JP2009074817A - 半導体検出器モジュール、および該半導体検出器モジュールを用いた放射線検出装置または核医学診断装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体検出器モジュールは、放射線を受けて信号誘起電荷を発生する半導体素子14と該半導体素子14を挟んで配設される一対の電極12、13とを有し、放射線の半導体素子14への入射によるデータ信号を取得する半導体検出器モジュール10であって、隣接する他の電極12、13との間に配置され、一対の電極12、13よりも小さな面積をもつ部分的な絶縁物19を、少なくとも一方の一対の電極12、13に設けている。
【選択図】図2
Description
図5は、NaIシンチレータ101を備えるガンマカメラ100の内部構成を示す概念的断面図である。
図5に示すように、NaIシンチレータ101を備える核医学診断装置の一種のガンマカメラ100において、放射線であるγ線109は、コリメータ106に形成された多数の貫通孔106sを通る制限された角度でNaIシンチレータ101に入射する。そして、NaIシンチレータ101のNaIの結晶と相互作用を起こし、シンチレーション光を発する。この光はライトガイド102を介して、光電子増倍管103に到達し電気信号となる。この電気信号は、計測回路固定ボード105に取り付けられた計測回路104で整形され出力コネクタ107から白矢印で示すように、外部のデータ収集系へと出力される。なお、これらのNaIシンチレータ101、ライトガイド102、光電子増倍管103、計測回路104、計測回路固定ボード105等は、全体が遮光シールドケース108に収納され、この遮光シールドケース108によって外部の放射線以外の電磁波を遮断している。
また、シンチレータ101は、放射線から可視光、可視光から電子と多段階の変換を経て検出を行うため中間段階で損失等が発生し、エネルギー分解能が悪いという問題がある。そのため、中間段階で混入した散乱線を分離できずノイズとなり、γ線109を放出する真の位置情報を表す信号に対するSN比が低下して画質の劣化が発生する。また、撮像時間の増加が問題となっている。
このようなシンチレータとは異なる原理で放射線を検出する放射線検出器として、CdTe(テルル化カドミウム)、TlBr(臭化タリウム)、GaAs(ガリウム砒素)等の半導体材料を用いた半導体放射線検出素子201、…を備えた半導体検出器モジュール200(図6参照)がある。なお、図6は、核医学診断装置等に用いられる2つの半導体検出器モジュールの組み合わせて放射線検出器を構成した場合のその連結部分の内部構造の一例を示す図である。
図6に示すように、各検出器モジュール210、220は、電圧印加電極203をγ線の検出素子である半導体セル201、202によって挟み、さらに、半導体セル201、202を電圧印加電極203と信号取り出し電極204、205によって挟み込んだ構造が連続して形成されている。隣接する信号取り出し電極205と206の間には樹脂等で構成される絶縁物207が、ほぼ電極205、206の全域に亘って設けられている。例えば、絶縁物207として絶縁フィルムが、信号取り出し電極205、206間に貼り付けられている。
本発明は上記実状に鑑み、高稠密度であるとともに高感度であり、かつ高エネルギー分解能を有する検出器を交換可能な実装構造とし得る半導体検出器モジュールおよび該半導体検出器モジュールを用いた放射線検出装置または核医学診断装置の提供を目的とする。
第1図は、本発明の実施形態に係る核医学診断装置であるSPECT装置を示す全体構成概念図である。
<<核医学診断装置の構成>>
SPECT装置1は、被検者Pが横たわるベッドBと、ベッドB上の被検者Pに投与された放射性薬剤の壊変に伴って放射されるγ線gのうち所定方向のものを貫通孔によって通過させるコリメータ2と、このコリメータ2を通過したγ線gにより信号を発生させるとともに該信号の信号処理を行う複数の半導体検出器ユニット3と、この半導体検出器ユニット3を支持して被検者Pの廻りを矢印αのように回転させる回転支持台5と、半導体検出器ユニット3で取得し処理した信号を基にデータの収集および解析を行うデータ収集解析装置8と、このデータの解析結果等を表示する出力装置である表示装置Dと、操作者が表示装置Dを視認しつつ入力操作を行うキーボード等の入力操作装置9とを備え構成されている。
また、半導体検出器ユニット3は、複数の半導体検出素子4、複数の信号増幅器7を具えており、これら信号増幅器7は、多数の集積回路を有するデータ処理回路6に接続されている。
