JP2009111124A - 電子デバイス及び電子デバイス用パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできる電子デバイス及び電子デバイス用パッケージの提供。
【解決手段】一面に開口部２ｆが形成されたパッケージ２と、パッケージ２の開口部２ｆを囲むように配置された枠状のシームリング８と、パッケージ２内に収容される水晶振動片３と、シームリング８にシーム溶接され、パッケージ２の開口部２ｆを封止するリッド７と、を備え、シームリング８の平面視におけるコーナー部の形状が、少なくとも円弧８ａ，８ｂまたは隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成され、シームリング８の平面視におけるコーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ２が、シームリング８のコーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ１より長いことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、シーム溶接により封止される電子デバイス及び電子デバイス用パッケージに関する。

従来、セラミックパッケージ（以下、パッケージという）内に、水晶振動片、弾性表面波素子片、ＩＣチップなどの電子部品素子（以下、電子素子という）を収容した電子デバイスの構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この構造は、金属製蓋体を金属製のシームリングが接合されたパッケージにシーム溶接することにより、パッケージ内が封止される。

特開２０００−２２０１３号公報

ところで、近年、情報機器、移動体通信機器などの様々な電子機器に用いられる上記電子デバイスには、電子機器の小型化に伴い、更なる小型薄型化が要請されている。
この要請に応えるために、電子デバイスを構成する各部品の小型薄型化が図られている。この結果、金属製蓋体（以下、リッドという）とシーム溶接される部品であるシームリングも、小型薄型化されることで体積が小さくなり、シーム溶接において溶接条件を左右する要因であるシームリングの熱容量が小さくなっている。
シーム溶接の際には、ローラ電極を介して通電させることで、リッドとシームリングとの接触部を発熱させて溶接することから、シームリングが過度に加熱されることがある。
特に、パッケージのコーナー部は、平面視において縦方向のシーム溶接と横方向のシーム溶接との交差部分であり、２度シーム溶接され、過度に加熱されやすくなる。

シームリングが過度に加熱された状態でシーム溶接された場合、溶接部が過薄となることによるパッケージの封止不良、パッケージ内で高温に曝されることによる電子素子の特性劣化などの不具合が発生する。
このことから、電子デバイスは、シーム溶接時における上記不具合が発生しない印加電流、印加電圧など、各溶接条件のばらつきの許容範囲が狭くなる。
これにより、電子デバイスは、シーム溶接時の歩留まりが悪化して、生産性が低下するという問題がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる電子デバイスは、一面に開口部が形成されたパッケージと、前記パッケージの開口部を囲むように配置された枠状のシームリングと、前記パッケージ内に収容される電子素子と、前記シームリングにシーム溶接され、前記パッケージの開口部を封止するリッドと、を備え、前記シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、前記シームリングのコーナー部の熱容量が、該コーナー部以外の部分における熱容量より大きいことを特徴とする。

このような構成によれば、電子デバイスは、シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、シームリングのコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きい。
したがって、電子デバイスは、シームリングのコーナー部で熱容量が大きくなり、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上する。

［適用例２］上記適用例にかかる電子デバイスは、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が、少なくとも円弧または隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成され、前記コーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離が、前記シームリングの前記コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より長いことが好ましい。

このような構成によれば、電子デバイスは、シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が、少なくとも円弧または隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成される。そして、電子デバイスは、シームリングの平面視におけるコーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離が、シームリングのコーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より長い。
これにより、電子デバイスは、シームリングのコーナー部がコーナー部以外と比較して幅広くなることから、シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、シームリングのコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。

したがって、電子デバイスは、シームリングのコーナー部の熱容量の増大により、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上する。
また、電子デバイスは、シームリングのコーナー部の形状が、少なくとも円弧または隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成されていることから、コーナー部の加工がしやすく、シームリングの製造が容易となる。
また、電子デバイスは、シームリングのコーナー部の形状が、少なくとも円弧または隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成されていることから、シームリングに外力が加わった際に発生するコーナー部の応力が分散され、応力集中を抑制できる。

