JP2009065163A - イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
イメージセンサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009065163A JP2009065163A JP2008228402A JP2008228402A JP2009065163A JP 2009065163 A JP2009065163 A JP 2009065163A JP 2008228402 A JP2008228402 A JP 2008228402A JP 2008228402 A JP2008228402 A JP 2008228402A JP 2009065163 A JP2009065163 A JP 2009065163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- forming
- substrate
- peripheral portion
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 38
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 abstract description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 abstract description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 241000123112 Cardium Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】実施の形態によるイメージセンサは、ピクセル部及び周辺部を備える第1基板と、前記ピクセル部に形成された読み出し回路と、前記ピクセル部及び周辺部上に形成された層間絶縁層と、該層間絶縁層を貫通して、前記読み出し回路及び周辺部と電気的にそれぞれ接続した下部配線と、前記ピクセル部に対応する層間絶縁層上に形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオード及び前記周辺部の下部配線と接続されるように、前記フォトダイオードを備える層間絶縁層上に形成された透明電極と、該透明電極上に形成され、前記周辺部の下部配線に対応する前記透明電極を露出させるトレンチが形成された第1保護層と、前記トレンチの内部に形成され、前記ピクセル部の第1保護層と等しい表面高さを有する上部配線と、を備える。
【選択図】図12
Description
図10は、実施の形態によるイメージセンサを示す断面図である。
図13は、第2の実施の形態によるイメージセンサの断面図である。
Claims (13)
- ピクセル部及び周辺部を備える第1基板と、
前記ピクセル部に形成された読み出し回路と、
前記ピクセル部及び周辺部上に形成された層間絶縁層と、
該層間絶縁層を貫通して、前記読み出し回路及び周辺部と電気的にそれぞれ接続された下部配線と、
前記ピクセル部に対応する層間絶縁層上に形成されたフォトダイオードと、
前記フォトダイオード及び前記周辺部の下部配線と接続されるように、前記フォトダイオードを備える層間絶縁層上に形成された透明電極と、
該透明電極上に形成され、前記周辺部の下部配線に対応する前記透明電極を露出させるトレンチが形成された第1保護層と、
前記トレンチの内部に形成され、前記ピクセル部の第1保護層と等しい表面高さを有する上部配線と、を備えることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記第1保護層及び上部配線上に形成された第2保護層と、
前記フォトダイオードに対応する前記第2保護層上に形成されたカラーフィルターと、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記読み出し回路は、
前記第1基板に形成された電気接合領域を備え、
前記電気接合領域は、
前記第1基板に形成された第1導電型イオン注入領域と、
前記第1導電型イオン注入領域上に形成された第2導電型イオン注入領域と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記電気接合領域の上部に前記下部配線と電気的に接続されて形成された第1導電型接続領域をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサ。
- 前記読み出し回路は、
トランジスタの両側のソース及びドレインの電圧差があるように設計されていることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記トランジスタは、トランスファートランジスタであり、
前記トランジスタのソースのイオン注入濃度がフローティングディフュージョン領域のイオン注入濃度より低いことを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサ。 - 前記透明電極は、前記フォトダイオード上のみに形成され、
前記第1保護層は、前記透明電極及び周辺部に対応する層間絶縁層の全体に形成され、
前記第1保護層には、前記フォトダイオードに対応する前記透明電極の一部を露出させる第1トレンチと、前記周辺部の配線を露出させる第2トレンチと、が形成され、
前記上部配線は、前記第1トレンチから第2トレンチまで延びて、前記フォトダイオードの側面に対応する前記第1保護層上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - ピクセル部及び周辺部が画定された第1基板を用意するステップと、
前記ピクセル部に読み出し回路を形成するステップと、
前記ピクセル部及び周辺部を備える第1基板上に層間絶縁層を形成するステップと、
前記層間絶縁層に前記読み出し回路及び周辺部と接続される下部配線を形成するステップと、
結晶型半導体層を備える第2基板を用意するステップと、
前記結晶型半導体層の内部にフォトダイオードを形成するステップと、
前記第1基板の下部配線と前記フォトダイオードとが電気的に接続されるように、前記第1基板と第2基板とをボンディングするステップと、
前記フォトダイオードが露出するように、前記第2基板を分離するステップと、
前記ピクセル部上にのみフォトダイオードが残っているように、前記周辺部に対応する前記フォトダイオードを除去して前記周辺部の下部配線を露出させるステップと、
前記フォトダイオード及び前記周辺部の下部配線と接続されるように、前記フォトダイオードを備える層間絶縁層上に透明電極層を形成するステップと、
前記透明電極層上に第1保護層を形成するステップと、
前記周辺部の配線に対応する前記第1保護層に、前記透明電極層を露出させるトレンチを形成するステップと、
前記トレンチに上部配線を形成するステップと、を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記上部配線を形成するステップは、
前記トレンチを備える第1保護層上に金属層を形成するステップと、
前記ピクセル部の第1保護層と等しい高さを有するように、前記金属層を平坦化するステップと、を含むことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記上部配線を形成した後、前記上部配線を備える層間絶縁層上に第2保護層を形成するステップと、
前記フォトダイオードに対応する前記第2保護層上にカラーフィルターを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記読み出し回路を形成するステップは、前記第1基板に電気接合領域を形成するステップを含み、
前記第1基板に電気接合領域を形成するステップは、
前記第1基板に第1導電型イオン注入領域を形成するステップと、
前記第1導電型イオン注入領域上に第2導電型イオン注入領域を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記電気接合領域の上部に前記配線と接続する第1導電型接続領域を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1導電型接続領域を形成するステップは、
前記下部配線に対するコンタクトエッチング後に行われることを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20070090750 | 2007-09-07 | ||
KR10-2007-0090750 | 2007-09-07 | ||
KR10-2008-0058120 | 2008-06-20 | ||
KR1020080058120A KR100882979B1 (ko) | 2007-09-07 | 2008-06-20 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009065163A true JP2009065163A (ja) | 2009-03-26 |
JP4990859B2 JP4990859B2 (ja) | 2012-08-01 |
Family
ID=40430895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008228402A Expired - Fee Related JP4990859B2 (ja) | 2007-09-07 | 2008-09-05 | イメージセンサ及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7999292B2 (ja) |
JP (1) | JP4990859B2 (ja) |
DE (1) | DE102008046036A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011161909A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
WO2012105106A1 (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置 |
JP2017195410A (ja) * | 2012-06-25 | 2017-10-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
US10608034B2 (en) | 2009-12-26 | 2020-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus and image pickup system |
WO2020080124A1 (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2022125107A (ja) * | 2015-04-22 | 2022-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、電子機器 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100782463B1 (ko) * | 2005-04-13 | 2007-12-05 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 |
KR100718878B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2007-05-17 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 |
KR100882990B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2009-02-12 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101046060B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2011-07-01 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 제조방법 |
KR101024815B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2011-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
US8344471B2 (en) * | 2009-07-29 | 2013-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor big via bonding pad application for AICu process |
US8822897B2 (en) | 2010-03-19 | 2014-09-02 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensors employing sensitized semiconductor diodes |