半導体検出器ユニット3と被検者Pとの間には、放射線遮蔽材(例えば、鉛、タングステン等)が形成されるとともに、多数の貫通孔を有するコリメータ2が設けられ、半導体検出器ユニット3からの被検者P体内の放射性薬剤の壊変に伴って放射されるγ線gへの視野角を制限している。
半導体検出器ユニット3における半導体検出素子4は、500V等の電圧が印加されており、γ線gが入射することにより信号誘起電荷を発生し、被検者Pの検査データの基データを取得する。そのため、半導体検出器ユニット3は、アルミニウム等を母材とする遮光・電磁シールドを有しており、この遮光・電磁シールドにより被検者Pから出射されるγ線g以外の電磁波の影響を遮断している。
なお、回転支持台3の回転制御、半導体検出器ユニット3と被検者Pとの間の距離の制御、およびベッドBによる被検者Pの位置制御は、操作パネルSpによってSPECT装置の近傍で行えるとともに、データ収集解析装置8の制御により遠距離から行うことも可能である。なお、外部較正用線源Gkが別途、保管されている。
次に、SPECT装置1による被検者Pの検査の概要について説明する。
まず、ベッドBが、その移動機構により、回転支持台5の外方に移動される。
放射性薬剤が投与された被検者Pが、回転支持台5の外方に移動したベッドBに載り横たわると、被検者Pを載せたベッドBは、移動機構により、図1に示すように、回転支持台5内の半導体検出器ユニット3、3間に移動される。
ベッドB上の被検者Pの体内からは、放射性薬剤の壊変に伴うγ線g、すなわち消滅γ線gが放出されることになる。
この被検者Pの体内の放射性薬剤が集積した集積部Cから放出される放射性薬剤の壊変に伴うγ線gのうち所定方向のγ線gが、コリメータ2内に形成された貫通孔(図示せず)を通り、半導体検出器ユニット3内の各半導体検出素子4に入射される。
その後、データ処理回路6で処理されたデータ信号が、データ収集解析装置8に入力され、データ収集解析装置8において、データ信号の保存、エネルギースペクトル解析、画像処理などが行われた後、ユーザの入力操作装置9への入力操作により、ユーザに対する視覚情報が表示装置D等に出力される。
図2は、第1実施形態の単ピクセル型の半導体検出器モジュール10を示したものであり、図2(a)は、図1に示すγ線gが半導体検出器モジュール10の半導体検出素子14に入射する方向から見た半導体検出器モジュール10の上面図、図2(b)は、図2(a)の半導体検出器モジュール10のA方向矢視図である。
図2に示す半導体検出器モジュール10は、単数または複数の半導体検出素子14を有しており、半導体検出素子14は、それぞれが1ピクセルとして、γ線gの入射による信号の読み出しを行っている。そして、その両端部には第一電位電極部材12と第二電位電極部材13とが設けられており、隣接する半導体検出素子14、14の第一電位電極部材12、12間および第二電位電極部材13、13間に後記の絶縁物の絶縁突状子19が配設されている。
例えば、寸法誤差、配置誤差がない理想的な実装では絶縁物を要しないが、稠密度を上げる場合、実際上、寸法誤差、配置誤差等の製造面を考慮すると絶縁物は必須である。なぜなら、大きな静電容量を持つことにより、隣接電極部材間のクロストークや、半導体検出素子14自身の熱雑音上昇によりエネルギー分解能が低下するからである。
なお、図2(b)に示すように、絶縁突状子19は、固定端、例えばコネクタ(固定手段)15から遠い端部側に配置した場合が半導体検出素子14の位置精度の向上に最もよく、隣接の半導体検出素子14が寄り過ぎることなく、適切な隙間をとることが可能となる。
また、図2(a)に示すように、第一電位電極部材12、第二電位電極部材13に設けた絶縁突状子19は、それぞれ隣接する第一電位電極部材12、第二電位電極部材13に曲率を有した曲面で接するので、接触面積が小さいので摺動摩擦が小さく容易に摺動し、半導体検出器モジュール10の交換作業が円滑に行える。
この半導体検出素子14を挟んだ第一電位電極部材12と第二電位電極部材13の下方には、図2(b)に示すように、差込端子12a、13aが接続されている。そして、これらの差込端子12a、13aを、半導体検出器ユニット3に搭載される支持回路基板16上のコネクタ15に差し込むことにより、半導体検出器モジュール10が、支持回路基板16によって半導体検出器ユニット3の所定の位置に固定されるとともに、半導体検出器ユニット3内の各種電気回路と電気的に接続されている。
