JP2009079236A - 垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 - Google Patents
垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009079236A JP2009079236A JP2007247182A JP2007247182A JP2009079236A JP 2009079236 A JP2009079236 A JP 2009079236A JP 2007247182 A JP2007247182 A JP 2007247182A JP 2007247182 A JP2007247182 A JP 2007247182A JP 2009079236 A JP2009079236 A JP 2009079236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- sputtering target
- magnetic recording
- intermediate layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0433—Nickel- or cobalt-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7371—Non-magnetic single underlayer comprising nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C2202/00—Physical properties
- C22C2202/02—Magnetic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Abstract
【解決手段】 at%で、W:1〜20%,B:0.1〜10%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材の製造方法。さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したNi−W−B系薄膜。
【選択図】 なし
Description
富士時報、Vol.77,No.2,2004,第121頁
(1)at%で、W:1〜20%,B:0.1〜10%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材。
(3)前記(1)に記載のスパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を900〜1150℃の温度で固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材の製造方法。
(5)前記(2)または(3)に記載の方法で製造したスパッタリングターゲット材を用いて製造したNi−W−B系薄膜にある。
本発明に係る成分組成として、at%で、W:1〜20%に限定した理由は、1%未満ではスパッタ薄膜の格子定数が3.53オングストローム(×10-10 m)未満となり、また、20%を超えると格子定数が3.61オングストローム(×10-10 m)を超えることから、その範囲を1〜20%とした。好ましくは5〜15%とする。
表1に示すNi−W−B系合金粉末をガスアトマイズにより作製し、これを原料粉末とし、SC缶に脱気封入した粉末充填ビレットを、850〜1200℃でHIP法およびアップセット法にて固化成形し、機械加工によりNi−W−B系合金のスパッタリングターゲット材を作製した。また、比較として鋳造法によりNi−W−B系合金のスパッタリングターゲット材を作製した。各工程の詳細は以下の通りである。
また、スパッタリングターゲット材の相対密度は、上記方法で作製した直径76.2mm、厚さ3mmの円盤より、体積重量法にて密度を測定し、組成から算出される計算密度との比を相対密度とした。
特許出願人 山陽特殊製鋼株式会社
代理人 弁理士 椎 名 彊
Claims (5)
- at%で、W:1〜20%,B:0.1〜10%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材。
- at%で、W:1〜20%,B:0.1〜10%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材の製造方法。
- 請求項1に記載のスパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を900〜1150℃の温度で固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材の製造方法。
- 請求項1に記載のスパッタリングターゲット材を用いて製造したNi−W−B系薄膜。
- 請求項2または3に記載の方法で製造したスパッタリングターゲット材を用いて製造したNi−W−B系薄膜。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007247182A JP5295537B2 (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材の製造方法 |
PCT/JP2008/067119 WO2009041398A1 (ja) | 2007-09-25 | 2008-09-22 | 垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni-W-B系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
TW097136872A TW200932935A (en) | 2007-09-25 | 2008-09-25 | Ni-W-B-based sputtering target material for producing intermediate layer film in vertical magnetic recording medium, and thin film produced using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007247182A JP5295537B2 (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009079236A true JP2009079236A (ja) | 2009-04-16 |
JP5295537B2 JP5295537B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=40511283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007247182A Expired - Fee Related JP5295537B2 (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5295537B2 (ja) |
TW (1) | TW200932935A (ja) |
WO (1) | WO2009041398A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009155722A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-07-16 | Hitachi Metals Ltd | Ni−W系焼結ターゲット材 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5105594B2 (ja) * | 2007-10-15 | 2012-12-26 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
JP2011076683A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
CN112404443A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-02-26 | 河南东微电子材料有限公司 | 一种铬钽硼合金粉末的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303787A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Nikko Materials Co Ltd | ニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2006265656A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性合金膜形成用Fe−Ni−Co系合金ターゲット材およびその製造方法 |
JP2007179598A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法および、磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62229521A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記録媒体 |
JP2000169923A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | W−Ni系ターゲット材料、電極材料、及び実装部品 |
JP3539355B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2004-07-07 | 住友金属鉱山株式会社 | ブラックマトリックス用Ni−W系スパッタリングターゲット |
JP2006092721A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Showa Denko Kk | 垂直磁気記録媒体用基板、その製造方法、および垂直磁気記録媒体 |
-
2007
- 2007-09-25 JP JP2007247182A patent/JP5295537B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-22 WO PCT/JP2008/067119 patent/WO2009041398A1/ja active Application Filing
- 2008-09-25 TW TW097136872A patent/TW200932935A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303787A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Nikko Materials Co Ltd | ニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2006265656A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性合金膜形成用Fe−Ni−Co系合金ターゲット材およびその製造方法 |
JP2007179598A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法および、磁気記録再生装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009155722A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-07-16 | Hitachi Metals Ltd | Ni−W系焼結ターゲット材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200932935A (en) | 2009-08-01 |
WO2009041398A1 (ja) | 2009-04-02 |
JP5295537B2 (ja) | 2013-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8430978B2 (en) | Sputtering target and method for production thereof | |
JP5253781B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材 | |
JPWO2006051737A1 (ja) | 金属ガラス膜作製用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
US20150060268A1 (en) | Sputtering Target for forming Magnetic Recording Film and Process for Producing Same | |
JP4954816B2 (ja) | Ni−W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
WO2010007980A1 (ja) | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびスパッタリングターゲット材並びにその製造方法 | |
JP5103462B2 (ja) | Ag合金熱拡散制御膜およびこれを備えた熱アシスト記録用磁気記録媒体 | |
WO2009133921A1 (ja) | 垂直磁気記録媒体の中間層膜を製造するためのスパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 | |
JP5295537B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni−W−B系スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2009191359A (ja) | Fe−Co−Zr系合金ターゲット材 | |
JP5384969B2 (ja) | スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 | |
JP5403418B2 (ja) | Co−Fe−Ni系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP5377901B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体におけるNi−W−(Si,B)系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材 | |
JP2009203537A (ja) | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP5384849B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体におけるNi−W−P,Zr系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 | |
JP7157573B2 (ja) | 磁気記録媒体のシード層用Ni系合金 | |
JP2009079235A (ja) | 磁気記録媒体における下地膜製造用Cr−Mn−B系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 | |
JP5650169B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材 | |
TW202009308A (zh) | 濺鍍靶、顆粒膜及垂直磁記錄媒體 | |
JP6876115B2 (ja) | Co−Pt−Re系スパッタリングターゲット、その製造方法及び磁気記録層 | |
JP2011181140A (ja) | 磁気記録媒体用Fe−Co系合金軟磁性膜 | |
TWI823989B (zh) | 磁氣記錄媒體之軟磁性層用濺鍍靶材及磁氣記錄媒體 | |
JP2020135907A (ja) | 垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲット、並びに、垂直磁気記録媒体及びその軟磁性層 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100818 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121113 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130423 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5295537 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |