JPH11337646A - 放射線半導体検出器、放射線半導体検出器アレイおよびコリメータ設置装置 - Google Patents
放射線半導体検出器、放射線半導体検出器アレイおよびコリメータ設置装置Info
- Publication number
- JPH11337646A JPH11337646A JP10148802A JP14880298A JPH11337646A JP H11337646 A JPH11337646 A JP H11337646A JP 10148802 A JP10148802 A JP 10148802A JP 14880298 A JP14880298 A JP 14880298A JP H11337646 A JPH11337646 A JP H11337646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- radiation
- cells
- collimator
- semiconductor detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来よりも簡単に精度良く組立て可能で、空
間分解能に優れる放射線半導体検出器の提供。 【解決手段】 放射線半導体検出器において、放射線検
出用の複数の半導体セルを所定方向に沿って等間隔に縦
置きに配置し、隣接する半導体セルで印加電極および信
号取り出し電極を共有して半導体セル間の不感帯を均一
に小さくし、その不感帯とコリメータのセプターを可能
な限り重ね合わせるように、コリメータを構成すると共
にコリメータの自動位置調整機構を備えて、感度のロス
を最小限に抑える。
間分解能に優れる放射線半導体検出器の提供。 【解決手段】 放射線半導体検出器において、放射線検
出用の複数の半導体セルを所定方向に沿って等間隔に縦
置きに配置し、隣接する半導体セルで印加電極および信
号取り出し電極を共有して半導体セル間の不感帯を均一
に小さくし、その不感帯とコリメータのセプターを可能
な限り重ね合わせるように、コリメータを構成すると共
にコリメータの自動位置調整機構を備えて、感度のロス
を最小限に抑える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被検体に投与され
た放射線同位元素(RI)から放射される放射線を検出
し、放射性同位元素の体内分布を画像化するに用いる、
半導体セルアレイモジュール、放射線半導体検出器およ
び核医学診断装置、ならびにX線コンピュータ断層撮影
装置に関する。
た放射線同位元素(RI)から放射される放射線を検出
し、放射性同位元素の体内分布を画像化するに用いる、
半導体セルアレイモジュール、放射線半導体検出器およ
び核医学診断装置、ならびにX線コンピュータ断層撮影
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】被検体に投与された放射線同位元素(R
I)から放射される放射線を検出する放射線検出器は、
核医学診断装置において最も重要な構成要素の1つであ
り、放射線検出器の性能が、空間分解能やエネルギー分
解能、さらには計数特性等といった装置全体の性能を左
右するといっても過言ではない。
I)から放射される放射線を検出する放射線検出器は、
核医学診断装置において最も重要な構成要素の1つであ
り、放射線検出器の性能が、空間分解能やエネルギー分
解能、さらには計数特性等といった装置全体の性能を左
右するといっても過言ではない。
【0003】現在、放射線検出器として広く一般的に用
いられているのはシンチレーション型検出器、特にシン
チレータ(蛍光体)、ライトガイドおよび光電子増倍管
(PMT)アレイを組み合わせてなるアンガー型検出器
である。
いられているのはシンチレーション型検出器、特にシン
チレータ(蛍光体)、ライトガイドおよび光電子増倍管
(PMT)アレイを組み合わせてなるアンガー型検出器
である。
【0004】しかし、このシンチレーション型検出器
は、放射線の入射によりシンチレータで発生した光を、
ライトガイドを介して、その背面に稠密に配置した複数
の光電子増倍管またはフォトダイオードで電気信号に変
換して検出する構造となっているために、非常に大型で
重いものとならざる負えない。また、放射線−光−電気
信号という2段階の変換を行っているために、そのエネ
ルギー分解能にも限界がある。
は、放射線の入射によりシンチレータで発生した光を、
ライトガイドを介して、その背面に稠密に配置した複数
の光電子増倍管またはフォトダイオードで電気信号に変
換して検出する構造となっているために、非常に大型で
重いものとならざる負えない。また、放射線−光−電気
信号という2段階の変換を行っているために、そのエネ
ルギー分解能にも限界がある。
【0005】これに対して、近年発展しつつある半導体
検出器は、バイアス電圧を印加した半導体に放射線が入
射されると半導体内に多数発生する電子と正孔の対のそ
れぞれが正電極と負電極に移動する際に誘導される誘導
電荷を正電極側に設けるチャージアンプに蓄積してエネ
ルギーに比例した信号として出力する。従って、半導体
検出器は、放射線−電気信号という1段階の変換で直接
的に高変換効率で放射線を検出することが可能であり、
しかも半導体セル(セル)で放射線を個別に検出するこ
とも可能であることから、エネルギー分解能や計数特性
の大幅な向上が図れるものと期待されている。
検出器は、バイアス電圧を印加した半導体に放射線が入
射されると半導体内に多数発生する電子と正孔の対のそ
れぞれが正電極と負電極に移動する際に誘導される誘導
電荷を正電極側に設けるチャージアンプに蓄積してエネ
ルギーに比例した信号として出力する。従って、半導体
検出器は、放射線−電気信号という1段階の変換で直接
的に高変換効率で放射線を検出することが可能であり、
しかも半導体セル(セル)で放射線を個別に検出するこ
とも可能であることから、エネルギー分解能や計数特性
の大幅な向上が図れるものと期待されている。
【0006】また、半導体検出器は、用いる半導体の結
晶サイズがアンガー型検出器に広く採用されているシン
チレータ(NaI)と比べて小さいので充分な視野を確
保するために半導体の2次元セルアレイ、プリアンプお
よび読み出し回路を内蔵した半導体セルアレイモジュー
ル(モジュール)を稠密に配置して構成されることが一
般的であるが、半導体検出器にはライトガイドや光電子
増倍管が不要であることから、放射線検出器の小型軽量
化が期待されている。
晶サイズがアンガー型検出器に広く採用されているシン
チレータ(NaI)と比べて小さいので充分な視野を確
保するために半導体の2次元セルアレイ、プリアンプお
よび読み出し回路を内蔵した半導体セルアレイモジュー
ル(モジュール)を稠密に配置して構成されることが一
般的であるが、半導体検出器にはライトガイドや光電子
増倍管が不要であることから、放射線検出器の小型軽量
化が期待されている。
【0007】半導体検出器には、例えばCdTeやCd
ZnTe等のテルル化カドミウム系化合物半導体の放射
線入射面にバイアス電極を、そして半導体を挟んで対向
する裏面に信号取り出し電極を設け、縦横に素子分離し
て2次元的なアレイを形作り、印加(バイアス)電極を
通過して入射してきた放射線を吸収するように構成した
ものが多いが、最近では、半導体セルを放射線の入射方
向に略平行に縦置きにしてアレイ状に配列させた構造も
提案されている。
ZnTe等のテルル化カドミウム系化合物半導体の放射
線入射面にバイアス電極を、そして半導体を挟んで対向
する裏面に信号取り出し電極を設け、縦横に素子分離し
て2次元的なアレイを形作り、印加(バイアス)電極を
通過して入射してきた放射線を吸収するように構成した
ものが多いが、最近では、半導体セルを放射線の入射方
向に略平行に縦置きにしてアレイ状に配列させた構造も
提案されている。
【0008】半導体セルを縦置きにすると、放射線入射
方向に対して垂直方向に印加(バイアス)電圧を印加す
ることになり、印加電圧を高くすることなく放射線を吸
収する方向の距離を充分に長くすることができる。
方向に対して垂直方向に印加(バイアス)電圧を印加す
ることになり、印加電圧を高くすることなく放射線を吸
収する方向の距離を充分に長くすることができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の縦置きタイプの半導体検出器では、物理的に独立し
たセルを配列してアレイ構造を形作るために、1つのセ
ルを素子分離してアレイ構造を形作る従来の横置きタイ
プに比べて、配列精度が低下するという問題、即ち、モ
ジュール間のデッドスペース(不感帯)のみならずモジ
ュール内の半導体セル間の不感帯の大きさ(厚み)にバ
ラツキがでて不均一となるという問題があり、そのため
に、独特のアーチファクトを生むなどして画像の構成が
難しいという難点があった。
来の縦置きタイプの半導体検出器では、物理的に独立し
たセルを配列してアレイ構造を形作るために、1つのセ
ルを素子分離してアレイ構造を形作る従来の横置きタイ
プに比べて、配列精度が低下するという問題、即ち、モ
ジュール間のデッドスペース(不感帯)のみならずモジ
ュール内の半導体セル間の不感帯の大きさ(厚み)にバ
ラツキがでて不均一となるという問題があり、そのため
に、独特のアーチファクトを生むなどして画像の構成が
難しいという難点があった。
【0010】また、電極層および絶縁層等を挟み、且つ
上記した不感帯の大きさのバラツキを調整する余地を設
けるために、隣接する半導体セル間の不感帯はある程度
大きくする必要があり、セル密度(空間分解能)の向上
にも限度があった。
上記した不感帯の大きさのバラツキを調整する余地を設
けるために、隣接する半導体セル間の不感帯はある程度
大きくする必要があり、セル密度(空間分解能)の向上
にも限度があった。
【0011】さらに、従来の構成からなるモジュールで
は、各モジュール内で不感帯の大きさを均一に調整し得
ても、不感帯の大きさはモジュール毎に微妙に異なって
しまい、そのようなモジュールを複数組み合わせてなる
