TFTアレイ基板作製工程で作製されたTFTアレイ基板20aと、CF基板作製工程で作製されたCF基板30cbとを各表示領域Dが重なると共に端子領域Tに熱膨張性を有する樹脂層が配置するように貼り合わせることにより、貼合体50cbが作製される。そして、分断工程において、貼合体50cbのCF基板30cbにスクライブラインLを形成した後に、端子領域Tに配置させた樹脂層を加熱して熱膨張させることにより、スクライブラインLに沿ってCF基板30cbが分断されるので、TFTアレイ基板20aの端子領域Tが露出することになる。したがって、CF基板30cbを分断する分断工程を行うことにより、TFTアレイ基板20a及びCF基板30cbの一方を部分的に除去して端子領域Tを容易に露出させることができる。
上記各実施形態では、分断工程において、特殊形状のカッターホイールによりスクライブラインを形成する方法を例示したが、スクライブラインのクラックをガラス基板の表面のみに形成させた後に、そのガラス基板に応力を付加させることにより、ガラス基板を分断してもよい。
また、上記各実施形態では、表示パネルとして、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルを例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の液晶表示パネル、及び例えば水分混入防止用にガラス基板が貼り合わせられたEL(electroluminescence)表示素子などのその他の表示パネルにも適用することができる。
以上説明したように、本発明は、一対のガラス基板の一方を部分的に除去して露出させた各端子領域に信号を入力することにより、一括して表示検査を行うことができるので、モバイル用途の表示パネルの製造方法を始め、表示パネル全般の製造方法について有用である。
D 表示領域
L スクライブライン
L1 第1スクライブライン
L2 第2スクライブライン
T 端子領域
20a TFTアレイ基板
25 液晶層
30ca,30cb CF基板
33a,33b,36a,36b 樹脂層
50a,50b,50ca 液晶表示パネル
50cb,150aa〜ac,150ba〜bc 貼合体
120aa,120ab,120ba,120bb TFT側基板
130aa,130ab,130ba,130bb CF側基板
L スクライブライン
L1 第1スクライブライン
L2 第2スクライブライン
T 端子領域
20a TFTアレイ基板
25 液晶層
30ca,30cb CF基板
33a,33b,36a,36b 樹脂層
50a,50b,50ca 液晶表示パネル
50cb,150aa〜ac,150ba〜bc 貼合体
120aa,120ab,120ba,120bb TFT側基板
130aa,130ab,130ba,130bb CF側基板
Claims (10)
- 画像表示をそれぞれ行う複数の表示領域、及び該各表示領域毎にそれぞれ設けられた複数の端子領域が規定された第1ガラス母基板を作製する第1ガラス母基板作製工程と、
上記各表示領域に重なるように画像表示をそれぞれ行う複数の表示領域が規定された第2ガラス母基板を作製する第2ガラス母基板作製工程と、
上記各端子領域に熱膨張性を有する樹脂層を配置させた状態で上記第1ガラス母基板及び第2ガラス母基板を貼り合わせることにより貼合体を作製する貼り合わせ工程と、
上記貼合体を構成する第2ガラス母基板の表面に対し、上記各端子領域を露出させるための第1スクライブライン、及び該第2ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断するための第2スクライブラインを形成した後に、少なくとも上記樹脂層を加熱することにより、該第2ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断する第1分断工程と、
上記第2ガラス母基板が分断された貼合体を構成する第1ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断する第2分断工程とを備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項1に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第1分断工程及び第2分断工程の間に、上記各端子領域に信号を入力して表示検査を行う検査工程を備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項1に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第1ガラス母基板作製工程では、上記各端子領域が複数の列状に規定されるように上記第1ガラス母基板を作製することを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項1に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第2ガラス母基板作製工程では、上記第2ガラス母基板の上記各端子領域に重なる位置に上記樹脂層を形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項1に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第1ガラス母基板作製工程では、上記第1ガラス母基板の各端子領域に上記樹脂層を形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項5に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第1分断工程では、上記樹脂層を上記第2ガラス母基板から突出しないように熱膨張させることを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項5に記載された表示パネルの製造方法において、
上記貼り合わせ工程及び第1分断工程の間に、上記貼合体を構成する第2ガラス母基板を少なくとも薄板化する薄板化工程を備え、
上記第1分断工程では、上記樹脂層を上記薄板化された第2ガラス母基板から突出しないように熱膨張させることを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項1に記載された表示パネルの製造方法において、
上記貼り合わせ工程及び第1分断工程の間に、上記貼合体を構成する第1ガラス母基板及び第2ガラス母基板の少なくとも一方を薄板化する薄板化工程を備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 請求項1に記載された表示パネルの製造方法において、
上記貼り合わせ工程では、上記第1ガラス母基板の各表示領域と上記第2ガラス母基板の各表示領域との間に液晶層をそれぞれ配置させることを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 画像表示を行う表示領域、及び該表示領域に信号を入力するための端子領域がそれぞれ規定された第1ガラス基板を作製する第1ガラス基板作製工程と、
上記表示領域に重なるように画像表示を行う表示領域が規定された第2ガラス基板を作製する第2ガラス基板作製工程と、
上記端子領域に熱膨張性を有する樹脂層を配置させた状態で上記第1ガラス基板及び第2ガラス基板を貼り合わせることにより貼合体を作製する貼り合わせ工程と、
上記貼合体を構成する第2ガラス基板の表面に上記端子領域の周端に沿ってスクライブラインを形成した後に、上記樹脂層を加熱することにより、該第2ガラス基板を分断する分断工程とを備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
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