［適用例３］上記適用例にかかる電子デバイスは、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の外側形状が前記円弧により形成され、前記円弧の半径が、前記シームリングの前記コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より小さいことが好ましい。

このような構成によれば、電子デバイスは、シームリングの平面視におけるコーナー部の外側を形成する円弧の半径が、シームリングのコーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より小さい。
このことから、電子デバイスは、シームリングのコーナー部の内側の形状に関わらず、シームリングのコーナー部がコーナー部以外と比較して幅広くなることから、シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、シームリングのコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。

［適用例４］上記適用例にかかる電子デバイスは、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が前記円弧により形成され、外側の円弧の半径が、内側の円弧の半径に前記シームリングの前記コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離を加えた値より小さいことが好ましい。

このような構成によれば、電子デバイスは、シームリングの平面視におけるコーナー部の外側の円弧の半径が、内側の円弧の半径にシームリングのコーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離を加えた値より小さい。
このことから、電子デバイスは、シームリングのコーナー部がコーナー部以外と比較して幅広くなることから、シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、シームリングのコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。
また、電子デバイスは、シームリングのコーナー部の形状が、円弧により形成されていることから、シームリングに外力が加わった際に発生するコーナー部の応力が、コーナー部が直線で形成されている場合と比較して、さらに分散され、応力集中をさらに抑制できる。

［適用例５］上記適用例にかかる電子デバイスは、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線により形成され、前記直線が、前記隣り合う２辺に対してＣ面取り状に形成されていることが好ましい。

このような構成によれば、電子デバイスは、シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が、直線により隣り合う２辺に対してＣ面取り状に形成されている。
このことから、電子デバイスは、シームリングのコーナー部の加工がしやすく、シームリングの製造が容易となる。
また、電子デバイスは、シームリングに外力が加わった際に発生するコーナー部の応力が、隣り合う２辺との各接続部分に均等に分散されやすく、応力集中を抑制できる。

［適用例６］上記適用例にかかる電子デバイスは、前記シームリングの平面視におけるコーナー部には前記パッケージの配置面側に凸部が形成され、前記凸部が前記パッケージの前記配置面の前記凸部に対向する位置に形成された凹部または貫通孔に挿入されていることが好ましい。

このような構成によれば、電子デバイスは、シームリングのコーナー部に凸部が形成され、凸部がパッケージの凹部または貫通孔に挿入されている。
このことから、電子デバイスは、シームリングのコーナー部で体積が増え、シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、シームリングのコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。

［適用例７］本適用例にかかる電子デバイス用パッケージは、一面に開口部が形成されたパッケージと、前記パッケージの開口部を囲むように配置された枠状のシームリングと、を備え、前記シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、前記シームリングのコーナー部の熱容量が、該コーナー部以外の部分における熱容量より大きいことを特徴とする。

このような構成によれば、電子デバイス用パッケージは、シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、シームリングのコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きい。
したがって、電子デバイス用パッケージは、シームリングのコーナー部で熱容量が大きくなり、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上した電子デバイスを提供できる。

［適用例８］上記適用例にかかる電子デバイス用パッケージは、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が、少なくとも円弧または隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成され、前記コーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離が、前記シームリングの前記コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より長いことが好ましい。

このような構成によれば、電子デバイス用パッケージは、シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が、少なくとも円弧または隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成され、コーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離が、コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より長い。
これにより、電子デバイス用パッケージは、シームリングのコーナー部がコーナー部以外と比較して幅広くなることから、シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、シームリングのコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。

［適用例９］上記適用例にかかる電子デバイス用パッケージは、前記シームリングの平面視におけるコーナー部には前記パッケージの配置面側に凸部が形成され、前記凸部が前記パッケージの前記配置面の前記凸部に対向する位置に形成された凹部または貫通孔に挿入されていることが好ましい。