検出器では、例えば511keV程度の高エネルギーを
扱う同時計数型PETのように複数のモジュールにまた
がる同時計数を観測する場合には、観測により得られる
電気信号から明瞭な画像を形成するために、非常に複雑
な信号処理が必要であった。
は、各モジュール内で不感帯の大きさを均一に調整し得
ても、不感帯の大きさはモジュール毎に微妙に異なって
しまい、そのようなモジュールを複数組み合わせてなる
検出器では、例えば511keV程度の高エネルギーを
扱う同時計数型PETのように複数のモジュールにまた
がる同時計数を観測する場合には、観測により得られる
電気信号から明瞭な画像を形成するために、非常に複雑
な信号処理が必要であった。
【0012】さらに、不感帯の大きさおよび位置が一定
していないので、コリメータのセプターが半導体セルの
ガンマ線入射面と重なり合って、本来放射線検出可能で
あるにも拘らず実際上は放射線検出不可能な領域が無視
できない面積で生じてしまうこと、またその領域の面積
をできるだけ小さくするようにコリメータ位置を調整す
ることが困難であるという問題もあった。
していないので、コリメータのセプターが半導体セルの
ガンマ線入射面と重なり合って、本来放射線検出可能で
あるにも拘らず実際上は放射線検出不可能な領域が無視
できない面積で生じてしまうこと、またその領域の面積
をできるだけ小さくするようにコリメータ位置を調整す
ることが困難であるという問題もあった。
【0013】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、従来よりも簡単に精度良く組立て可能で、空間
分解能に優れ、そして画像形成のための信号処理が簡便
な放射線半導体検出器の提供を目的とする。
であり、従来よりも簡単に精度良く組立て可能で、空間
分解能に優れ、そして画像形成のための信号処理が簡便
な放射線半導体検出器の提供を目的とする。
【0014】また、本発明は、従来よりも容易にコリメ
ータ位置を調整し得るコリメータ設置装置の提供も目的
とする。
ータ位置を調整し得るコリメータ設置装置の提供も目的
とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に係る本発明の放射線半導体検出器は、放
射線検出用の複数の半導体セルを所定方向に沿って所定
の等間隔で配置し、前記半導体セル各々と電気的に接続
する印加電極と信号取り出し電極をそれぞれの電極が隣
接する2つの前記半導体セルに共有されるように放射線
入射方向に平行に設けたことを特徴とする。
に、請求項1に係る本発明の放射線半導体検出器は、放
射線検出用の複数の半導体セルを所定方向に沿って所定
の等間隔で配置し、前記半導体セル各々と電気的に接続
する印加電極と信号取り出し電極をそれぞれの電極が隣
接する2つの前記半導体セルに共有されるように放射線
入射方向に平行に設けたことを特徴とする。
【0016】好ましくは、請求項1において、前記所定
の等間隔が、前記所定方向の半導体セルの幅の略10分
の1以下としたことを特徴とする。
の等間隔が、前記所定方向の半導体セルの幅の略10分
の1以下としたことを特徴とする。
【0017】また、好ましくは、請求項1および2にお
いて、前記所定方向に配置された前記複数の半導体セル
の列を、前記所定方向に直交する方向に沿って前記所定
の等間隔でさらに複数配置したことを特徴とする。
いて、前記所定方向に配置された前記複数の半導体セル
の列を、前記所定方向に直交する方向に沿って前記所定
の等間隔でさらに複数配置したことを特徴とする。
【0018】また、好ましくは、請求項3において、前
記印加電極を、前記所定方向に沿って隣接する前記複数
の半導体セル間でも共有させて設けたことを特徴とす
る。
記印加電極を、前記所定方向に沿って隣接する前記複数
の半導体セル間でも共有させて設けたことを特徴とす
る。
【0019】また、好ましくは、請求項1〜4におい
て、前記信号取り出し電極を、前記所定方向に直交する
方向に前記所定の等間隔で1つの半導体セルに対して複
数設けたことを特徴とする。
て、前記信号取り出し電極を、前記所定方向に直交する
方向に前記所定の等間隔で1つの半導体セルに対して複
数設けたことを特徴とする。
【0020】また、好ましくは、請求項5において、前
記1つの半導体セルの前記電極間にイオン注入により絶
縁層を構成したことを特徴とする。
記1つの半導体セルの前記電極間にイオン注入により絶
縁層を構成したことを特徴とする。
【0021】また、好ましくは、請求項5において、前
記1つの半導体セルの前記電極間に絶縁用の溝を設けた
ことを特徴とする。
記1つの半導体セルの前記電極間に絶縁用の溝を設けた
ことを特徴とする。
【0022】さらに、上記課題を解決するために、請求
項8に係る本発明の放射線半導体検出器アレイは、放射
線検出用の複数の半導体セルを所定方向に沿って所定の
等間隔で配置し、前記半導体セル各々と電気的に接続す
る印加電極と信号取り出し電極をそれぞれの電極が隣接
する2つの前記半導体セルに共有されるように放射線入
射方向に平行に設けた放射線半導体検出器を複数所定方
向に沿って密着配置し、前記所定方向に沿って並ぶ半導
体セルの間隔を全て前記所定の等間隔として構成したこ
とを特徴とする。
項8に係る本発明の放射線半導体検出器アレイは、放射
線検出用の複数の半導体セルを所定方向に沿って所定の
等間隔で配置し、前記半導体セル各々と電気的に接続す
る印加電極と信号取り出し電極をそれぞれの電極が隣接
する2つの前記半導体セルに共有されるように放射線入
射方向に平行に設けた放射線半導体検出器を複数所定方
向に沿って密着配置し、前記所定方向に沿って並ぶ半導
体セルの間隔を全て前記所定の等間隔として構成したこ
とを特徴とする。
【0023】また、好ましくは、請求項8において、前
記放射線半導体検出器を複数さらに前記所定方向と直交
する方向にも密着配置し、前記所定方向と直交する方向
に沿って並ぶ半導体セルの間隔も全て前記所定の等間隔
として構成したことを特徴とする。
記放射線半導体検出器を複数さらに前記所定方向と直交
する方向にも密着配置し、前記所定方向と直交する方向
に沿って並ぶ半導体セルの間隔も全て前記所定の等間隔
として構成したことを特徴とする。
【0024】また、好ましくは、請求項8および9にお
いて、信号処理部を放射線半導体検出器と独立して設け
たことを特徴とする。
いて、信号処理部を放射線半導体検出器と独立して設け
たことを特徴とする。
【0025】また、好ましくは、請求項8〜10におい
て、角型のコリメータ穴を備えるコリメータを、セプタ
ーを不感帯と重ね合わせて設置したことを特徴とする。
て、角型のコリメータ穴を備えるコリメータを、セプタ
ーを不感帯と重ね合わせて設置したことを特徴とする。
【0026】さらに、上記課題を解決するために、請求
項12に係る本発明のコリメータ設置装置は、放射線検
出用の複数の半導体セルを所定方向に沿って所定の等間
隔で配置し、前記半導体セル各々と電気的に接続する印
加電極と信号取り出し電極をそれぞれの電極が隣接する
2つの前記半導体セルに共有されるように放射線入射方
向に平行に設けた放射線半導体検出器にコリメータを設
置するコリメータ設置装置において、前記コリメータの
各セプター部分を前記放射線半導体検出器の不感帯に重
ね合わせる位置に配置することを特徴とする。
項12に係る本発明のコリメータ設置装置は、放射線検
出用の複数の半導体セルを所定方向に沿って所定の等間
隔で配置し、前記半導体セル各々と電気的に接続する印
加電極と信号取り出し電極をそれぞれの電極が隣接する
2つの前記半導体セルに共有されるように放射線入射方
向に平行に設けた放射線半導体検出器にコリメータを設
置するコリメータ設置装置において、前記コリメータの
各セプター部分を前記放射線半導体検出器の不感帯に重
ね合わせる位置に配置することを特徴とする。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
放射線半導体検出器の好ましい実施形態について説明す
る。なお、ここでは本発明の放射線半導体検出器を、被
検体に投与された放射性同位元素(RI)の体内分布を
プレーナ像、SPECT像またはPET像として映像
(または画像)化する核医学診断装置(ガンマカメラ)
に装備される放射線半導体検出器として説明するが、本
発明の放射線半導体検出器の適用はこのガンマカメラに
限定されることはなく、X線コンピュータ断層撮影装置
(俗称CTスキャナ)や、その他の例えば非破壊検査等
の分野で用いられる装置に適用することもできる。
放射線半導体検出器の好ましい実施形態について説明す
る。なお、ここでは本発明の放射線半導体検出器を、被
検体に投与された放射性同位元素(RI)の体内分布を
プレーナ像、SPECT像またはPET像として映像
(または画像)化する核医学診断装置(ガンマカメラ)
に装備される放射線半導体検出器として説明するが、本
発明の放射線半導体検出器の適用はこのガンマカメラに
限定されることはなく、X線コンピュータ断層撮影装置
(俗称CTスキャナ)や、その他の例えば非破壊検査等
の分野で用いられる装置に適用することもできる。
【0028】本発明の放射線半導体検出器は、例えばC
dTe(テルル化カドミウム)等の化合物半導体結晶か
らなり被検体内のRIから放射されたガンマ線を直接電
気信号に変換して検出可能な複数の半導体セル、印加電
極および信号取り出し電極を多層基板上に配置した半導
体セルアレイモジュールを1つまたは複数マザーボード
上に実装し、前記多層基板の半導体セル設置面の背面側
に出力コネクタおよび支持脚部を設け、且つ前記多層基
板または前記マザーボードいずれかの半導体セル設置面
の背面側に、チャージアンプ、波形整形回路および読み
出し回路等からなる信号処理部を設けて概略構成され
る。
dTe(テルル化カドミウム)等の化合物半導体結晶か
らなり被検体内のRIから放射されたガンマ線を直接電
気信号に変換して検出可能な複数の半導体セル、印加電
極および信号取り出し電極を多層基板上に配置した半導
体セルアレイモジュールを1つまたは複数マザーボード