12、第二電位電極部材13、絶縁突状子19および差込端子12a、13aを含み構成されており、図2(b)の矢印に示すように、半導体検出器ユニット3の支持回路基板16上のコネクタ15に脱着自在に構成されている。
ここで、各半導体検出器モジュール10を、コネクタ15から脱着するに際して、隣接する半導体検出器モジュール10に絶縁突状子19によって摺動するが、絶縁突状子19は、隣接する半導体検出器モジュール10の電極部材12、13に対して接触面積が小さいので、摩擦力が小さく脱着が円滑に行える。
半導体検出器モジュール10における半導体検出素子14を挟む電位電極部材12、13には、所定の電位がコネクタ15を介して付与されている。
図1に示すように、被検者Pの放射性薬剤が集積した集積部Cからのγ線gが、半導体検出器モジュール10の半導体検出素子14に入射すると、半導体検出素子14内におけるγ線gの電離作用により、半導体検出素子14内に電子と正孔とが対で発生する。そして、第一電位電極部材12と第二電位電極部材13に異なる電位を与えることで電子が相対的に高電位の電極に、正孔が低電位の電極に収集される。
第1実施形態によれば、半導体検出器モジュール10は、絶縁突状子19を用いるので、稠密実装時、半導体検出器ユニット3のコネクタ15に対する交換等の脱着に際して、隣接する半導体検出器モジュール10との接触面積が小さく低摩擦力で、交換作業性が良好である。
なお、半導体検出器モジュール10における半導体検出素子14の数は、適宜、選択可能である。
<<第2実施形態>>
図3(a)は、図1に示すγ線gが半導体検出器モジュール20の半導体検出素子24に入射する方向から見た半導体検出器モジュール20の上面図、図3(b)は、図3(a)の半導体検出器モジュール20のB方向矢視図であり、また、図3(c)は、図3(a)の半導体検出器モジュール20のC方向矢視図であり、また、図4は、図3(a)〜図3(c)に示す半導体検出器モジュール20を装着するコネクタ(固定手段)25a、25bが立設される支持回路基板26の上面図である。
図3(a)は、配設されたマトリクス読出型の半導体検出器モジュール20を、2つ実線で示している。
半導体検出素子24a1、24b1は、一方側で同一の分割第一電位電極部材22aに接続され、同様に、半導体検出素子24a2、24b2は、、一方側で同一の分割第一電位電極部材22bに接続され、同様に、半導体検出素子24a3、24b3は、一方側で同一の分割第一電位電極部材22cに接続され、同様に、半導体検出素子24a4、24b4は、一方側で同一の分割第一電位電極部材22dに接続されている。
図3(b)、図3(c)に示すように、分割第一電位電極部材22a、22b、22c、22dは、それぞれ差込端子22a'、22b'、22c'、22d'が直線状に下方(図3(a)の紙面に垂直に裏面側)に向けて延設されている。一方、第二電位電極部材23a、23bの下方(図3(a)の紙面に垂直に裏面側)に形成される差込端子23'(23a'、23b')は、図3(a)に示すように、分割第一電位電極部材22a、22b、22c、22dと一直線を成す位置まで折り曲げられ、この位置でさらに、図3(b)、図3(c)に示すように、下方(図3(a)の紙面に垂直に裏面側)に向けて折り曲げられている(図3(b)参照)。
一方、図4に示すように、支持回路基板26上に立設されるコネクタ25aは、上端部に半導体検出器モジュール20の差込端子22a'、23b'、22b'、22c'、23a'、22d'に対応する差込口25(25a1、25a2、25a3、25a4、25a5、25a6)が一直線状に上方に向けて開口しており、同様に、支持回路基板26上に立設されるコネクタ25bは、上端部に半導体検出器モジュール20の差込端子22a'、23b'、22b'、22c'、23a'、22d'に対応する差込口25b1、25b2、25b3、25b4、25b5、25b6が一直線状に上方に向けて開口している。
同様に、図3(a)に示す他方の半導体検出器モジュール20は、図3(a)、図3(b)、図3(c)に示す差込端子22a'、23b'、22b'、22c'、23a'、22d'を対応する図4に示すコネクタ25bの差込口25b1、25b2、25b3、25b4、25b5、25b6に差し込むことにより、支持回路基板26上のコネクタ25aに機械的に支持されるとともに、電気的に接続される(図2(b)参照)。