このような構成によれば、電子デバイス用パッケージは、シームリングのコーナー部に凸部が形成され、凸部がパッケージの凹部または貫通孔に挿入されている。
このことから、電子デバイス用パッケージは、シームリングのコーナー部で体積が増え、シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、シームリングのコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。

以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態）
図１は、電子デバイスの一例としての水晶振動子の概略構成を示す構成図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。なお、平面図では、以降の各平面図を含め、理解を容易にするためにリッドを省略してある。

図１に示すように、第１の実施形態の水晶振動子１は、パッケージ２、電子素子としての水晶振動片３、内部電極４ａ，４ｂ、外部電極４ｃ，４ｄ、導電性接着剤５、枕部６、リッド７、シームリング８などから構成されている。

パッケージ２は、セラミックグリーンシートにより平板状のベース部２ａと、枠状の枠部２ｂとから構成されており、ベース部２ａと枠部２ｂとは焼成により一体化されている。パッケージ２は、上記のように、後述するリッド７側の面に開口部２ｆが形成された箱状に形成されている。
パッケージ２のベース部２ａの内面２ｄには、内部電極４ａ，４ｂが形成され、ベース部２ａの外面２ｅには、外部電極４ｃ，４ｄが形成されている。そして、ベース部２ａの図示しないビアホールなどを経由して、内部電極４ａが外部電極４ｃと接続され、内部電極４ｂが外部電極４ｄと接続されている。

水晶振動片３は、振動周波数に応じた所定の厚みに研磨された水晶ウエハから形成される。なお、第１の実施形態では、水晶振動片３をＡＴカット水晶振動片としている。また、水晶振動片３は、音叉型水晶振動片としてもよい。
水晶振動片３の一方の面には、励振電極３ａが形成され、他方の面には励振電極３ｂが形成されている。そして、水晶振動片３の基部３ｅには、励振電極３ａ，３ｂから延設された引出し電極３ｃ，３ｄが水晶振動片３の両面に回り込むように形成されている。
水晶振動片３は、導電性接着剤５を介して内部電極４ａ，４ｂに接着固定されている。これにより、励振電極３ａ，３ｂは、引出し電極３ｃ，３ｄ、導電性接着剤５、内部電極４ａ，４ｂを経由して外部電極４ｃ，４ｄと電気的に接続される。

枕部６は、パッケージ２のベース部２ａの内面２ｄに形成され、水晶振動片３の先端部３ｆを支え、落下時など外部から強い衝撃が加わったときの水晶振動片３の破損を回避する。

シームリング８は、コバールなどの金属で略同一厚みの枠状に、プレスなどによる打ち抜き加工で形成され、表面に金メッキが施され、パッケージ２の開口部２ｆを囲むように枠部２ｂ上に配置される。そして、シームリング８は、図示しない銀ロウなどのロウ材で、枠部２ｂのタングステンの薄膜上にニッケルメッキが施された接合面２ｃに、ロウ付けにより接合されている。
なお、枠部２ｂを設けないパッケージの場合、シームリング８をベース部２ａ上に直接配置しても良い。

リッド７は、コバールなどの金属で略矩形形状の平板状に形成され、シームリング８との接合面にニッケル、金などのメッキが施され、シームリング８上に配置される。
そして、リッド７は、シーム溶接によりローラ電極を介して押圧、通電されることで、シームリング８との接触部が発熱して溶接され、シームリング８を介してパッケージ２に接合されて、パッケージ２の開口部２ｆを気密に封止している。

水晶振動子１は、水晶振動片３が、外部から外部電極４ｃ，４ｄ、内部電極４ａ，４ｂ、導電性接着剤５、引出し電極３ｃ，３ｄを介して、励振電極３ａ，３ｂに駆動電圧を印加されると、厚みすべり振動を発振する。