上に実装し、前記多層基板の半導体セル設置面の背面側
に出力コネクタおよび支持脚部を設け、且つ前記多層基
板または前記マザーボードいずれかの半導体セル設置面
の背面側に、チャージアンプ、波形整形回路および読み
出し回路等からなる信号処理部を設けて概略構成され
る。
【0029】なお、1つのモジュールからなる放射線半
導体検出器と複数のモジュールからなる検出器とを区別
するために、便宜上、後者を検出器アレイと称すること
がある。
導体検出器と複数のモジュールからなる検出器とを区別
するために、便宜上、後者を検出器アレイと称すること
がある。
【0030】[第1の実施形態]図1に、本発明の放射
線半導体検出器の1実施形態の電気的システム構成を示
す。
線半導体検出器の1実施形態の電気的システム構成を示
す。
【0031】本実施形態おいては、半導体セルを所定方
向に複数縦置きに密に配置し、且つ電極をガンマ線の入
射方向に対して略平行に設けて半導体セルの1次元アレ
イを構成し、さらにこの1次元アレイを前記所定方向に
直交する方向に複数稠密に配置して半導体セルの2次元
アレイを構成している。そして、これらの半導体セルは
2個で1組のペアを構成しており、その半導体セルのペ
アの中央部、即ち2個の半導体セルの間に設けた信号取
り出し電極を共有し、半導体セルのペアの外側面に設け
た印加電極を隣接する半導体セルのペアと共有してい
る。
向に複数縦置きに密に配置し、且つ電極をガンマ線の入
射方向に対して略平行に設けて半導体セルの1次元アレ
イを構成し、さらにこの1次元アレイを前記所定方向に
直交する方向に複数稠密に配置して半導体セルの2次元
アレイを構成している。そして、これらの半導体セルは
2個で1組のペアを構成しており、その半導体セルのペ
アの中央部、即ち2個の半導体セルの間に設けた信号取
り出し電極を共有し、半導体セルのペアの外側面に設け
た印加電極を隣接する半導体セルのペアと共有してい
る。
【0032】このような半導体セルの2次元アレイから
得られる半導体信号は、チャージアンプ、波形整形回路
および読み出し回路等からなる信号処理部で処理された
後にマザーボードに対して出力される。具体的には、高
電圧ユニットから印加電極を介して負電圧を印加してい
る半導体セルにガンマ線が入射して発生するホール(Ho
le)情報および電子(Electron)情報を、信号取り出し
電極を介して信号取り出し電極毎に各チャンネル独立し
て設けるチャージアンプに伝達して誘導電荷を蓄積し、
次いでこれを波形整形回路で整形してエネルギーに比例
したピーク値を有するパルス信号に変換すると同時にパ
ルス発生を通知するトリガ(Trigger )信号を作成して
読み出し回路へ送り出し、これらの信号を受け取った読
み出し回路が、信号発生アドレス(Adress)を通知する
信号およびエネルギー(Energy)レベルを表す信号、そ
して必要であれば同期用のトリガ信号等を作成してマザ
ーボードに対して出力する。読み出し回路による信号出
力形態は、例えばクロック同期信号として出力するなど
の慣用の出力形態とすることができる。
得られる半導体信号は、チャージアンプ、波形整形回路
および読み出し回路等からなる信号処理部で処理された
後にマザーボードに対して出力される。具体的には、高
電圧ユニットから印加電極を介して負電圧を印加してい
る半導体セルにガンマ線が入射して発生するホール(Ho
le)情報および電子(Electron)情報を、信号取り出し
電極を介して信号取り出し電極毎に各チャンネル独立し
て設けるチャージアンプに伝達して誘導電荷を蓄積し、
次いでこれを波形整形回路で整形してエネルギーに比例
したピーク値を有するパルス信号に変換すると同時にパ
ルス発生を通知するトリガ(Trigger )信号を作成して
読み出し回路へ送り出し、これらの信号を受け取った読
み出し回路が、信号発生アドレス(Adress)を通知する
信号およびエネルギー(Energy)レベルを表す信号、そ
して必要であれば同期用のトリガ信号等を作成してマザ
ーボードに対して出力する。読み出し回路による信号出
力形態は、例えばクロック同期信号として出力するなど
の慣用の出力形態とすることができる。
【0033】本実施形態の放射線半導体検出器モジュー
ルの側面断面図を図2(a)に、そして正面断面図を図
2(b)にそれぞれ示す。
ルの側面断面図を図2(a)に、そして正面断面図を図
2(b)にそれぞれ示す。
【0034】これらの図によれば、本モジュールは、複
数の半導体セル1、印加電極2および信号取り出し電極
3を多層基板4上に配置して概略構成されており、さら
にこれらに加えて、図には示していないが、そのガンマ
線入射面にコリメータを供え、前記多層基板4の半導体
セル1設置面の背面側に、信号出力用の出力コネクタ、
チャージアンプや読み出し回路等からなる信号処理部、
およびモジュールの位置決めおよび固定を行う支持脚部
のような部材を設けることができる。
数の半導体セル1、印加電極2および信号取り出し電極
3を多層基板4上に配置して概略構成されており、さら
にこれらに加えて、図には示していないが、そのガンマ
線入射面にコリメータを供え、前記多層基板4の半導体
セル1設置面の背面側に、信号出力用の出力コネクタ、
チャージアンプや読み出し回路等からなる信号処理部、
およびモジュールの位置決めおよび固定を行う支持脚部
のような部材を設けることができる。
【0035】本モジュールにおいて、図3に示す形状を
有する半導体セル1は所定方向(図2(a)のX方向)
に複数縦置きに密に配置され、セル各々にガンマ線の入
射方向に平行に印加電極2と信号取り出し電極3とが1
つづつ対応して設けられているが、これらの電極はモジ
ュール内でX方向に関して隣り合うペアの半導体セル1
の間で共有されるようにセル間に1つづつ挿入されて導
電性接着剤5で接着されている。即ち、複数の半導体セ
ル1は交互に向きを変えてX方向に沿って1列に配置さ
れて信号取り出し側の面同士ならびに電圧印加側の面同
士が向かい合い、その互いに向かい合う電圧印加側の面
の間に印加電極2が、信号取り出し側の面の間に信号取
り出し電極3がそれぞれ挿入されている。そして、前記
所定方向に直交する方向(図2(b)のY方向)に関し
ても、前記所定方向(X方向)に沿って配置された複数
の半導体セル1を複数列配置し、Y方向に隣接する半導
体セル間に絶縁層6を設けて半導体セルの2次元アレイ
を構成している。この絶縁層およびその他の本発明の絶
縁層は、例えば絶縁性樹脂を充填して形成することがで
きる。
有する半導体セル1は所定方向(図2(a)のX方向)
に複数縦置きに密に配置され、セル各々にガンマ線の入
射方向に平行に印加電極2と信号取り出し電極3とが1
つづつ対応して設けられているが、これらの電極はモジ
ュール内でX方向に関して隣り合うペアの半導体セル1
の間で共有されるようにセル間に1つづつ挿入されて導
電性接着剤5で接着されている。即ち、複数の半導体セ
ル1は交互に向きを変えてX方向に沿って1列に配置さ
れて信号取り出し側の面同士ならびに電圧印加側の面同
士が向かい合い、その互いに向かい合う電圧印加側の面
の間に印加電極2が、信号取り出し側の面の間に信号取
り出し電極3がそれぞれ挿入されている。そして、前記
所定方向に直交する方向(図2(b)のY方向)に関し
ても、前記所定方向(X方向)に沿って配置された複数
の半導体セル1を複数列配置し、Y方向に隣接する半導
体セル間に絶縁層6を設けて半導体セルの2次元アレイ
を構成している。この絶縁層およびその他の本発明の絶
縁層は、例えば絶縁性樹脂を充填して形成することがで
きる。
【0036】このとき、印加電極2は、モジュール内で
Y方向に1列に並ぶ複数の半導体セル1の間でも共有す
るように構成することもできる。
Y方向に1列に並ぶ複数の半導体セル1の間でも共有す
るように構成することもできる。
【0037】また、図4(a)および図4(b)に示す
ように、半導体セル1がY方向に関して絶縁分離層8、
9で電気的に2ピースに分離され、各ピース毎に信号取
り出し電極3が設けられることにより、半導体セル1が
素子分離されて2チャンネルを構成することができる。
この絶縁分離層8、9は、半導体結晶をイオン注入処理
して構成された絶縁分離層8(図4(a)参照)である
ことも、エッチング等により半導体結晶に切り込み溝を
設けて構成された絶縁分離層(切り込み溝)9(図4
(b)参照)であることもできる。切り込み溝9を設け
たばあい、切り込み溝9内部は中空のままであっても、
絶縁性樹脂を充填してあってもよい。また、絶縁分離層
8、9の厚み(幅)を、X方向に隣り合う半導体セル1
間の距離と同じにして、X方向とY方向の双方の不感帯
の大きさを均一にすることができる。このようにして半
導体セル1を素子分離することにより、素子分離しない
場合と比べて、同一チャンネル数のセルアレイを構成す
るに要する半導体セル1の数が少なくなって組立工程数
が減少すると共に、絶縁分離層8、9は慣用の手法によ
り高精度に作成され得るので組立精度も向上する。ま
た、予め2つの信号取り出し電極3を絶縁性連結材で互
いの絶縁状態を維持したまま所定の間隔を空けて連結し
た後に半導体セル1と接着させることにより組立工程の
簡素化および組立精度の向上を図ることもできる。な
お、ここでは、1つの半導体セル1を2つに素子分離し
て2チャンネルを構成した場合について述べたが、所望
に応じて、1つの半導体セル1をより多くの素子に分離
してより多くのチャンネルを構成することもできる。
ように、半導体セル1がY方向に関して絶縁分離層8、
9で電気的に2ピースに分離され、各ピース毎に信号取
り出し電極3が設けられることにより、半導体セル1が
素子分離されて2チャンネルを構成することができる。
この絶縁分離層8、9は、半導体結晶をイオン注入処理
して構成された絶縁分離層8(図4(a)参照)である
ことも、エッチング等により半導体結晶に切り込み溝を
設けて構成された絶縁分離層(切り込み溝)9(図4
(b)参照)であることもできる。切り込み溝9を設け
たばあい、切り込み溝9内部は中空のままであっても、
絶縁性樹脂を充填してあってもよい。また、絶縁分離層