また、図4に示すように、支持回路基板26上には、コネクタ25a、25bの差込口25a1、25b1に導通する配線パターンp11が形成され、また、コネクタ25a、25bの差込口25a3、25b3に導通する配線パターンp12が形成され、また、コネクタ25a、25bの差込口25a4、25b4に導通する配線パターンp13が形成され、また、コネクタ25a、25bの差込口25a6、25b6に導通する配線パターンp14が形成されている。
そして、支持回路基板26上の配線パターンp11、p12、p13、p14には、それぞれ、図3(a)に示すX位置情報を得る信号増幅器27aが接続され、信号増幅器27aは後段の回路に接続されている。
また、支持回路基板26上の配線パターンp21、p22、p23、p24には、それぞれ、図3(a)に示すY位置情報を得る信号増幅器27bが接続され、信号増幅器27bは後段の回路に接続されている。
こうして、半導体検出器モジュール20、20の半導体検出素子24の誘起電荷信号を、分割第一電位電極部材22および第二電位電極部材23を介して、支持回路基板26の配線パターンpで取得し、分割第一電位電極部材22と配線パターンp11、p12、p13、p14を介した信号増幅器27aの組によりX位置情報を得ることができ、また、第二電位電極部材23と配線パターンp21、p22、p23、p24を介した信号増幅器27bの組によりY位置情報を得ることができる。
また、半導体検出器モジュール20は、図3(a)〜図3(c)に示すように、第一電位電極部材23b外面に絶縁物の絶縁突状子29を上面視で角部近傍に2個形成している。この絶縁突状子29によって、半導体検出器モジュール20寸法のねじれ誤差に対応するとともに、隣接する半導体検出器モジュール20との確実な絶縁確保と位置精度の向上を行える。
絶縁突状子29は、電極部材23b、23aに対して十分小さい面積(例えば1/100)とすることにより隣接する半導体検出素子24b、24aの第一電位電極部材23b、23a間の静電容量を、最も小さい比誘電率を持つ空気に近く抑えることが可能である。ここで、空気は、前記の通り、比誘電率=1の真空に近い比誘電率≒1をもっている。
なお、絶縁突状子29は、図3(c)に示すように、固定端、例えばコネクタ26から遠い端部側に配置した場合が半導体検出素子24a(24a1、24a2、24a3、24a4)、24b(24b1、24b2、24b3、24b4)の位置精度の向上に最も効果的である。なお、絶縁突状子29は、第一電位電極部材23b、23aの面積に対して十分小さい合計面積を保てれば、任意の数を与えてもよい。
第2実施形態によれば、静電容量は電極部材23b、23a面積に比例するため、電極部材間に小さい絶縁突状子29を用いた構造は大面積の電極のときに大きな効果を得ることができ、静電容量を低下できる。そのため、取得する情報信号のSN比を向上させ得る。
また、摩擦力の低減についても同様に効果が大であり、摺動性が良好である。そのため、マトリクス読出用の半導体検出器モジュール20では、電極面積が特に大きいので、その効果も大である。
なお、本実施形態ではSPECT検査装置の説明をしてきたが、対象に対し180度対向して検出器群を配置し、また、波高読出系に加えて時間検出系の回路を追加することでPET装置としての実施も可能であり、また、ガンマカメラなど核医学診断装置として広く適用可能である。また、放射線検出装置にも適用可能である。
4、14、24(24a1、24a2、24a3、24a4、24b1、24b2、24b3、24b4) 半導体検出素子(半導体素子)
10、20 半導体検出器モジュール
12 第一電位電極部材(電極)
13 第二電位電極部材(電極)
15、25a、25b コネクタ(固定手段)
19、29 絶縁突状子(絶縁物)
22(22a、22b、22c、22d) 分割第一電位電極部材(電極)
23(23a、23b) 第二電位電極部材(電極)
Claims (6)
- 放射線を受けて信号誘起電荷を発生する半導体素子と該半導体素子を挟んで配設される一対の電極とを有し、前記放射線の前記半導体素子への入射によるデータ信号を取得する半導体検出器モジュールであって、
隣接する他の電極との間に配置され、前記一対の電極よりも小さな面積をもつ部分的な絶縁物を、少なくとも一方の前記一対の電極に設けた
