JP2009076876A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器14と、複数の被処理体Wを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段22と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段38と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段60とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス64と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極66と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源68とよりなる。
【選択図】図1
Description
また、処理効率を上げるために大きな電力を投入して電子密度を上げようとしても、大電力を投入すると上記したパーティクルの発生量が急激に増大し、このため電子密度を向上させることが困難であった。
また例えば請求項3に記載したように、前記プラズマ形成ボックスは、前記処理容器の外側に、前記処理容器の側壁に沿って設けられる。
また例えば請求項4に記載したように、前記プラズマ形成ボックスは、前記処理容器の内側に、前記処理容器の側壁に沿って設けられる。
また例えば請求項5に記載したように、前記高周波電源からの高周波電力の周波数は4MHz〜27.12MHzの範囲内である。
また例えば請求項6に記載したように、前記プラズマ形成ボックスと前記誘導結合型の電極との間に、静電シールドを設ける。
また例えば請求項7に記載したように、前記誘導結合型の電極は、前記プラズマ形成ボックスの側面に沿って設けられる。
また例えば請求項9に記載したように、前記誘導結合型の電極は、前記プラズマ形成ボックスの側壁に沿って半ターン、1ターン又は複数ターン巻回して設けられる。
プラズマを発生させる活性化手段の一部としてプラズマ形成ボックスに沿って誘導結合型の電極を用いるようにしたので、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止すると共に、大電力の投入を可能にして電子密度を高くすることができる。また、電子密度を高くすることによって、処理効率も向上させることができる。
<第1実施形態>
図1は本発明の係るプラズマ処理装置の第1実施形態の一例を示す縦断面構成図、図2はプラズマ処理装置(加熱手段は省略)を示す横断面構成図、図3はプラズマ処理装置の誘導結合型の電極の部分を主に取り出して示す概略斜視図、図4は誘導結合型の電極を含む回路を示すブロック構成図である。尚、ここではシラン系ガスとしてジクロロシラン(DCS)を用い、窒化ガスとしてアンモニアガス(NH3 )を用い、上記NH3 ガスをプラズマにより活性化してシリコン窒化膜(SiN)を成膜する場合を例にとって説明する。
i=I0 sin(ωt−kx)
ここで、I0 は振幅、ωは角速度、tは時間、kは正数、xは図中の横方向における場所を示している。
また電流の反射波i’は、以下の式のようになる。
i’=I0 sin(ωt+kx)
I=2I0 sinωt・coskx
ここで、本実施例のように、上記誘導結合型の電極66をプラズマ形成ボックス64の一端(右端)で折り曲げると、電流の定在波は図5(B)に示すようになる。尚、図中ではプラズマ形成ボックス64の厚さは無視している。この場合、プラズマ形成ボックス64の中心軸90における誘導電界のバラツキはTOPとBTMで±2〜3%程度となって非常に少なくなっている。
従って、このように上記誘導結合型の電極66を折り返して実質的に1ターンのコイルとして形成して誘導電界を重ね合わせることにより、給電側からグランド側への電界の落ち込みを軽減してプラズマ形成ボックス64内の誘導電界を均一化することができる。
このように、静電シールド100を配置することにより、上記誘導結合型の電極66が作る誘導結合型磁界とプラズマを結合させながら、電界による容量性結合を更に低減させることができ、この結果、プラズマ中に発生するイオンによるプラズマ形成ボックス64の内壁のエッチングダメージを軽減することができる、という利点が得られる。
このSiの有機ソースとプラズマ化された酸素ガスを交互に間欠的にウエハW側に供給するシーケンスを1サイクル(1回の有機ソースの供給から次の有機ソースの供給までの間)として複数サイクルの原子層成長を行わせて所望の膜厚のシリコン酸化膜を得る。
次に本発明の変形実施形態について説明する。尚、以下に説明する各変形実施形態の図では図1〜図9に示した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付し、その説明を省略する。
図10は本発明の第1変形実施形態を示す模式図であり、ここでは屈曲型の電極を有している。図10(A)は斜視図を示し、図10(B)は背面壁を中心として両側壁を展開させた時の状態である部分拡大展開図を示す。
次に第2〜第4変形実施形態について説明する。図11は第2〜第4変形実施形態を示す模式図であり、ここでも屈曲型の電極を有している。図11(A)は第2変形実施形態を示し、図11(B)は第3変形実施形態を示し(展開図を併記)、図11(C)は第4変形実施形態を示す。
この変形実施形態でも、先の第1実施形態と同様な作用効果を示すのは勿論のこと、プラズマ形成ボックス64に対する電極66の設置長が長くなり、プラズマ密度を向上できるのみならず、プラズマ形成エリアを拡大し、プラズマ密度も均一化させることができる。
この変形実施形態でも、先の第1実施形態と同様な作用効果を示すのは勿論のこと、プラズマ形成ボックス64に対する電極66の設置長が長くなり、プラズマ密度を向上できるのみならず、プラズマ形成エリアを拡大し、プラズマ密度も均一化させることができる。