8、9の厚み(幅)を、X方向に隣り合う半導体セル1
間の距離と同じにして、X方向とY方向の双方の不感帯
の大きさを均一にすることができる。このようにして半
導体セル1を素子分離することにより、素子分離しない
場合と比べて、同一チャンネル数のセルアレイを構成す
るに要する半導体セル1の数が少なくなって組立工程数
が減少すると共に、絶縁分離層8、9は慣用の手法によ
り高精度に作成され得るので組立精度も向上する。ま
た、予め2つの信号取り出し電極3を絶縁性連結材で互
いの絶縁状態を維持したまま所定の間隔を空けて連結し
た後に半導体セル1と接着させることにより組立工程の
簡素化および組立精度の向上を図ることもできる。な
お、ここでは、1つの半導体セル1を2つに素子分離し
て2チャンネルを構成した場合について述べたが、所望
に応じて、1つの半導体セル1をより多くの素子に分離
してより多くのチャンネルを構成することもできる。
【0038】なお、半導体セル1、印加電極2および信
号取り出し電極3の実装にあたっては、図2に示すよう
に絶縁層7を介して多層基板4上に実装することもでき
るが、図5に示すようにX方向およびY方向の半導体セ
ル間の距離を所定の等間隔に定める切り欠き部10を設
けた位置決め用基板11の上に絶縁層12を介してセル
と電極とを実装して半導体セルのアレイを構成すること
が、組立精度および作業性の観点から有利である。即
ち、図2(a)に示す通り、X方向の半導体セル1の厚
みをT、印加電極2および信号取り出し電極3の厚みを
t1、そしてセルと電極の間の導電性接着剤5の層の厚
みをt2とすれば、1つの半導体セルのペア内には2T
の有感帯および2t1+4t2の不感帯(デッドスペー
ス)が存在し、隣接半導体セル間の不感帯の厚み(幅)
はt1+2t2である。従って、前記所定の等間隔をt
1+2t2とすれば、X方向およびY方向の半導体セル
または素子の間の距離を所定の等間隔(t1+2t2)
とする半導体セルのアレイを構成することができる。さ
らに、電極材料として比較的剛性の高い、例えばベリリ
ュームカッパー等の金属を用いることで、前記電極の厚
みt1を例えば1/30T程度と非常に薄くすることが
できる。そして、前記導電性接着剤の層の厚みはおおよ
そ1/30T程度にできるので、前記不感帯の厚み(t
1+2t2)を1/10T程度の薄さで均一にすること
ができる。しかし、このような構成においてもセル間の
距離に微妙なバラツキが生じてしまうことがあり、その
ような場合にはX方向に関しては電極をセルに接着させ
る導電性接着剤5の厚みを調整し、Y方向に関してはセ
ル間の絶縁層6の厚みを調整してバラツキを補正する。
号取り出し電極3の実装にあたっては、図2に示すよう
に絶縁層7を介して多層基板4上に実装することもでき
るが、図5に示すようにX方向およびY方向の半導体セ
ル間の距離を所定の等間隔に定める切り欠き部10を設
けた位置決め用基板11の上に絶縁層12を介してセル
と電極とを実装して半導体セルのアレイを構成すること
が、組立精度および作業性の観点から有利である。即
ち、図2(a)に示す通り、X方向の半導体セル1の厚
みをT、印加電極2および信号取り出し電極3の厚みを
t1、そしてセルと電極の間の導電性接着剤5の層の厚
みをt2とすれば、1つの半導体セルのペア内には2T
の有感帯および2t1+4t2の不感帯(デッドスペー
ス)が存在し、隣接半導体セル間の不感帯の厚み(幅)
はt1+2t2である。従って、前記所定の等間隔をt
1+2t2とすれば、X方向およびY方向の半導体セル
または素子の間の距離を所定の等間隔(t1+2t2)
とする半導体セルのアレイを構成することができる。さ
らに、電極材料として比較的剛性の高い、例えばベリリ
ュームカッパー等の金属を用いることで、前記電極の厚
みt1を例えば1/30T程度と非常に薄くすることが
できる。そして、前記導電性接着剤の層の厚みはおおよ
そ1/30T程度にできるので、前記不感帯の厚み(t
1+2t2)を1/10T程度の薄さで均一にすること
ができる。しかし、このような構成においてもセル間の
距離に微妙なバラツキが生じてしまうことがあり、その
ような場合にはX方向に関しては電極をセルに接着させ
る導電性接着剤5の厚みを調整し、Y方向に関してはセ
ル間の絶縁層6の厚みを調整してバラツキを補正する。
【0039】このようなセルアレイは、図2に示す前記
絶縁層7または図5に示す絶縁層13を介して多層基板
4上にマウントされる。この多層基板4の半導体セル1
をマウントする側の表面または表面近傍に電圧層14が
設けられて、印加電極2のリード部分15と、例えば低
温ハンダ16等により電気的に接続されている。この電
圧層の下には、例えば2000V程度の高耐電圧を有す
る絶縁性基板17が配されて絶縁を確保し、印加電圧と
信号との間でのリークの発生が抑止されている。そし
て、前記絶縁性基板17の電圧層14とは反対側に信号
層18が設けられて、信号取り出し電極3のリード部分
19と電気的に接続されている。このとき、信号層18
は絶縁層を挟んで電気的に多層に分離されて、またはそ
の内部が電気的に分離されて、複数の配線が形成される
ことで各々の配線と信号取り出し電極3との1対1対応
が確保されるが、電圧層14は電気的に1体化されてい
ても分離されていてもよい。本実施形態では、信号層1
8は内部で電気的に分離されており、電圧層14は分離
されていない。また、電圧層14は、多層基板4に形成
させずに、半導体セルアレイのガンマ線入射面側に絶縁
層を設けてその表面または表面近傍に形成させることも
できる。
絶縁層7または図5に示す絶縁層13を介して多層基板
4上にマウントされる。この多層基板4の半導体セル1
をマウントする側の表面または表面近傍に電圧層14が
設けられて、印加電極2のリード部分15と、例えば低
温ハンダ16等により電気的に接続されている。この電
圧層の下には、例えば2000V程度の高耐電圧を有す
る絶縁性基板17が配されて絶縁を確保し、印加電圧と
信号との間でのリークの発生が抑止されている。そし
て、前記絶縁性基板17の電圧層14とは反対側に信号
層18が設けられて、信号取り出し電極3のリード部分
19と電気的に接続されている。このとき、信号層18
は絶縁層を挟んで電気的に多層に分離されて、またはそ
の内部が電気的に分離されて、複数の配線が形成される
ことで各々の配線と信号取り出し電極3との1対1対応
が確保されるが、電圧層14は電気的に1体化されてい
ても分離されていてもよい。本実施形態では、信号層1
8は内部で電気的に分離されており、電圧層14は分離
されていない。また、電圧層14は、多層基板4に形成
させずに、半導体セルアレイのガンマ線入射面側に絶縁
層を設けてその表面または表面近傍に形成させることも
できる。
【0040】多層基板4の半導体セル設置面の背面側に
は、図5に示すように、チャージアンプ、波形整形回
路、および読み出し回路等からなる信号処理部20、出
力コネクタ21やモジュールの位置決めおよび固定を行
う支持脚部22のような部材を設けることができる。図
5において、信号処理部20は、一体化して多層基板4
に設けられているが、所望に応じて、それぞれの器材毎
に別個に設けられたり、例えばマザーボードのモジュー
ル設置面の背面部等の多層基板以外の部位に設けられる
こともできる。半導体信号を出力する出力コネクタ21
は、図5に示したように信号処理部20が多層基板4に
設けられているときには信号処理部20から信号を受け
取ってマザーボードに対して出力するが、信号処理部2
0が多層基板4に設けられていないときには信号層18
から信号を受け取って信号処理部20に対して出力す
る。
は、図5に示すように、チャージアンプ、波形整形回
路、および読み出し回路等からなる信号処理部20、出
力コネクタ21やモジュールの位置決めおよび固定を行
う支持脚部22のような部材を設けることができる。図
5において、信号処理部20は、一体化して多層基板4
に設けられているが、所望に応じて、それぞれの器材毎
に別個に設けられたり、例えばマザーボードのモジュー
ル設置面の背面部等の多層基板以外の部位に設けられる
こともできる。半導体信号を出力する出力コネクタ21
は、図5に示したように信号処理部20が多層基板4に
設けられているときには信号処理部20から信号を受け
取ってマザーボードに対して出力するが、信号処理部2
0が多層基板4に設けられていないときには信号層18
から信号を受け取って信号処理部20に対して出力す
る。
【0041】多層基板4の半導体セル設置面の背面部に
設けられている支持脚部22は、その突端部で冷却板上
の所定の位置に、例えばナット等の手段を用いて固定さ
れて本モジュールの位置決めおよび支持を行うと同時
に、熱の放散をも行うことができ、本モジュールの支持
脚部は、支持手段、位置決め固定手段および放熱手段を
兼ねている。このとき、冷却板は、モジュールとマザー
ボードの間またはマザーボードのモジュール設置面とは
反対側のどちらにも設置され得る。また、前記冷却板
は、例えば銅等の熱容量の大きな金属などの放熱効率の
良好な部材であることが好ましく、さらには、冷却ファ
ン等の冷却板を冷却する手段が設けられることが望まし
い。
設けられている支持脚部22は、その突端部で冷却板上
の所定の位置に、例えばナット等の手段を用いて固定さ
れて本モジュールの位置決めおよび支持を行うと同時
に、熱の放散をも行うことができ、本モジュールの支持
脚部は、支持手段、位置決め固定手段および放熱手段を
兼ねている。このとき、冷却板は、モジュールとマザー
ボードの間またはマザーボードのモジュール設置面とは
反対側のどちらにも設置され得る。また、前記冷却板
は、例えば銅等の熱容量の大きな金属などの放熱効率の
良好な部材であることが好ましく、さらには、冷却ファ
ン等の冷却板を冷却する手段が設けられることが望まし
い。
【0042】また、このような半導体セルアレイのガン
マ線入射面にコリメータを実装し、ガンマ線入射方向に
平行する側面にシールドを取り付けて、ノイズの抑止を
図ることもできる。
マ線入射面にコリメータを実装し、ガンマ線入射方向に
平行する側面にシールドを取り付けて、ノイズの抑止を