ここで、シームリング８の平面形状について図２を参照して詳述する。
図２は、水晶振動子１のコーナー部を拡大した要部平面図である。
図２に示すように、枠状に形成されたシームリング８の平面視におけるコーナー部の形状は、外側が円弧８ａにより形成され、内側が円弧８ｂにより形成されている。
ここで、コーナー部の外側を形成する円弧８ａの半径Ｒ１は、コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ１より小さく設定されている（Ｒ１＜Ｗ１）。
このことから、シームリング８のコーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ２は、内側の円弧８ｂの半径の大きさに関わらず、コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ１より長くなる。
これにより、シームリング８は、最短距離Ｗ２の方向に沿って切断した断面の断面積が、最短距離Ｗ１の方向に沿って切断した断面の断面積より大きくなることから、一定の長さＬにおける体積がコーナー部で増える。したがって、シームリング８の平面視における輪郭に沿う一定の長さＬにおいて、シームリング８のコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。

上述したように、第１の実施形態の水晶振動子１は、シームリング８の平面視におけるコーナー部の円弧８ａの半径Ｒ１が、シームリング８のコーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ１より小さく設定されている。
これにより、水晶振動子１は、シームリング８のコーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ２が、内側の円弧８ｂの半径の大きさに関わらず、コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ１より長くなる。
このことから、水晶振動子１は、シームリング８の一定の長さＬにおける体積がコーナー部で増える。したがって、水晶振動子１は、シームリング８の平面視における輪郭に沿う一定の長さＬにおいて、シームリング８のコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。
このことから、水晶振動子１は、シームリング８のコーナー部の熱容量の増大により、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上する。

また、水晶振動子１は、シームリング８のコーナー部の形状が、円弧８ａ，８ｂにより形成されていることから、コーナー部の加工がしやすく、シームリング８の製造が容易となる。
また、水晶振動子１は、シームリング８のコーナー部の形状が、円弧８ａ，８ｂにより形成されていることから、シームリング８に外力が加わった際に発生するコーナー部の応力が分散され、応力集中を抑制できる。

また、電子デバイス用パッケージとしてのシームリング８が接合された状態のパッケージ２は、シームリング８のコーナー部の熱容量の増大により、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上した水晶振動子１を提供できる。

ここで、第１の実施形態の水晶振動子１における変形例を説明する。なお、変形例はこれらに限定するものではなく様々な態様が可能である。
（変形例１）
図３は、電子デバイスの一例としての水晶振動子１０１の要部平面図である。なお、第１の実施形態との共通部分には同じ符号を付し、その説明を省略する。

変形例１の水晶振動子１０１と第１の実施形態の水晶振動子１とは、シームリング８のコーナー部の形状が異なる。
図３に示すように、水晶振動子１０１のシームリング８の平面視におけるコーナー部の形状は、外側が円弧８ｃにより形成され、内側が円弧８ｄにより形成されている。
ここで、外側の円弧８ｃの半径Ｒ３は、内側の円弧８ｄの半径Ｒ２にシームリング８のコーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ１を加えた値より小さく設定されている（Ｒ３＜Ｒ２＋Ｗ１）。
このことから、シームリング８のコーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ２１は、コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ１より長くなる。
これにより、シームリング８は、最短距離Ｗ２１の方向に沿って切断した断面の断面積が、最短距離Ｗ１の方向に沿って切断した断面の断面積より大きくなることから、一定の長さＬにおける体積がコーナー部で増える。したがって、シームリング８の平面視における輪郭に沿う一定の長さＬにおいて、シームリング８のコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。