ことを特徴とする半導体検出器モジュール。 - 前記部分的な絶縁物を用いることで隣接する前記半導体素子に対する位置決めが行われる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体検出器モジュール。 - 前記部分的な絶縁物は、隣接する前記他の電極に曲率を有した曲面で接触する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体検出器モジュール。 - 前記部分的な絶縁物は、前記電極が固定される固定手段に対してより離間した側の前記電極の片半分の領域に配設される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体検出器モジュール。 - 請求項1〜請求項4のうちの何れか一項に記載の半導体検出器モジュールを用いた放射線検出装置。
- 請求項1〜請求項4のうちの何れか一項に記載の半導体検出器モジュールを用いた核医学診断装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9171987B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-10-27 | Hitachi Aloka Medical, Ltd. | Radioactive ray detector and radioactive ray detecting apparatus |
JP2022135288A (ja) * | 2021-03-05 | 2022-09-15 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10598801B2 (en) | 2017-10-19 | 2020-03-24 | Kromek Group, PLC | Modular gamma imaging device |
US10481284B2 (en) * | 2017-10-19 | 2019-11-19 | Kromek Group, PLC | Modular gamma imaging device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3584477D1 (de) * | 1984-06-30 | 1991-11-28 | Shimadzu Corp | Halbleiterstrahlungsdetektor. |
JP2000056021A (ja) | 1998-06-02 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 放射線検出器および核医学診断装置 |
US6285028B1 (en) | 1998-06-02 | 2001-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor radiation detector and nuclear medicine diagnostic apparatus |
JP2005109269A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体放射線検出器及び半導体放射線撮像装置 |
JP3622967B1 (ja) * | 2004-09-02 | 2005-02-23 | 株式会社日立製作所 | 放射線撮像装置 |
-
2007
- 2007-09-19 JP JP2007241710A patent/JP4464998B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-14 US US12/191,776 patent/US7573042B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9171987B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-10-27 | Hitachi Aloka Medical, Ltd. | Radioactive ray detector and radioactive ray detecting apparatus |
JP2022135288A (ja) * | 2021-03-05 | 2022-09-15 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
JP7422698B2 (ja) | 2021-03-05 | 2024-01-26 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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