US8753917B2 (en) * | 2010-12-14 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating photoconductor-on-active pixel device |
KR20130119193A (ko) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 주식회사 동부하이텍 | 후면 수광 이미지 센서와 그 제조방법 |
US9812604B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-11-07 | Klaus Y. J. Hsu | Photosensing device with graphene |
US9812603B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-11-07 | Klaus Y. J. Hsu | Photosensing device with graphene |
WO2015191594A1 (en) | 2014-06-10 | 2015-12-17 | Hui Tian | Layout and operation of pixels for image sensors |
US10204952B2 (en) * | 2014-08-29 | 2019-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device having recess filled with conductive material and method of manufacturing the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59178769A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH05102447A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体センサ |
JPH05291549A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Ricoh Co Ltd | 積層型固体撮像デバイス |
JP2002100798A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-04-05 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2006041541A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Magnachip Semiconductor Ltd | 電荷伝送効率を向上させたイメージセンサ及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6927432B2 (en) * | 2003-08-13 | 2005-08-09 | Motorola, Inc. | Vertically integrated photosensor for CMOS imagers |
KR100938866B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2010-01-27 | 에스.오.아이. 테크 실리콘 온 인슐레이터 테크놀로지스 | 광검출장치 |
KR100577312B1 (ko) * | 2004-07-05 | 2006-05-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 포토트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US7642711B2 (en) * | 2004-07-06 | 2010-01-05 | Fujifilm Corporation | Functional layer having wiring connected to electrode and barrier metal between electrode and wiring |
JP2006228938A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
TWI306307B (en) * | 2006-09-28 | 2009-02-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Image sensor structure and method of fabricating the same |
US7482646B2 (en) * | 2006-10-18 | 2009-01-27 | Hejian Technology (Suzhou) Co., Ltd. | Image sensor |
KR100851756B1 (ko) * | 2007-06-08 | 2008-08-11 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
-
2008
- 2008-09-05 US US12/204,848 patent/US7999292B2/en active Active
- 2008-09-05 DE DE102008046036A patent/DE102008046036A1/de not_active Withdrawn
- 2008-09-05 JP JP2008228402A patent/JP4990859B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59178769A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH05102447A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体センサ |
JPH05291549A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Ricoh Co Ltd | 積層型固体撮像デバイス |
JP2002100798A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-04-05 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2006041541A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Magnachip Semiconductor Ltd | 電荷伝送効率を向上させたイメージセンサ及びその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10608034B2 (en) | 2009-12-26 | 2020-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus and image pickup system |
WO2011161909A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
WO2012105106A1 (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置 |
JP2012164780A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置 |
JP2017195410A (ja) * | 2012-06-25 | 2017-10-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2022125107A (ja) * | 2015-04-22 | 2022-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、電子機器 |
WO2020080124A1 (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
JPWO2020080124A1 (ja) * | 2018-10-16 | 2021-09-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
JP7372258B2 (ja) | 2018-10-16 | 2023-10-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
US12027557B2 (en) | 2018-10-16 | 2024-07-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor element and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090065824A1 (en) | 2009-03-12 |
DE102008046036A1 (de) | 2009-04-16 |
JP4990859B2 (ja) | 2012-08-01 |
US7999292B2 (en) | 2011-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4990859B2 (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
US7675101B2 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
KR100997299B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2009065161A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
US20090065826A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
US8004027B2 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
US20090065829A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
JP2009065155A (ja) | イメージセンサー | |
KR100882979B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2009164605A (ja) | イメージセンサー及びその製造方法 | |
KR20100012641A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
US20090166788A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
KR100884903B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
JP2009188380A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
JP2010087514A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
JP2009065166A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
JP2009065156A (ja) | イメージセンサーの製造方法 | |
JP2009164598A (ja) | イメージセンサー及びその製造方法 | |
KR101024815B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR101046798B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR101135791B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2010087511A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
KR100990559B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR101002104B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR100882980B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120403 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |