JP2009109541A5

JP2009109541A5 -

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Publication number: JP2009109541A5
Application number: JP2007278583A
Authority: JP
Filing date: 2007-10-26
Publication date: 2010-11-25
Anticipated expiration: 2027-10-26

Claims

（Ａ）下記一般式（１）で表されるポリアミド共重合体１００質量部に対して、（Ｂ）放射線照射により酸を発生する化合物０. ５〜２０質量部、及び（Ｃ）酸の作用により上記（Ａ）共重合体を架橋し得る化合物３〜４０質量部を含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。
（式中、Ｘ₁、Ｘ₂、及びＹ₁はそれぞれ独立に選ばれる２価の芳香族基を有する基であり、それぞれ同じであっても異なっていても良い。Ｙ₂は４価の芳香族基を有する基である。Ｒ₁およびＲ₂は水酸基または１価の有機基であり、それぞれ互いに同じであっても異なっていても良い。２つの矢印で示される結合はそれらが互いに入れ替わって逆に結合していてもよいことを示す。ａ、ｂは各構造単位の百分率を示し、ａ：１０〜９０％、ｂ：１０〜９０％、ａ＋ｂ＝１００％である。） (A) For 100 parts by mass of the polyamide copolymer represented by the following general formula (1), (B) 0.5 to 20 parts by mass of a compound that generates an acid upon irradiation, and (C) the action of the acid. The negative photosensitive resin composition characterized by containing 3-40 mass parts of compounds which can bridge | crosslink the said (A) copolymer by said.
(In the formula, X ₁ , X ₂ and Y ₁ are each independently a group having a divalent aromatic group, which may be the same or different. Y ₂ is a tetravalent aromatic. R ₁ and R ₂ are a hydroxyl group or a monovalent organic group, which may be the same or different from each other, and the bonds indicated by the two arrows replace each other. (Inversely, it may be bonded. A and b are percentages of each structural unit, a: 10 to 90%, b: 10 to 90%, a + b = 100%.)

上記一般式（１）で表されるポリアミド共重合体において、上記Ｘ ₁ は下記式（ｉ）で表される基であり、上記Ｙ ₁ は下記式（ｉｉ）で表される基であることを特徴とする請求項１に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
・・・（ｉ）
（式中、Ｘは炭素数１〜６の１価の炭化水素基、あるいはハロゲン化炭化水素基、又は水素）
・・・（ｉｉ）（式中、Ｙは単結合、−Ｏ−、−ＳＯ₂−、−Ｃ（Ｘ）₂−であり、Ｘは前記と同じ。） In the polyamide copolymer represented by the general formula (1), X ₁ is a group represented by the following formula (i), and Y ₁ is a group represented by the following formula (ii). The negative photosensitive resin composition of Claim 1 characterized by these.
... (i)
(Wherein X is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogenated hydrocarbon group, or hydrogen)
· · · (Ii) (in the formula, Y is a single _{bond, -O -, - SO 2 -} , - C (X) 2 - a and, X is as defined above.)

（１）請求項１又は２記載のネガ型感光性樹脂組成物を層またはフィルムの形で基板上に形成し、（２）該基板に対し、マスクを介して活性光線で露光するか、又は化学線を直接照射し、（３）加熱処理を行い、（４）未露光部又は未照射部を現像液により溶解除去
し、（５）得られたネガ型レリーフパターンを加熱する工程を含む、硬化レリーフパターンの形成方法。 (1) The negative photosensitive resin composition according to claim 1 or 2 is formed on a substrate in the form of a layer or a film, and (2) the substrate is exposed with actinic rays through a mask, or Direct irradiation with actinic radiation, (3) performing a heat treatment, (4) dissolving and removing the unexposed part or unexposed part with a developer, and (5) heating the obtained negative relief pattern, A method for forming a cured relief pattern.

請求項３に記載の硬化レリーフパターンの形成方法を包含する、半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the method for forming a cured relief pattern according to claim 3 .

請求項１又は２に記載のネガ型感光性樹脂組成物を硬化させた樹脂からなる塗膜を有する半導体装置。 The semiconductor device having a coating comprising a cured resin of a negative type photosensitive resin composition according to claim 1 or 2.