この変形実施形態でも、先の第1実施形態と同様な作用効果を示すのは勿論のこと、プラズマ形成ボックス64に対する電極66の設置長が長くなり、プラズマ密度を向上できるのみならず、プラズマ形成エリアを拡大し、プラズマ密度も均一化させることができる。
次に第5〜第7変形実施形態について説明する。この各変形実施形態では、いわゆる百足型の電極を有している。図12は第5〜第7変形実施形態を示す模式図であり、図12(A)は第5変形実施形態を示し、図12(B)は第6変形実施形態を示し、図12(C)は第7変形実施形態を示す。
この変形実施形態でも、先の第1実施形態と同様な作用効果を示すのは勿論のこと、プラズマ形成ボックス64に対する電極66の設置長が長くなり、プラズマ密度を向上できるのみならず、プラズマ形成エリアを拡大し、プラズマ密度も均一化させることができる。
この変形実施形態でも、先の第1実施形態と同様な作用効果を示すのは勿論のこと、プラズマ形成ボックス64に対する電極66の設置長が長くなり、プラズマ密度を向上できるのみならず、プラズマ形成エリアを拡大し、プラズマ密度も均一化させることができる。
次に第8及び第9変形実施形態について説明する。図13は第8及び第9変形実施形態を示す模式図であり、ここではチェーン型の電極を有している。図13(A)は第8変形実施形態を示し、図13(B)は第9変形実施形態を示す。
次に、第10及び第11変形実施形態について説明する。図14は第10及び第11変形実施形態を示す模式図であり、ここではダブル往復型の電極を有している。図14(A)は第10変形実施形態を示し、図14(B)は第11変形実施形態を示す。
次に第12〜第14変形実施形態について説明する。図15は第12〜第14変形実施形態を示す模式図であり、ここでは側壁の片面型に電極を有している。図15(A)は第12変形実施形態を示し、図15(B)は第13変形実施形態を示し、図15(C)は第14変形実施形態を示す。
更に、この場合には、接地112を電極66の上端部に位置させることによって電極66の全体の長さが短くなり、その分、電極66の長さ方向に沿って発生している電界分布の差が少なくなって、プラズマ密度を向上させることができる。尚、この場合、電極66の上端に高周波電源68を接続し、下端を接地するようにしてもよい。
次に第15〜第17変形実施形態について説明する。図16は第15〜第17変形実施形態を示す模式図であり、ここでは幅広のプレート型の電極を有している。図16(A)は第15変形実施形態を示し、図16(B)は第16変形実施形態を示し、図16(C)は第17変形実施形態を示す。
次に第18〜第24変形実施形態について説明する。図17は第18〜第21変形実施形態を示す模式図であり、図18は第22〜第24変形実施形態を示す模式図である。ここでは電極が途中で分岐された分岐型の電極を有している。図17(A)は第18変形実施形態を示し、図17(B)は第19変形実施形態を示し、図17(C)は第20変形実施形態を示し、図17(D)は第21変形実施形態を示し、図18(A)は第22変形実施形態を示し、図18(B)は第23変形実施形態を示し、図18(C)は第24変形実施形態を示す。
次に第25変形実施形態について説明する。図19は第25変形実施形態を示す模式図である。この第25変形実施形態の場合には、上記電極66は、上記両側壁72A、72Bに亘って1ターン形成されると共に、上記電極66は、上記プラズマ形成ボックス64の高さ方向の中央部X1が最も上記処理容器14(図2参照)の中心側へ突出するように曲線状に屈曲形成されている。
次に第26変形実施形態について説明する。図20は第26変形実施形態を示す模式図である。この第26変形実施形態の場合には、上記電極66は、上記両側壁72A、72Bの長さ方向に沿って1ターンで形成される主電極120と、上記主電極120の途中から上記両側壁72A、72Bの幅方向へ延びると共に上記背面壁73を通って上記両側壁72A、72Bの主電極66同士を接続する複数のバイパス電極136とよりなっている。
この変形実施形態でも、先の第1実施形態と同様な作用効果を示すのは勿論のこと、プラズマ形成ボックス64に対する電極66の設置長が長くなり、プラズマ密度を向上できるのみならず、プラズマ形成エリアを拡大し、プラズマ密度も均一化させることができる。
次に第27変形実施形態について説明する。図21は第27変形実施形態を示す模式図である。この第27変形実施形態の場合には、上記電極66は、上記プラズマ形成ボックス64の下端部で上記高周波電源68に接続され、上記背面壁73にその長さ方向に沿って設けられると共に上記両側壁72A、72B側にループ状に延びる複数のループ電極138が介設された主電極120と、上記プラズマ形成ボックス64の上端部で2つに分岐されてそれぞれが異なる側壁72A、72Bにその長さ方向に沿って設けられると共に下端部で接地される主分岐電極134A、134Bとよりなっている。この場合は、複数のバイパス電極136が設けられている図20に示す第26変形実施形態と略同様な作用効果を発揮することができる。
次に第28変形実施形態について説明する。図22は第28変形実施形態を示す模式図である。この第28変形実施形態の場合には、上記高周波電源68(68A、68B)は2つ設けられると共に、上記電極66(66A、66B)も2つ設けられ、上記2つの電極66A、66Bの内の一方の電極66Aは、上記両側壁72A、72B内のいずれか一方の側壁、例えば72Aにその長さ方向に沿って設けられ、この電極66Aの下端部が上記2つの高周波電源68A、68Bの内の一方の高周波電源、例えば68Aに接続されると共に上端側が接地されている。
次に第29変形実施形態について説明する。図23は第29変形実施形態を示す模式図である。この第29変形実施形態の場合には、上記電極66のその長さ方向の途中にはコンデンサ140が介設されている。すなわち、ここでは図2及び図3に示すような1ターン状態に形成された電極66の途中、すなわちここでは電極66の長さ方向の中央部にて上記コンデンサ140を介在させている。