図ることもできる。
【0043】以上のようにして半導体セル1、印加電極
2および信号取り出し電極3が多層基板4上に配置され
た本実施形態の放射線半導体検出器が構成されている。
なお、本実施形態においては、半導体セルの2次元アレ
イにより検出器を構成しているが、所望に応じて半導体
セルの1次元アレイにより検出器を構成することも当然
可能である。また、本実施形態の検出器は隣接するセル
1間に印加電極2または信号取り出し電極3のどちらか
一方の電極を1枚だけ挟むので、隣接するセルの間に一
方のセルの印加電極と他方のセルの信号取り出し電極と
の2枚の電極ならびにそれら2枚の電極を絶縁する絶縁
層を挟む従来の半導体セルのアレイまたは検出器(モジ
ュール)と比べて、隣接するセル間に存在する放射線検
出不能の間隔である不感帯を著しく短縮することがで
き、X方向に関するセル密度を飛躍的に向上させること
ができる。しかも、本実施形態においては、1つの半導
体セルを2チャンネルに素子分離しているので、Y方向
に関するセル密度もほぼ2倍に向上している。また、本
実施形態においては、電極と電極の間には必ず半導体セ
ル1が存在して電極同士が近接することがないので、信
号取り出し電極3からの半導体信号に対する印加電極4
の印加電圧の影響が減少し、ノイズの発生が抑制されて
S/N比が高い良好な信号を得ることができる。
2および信号取り出し電極3が多層基板4上に配置され
た本実施形態の放射線半導体検出器が構成されている。
なお、本実施形態においては、半導体セルの2次元アレ
イにより検出器を構成しているが、所望に応じて半導体
セルの1次元アレイにより検出器を構成することも当然
可能である。また、本実施形態の検出器は隣接するセル
1間に印加電極2または信号取り出し電極3のどちらか
一方の電極を1枚だけ挟むので、隣接するセルの間に一
方のセルの印加電極と他方のセルの信号取り出し電極と
の2枚の電極ならびにそれら2枚の電極を絶縁する絶縁
層を挟む従来の半導体セルのアレイまたは検出器(モジ
ュール)と比べて、隣接するセル間に存在する放射線検
出不能の間隔である不感帯を著しく短縮することがで
き、X方向に関するセル密度を飛躍的に向上させること
ができる。しかも、本実施形態においては、1つの半導
体セルを2チャンネルに素子分離しているので、Y方向
に関するセル密度もほぼ2倍に向上している。また、本
実施形態においては、電極と電極の間には必ず半導体セ
ル1が存在して電極同士が近接することがないので、信
号取り出し電極3からの半導体信号に対する印加電極4
の印加電圧の影響が減少し、ノイズの発生が抑制されて
S/N比が高い良好な信号を得ることができる。
【0044】[第2の実施形態]次いで、上記実施形態
で述べた本発明の放射線半導体検出器(モジュール)を
マザーボード上に複数1次元または2次元に実装してな
る放射線半導体検出器アレイについて、図6および図7
を参照して説明する。
で述べた本発明の放射線半導体検出器(モジュール)を
マザーボード上に複数1次元または2次元に実装してな
る放射線半導体検出器アレイについて、図6および図7
を参照して説明する。
【0045】本実施形態の放射線半導体検出器アレイ
を、放射線入射面方向から見た上面図を図6に示し、そ
の検出器アレイを図6のX方向に沿って切断した側面断
面図を図7に示す。
を、放射線入射面方向から見た上面図を図6に示し、そ
の検出器アレイを図6のX方向に沿って切断した側面断
面図を図7に示す。
【0046】図6に見られる通り、本実施形態において
は、複数の検出器モジュール23を所定の方向(図6の
Y方向)に1列に並べて大視野を有する検出器モジュー
ルの1次元アレイ24を構成している。このとき、検出
器モジュール23同士が接する図6のX方向側面の接合
部において、絶縁性部材を充填する、あるいは絶縁テー
プで止めるなどの手法によりY方向に隣り合う半導体セ
ルまたは素子の距離をモジュール内の距離(t1+2t
2)と等しくする。さらにY方向にも接合部が設けられ
てより大きな視野を有する検出器モジュールの2次元ア
レイを構成するときには、X方向の接合部と同様にして
不感帯の大きさをそろえると同時に、隣接検出器モジュ
ール23の電圧層14同士を接続端子を介して電気的に
接続する。従って、検出器アレイを構成するに際して、
検出モジュール23の電圧層14の接続端子を設けた辺
(図6のY方向の辺)同士での接合を可能な限り避けて
構成するようにすると組立精度および工程数の点で有利
である。
は、複数の検出器モジュール23を所定の方向(図6の
Y方向)に1列に並べて大視野を有する検出器モジュー
ルの1次元アレイ24を構成している。このとき、検出
器モジュール23同士が接する図6のX方向側面の接合
部において、絶縁性部材を充填する、あるいは絶縁テー
プで止めるなどの手法によりY方向に隣り合う半導体セ
ルまたは素子の距離をモジュール内の距離(t1+2t
2)と等しくする。さらにY方向にも接合部が設けられ
てより大きな視野を有する検出器モジュールの2次元ア
レイを構成するときには、X方向の接合部と同様にして
不感帯の大きさをそろえると同時に、隣接検出器モジュ
ール23の電圧層14同士を接続端子を介して電気的に
接続する。従って、検出器アレイを構成するに際して、
検出モジュール23の電圧層14の接続端子を設けた辺
(図6のY方向の辺)同士での接合を可能な限り避けて
構成するようにすると組立精度および工程数の点で有利
である。
【0047】また、図7に見られる通り、本実施形態に
おいては、信号処理部20を多層基板4ではなくマザー
ボード25の検出器モジュール設置面の背面部に設けて
いる。従って、半導体信号は、個々のモジュール23の
多層基板4内部の信号層18を介して出力コネクタ21
へ送られ、そして出力コネクタ21から適当な信号線を
介してマザーボード25に設けられた信号処理部20に
対して出力される。信号処理部20は多層基板4に設け
られることもでき、そのような場合にはモジュールに基
づく単位で読み出し回路などの器材を取り扱う必要があ
るが、本実施形態のように多層基板4以外の部位に設け
るとモジュールに基づく単位に制限されることなく取り
扱うことができるので、回路の設計上有利である。
おいては、信号処理部20を多層基板4ではなくマザー
ボード25の検出器モジュール設置面の背面部に設けて
いる。従って、半導体信号は、個々のモジュール23の
多層基板4内部の信号層18を介して出力コネクタ21
へ送られ、そして出力コネクタ21から適当な信号線を
介してマザーボード25に設けられた信号処理部20に
対して出力される。信号処理部20は多層基板4に設け
られることもでき、そのような場合にはモジュールに基
づく単位で読み出し回路などの器材を取り扱う必要があ
るが、本実施形態のように多層基板4以外の部位に設け
るとモジュールに基づく単位に制限されることなく取り
扱うことができるので、回路の設計上有利である。
【0048】このような検出器アレイ24のガンマ線入
射面にコリメータを実装するときには、検出器モジュー
ル23毎にコリメータを設けることもできるが、複数の
検出器モジュール23または検出器アレイ24全体を単
位としてコリメータを設けることが工作上有利である。
また、シールドは、検出器アレイのガンマ線入射面に平
行する4辺を構成する側面にのみ設ける。
射面にコリメータを実装するときには、検出器モジュー
ル23毎にコリメータを設けることもできるが、複数の
検出器モジュール23または検出器アレイ24全体を単
位としてコリメータを設けることが工作上有利である。
また、シールドは、検出器アレイのガンマ線入射面に平
行する4辺を構成する側面にのみ設ける。
【0049】[第3の実施形態]以上に、放射線半導体
検出器(モジュール)および放射線半導体検出器アレイ
において隣接する半導体セル間の距離を均一にすること
で不感帯の大きさを均一にする実施形態について述べて
きたが、これらの検出器モジュールおよび検出器アレイ
のガンマ線入射面に実装して用いられるコリメータの形
状および設置位置の調整によってさらに不感帯の大きさ
を均一に小さくすることが可能であり、その実施形態を
以下に述べる。
検出器(モジュール)および放射線半導体検出器アレイ
において隣接する半導体セル間の距離を均一にすること
で不感帯の大きさを均一にする実施形態について述べて
きたが、これらの検出器モジュールおよび検出器アレイ
のガンマ線入射面に実装して用いられるコリメータの形
状および設置位置の調整によってさらに不感帯の大きさ
を均一に小さくすることが可能であり、その実施形態を
以下に述べる。
【0050】本実施形態の放射線検出器アレイの上面図
を図8(a)に、側面断面図を図8(b)に、そして正
面断面図を図8(c)にそれぞれ示す。
を図8(a)に、側面断面図を図8(b)に、そして正
面断面図を図8(c)にそれぞれ示す。
【0051】この検出器アレイ26は、例えば図6に示
した検出器アレイのガンマ線入射面上に、図8(a)〜
(c)に見られる通りにコリメータ27を、そして検出
器アレイのガンマ線入射面に平行する4辺を構成する側
面にシールド28をそれぞれ実装して概略構成されてい
る。
した検出器アレイのガンマ線入射面上に、図8(a)〜
(c)に見られる通りにコリメータ27を、そして検出
器アレイのガンマ線入射面に平行する4辺を構成する側
面にシールド28をそれぞれ実装して概略構成されてい
る。
【0052】本実施形態のコリメータ27は、隣接する
半導体のセルまたは素子の間に存在する不感帯の形状お
よび寸法に合わせてセプタ−29の形状および寸法が定
められており、セプター(リーフ)9即ちコリメータの
鉛壁部分が不感帯と可能な限り重なるように格子状に設
けられて角型のコリメータ穴30を形成している。この
ようにしてセプター29をできるだけ不感帯と重ねて存
在させれば、従来生じていた有感帯上のセプター29の
影、即ち有感帯でありながら実際には放射線検出不可能
であった部分を減少させて感度のロスを最小限に抑え、
検出器の実効能力を向上させることができる。これは、
本発明による放射線半導体検出器(モジュール23およ
びアレイ24)の不感帯の寸法および位置関係が均一で
あるからこそ可能になったもので、従来の検出器、特に
従来の検出器アレイの寸法および位置関係が不均一な不
感帯に合せてコリメータのセプターを製造することは不
可能であるか、少なくとも大変に不経済である。
半導体のセルまたは素子の間に存在する不感帯の形状お
よび寸法に合わせてセプタ−29の形状および寸法が定
められており、セプター(リーフ)9即ちコリメータの
鉛壁部分が不感帯と可能な限り重なるように格子状に設
けられて角型のコリメータ穴30を形成している。この
ようにしてセプター29をできるだけ不感帯と重ねて存
在させれば、従来生じていた有感帯上のセプター29の
影、即ち有感帯でありながら実際には放射線検出不可能
であった部分を減少させて感度のロスを最小限に抑え、
検出器の実効能力を向上させることができる。これは、
本発明による放射線半導体検出器(モジュール23およ
びアレイ24)の不感帯の寸法および位置関係が均一で
あるからこそ可能になったもので、従来の検出器、特に
従来の検出器アレイの寸法および位置関係が不均一な不
感帯に合せてコリメータのセプターを製造することは不
可能であるか、少なくとも大変に不経済である。
【0053】そして、本実施形態のコリメータ27のセ
プター29の寸法を種々変えて検出器に実装すること
で、検出器のコリメータ以外の部分に変更を加えること
無く、用途に合わせてガンマ線検出感度および分解能の
異なる検出器を設計することができる。即ち、入射ガン
マ線のエネルギーが高い用途の場合にはガンマ線入射方
向に対して直交する面方向のセプター寸法(セプター
厚)を大きくしてセプター厚を厚くしたコリメータを実
装し、高分解能が要求される用途の場合にはセプターの
ガンマ線入射方向に平行な方向のセプター寸法(セプタ
ー高)を大きくしてセプター高を高くしたコリメータを
実装するだけで、容易に、それぞれの用途に適した検出
器を得ることができる。また、例えば半導体のセルまた
は素子各々を取り囲む格子を形成している2n列Xm列
の不感帯に対して、半導体のセルまたは素子のペア各々
を取り囲む格子を形成するようにn列Xm列のセプター
を設けた倍周期のコリメータ(図9参照)のように、所
定寸法の格子を形成するように幾つかの不感帯に1つの
割合でセプターを設けたコリメータを用いてガンマ線検
出感度の向上を図ることもできる。
プター29の寸法を種々変えて検出器に実装すること
で、検出器のコリメータ以外の部分に変更を加えること
無く、用途に合わせてガンマ線検出感度および分解能の
異なる検出器を設計することができる。即ち、入射ガン
マ線のエネルギーが高い用途の場合にはガンマ線入射方
向に対して直交する面方向のセプター寸法(セプター
厚)を大きくしてセプター厚を厚くしたコリメータを実
装し、高分解能が要求される用途の場合にはセプターの
ガンマ線入射方向に平行な方向のセプター寸法(セプタ
ー高)を大きくしてセプター高を高くしたコリメータを
実装するだけで、容易に、それぞれの用途に適した検出
器を得ることができる。また、例えば半導体のセルまた
は素子各々を取り囲む格子を形成している2n列Xm列
の不感帯に対して、半導体のセルまたは素子のペア各々
を取り囲む格子を形成するようにn列Xm列のセプター
を設けた倍周期のコリメータ(図9参照)のように、所
定寸法の格子を形成するように幾つかの不感帯に1つの
割合でセプターを設けたコリメータを用いてガンマ線検
出感度の向上を図ることもできる。
【0054】[第4の実施形態]以下に、本発明による
コリメータ設置装置について、図面を参照して説明す
る。
コリメータ設置装置について、図面を参照して説明す
る。
【0055】本発明のコリメータ設置装置は、例えばコ
リメータ27の取り付け時あるいは使用時にコリメータ
27の位置がずれた場合、コリメータ27を検出器上で
自動的に移動させてコリメータ27のセプター29と直
交して格子を形成している不感帯に可能な限り完全に重
なるようにコリメータ27と検出器23、24の相対位
置を2次元的に調整するコリメータ移動機構31(図1
0参照)を備えており、組立場所のみならず使用場所に
おいても容易にコリメータ27の位置調整が可能とな
り、放射線半導体検出器の生産性および保守作業性を向
上させ得るものである。そのようなコリメータ設置装置
としては、これに制限されるものではないが、図11に
示すコリメータ相対位置自動調整システムを例示するこ
とができる。
リメータ27の取り付け時あるいは使用時にコリメータ
27の位置がずれた場合、コリメータ27を検出器上で
自動的に移動させてコリメータ27のセプター29と直
交して格子を形成している不感帯に可能な限り完全に重
なるようにコリメータ27と検出器23、24の相対位
置を2次元的に調整するコリメータ移動機構31(図1
0参照)を備えており、組立場所のみならず使用場所に
おいても容易にコリメータ27の位置調整が可能とな
り、放射線半導体検出器の生産性および保守作業性を向
上させ得るものである。そのようなコリメータ設置装置
としては、これに制限されるものではないが、図11に
示すコリメータ相対位置自動調整システムを例示するこ
とができる。
【0056】図11によれば、本実施形態のコリメータ
設置装置は、電動シフト機構等のコリメータ移動機構3
1、面線源または線線源であるガンマ線源32、ガンマ
線検出回路33、プリセットタイム収集カウンタ34、
最大値検定回路35およびCPU(中央演算装置)36
から概略構成されている。そして、コリメータ移動機構
31を用いてコリメータ27を移動させながら、コリメ
ータ27の前面に設定されたガンマ線源32からガンマ
線を放射して放射線半導体検出器23、24から出力さ
れる信号を検出回路33およびプリセットタイム収集カ
ウンタ34で処理して、観測されたガンマ線量やそのガ
ンマ線量が観測された時間などを含む計数値を得る。こ
の計数値を最大値検定回路35で検定してガンマ線量の
最大値の観測時間を決定し、CPU36がその観測時間
におけるコリメータ位置を決定した後、コリメータ移動
機構31を用いてコリメータ27をその観測時間におけ
る位置に移動させて調整を行っている。このとき、検出
器側にコリメータの取付け位置を機械的に1次元的に定
める手段、例えばガイドレールのようなガイド手段等を
設けておけば、残る1次元方向のコリメータ取付け位置
のみを自動的に調整すればよいので、コリメータ位置調
整手段の構成を簡素にすることができる。
設置装置は、電動シフト機構等のコリメータ移動機構3
1、面線源または線線源であるガンマ線源32、ガンマ
線検出回路33、プリセットタイム収集カウンタ34、
最大値検定回路35およびCPU(中央演算装置)36
から概略構成されている。そして、コリメータ移動機構
31を用いてコリメータ27を移動させながら、コリメ
ータ27の前面に設定されたガンマ線源32からガンマ
線を放射して放射線半導体検出器23、24から出力さ
れる信号を検出回路33およびプリセットタイム収集カ
ウンタ34で処理して、観測されたガンマ線量やそのガ
ンマ線量が観測された時間などを含む計数値を得る。こ
の計数値を最大値検定回路35で検定してガンマ線量の
最大値の観測時間を決定し、CPU36がその観測時間
におけるコリメータ位置を決定した後、コリメータ移動
機構31を用いてコリメータ27をその観測時間におけ
る位置に移動させて調整を行っている。このとき、検出
器側にコリメータの取付け位置を機械的に1次元的に定
める手段、例えばガイドレールのようなガイド手段等を
設けておけば、残る1次元方向のコリメータ取付け位置
のみを自動的に調整すればよいので、コリメータ位置調
整手段の構成を簡素にすることができる。
【0057】
【発明の効果】本発明の放射線半導体検出器(アレイ)
は、半導体セルを縦置きに高精度で等間隔に密度高く配
置し、従来よりも電極の厚みを薄くし、信号処理部をマ
ザーボド側に設置し、コリメータのセプターと不感帯と
をできるだけ重ね合わせる構成をとり、そして本発明の
コリメータ設置装置は自動的にコリメータ位置を調整す
る構成をとるので、検出感度およびエネルギー分解能の
劣化を招かずに放射線吸収方向の半導体の厚みを変更す
ることを可能にし、セル密度(空間分解能)を高くし、
画像(映像)形成のための信号処理を容易にし、回路お
よびその他の部材の設計を容易にし、放射線検出感度の
ロスを低減し、コリメータの位置調整を容易にすること
ができる。
は、半導体セルを縦置きに高精度で等間隔に密度高く配
置し、従来よりも電極の厚みを薄くし、信号処理部をマ
ザーボド側に設置し、コリメータのセプターと不感帯と
をできるだけ重ね合わせる構成をとり、そして本発明の
コリメータ設置装置は自動的にコリメータ位置を調整す
る構成をとるので、検出感度およびエネルギー分解能の
劣化を招かずに放射線吸収方向の半導体の厚みを変更す
ることを可能にし、セル密度(空間分解能)を高くし、
画像(映像)形成のための信号処理を容易にし、回路お
よびその他の部材の設計を容易にし、放射線検出感度の
ロスを低減し、コリメータの位置調整を容易にすること
ができる。
【図1】本発明の放射線半導体検出器の1実施形態の電
気的システム構成を示す図である。
気的システム構成を示す図である。
【図2】本発明の放射線半導体検出器モジュールの1実
施形態の部分断面図である。
施形態の部分断面図である。
【図3】本発明の放射線半導体検出器モジュールに用い
られる半導体セルの形状の1例を示す図である。
られる半導体セルの形状の1例を示す図である。
【図4】本発明による半導体セルの素子分離を説明する
図である。
図である。
【図5】本発明による放射線半導体検出器モジュールの
断面図である。
断面図である。
【図6】本発明の放射線半導体検出器アレイの1実施形
態をガンマ線入射方向から見た上面図である。
態をガンマ線入射方向から見た上面図である。
【図7】本発明の放射線半導体検出器アレイの別の実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図8】本発明によるコリメータを備える放射線半導体
検出器アレイの1実施形態をガンマ線入射方向から見た
上面図である。
検出器アレイの1実施形態をガンマ線入射方向から見た
上面図である。
【図9】本発明による別のコリメータを備える放射線半
導体検出器アレイの1実施形態を説明する断面図であ
る。
導体検出器アレイの1実施形態を説明する断面図であ
る。
【図10】本発明によるコリメータ設置装置のコリメー
タ位置調整機構を説明する模式図である。
タ位置調整機構を説明する模式図である。
【図11】本発明によるコリメータ設置装置のコリメー
タ位置調整システムの構成の1例を示す図である。
タ位置調整システムの構成の1例を示す図である。
1 半導体セル 2 印加電極 3 信号取り出し電極 4 多層基板 5 導電性接着剤 6 絶縁層 7 絶縁層 8 絶縁分離層 9 絶縁分離層(切り込み溝) 10 切り欠き部 11 位置決め用基板 12 絶縁層 13 絶縁層 14 電圧層 15 印加電極のリード部 16 低温ハンダ 17 絶縁性基板 18 信号層 19 信号取り出し電極のリード部 20 信号処理部 21 出力コネクタ 22 支持脚部 23 放射線半導体検出器モジュール 24 放射線半導体検出器アレイ 25 マザーボード 26 放射線半導体検出器アレイ 27 コリメータ 28 シールド 29 セプター 30 コリメータの穴 31 コリメータ移動機構 32 ガンマ線源 33 ガンマ線検出回路 34 プリセットタイム収集カウンタ 35 最大値検定回路 36 CPU
Claims (12)
- 【請求項1】 放射線検出用の複数の半導体セルを所定
方向に沿って所定の等間隔で配置し、前記半導体セル各
々と電気的に接続する印加電極と信号取り出し電極をそ
れぞれの電極が隣接する2つの前記半導体セルに共有さ
れるように放射線入射方向に平行に設けたことを特徴と
する放射線半導体検出器。 - 【請求項2】 前記所定の等間隔が、前記所定方向の半
導体セルの幅の略10分の1以下としたことを特徴とす
る請求項1に記載の放射線半導体検出器。 - 【請求項3】 前記所定方向に配置された前記複数の半
導体セルの列を、前記所定方向に直交する方向に沿って
前記所定の等間隔でさらに複数配置したことを特徴とす
る請求項1または請求項2に記載の放射線半導体検出
器。 - 【請求項4】 前記印加電極を、前記所定方向に沿って
隣接する前記複数の半導体セル間でも共有させて設けた
ことを特徴とする請求項3に記載の放射線半導体検出
器。 - 【請求項5】 前記信号取り出し電極を、前記所定方向
に直交する方向に前記所定の等間隔で1つの半導体セル
に対して複数設けたことを特徴とする請求項1〜4のい
ずれか1項に記載の放射線半導体検出器。 - 【請求項6】 前記1つの半導体セルの前記電極間にイ
オン注入により絶縁層を構成したことを特徴とする請求
項5に記載の放射線半導体検出器。 - 【請求項7】 前記1つの半導体セルの前記電極間に絶
縁用の溝を設けたことを特徴とする請求項5に記載の放
射線半導体検出器。 - 【請求項8】 放射線検出用の複数の半導体セルを所定
方向に沿って所定の等間隔で配置し、前記半導体セル各
々と電気的に接続する印加電極と信号取り出し電極をそ
れぞれの電極が隣接する2つの前記半導体セルに共有さ
れるように放射線入射方向に平行に設けた放射線半導体
検出器を複数所定方向に沿って密着配置し、前記所定方
向に沿って並ぶ半導体セルの間隔を全て前記所定の等間
隔として構成したことを特徴とする放射線半導体検出器
アレイ。 - 【請求項9】 前記放射線半導体検出器を複数さらに前
記所定方向と直交する方向にも密着配置し、前記所定方
向と直交する方向に沿って並ぶ半導体セルの間隔も全て
前記所定の等間隔として構成したことを特徴とする請求
項8に記載の放射線半導体検出器アレイ。 - 【請求項10】 信号処理部を放射線半導体検出器と独
立して設けたことを特徴とする請求項8または請求項9
に記載の放射線半導体検出器アレイ。 - 【請求項11】 角型のコリメータ穴を備えるコリメー
タを、セプターを不感帯と重ね合わせて設置したことを
特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載の放射
線半導体検出器アレイ。 - 【請求項12】 放射線検出用の複数の半導体セルを所
定方向に沿って所定の等間隔で配置し、前記半導体セル
各々と電気的に接続する印加電極と信号取り出し電極を
それぞれの電極が隣接する2つの前記半導体セルに共有
されるように放射線入射方向に平行に設けた放射線半導
体検出器にコリメータを設置するコリメータ設置装置に
おいて、前記コリメータの各セプター部分を前記放射線
半導体検出器の不感帯に重ね合わせる位置に配置するこ
とを特徴とするコリメータ設置装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10148802A JPH11337646A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 放射線半導体検出器、放射線半導体検出器アレイおよびコリメータ設置装置 |
US09/277,162 US6236051B1 (en) | 1998-03-27 | 1999-03-26 | Semiconductor radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10148802A JPH11337646A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 放射線半導体検出器、放射線半導体検出器アレイおよびコリメータ設置装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11337646A true JPH11337646A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15461044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10148802A Pending JPH11337646A (ja) | 1998-03-27 | 1998-05-29 | 放射線半導体検出器、放射線半導体検出器アレイおよびコリメータ設置装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11337646A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005201642A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Hitachi Ltd | 放射線検出装置および核医学診断装置 |
JP2006242958A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-09-14 | Hitachi Ltd | 放射線検出器,放射線検出素子及び放射線撮像装置 |
US7138634B2 (en) | 1999-03-10 | 2006-11-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nuclear medical diagnostic apparatus |
US7247860B2 (en) | 2004-03-11 | 2007-07-24 | Hitachi, Ltd. | Radiation detection module, radiation detector and radiological imaging apparatus |
JP2007524827A (ja) * | 2003-06-20 | 2007-08-30 | ジャック イー ジュニ | 単一フォトン放出コンピュータ断層撮影システム |
JP2007527122A (ja) * | 2004-03-05 | 2007-09-20 | インテバック・インコーポレイテッド | 背面薄化処理した固体イメージデバイス |
JP2008235928A (ja) * | 2008-04-30 | 2008-10-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
JP2009162572A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Hitachi Ltd | 放射線撮像装置、核医学診断装置及び位置調整装置 |
US7615757B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-11-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radiological detector and semiconductor radiological imaging apparatus |
WO2010035586A1 (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-01 | 株式会社日立製作所 | 核医学診断装置およびその調整方法 |
US7750310B2 (en) | 2005-08-16 | 2010-07-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radioactive ray detector, radioactive ray detection module, and nuclear medicine diagnosis apparatus |
US7838994B2 (en) | 2003-02-24 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and radiation detector employing it |
JP2011530081A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光子検出器用の組み合わされた散乱防止グリッド、陰極及び担体 |
