JP2009088286A - 固体撮像装置とその製造方法、並びにカメラ - Google Patents
固体撮像装置とその製造方法、並びにカメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009088286A JP2009088286A JP2007256627A JP2007256627A JP2009088286A JP 2009088286 A JP2009088286 A JP 2009088286A JP 2007256627 A JP2007256627 A JP 2007256627A JP 2007256627 A JP2007256627 A JP 2007256627A JP 2009088286 A JP2009088286 A JP 2009088286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- charge
- charge storage
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims abstract description 87
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 201
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 125
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 67
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 35
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 188
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 34
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】画素毎に、基板の厚み方向に光電変換部8と、電荷蓄積部4と、光電変換部8と電荷蓄積部4間のポテンシャルバリアφaを有する。受光時に、光電変換された電子・正孔対のうち、一方の電荷eを信号電荷として光電変換部8に蓄積し、電子・正孔対のうちの他方の電荷hによりポテンシャルバリアφbを変調させて、電荷蓄積部4に蓄積されている一方の電荷e′を光電変換部8へ供給する。
【選択図】図1
Description
特許文献2は、画素の受光部を、n型不純物拡散領域とその上のp+型正電荷蓄積領域によるフォトダイオードで構成したCCD固体撮像装置が示されている。この特許文献2では、エピタキシャル成長とイオン注入により、オーバーフローバリアを形成する技術も開示されている。
また、特許文献3には、n型エピタキシャル層を形成し、このn型エピタキシャル層にフォトレジストマスクを介してイオン注入の加速電圧を連続的に変化させてp型半導体領域を形成し、深いpn接合を有した超接合半導体素子の製造方法が開示されている。
また、本発明は、このような感度を向上した固体撮像装置を備えたカメラを提供するものである。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法によれば、上記高感度の固体撮像装置を精度よく製造することができる。
本発明に係るカメラによれば、画素面積が微細化しても高感度のカメラを提供することができる。
なお、図1Aでは各半導体層において、色の濃い領域ほど不純物濃度が大きいことを表している。
図3に、本実施形態に係るCMOS固体撮像装置の一実施の形態の概略構成を示す。本発明実施の形態に係る固体撮像装置21は、半導体基板例えばシリコン基板上に、複数の光電変換部を含む画素22が規則的に2次元アレイ状に配列された撮像領域23と、その周辺回路としての垂直駆動回路24と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路26と、出力回路27と、制御回路28等を有して構成される。
なお、欠陥11を設けなくても、受光時の波長の長い光で電荷蓄積部34及びp型半導体層33の近傍の領域において光電変換で生成された電子を、電荷蓄積部34に蓄積させるようにすることもできる。さらに、熱によって発生する熱電子を電荷蓄積部34に蓄積させるようにすることもできる。
その他の構成は、前述の図7と同様であるので、対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する。
その他の構成は、図2及び図7と同様であるので、対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する。
その後は、画素トランジスタ、多層配線層、オンチップカラーフィルタ及びオンチップレンズ等を形成してCMOS固体撮像装置を得る。
CMOSイメージセンサあるいはCCDイメージセンサ等の固体撮像装置において、画素の微細化に伴い光電変換部であるフォトダイオードのアスペクト比が増大する傾向になる。このようなアスペクト比の増大したフォトダイオードを基板上面側からのイオン注入で形成する場合、レジストマスクのアスペクト比(厚さ/開口の比)が大きくなり、レジストマスクの形成が困難になる。また、イオン注入の注入加速エネルギーも大きくなる。深いところにイオン注入した場合、イオン注入領域がブロードになる。画素分離領域も深いイオン注入ではイオン注入領域がブロードになる。このため、深い位置まで正確にフォトダイオードを形成することが困難になる。さらにフォトダイオードとフォトダイオードの間の画素分離領域も狭くなるので、画素分離領域の形成も困難になる。
先ず、図21Aに示すように、n型又はp型、本例ではn型のシリコン半導体基板101にp型の半導体ウェル領域102を形成し、このp型半導体ウェル領域102に画素分離領域を形成するためのp型ドーパント103と、フォトダイオードのn型半導体層を形成するためのn型ドーパント104をイオン注入する。これらのドーパント102、103、104は、拡散係数の違いを考慮して飛程距離Rpの深さを変化させてもよい。
なお、基板101としてp型のシリコン基板を用い、このp型半導体基板101にp型の半導体ウェル領域102を形成した基板を用いることもできる。
Claims (11)
- 画素毎に、基板の厚み方向に光電変換部と、電荷蓄積部と、前記光電変換部と前記電荷蓄積部間のポテンシャルバリアを有し、
受光時に、光電変換された電子・正孔対のうち、一方の電荷を信号電荷として前記光電変換部に蓄積し、
前記電子・正孔対のうちの他方の電荷により前記ポテンシャルバリアを変調させて、前記電荷蓄積部に蓄積されている一方の電荷を前記光電変換部へ供給する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光電変換部が前記電荷蓄積部より光入射側にあって、
前記電荷蓄積部が光入射側から見て前記基板の深部に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部が前記電荷蓄積部より光入射側に形成され、
前記電荷蓄積部が前記基板の厚み方向の中間部に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記電荷蓄積部が前記光電変換部より光入射側に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記電荷蓄積部が、前記光電変換部を挟んで光入射側とその反対側の双方に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部が前記電荷蓄積部より光入射側に形成され、
前記電荷蓄積部の前記光入射側とは反対側のポテンシャルバリアが固定されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記電荷蓄積部の前記光入射側とは反対側のポテンシャルバリアが全画素共通に形成されている
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部が前記電荷蓄積部より光入射側に形成され、
前記基板の電位を制御して前記電荷蓄積部の、前記光入射側とは反対側のポテンシャルバリアを制御する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部に蓄積された信号電荷をリセットするとき、同時に前記電荷蓄積部に蓄積された一方の電荷をリセットする
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - エピタキシャル成長前の半導体領域の表面に、所要の種ドーパントをイオン注入する工程と、
前記半導体領域の表面にエピタキシャル成長層を堆積し、前記種ドーパントをエピタキシャル成長層中に拡散する工程と、
前記エピタキシャル成長層の表面から所要のドーパントをイオン注入する工程を有し、
画素分離部、光電変換された電子・正孔対のうち一方の電荷を信号電荷とする光電変換部、一方の電荷が蓄積される電荷蓄積部、及び前記光電変換部と前記電荷蓄積間の前記光電変換された電子・正孔対のうち他方の電荷により変調されるポテンシャルバリア層を形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の撮像部に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と
を有し、
前記固体撮像装置は、
画素毎に、基板の厚み方向に光電変換部と、電荷蓄積部と、前記光電変換部と前記電荷蓄積部間のポテンシャルバリアを有し、
受光時に、光電変換された電子・正孔対のうち、一方の電荷を信号電荷として前記光電変換部に蓄積し、
前記電子・正孔対のうち、他方の電荷により前記ポテンシャルバリアを変調させて、前記電荷蓄積部に蓄積されている一方の電荷を前記光電変換部へ供給するように構成されている
ことを特徴とするカメラ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007256627A JP5151371B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 固体撮像装置並びにカメラ |
US12/219,825 US8035714B2 (en) | 2007-09-28 | 2008-07-29 | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and camera |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007256627A JP5151371B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 固体撮像装置並びにカメラ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009088286A true JP2009088286A (ja) | 2009-04-23 |
JP2009088286A5 JP2009088286A5 (ja) | 2010-04-22 |
JP5151371B2 JP5151371B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=40507785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007256627A Expired - Fee Related JP5151371B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 固体撮像装置並びにカメラ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8035714B2 (ja) |
JP (1) | JP5151371B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011018866A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
WO2011155182A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2012129371A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
JP2017120829A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US11784262B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, radiation image capturing system, photoelectric conversion system, moving object |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4680552B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2011-05-11 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
KR20100079450A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 후면 수광 이미지센서의 제조방법 |
JP2011253962A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置 |
US20120326260A1 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | William French | Photodiode that incorporates a charge balanced set of alternating n and p doped semiconductor regions |
US8951826B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for increasing photodiode full well capacity |
JP6871164B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2021-05-12 | タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR20210053599A (ko) | 2019-11-04 | 2021-05-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319368A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2000311995A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2005347758A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10116975A (ja) | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Sony Corp | 固体撮像装置及び固体撮像装置のオーバーフローバリア形成方法 |
JP2006032681A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Sony Corp | 半導体装置および物理情報取得装置並びに半導体装置の駆動方法 |
JP4710822B2 (ja) | 2006-12-25 | 2011-06-29 | 富士電機システムズ株式会社 | 超接合半導体素子 |
US7649165B2 (en) * | 2007-03-23 | 2010-01-19 | Seiko Epson Corporation | Image capturing apparatus |
-
2007
- 2007-09-28 JP JP2007256627A patent/JP5151371B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-29 US US12/219,825 patent/US8035714B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319368A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2000311995A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2005347758A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011018866A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
WO2011155182A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2012129371A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
JP2017120829A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN107104115A (zh) * | 2015-12-28 | 2017-08-29 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
US11784262B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, radiation image capturing system, photoelectric conversion system, moving object |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5151371B2 (ja) | 2013-02-27 |
US8035714B2 (en) | 2011-10-11 |
US20090086066A1 (en) | 2009-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5151371B2 (ja) | 固体撮像装置並びにカメラ | |
US8604408B2 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
US8363141B2 (en) | Solid-state image pickup device, image pickup system including the same, and method for manufacturing the same | |
US7855407B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
US7763913B2 (en) | Imaging method, apparatus, and system providing improved imager quantum efficiency | |
KR101640260B1 (ko) | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자기기 | |
US8345133B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus and imaging system using the same | |
KR101385014B1 (ko) | 반도체 소자 및 고체 촬상 장치 | |
KR101152389B1 (ko) | 이미지 센서와 그 제조 방법 | |
US20110249163A1 (en) | Photoelectric conversion device and camera | |
US8723285B2 (en) | Photoelectric conversion device manufacturing method thereof, and camera | |
KR20100004064A (ko) | 고체 촬상 장치, 그 제조 방법, 및 전자 기기 | |
JP5487798B2 (ja) | 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法 | |
JP2009506547A (ja) | 撮像装置での垂直方向ブルーミング防止制御およびクロストーク軽減のためのBtFried添加領域 | |
US20100148230A1 (en) | Trench isolation regions in image sensors | |
WO2021117523A1 (ja) | 固体撮像素子及び電子機器 | |
JP5407282B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP5272281B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ | |
KR101476035B1 (ko) | 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 고체 촬상 장치 | |
JP2007115787A (ja) | 固体撮像素子 | |
US7692225B2 (en) | CMOS image sensor | |
WO2021187422A1 (ja) | 固体撮像素子及び電子機器 | |
JP2013162077A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4115446B2 (ja) | Cmosイメージセンサの製造方法 | |
JP2014045217A (ja) | 固体撮像装置、および固体撮像装置を用いた撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100302 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121119 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |