JP2009092389A - 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被測定物の表面形状を測定する測定装置であって、光源からの光を測定光と参照光とに分離して、前記測定光を前記被測定物の表面に入射させ、前記参照光を参照ミラーに入射させる投光光学系と、前記被測定物の表面で反射した前記測定光と前記参照ミラーで反射した前記参照光とを光電変換素子に導光する受光光学系と、前記光電変換素子で検出され、前記測定光と前記参照光によって形成される干渉パターンに基づいて前記被測定物の表面形状を算出する処理部とを有し、前記投光光学系及び前記受光光学系の少なくとも一方は、パワーを持つミラーを含んで構成され、前記投光光学系及び前記受光光学系の結像倍率は、前記ミラーで決定されることを特徴とする測定装置を提供する。
【選択図】図1
Description
例えば、入射角度θinを84度とすると、m1=19・dZとなり、ウエハ140の変位を19倍に拡大した変位量になる。受光素子158での変位量は、式1に光学系の倍率(即ち、レンズ157によるの結像倍率)が掛け合わされる。
・・・(2)
但し、式2において、iは、ウエハ140上の測定位置を示すポイント番号である。
10 照明光学系
12 光源
14 コンデンサーレンズ
16 スリット板
20 投光光学系
22 凹面ミラー
221及び222 凹面ミラー
224 凹面ミラー
23 凸面ミラー
24 開口絞り
25 ビームスプリッタ
30 受光光学系
31 参照ミラー
32 ビームスプリッタ
33 撮像素子
34 凹面ミラー
341及び342 凹面ミラー
344 凹面ミラー
35 凸面ミラー
36 開口絞り
37 平面ミラー
40 ステージ系
50 データ処理系
52 演算部
54 記憶部
56 表示部
SB 基板
100 露光装置
Claims (12)
- 被測定物の表面形状を測定する測定装置であって、
光源からの光を測定光と参照光とに分離して、前記測定光を前記被測定物の表面に入射させ、前記参照光を参照ミラーに入射させる投光光学系と、
前記被測定物の表面で反射した前記測定光と前記参照ミラーで反射した前記参照光とを光電変換素子に導く受光光学系と、
前記光電変換素子で検出され、前記測定光と前記参照光によって形成される干渉パターンに基づいて前記被測定物の表面形状を算出する処理部とを有し、
前記投光光学系及び前記受光光学系の少なくとも一方は、パワーを持つミラーを含んで構成され、
前記投光光学系及び前記受光光学系の結像倍率は、前記ミラーで決定されることを特徴とする測定装置。 - 前記投光光学系及び前記受光光学系の少なくとも一方は、凹面ミラー及び凸面ミラーのそれぞれを含むことを特徴とする請求項1記載の測定装置。
- 前記投光光学系及び前記受光光学系のそれぞれは、凹面ミラー及び凸面ミラーのそれぞれを含むことを特徴とする請求項1記載の測定装置。
- 前記凹面ミラー及び前記凸面ミラーは、前記凹面ミラーの曲率中心と前記凸面ミラーの曲率中心とが一致するように、配置されていることを特徴とする請求項2又は3記載の測定装置。
- 前記凸面ミラーは、前記凹面ミラーの曲率の2倍の曲率を有し、
前記凹面ミラー及び前記凸面ミラーは、前記凹面ミラーの曲率中心と前記凸面ミラーの曲率中心とが一致しないように、配置されていることを特徴とする請求項2又は3記載の測定装置。 - 前記投光光学系又は前記受光光学系は、結像倍率が可変であることを特徴とする請求項4又は5記載の測定装置。
- 前記凹面ミラー及び前記凸面ミラーの少なくとも一方は、曲率が異なる2つ以上の部分を含むことを特徴とする請求項6記載の測定装置。
- 前記投光光学系は、前記測定光を前記被測定物の表面に斜めに入射させ、前記参照光を参照ミラーに斜めに入射させることを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか一項に記載の測定装置。
- 前記被測定物を駆動する駆動部を更に有し、
前記光電変換素子は、前記駆動部が前記被測定物を駆動している状態において、前記干渉パターンを検出することを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか一項に記載の測定装置。 - レチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記基板又は前記基板に塗布されたレジストの表面形状を測定する測定装置と、
前記測定装置の測定結果に基づいて前記基板の位置を補正するステージとを有し、
前記測定装置は、請求項1乃至9のうちいずれか一項に記載の測定装置であることを特徴とする露光装置。 - 前記基板又は前記基板に塗布されたレジストの表面位置を測定するセンサを更に有し、
前記センサの測定結果は、前記測定装置の測定結果に基づいて較正されることを特徴とする請求項10記載の露光装置。 - 請求項10又は11記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007260358A JP4512627B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US12/239,936 US8233140B2 (en) | 2007-10-03 | 2008-09-29 | Measuring apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method |
TW097137745A TW200931190A (en) | 2007-10-03 | 2008-10-01 | Measuring apparatus, exposure apparatus, and semiconductor device fabrication method |
KR1020080097612A KR20090034784A (ko) | 2007-10-03 | 2008-10-06 | 측정 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007260358A JP4512627B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009092389A true JP2009092389A (ja) | 2009-04-30 |
JP4512627B2 JP4512627B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=40522958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007260358A Expired - Fee Related JP4512627B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8233140B2 (ja) |
JP (1) | JP4512627B2 (ja) |
KR (1) | KR20090034784A (ja) |
TW (1) | TW200931190A (ja) |
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- 2008-10-01 TW TW097137745A patent/TW200931190A/zh unknown
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KR20090034784A (ko) | 2009-04-08 |
TW200931190A (en) | 2009-07-16 |
JP4512627B2 (ja) | 2010-07-28 |
US20090091723A1 (en) | 2009-04-09 |
US8233140B2 (en) | 2012-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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