JP2012021906A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | 放射線検出装置 |
CN104081223A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-10-01 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于pet探测器的区块安装 |
JP2019502099A (ja) * | 2015-11-19 | 2019-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 画素ボリュームの構成方法 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10148802A patent/JPH11337646A/ja active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7138634B2 (en) | 1999-03-10 | 2006-11-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nuclear medical diagnostic apparatus |
JP2006242958A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-09-14 | Hitachi Ltd | 放射線検出器,放射線検出素子及び放射線撮像装置 |
JP4582022B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2010-11-17 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器,放射線検出素子及び放射線撮像装置 |
US7838994B2 (en) | 2003-02-24 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and radiation detector employing it |
JP2007524827A (ja) * | 2003-06-20 | 2007-08-30 | ジャック イー ジュニ | 単一フォトン放出コンピュータ断層撮影システム |
US7615757B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-11-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radiological detector and semiconductor radiological imaging apparatus |
JP4594624B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-12-08 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出装置および核医学診断装置 |
JP2005201642A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Hitachi Ltd | 放射線検出装置および核医学診断装置 |
JP2007527122A (ja) * | 2004-03-05 | 2007-09-20 | インテバック・インコーポレイテッド | 背面薄化処理した固体イメージデバイス |
US7247860B2 (en) | 2004-03-11 | 2007-07-24 | Hitachi, Ltd. | Radiation detection module, radiation detector and radiological imaging apparatus |
US7750310B2 (en) | 2005-08-16 | 2010-07-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radioactive ray detector, radioactive ray detection module, and nuclear medicine diagnosis apparatus |
JP4512131B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-07-28 | 株式会社日立製作所 | 放射線撮像装置、核医学診断装置及び位置調整装置 |
JP2009162572A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Hitachi Ltd | 放射線撮像装置、核医学診断装置及び位置調整装置 |
JP2008235928A (ja) * | 2008-04-30 | 2008-10-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
JP2011530081A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光子検出器用の組み合わされた散乱防止グリッド、陰極及び担体 |
WO2010035586A1 (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-01 | 株式会社日立製作所 | 核医学診断装置およびその調整方法 |
JP2010078350A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Hitachi Ltd | 核医学診断装置およびその調整方法 |
JP2012021906A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | 放射線検出装置 |
US9006674B2 (en) | 2010-07-15 | 2015-04-14 | Hitachi Aloka Medical, Ltd. | Radioactive ray detecting apparatus |
CN104081223A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-10-01 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于pet探测器的区块安装 |
JP2015509188A (ja) * | 2011-12-27 | 2015-03-26 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Pet検出器のためのタイルの取り付け |
JP2019502099A (ja) * | 2015-11-19 | 2019-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 画素ボリュームの構成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6236051B1 (en) | Semiconductor radiation detector | |
US8063380B2 (en) | Semiconductor crystal high resolution imager | |
US7378662B2 (en) | Radiation detector, radiation detector element, and radiation imaging apparatus | |
US7339176B2 (en) | Radiation detector head | |
US7615757B2 (en) | Semiconductor radiological detector and semiconductor radiological imaging apparatus | |
US7297955B2 (en) | Semiconductor radiation detector, positron emission tomography apparatus, semiconductor radiation detection apparatus, detector unit and nuclear medicine diagnostic apparatus | |
JPH11337646A (ja) | 放射線半導体検出器、放射線半導体検出器アレイおよびコリメータ設置装置 | |
KR101104173B1 (ko) | 방사선 검출기 및 방사선 검사장치 | |
WO2009104573A1 (ja) | 検出器配列基板およびこれを用いた核医学診断装置 | |
JP4594624B2 (ja) | 放射線検出装置および核医学診断装置 | |
EP1779141A2 (en) | Solid state radiation detector packaging technique | |
JPH11281747A (ja) | 放射線半導体検出器 | |
JP4582022B2 (ja) | 放射線検出器,放射線検出素子及び放射線撮像装置 | |
JP5136736B2 (ja) | 放射線画像検出モジュールおよび放射線画像検出装置 | |
JP4464998B2 (ja) | 半導体検出器モジュール、および該半導体検出器モジュールを用いた放射線検出装置または核医学診断装置 | |
JP2007155562A (ja) | 放射線画像検出モジュールおよび放射線画像検出装置 | |
JP2001153960A (ja) | 2次元アレイ型放射線検出器 | |
JPH11344573A (ja) | 放射線半導体検出器および放射線半導体検出器アレイ | |
JP3815468B2 (ja) | 放射線検出器,放射線検出素子及び放射線撮像装置 | |
JPH09127248A (ja) | 放射線検出器 | |
JP2015125063A (ja) | 放射線検出器 |