JP4634161B2 - 荷電ビーム露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
電子ビーム13がオン状態にあるときには、ビームブランキング電極17a,17bはともに同電位(通常は接地電位)にしておく。この時、電子ビーム13は直進してブランキングアパーチャー18の中央に設けられている開口19を通過する。
同図において、13は電子ビームである。電子ビーム13は偏向器(ビームブランキング装置)17の二つのビームブランキング電極17a、17bの電圧によって、オン状態の電子ビーム14とオフ状態の偏向電子ビーム15が作られる。オン状態の電子ビーム14は、後述する第1の導電性モジュールとしての導電性部材11の電子ビーム通過部12とブランキングアパーチャー18に設けられた開口19を通過する。オフ状態の電子ビーム15は、導電性部材11の電子ビーム通過部12を通過した後、ブランキングアパーチャー18で遮蔽される。このとき、オフ状態の電子ビーム15がブランキングアパーチャー18の表面に照射されることにより、ブランキングアパーチャー18の表面で反射電子および2次電子16が発生する。
図3は、前記図1および図2によって説明した導電性部材11とは異なる第2の導電性モジュールとしての導電性部材41を設置したものである。導電性部材41は、導電性部材41(a)と導電性部材41(b)の2枚で構成されている。導電性部材41はブランキングアパーチャー18近傍の電子ビーム13の入射側に設けられており、それぞれ、電子ビーム13とは反対極性の電圧を印加するものとする。その他の構成部品は、前記図1および図2によって説明したものと同様である。
図7は、前記図1および図2によって説明した導電性部材11のほかに、導電性部材51を配置した電子ビーム露光装置である。導電性部材51は帯電または汚染のおそれのある箇所の近傍に配置してある。導電性部材51(a) は磁気コイル23の試料29側に、導電性部材51(b)は導電性部材11の電子銃21側に、導電性部材51(c)はブランキングアパーチャー18と磁気コイル24の間に、導電性部材51(d)は磁気コイル25と磁気コイル26の間に、導電性部材51(e)は磁気コイル26とXYZステージ33の間に、それぞれ設置してある。52は導電性部材51に、電子ビーム13とは反対極性、すなわち正電圧を印加するための電圧制御装置である。その他の構成部品は、前記図1および図2によって説明したものと同様である。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
上記ステップ4のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付け露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
Claims (7)
- 荷電ビーム源から放射された荷電ビームを偏向するブランキング電極と、前記ブランキング電極により偏向された前記荷電ビームを遮蔽するブランキングアパーチャーとを用いて、前記荷電ビームの照射を制御する荷電ビーム露光装置において、
前記ブランキングアパーチャーで反射された荷電粒子または発生した荷電粒子を吸収するように、前記ブランキングアパーチャーと前記ブランキング電極との間に配置されて、前記荷電ビームとは反対極性の電圧が印加される第1の導電性部材と、
前記第1の導電性部材による電子レンズ作用を打ち消すように前記第1の導電性部材と前記ブランキング電極との間に配置された第2の導電性部材と、
を備えることを特徴とする荷電ビーム露光装置。 - 前記第2の導電性部材は、前記第1の導電性部材による電子レンズ作用を打ち消すように、印加される電圧が個別に決定される複数の導電性部材を含むことを特徴とする請求項1に記載の荷電ビーム露光装置。
- 前記第1の導電性部材および前記第2の導電性部材に印加される電圧を制御する電圧制御手段を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電ビーム露光装置。
- 前記電圧制御手段によって前記第1の導電性部材および前記第2の導電性部材に印加される電圧は、前記第1の導電性部材および前記第2の導電性部材の配置に応じて決定されることを特徴とする請求項3に記載の荷電ビーム露光装置。
- 前記電圧制御手段によって前記第1の導電性部材および前記第2の導電性部材に印加される電圧は、前記第1の導電性部材および前記第2の導電性部材の大きさに応じて決定されることを特徴とする請求項3又は4に記載の荷電ビーム露光装置。
- 前記電圧制御手段によって前記第1の導電性部材および前記第2の導電性部材に印加される電圧は、前記第1の導電性部材および前記第2の導電性部材の形状に応じて決定されることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の荷電ビーム露光装置。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載の荷電ビーム露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005017697A JP4634161B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 荷電ビーム露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005017697A JP4634161B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 荷電ビーム露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210457A JP2006210457A (ja) | 2006-08-10 |
JP2006210457A5 JP2006210457A5 (ja) | 2008-03-06 |
JP4634161B2 true JP4634161B2 (ja) | 2011-02-16 |
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ID=36966987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005017697A Expired - Fee Related JP4634161B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 荷電ビーム露光装置およびデバイス製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4634161B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091270A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Topcon Corp | 荷電粒子ビーム装置における絞り装置のコンタミネーション除去方法及びその方法を用いた絞り装置のコンタミネーション除去装置 |
JP2010003596A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線加工装置 |
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JP2000228163A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-15 | Nikon Corp | 荷電粒子線光学鏡筒 |
-
2005
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000228163A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-15 | Nikon Corp | 荷電粒子線光学鏡筒 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006210457A (ja) | 2006-08-10 |
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