次に第30〜第32変形実施形態について説明する。図24は第30〜第32変形実施形態を示す模式図であり、ここでは電極が同一平面で渦巻き状に巻回されたスパイラル型の電極を有している。図24(A)は第30変形実施形態を示し、図24(B)は第31変形実施形態を示し、図24(C)は第32変形実施形態を示している。
この変形実施形態でも、先の第1実施形態と同様な作用効果を示すのは勿論のこと、プラズマ形成ボックス64に対する電極66の設置長が長くなり、プラズマ密度を向上できるのみならず、プラズマ形成エリアを拡大し、プラズマ密度も均一化させることができる。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
14 処理容器
22 ウエハボート(保持手段)
38 第1のガス供給手段
44 第1のガスノズル
60 活性化手段
64 プラズマ形成ボックス
66 誘導結合型の電極
68 高周波電源
72 プラズマ区画壁
84 加熱手段
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (54)
- 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極と、
前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記ガス供給手段は、前記ガスを供給するためのガスノズルを有し、前記プラズマ形成ボックス内には前記ガスノズルが設けられていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ形成ボックスは、前記処理容器の外側に、前記処理容器の側壁に沿って設けられることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ形成ボックスは、前記処理容器の内側に、前記処理容器の側壁に沿って設けられることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電源からの高周波電力の周波数は4MHz〜27.12MHzの範囲内であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ形成ボックスと前記誘導結合型の電極との間に、静電シールドを設けるように構成したことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘導結合型の電極は、前記プラズマ形成ボックスの側面に沿って設けられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘導結合型の電極は、前記プラズマ形成ボックスの一端で折り返されて前記プラズマ形成ボックスの両側壁に沿って設けられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘導結合型の電極は、前記プラズマ形成ボックスの側壁に沿って半ターン、1ターン又は複数ターン巻回して設けられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ形成ボックスは、断面コ字状のプラズマ区画壁により区画形成されて、このプラズマ区画壁は対向する一対の側壁と、該側壁の一端側を連結する背面壁とよりなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、途中で複数箇所が屈曲されて屈曲状態になされて設けられていることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記側壁にその長さ方向に沿って設けられ、前記屈曲状態は、円弧を交互に逆向きに連ねてなる蛇行状態であることを特徴とする請求項11記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極の屈曲状態は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁より前記背面壁を通って他方の側壁に到り、該他方の側壁にて屈曲して折り返されて前記背面壁を通って前記一方の側壁に戻り、該一方の側壁にて屈曲して折り返されるという状態を繰り返すような屈曲状態であることを特徴とする請求項11記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極の屈曲状態は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁より前記背面壁を通って他方の側壁に到り、該他方の側壁にて小さい折り返し幅で屈曲して折り返されて前記背面壁を通って一方の側壁へ戻り、該一方の側壁に大きい折り返し幅で屈曲して折り返されるという状態を前記両側壁に対して行うように繰り返されている屈曲状態であることを特徴とする請求項11記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極の屈曲状態は、前記背面壁の一端から前記両側壁の内のいずれか一方の側壁へ延びて屈曲して折り返されて前記背面壁にて再度屈曲して折り返されるという状態を前記背面壁の他端まで繰り返し行い、該背面壁の他端から他方の側壁へ延びて屈曲して折り返されて前記背面壁にて再度屈曲して折り返されるという状態を前記背面壁の一端まで繰り返し行うような屈曲状態であることを特徴とする請求項11記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記側壁にその長さ方向に沿って形成された1ターンの主電極と、前記両側壁において前記主電極より分岐されて前記背面壁に向けて延びる複数の分岐電極とよりなることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記分岐電極は、前記両側壁を間に挟んで対向するように配置されて、その先端は前記背面壁の途中まで達していることを特徴とする請求項16記載のプラズマ処理装置。
