JP2009064841A - 荷電粒子線描画装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、荷電粒子線を用いて投影系を介して基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置である。投影系は、対称型磁気ダブレットレンズと、対称型磁気ダブレットレンズが発生する磁場の中に配置された静電レンズとを備える。静電レンズは、少なくとも対称型磁気ダブレットレンズの瞳又はその付近に、対称型磁気ダブレットレンズへ入射される荷電粒子線のエネルギーを決定する電位よりも高い電位を与える電極を含む。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の荷電粒子線描画装置の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る荷電粒子線を用いて投影系を介して基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置の模式的断面図である。荷電粒子線描画装置の投影系は、対称型磁気ダブレットレンズと、対称型磁気ダブレットレンズが発生する磁場の中に配置された静電レンズとを備える。対称型磁気ダブレットレンズは、上段磁界レンズ12と下段磁界レンズ15とで構成される。静電レンズは、物面10側から像面11側に向かって順に配置される第1円筒電極19、第2円筒電極20及び第3円筒電極21の3つの円筒電極を含んで構成されるユニポテンシャル静電レンズである。本実施形態における荷電粒子線描画装置は電子線描画装置であるが、本発明はイオン線描画装置等他の荷電粒子線描画装置にも適用可能である。
δ∝Lc×I/(V1.5×α)・・・(数式1)
ただし、Lc:物面−像面距離、I:荷電粒子線の電流量、V:荷電粒子線に対する加速電位、α:像面での収束半角
電子の発生源である電子銃において、電子線を高加速することでボケ量δを小さくすることはできるが、いくつかの欠点がある。高加速(高エネルギー)の電子線が感光基板上に照射された場合、感光材の実効的な感度が低下する。また、電子銃で高加速化すると電子光学レンズが大型化し、数式1の光路長Lcが長くなり、ボケ量δが大きくなる。また、高加速された電子は感光基板内の散乱の領域が広くなり、近接効果が増大するといった問題がある。一方、本発明のように第2円筒電極19の電位が高くされれば、数式1の加速電位Vの項が大きくなり、クーロン効果によるボケ量δが減少し、前述した電子銃で電子線を高加速化した場合の欠点がない。
L2/L1=M・・・(数式2)
数式2を満たすように第2円筒電極20を配置すると、上段磁界レンズ12及び下段磁界レンズ15の像回転角が等しくなって像の回転がなくなり、非等方収差も発生せず、対称型磁気ダブレットレンズの光学特性が劣化しない。
図5及び図6を参照して、上述の荷電粒子線描画装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。図5は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
Claims (6)
- 荷電粒子線を用いて投影系を介して基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記投影系は、対称型磁気ダブレットレンズと、前記対称型磁気ダブレットレンズが発生する磁場の中に配置された静電レンズとを備え、
前記静電レンズは、少なくとも前記対称型磁気ダブレットレンズの瞳又はその付近に、前記対称型磁気ダブレットレンズへ入射される荷電粒子線のエネルギーを決定する電位よりも高い電位を与える電極を含む、ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。 - 前記静電レンズは、3つの円筒電極を含んで構成されるユニポテンシャル静電レンズであり、
前記3つの円筒電極のうち、物面側に配置される第1円筒電極と像面側に配置される第3円筒電極に与えられる電位は前記基板の電位と同一とされ、前記対称型磁気ダブレットレンズの瞳又はその付近の電位を決定する第2円筒電極に、前記基板の電位よりも高い電位が与えられることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線描画装置。 - 前記第2円筒電極は、前記対称型磁気ダブレットレンズの上段磁界レンズの鉛直方向における中心位置と前記対称型磁気ダブレットレンズの下段磁界レンズの鉛直方向における中心位置との間に配置されることを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記第2円筒電極は、前記第2円筒電極の上端が前記上段磁界レンズの下端を超え、前記第2円筒電極の下端が前記下段磁界レンズの上端を超える長さであることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記第2円筒電極の上端から前記対称型磁気ダブレットレンズの瞳までの距離と前記第2円筒電極の下端から前記瞳までの距離との比が前記対称型磁気ダブレットレンズの倍率と等しくなるように、前記第2円筒電極が配置されることを特徴する請求項2乃至請求項4のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
前記パターンが描画された基板に現像処理を施す工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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