JP2009058272A - 半導体温度センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 温度が高くなってPNP8〜9のベースでリーク電流が発生しても、PNP14のリーク電流補償電流により、PNP7〜8のエミッタにそれぞれ流れ込む電流がリーク電流の影響を受けなくなるので、温度に対する出力電圧の線形性がよくなり、温度に対する半導体温度センサ1の精度がよくなる。
【選択図】 図2
Description
まず、半導体温度センサの概要の構成について説明する。図1は、半導体温度センサを示すブロック図である。
次に、半導体温度センサ1の詳細な構成について説明する。図2は、半導体温度センサを示す回路図である。
3 定電流回路 4 カレントミラー回路
5 リーク電流補償回路 6 カレントミラー回路
7〜9、14 PNP 10〜13、15〜17 PMOS
Claims (4)
- 半導体温度センサにおいて、
定電流を流す定電流回路と、
カレントミラー接続している複数の第一トランジスタを有し、前記定電流に基づいた電流をダーリントン回路の複数の第一バイポーラトランジスタのエミッタにそれぞれ供給する第一カレントミラー回路と、
ダーリントン接続している前記複数の第一バイポーラトランジスタを有し、前記定電流及び温度に基づいて出力電圧を出力し、前記温度に基づいて前記第一バイポーラトランジスタのベースでリーク電流が発生する前記ダーリントン回路と、
第二バイポーラトランジスタを有し、前記リーク電流に基づいて前記第二バイポーラトランジスタのベースにリーク電流補償電流を流すリーク電流補償回路と、
カレントミラー接続している複数の第二トランジスタを有し、前記リーク電流補償電流に基づいた電流を前記複数の第一バイポーラトランジスタのベースにそれぞれ供給する第二カレントミラー回路と、
を備えていることを特徴とする半導体温度センサ。 - 前記複数の第一バイポーラトランジスタ及び前記第二バイポーラトランジスタは、同一の半導体基板上に形成され、マスクレイアウト上近接配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体温度センサ。
- 前記第二バイポーラトランジスタは、ベースが前記第二カレントミラー回路の入力端子に設けられ、エミッタがオープンであり、コレクタが接地端子に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体温度センサ。
- 前記第二バイポーラトランジスタは、ベースが前記第二カレントミラー回路の入力端子に設けられ、エミッタ及びコレクタが接地端子に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体温度センサ。
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