上述したように、変形例１の水晶振動子１０１は、シームリング８の一定の長さＬにおける体積がコーナー部で増える。したがって、水晶振動子１０１は、シームリング８の平面視における輪郭に沿う一定の長さＬにおいて、シームリング８のコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。
これにより、水晶振動子１０１は、シームリング８のコーナー部の熱容量の増大により、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上する。
また、水晶振動子１０１は、シームリング８のコーナー部の形状が、円弧８ｃ，８ｄにより形成されていることから、コーナー部の加工がしやすく、シームリング８の製造が容易となる。
また、水晶振動子１０１は、シームリング８のコーナー部の形状が、円弧８ｃ，８ｄにより形成されていることから、シームリング８に外力が加わった際に発生するコーナー部の応力が分散され、応力集中を抑制できる。

（変形例２）
図４は、電子デバイスの一例としての水晶振動子２０１の要部平面図である。なお、第１の実施形態との共通部分には同じ符号を付し、その説明を省略する。

変形例２の水晶振動子２０１と第１の実施形態の水晶振動子１とは、シームリング８のコーナー部の形状が異なる。
図４に示すように、水晶振動子２０１のシームリング８の平面視におけるコーナー部の形状は、隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線８ｅ，８ｆにより形成され、直線８ｅ，８ｆが、隣り合う２辺に対してＣ面取り状に形成されている。
ここで、シームリング８は、コーナー部の直線８ｅと直線８ｆとの間の最短距離Ｗ２２が、コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離Ｗ１より長くなるように形成されている。
これにより、シームリング８は、最短距離Ｗ２２の方向に沿って切断した断面の断面積が、最短距離Ｗ１の方向に沿って切断した断面の断面積より大きくなることから、一定の長さＬにおける体積がコーナー部で増える。したがって、シームリング８の平面視における輪郭に沿う一定の長さＬにおいて、シームリング８のコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。

上述したように、変形例２の水晶振動子２０１は、シームリング８の一定の長さＬにおける体積がコーナー部で増える。したがって、水晶振動子２０１は、シームリング８の平面視における輪郭に沿う一定の長さＬにおいて、シームリング８のコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。
これにより、水晶振動子２０１は、シームリング８のコーナー部の熱容量の増大により、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上する。
また、水晶振動子２０１は、シームリング８のコーナー部の形状が、直線８ｅ，８ｆにより隣り合う２辺に対してＣ面取り状に形成されている。
このことから、水晶振動子２０１は、シームリング８のコーナー部の加工がしやすく、シームリング８の製造が容易となる。
また、水晶振動子２０１は、シームリング８に外力が加わった際に発生するコーナー部の応力が、隣り合う２辺との各接続部分８ｇ，８ｈに均等に分散されやすく、応力集中を抑制できる。

なお、第１の実施形態、変形例１、変形例２では、シームリング８のコーナー部の形状を、それぞれ円弧８ａ，８ｂ、円弧８ｃ，８ｄ、隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線８ｅ，８ｆにより形成したが、これに限定するものではない。シームリング８のコーナー部の形状は、円弧と、隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線と、を組み合わせた形状としてもよい。例えば、シームリング８のコーナー部の外側を円弧形状、内側を隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線形状としてもよく、またその逆でもよい。

また、上記変形例２では、シームリング８のコーナー部の形状を、直線８ｅ，８ｆにより隣り合う２辺に対してＣ面取り状に形成したが、これに限定するものではなく、直線８ｅ，８ｆと隣り合う２辺との成す角度が、隣り合う各箇所で異なる形状としてもよい。

（第２の実施形態）
図５は、電子デバイスの一例としての水晶振動子３０１の要部構成図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。なお、第１の実施形態との共通部分には同じ符号を付し、その説明を省略する。

第２の実施形態の水晶振動子３０１と第１の実施形態の水晶振動子１とは、シームリング８のコーナー部の断面形状が異なる。
図５に示すように、水晶振動子３０１のシームリング８の平面視におけるコーナー部には、パッケージ２の配置面としての接合面２ｃ側に凸部８ｉが形成されている。そして、シームリング８の凸部８ｉが、パッケージ２の接合面２ｃの凸部８ｉに対向する位置に形成された貫通孔２ｇに挿入されている。
これにより、水晶振動子３０１は、シームリング８の一定の長さＬにおける体積がコーナー部で増える。したがって、シームリング８の平面視における輪郭に沿う一定の長さＬにおいて、シームリング８のコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。
また、シームリング８の凸部８ｉは、パッケージ２のベース部２ａの外面２ｅに接地端子として形成されている外部電極４ｅに接触するように形成されている。これにより、水晶振動子３０１は、外部電極４ｅの体積分が加わることで、シームリング８のコーナー部の熱容量がさらに大きくなる。