- 前記分岐電極は、互いに反対側の前記側壁に設けられた前記分岐電極に対して互い違いに配置されており、その先端は前記背面壁を通過して反対側の側壁まで延びていることを特徴とする請求項16記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記背面壁にその長さ方向に沿って形成された1ターンの主電極と、前記主電極から分岐されて前記両側壁の方向に向けて延びる複数の分岐電極とよりなることを特徴とする請求項16記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、一部が切り欠かれた状態になされた複数のリング状電極を直列に接続して形成されていることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、一部が切り欠かれて前記両側壁にその長手方向に沿って直線状に配列された複数のリング状のリング状電極と、前記配列方向に沿って隣り合う前記リング状電極の一端同士を連結して全体で直列接続するために前記側壁より離間させて設けられた接続電極と、を備えたことを特徴とする請求項20記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、一部が切り欠かれて、前記背面壁にその長さ方向に沿って配列された複数のリング状のリング電極と、前記配列方向に沿って隣り合う前記リング状電極の一端同士を連結して全体で直列接続するために前記背面壁より離間させて設けられた接続電極と、を備えたことを特徴とする請求項20記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の長さ方向に沿って2往復分だけ設けられていることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁にその長さ方向に沿って2回巻回して前記2往復分になされていることを特徴とする請求項23記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁にてその長さ方向に沿って互いに間隔を隔てて1往復配設されると共に、他方の側壁にてその長さ方向に沿って互いに間隔を隔てて1往復配設されて、全体で前記2往復になされていることを特徴とする請求項23記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁に亘って1ターン形成されると共に、前記電極は、前記プラズマ形成ボックスの高さ方向の中央部が最も前記処理容器の中心側へ突出するように曲線状に屈曲形成されていることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁に設けられていることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁にその長さ方向に沿って設けられて半ターン状態になされていると共に、前記電極の下端側が前記高周波電源に接続され、前記電極の上端側が接地されていることを特徴とする請求項27記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁にその長さ方向に沿って1往復されて設けられていることを特徴とする請求項27記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁にその長さ方向に沿って設けられて半ターン状態になされていると共に、前記電極の下端側が前記高周波電源に接続され、前記電極の他端は前記側壁から離間して下方へ折り返されて接地されていることを特徴とする請求項27記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、所定の幅を有する幅広電極を有することを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記幅広電極は、前記両側壁に亘ってその長さ方向に沿って1ターン巻回するように形成されていることを特徴とする請求項31記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁に沿って形成された主電極と、他方の側壁にその長さ方向に沿って形成された前記幅広電極とよりなると共に、前記主電極と前記幅広電極とは上端で互いに接続されていることを特徴とする請求項31記載のプラズマ処理装置。
- 前記幅広電極の下端部は、接地されていることを特徴とする請求項33記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁にその長さ方向に沿って形成された主電極と、他方の側壁にその長さ方向に沿って形成された接地用の前記幅広電極とよりなり、前記主電極と前記接地用の幅広電極とは電気的に分離されていることを特徴とする請求項31記載のプラズマ処理装置。
- 前記幅広電極は、金属プレート、金属製のパンチングプレート、金属メッシュの内のいずれか1つよりなることを特徴とする請求項32乃至35のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、途中で2つの主分岐電極に分岐される分岐部を有することを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁にその長さ方向の中央部にて前記高周波電源に接地されると共に、この中央部にて上方へ延びる主分岐電極と下方へ延びる主分岐電極とに分岐された分岐部を有し、前記両主分岐電極は互いに他方の側壁に向けて折り曲げられて他方の側壁の長さ方向の中央部にて互いに接合されていることを特徴とする請求項37記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記プラズマ形成ボックスの下端部で前記高周波電源に接続されると共に、前記下端部を分岐部として2つの主分岐電極に分岐されて、該主分岐電極は前記一方の側壁のその長さ方向に沿って設けられ、そのまま上端部で折り返されて他方の側壁にその長さ方向に沿って設けられて下端部で接地されていることを特徴とする請求項37記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記プラズマ形成ボックスの下端部で前記高周波電源に接続されると共に、前記下端部を前記分岐部として2つの主分岐電極に分岐されて該主分岐電極は前記一方の側壁にその長さ方向に沿って設けられ、前記プラズマ形成ボックスの上端で両主分岐電極が1本に接合されると共に、そのまま折り返されて他方の側壁にその長手方向に沿って設けられて下端部で接地されていることを特徴とする請求項37記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記プラズマ形成ボックスの下端部で前記高周波電源に接続されると共に、前記下端部を前記分岐部として2つの主分岐電極に分岐されて、それぞれが互いに異なった前記側壁にその長さ方向に沿って設けられ、前記2つの主分岐電極は前記プラズマ形成ボックスの上端でそのまま互いに反対側へ折り返されて異なった側壁にその長さ方向に沿って設けられて下端部で接地されていることを特徴とする請求項37記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記プラズマ形成ボックスの下端部で前記高周波電源に接続されると共に、前記下端部を前記分岐部として2つの主分岐電極に分岐されて、それぞれが互いに異なった前記側壁にその長さ方向に沿って設けられ、前記プラズマ形成ボックスの上端側で前記主分岐電極は1本に接合されると共にそのまま折り返されて前記背面壁にその長さ方向に沿って設けられて下端部で接地されることを特徴とする請求項37記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記プラズマ形成ボックスの下端部で前記高周波電源に接続されると共に、前記下端部を前記分岐部として2つの主分岐電極に分岐されて、それぞれ互いに異なった前記側壁にその長さ方向に沿って設けられ、前記各主分岐電極は前記プラズマ形成ボックスの上端側で前記各側壁から離間されてそれぞれ接地されていることを特徴とする請求項37記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記プラズマ形成ボックスの下端部で前記高周波電源に接続されると共に、前記下端部を前記分岐部として2つの主分岐電極に分岐されて、それぞれ前記両側壁の内のいずれか一方の側壁にその長さ方向に沿って互いに所定の間隔を隔てて設けられ、前記各主分岐電極は前記側壁の上端側で前記側壁から離間されると共にそのまま折り返されて下方に延びて接地されることを特徴とする請求項37記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、前記両側壁の長さ方向に沿って1ターンで形成される主電極と、前記主電極の途中から前記両側壁の幅方向へ延びると共に前記背面壁を通って前記両側壁の主電極同士を接続する複数のバイパス電極とよりなることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、
前記プラズマ形成ボックスの下端部で前記高周波電源に接続され、前記背面壁にその長さ方向に沿って設けられると共に前記両側壁側にループ状に延びる複数のループ電極が介設された主電極と、
前記プラズマ形成ボックスの上端部で2つに分岐されてそれぞれが異なる側壁にその長さ方向に沿って設けられると共に下端部で接地される主分岐電極と、
よりなることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。 - 前記電極は、渦巻き状に巻回された渦巻き電極を有することを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記渦巻き電極は、前記両側壁の内のいずれか一方の側壁に設けられていることを特徴とする請求項47記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ形成ボックスは、断面が曲面状に成形されており、前記渦巻き電極は前記曲面上に設けられていることを特徴とする請求項47記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ形成ボックスは、断面が曲面状に成形されており、前記電極は、前記曲面の中心部において前記高周波電源に接続されると共に、該中心部にて2つの前記渦巻き電極に分岐されて共に同じ方向へ渦巻き状に巻回させて設けられていることを特徴とする請求項47記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電源は2つ設けられると共に、前記電極も2つ設けられ、
前記2つの電極の内の一方の電極は、前記両側壁内のいずれか一方の側壁にその長さ方向に沿って設けられ、該電極の下端部が前記2つの高周波電源の内の一方の高周波電源に接続されると共に上端側が接地され、
他方の電極は他方の側壁にその長さ方向に沿って設けられ、該電極の上端部が他方の高周波電源に接続されると共に下端側が接地されていることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。 - 前記電極のその長さ方向の途中にはコンデンサが介設されていることを特徴とする請求項10乃至51のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記被処理体と前記電極の、前記被処理体と最も近い部分との間の距離は、40mm以上となるように設定されていることを特徴とする請求項1乃至52のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の外周には、前記被処理体を加熱するための加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項1乃至53のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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