上述したように、第２の実施形態の水晶振動子３０１は、シームリング８の一定の長さＬにおける体積がコーナー部で増える。したがって、水晶振動子３０１は、シームリング８の平面視における輪郭に沿う一定の長さＬにおいて、シームリング８のコーナー部の熱容量が、コーナー部以外の部分における熱容量より大きくなる。
したがって、水晶振動子３０１は、シームリング８のコーナー部の熱容量の増大により、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上する。
また、電子デバイス用パッケージとしてのシームリング８が接合された状態のパッケージ２は、シームリング８のコーナー部の熱容量の増大により、シーム溶接時の各溶接条件のばらつきの許容範囲を広くできることから、シーム溶接時の歩留まりが改善され、生産性が向上した水晶振動子３０１を提供できる。

なお、第２の実施形態では、パッケージ２の接合面２ｃの凸部８ｉに対向する位置に貫通孔２ｇを形成したが、これに限定するものではなく凹部を形成してもよい。また、シームリング８の凸部８ｉは、外部電極４ｅに接触しなくてもよい。
また、シームリング８の凸部８ｉは、平面形状を円形で図示したが、楕円形、三角形、四角形、多角形など任意の形状としてもよい。
また、シームリング８の凸部８ｉは、先端を面取りしてもよい。これによれば、シームリング８は、パッケージ２の貫通孔２ｇに凸部８ｉを挿入しやすくなる。
また、凸部８ｉは必ずしもシームリング８と同じ材質である必要はなく、例えばシームリング８の接合面２ｃより上部をコバール、凸部８ｉをタングステンやモリブデンなどの金属としてもよい。

また、凸部８ｉは１箇所だけでなく複数箇所、例えば４つのコーナー部全てに設けても良い。ベース部２ａの外面２ｅに、入力端子、出力端子、接地端子２つ、の計４つの外部電極を設けた場合、２つの接地端子には凸部８ｉを接触させ、入力端子と出力端子には凸部８ｉを接触させない構成としてもよい。この構成により、入力端子と出力端子との短絡を防止し、浮遊容量の不要な増大を低減することができる。
凸部８ｉを外部電極に接触させない場合、ベース部２ａを積層構造とし、少なくとも最も外部電極寄りの層を非貫通とし、少なくとも最もシームリング８寄りの層に凸部８ｉに対向する位置に配置した貫通孔を形成し、その貫通孔に凸部８ｉを挿入すればよい。
また、凸部８ｉがベース部２ａを貫通することでベース部２ａの外面２ｅに凸部８ｉが露出する場合、入力端子や出力端子と凸部８ｉとの短絡を避けるために、入力端子や出力端子を凸部８ｉが露出する位置からずらすのが好ましい。さらに、外面２ｅにおける凸部８ｉの露出部表面をアルミナコートやガラスコートなどで覆い、入力端子や出力端子と凸部８ｉとの短絡防止をより強化してもよい。

なお、上記第１、第２の実施形態及び各変形例では、電子デバイスとして水晶振動子を例にあげたが、これに限定するものではなく、水晶発振器、弾性表面波発振器、弾性表面波フィルタ、水晶振動片を用いた各種センサなどの電子デバイスにも適用できる。

第１の実施形態における水晶振動子の概略構成を示す構成図。 第１の実施形態における水晶振動子の要部平面図。 第１の実施形態における変形例１の水晶振動子の要部平面図。 第１の実施形態における変形例２の水晶振動子の要部平面図。 第２の実施形態における水晶振動子の概略構成を示す要部構成図。

符号の説明

１，１０１，２０１，３０１…電子デバイスとしての水晶振動子、２…パッケージ、２ａ…パッケージのベース部、２ｂ…パッケージの枠部、２ｃ…配置面としての枠部の接合面、２ｄ…ベース部の内面、２ｅ…ベース部の外面、２ｆ…パッケージの開口部、２ｇ…パッケージの貫通孔、３…電子素子としての水晶振動片、３ａ，３ｂ…励振電極、３ｃ，３ｄ…引出し電極、３ｅ…水晶振動片の基部、３ｆ…水晶振動片の先端部、４ａ，４ｂ…内部電極、４ｃ，４ｄ，４ｅ…外部電極、５…導電性接着剤、６…枕部、７…リッド、８…シームリング、８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ…コーナー部の円弧、８ｅ，８ｆ…コーナー部の直線、８ｇ，８ｈ…隣り合う２辺との接続部分、８ｉ…シームリングの凸部。Ｌ…一定の長さ、Ｗ１…コーナー部以外の最短距離、Ｗ２，Ｗ２１，Ｗ２２…コーナー部の最短距離。

Claims (9)

1. 一面に開口部が形成されたパッケージと、
   前記パッケージの開口部を囲むように配置された枠状のシームリングと、
   前記パッケージ内に収容される電子素子と、
   前記シームリングにシーム溶接され、前記パッケージの開口部を封止するリッドと、を備え、
   前記シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、前記シームリングのコーナー部の熱容量が、該コーナー部以外の部分における熱容量より大きいことを特徴とする電子デバイス。
2. 請求項１に記載の電子デバイスにおいて、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が、少なくとも円弧または隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成され、前記コーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離が、前記シームリングの前記コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より長いことを特徴とする電子デバイス。
3. 請求項２に記載の電子デバイスにおいて、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の外側形状が前記円弧により形成され、前記円弧の半径が、前記シームリングの前記コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より小さいことを特徴とする電子デバイス。
4. 請求項２に記載の電子デバイスにおいて、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が前記円弧により形成され、外側の円弧の半径が、内側の円弧の半径に前記シームリングの前記コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離を加えた値より小さいことを特徴とする電子デバイス。
5. 請求項２に記載の電子デバイスにおいて、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線により形成され、前記直線が、前記隣り合う２辺に対してＣ面取り状に形成されていることを特徴とする電子デバイス。
6. 請求項１に記載の電子デバイスにおいて、前記シームリングの平面視におけるコーナー部には前記パッケージの配置面側に凸部が形成され、前記凸部が前記パッケージの前記配置面の前記凸部に対向する位置に形成された凹部または貫通孔に挿入されていることを特徴とする電子デバイス。
7. 一面に開口部が形成されたパッケージと、
   前記パッケージの開口部を囲むように配置された枠状のシームリングと、を備え、
   前記シームリングの平面視における輪郭に沿う一定の長さにおいて、前記シームリングのコーナー部の熱容量が、該コーナー部以外の部分における熱容量より大きいことを特徴とする電子デバイス用パッケージ。
8. 請求項７に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、前記シームリングの平面視におけるコーナー部の形状が、少なくとも円弧または隣り合う２辺と交差する方向に沿った直線のいずれか一方により形成され、前記コーナー部の内側形状と外側形状との間の最短距離が、前記シームリングの前記コーナー部以外の内側形状と外側形状との間の最短距離より長いことを特徴とする電子デバイス用パッケージ。
9. 請求項７に記載の電子デバイス用パッケージにおいて、前記シームリングの平面視におけるコーナー部には前記パッケージの配置面側に凸部が形成され、前記凸部が前記パッケージの前記配置面の前記凸部に対向する位置に形成された凹部または貫通孔に挿入されていることを特徴とする電子デバイス用パッケージ。

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