JP2009021496A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光装置の性能の低下、稼動率の低下を抑制して、基板を良好に露光できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、極端紫外域の露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光をパルス状に発光する光源装置と、露光光が進行するほぼ真空状態の第１空間を形成する第１部材と、露光光が通過するように第１部材の少なくとも一部に形成された第１開口と、発光と同期して第１開口を開閉する開閉機構とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献１に開示されているような、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。
特開２００５−３２５１０号公報

ＥＵＶ露光装置においては、露光光が進行する所定空間が真空状態に調整される。その所定空間に外部のガスが入り込むと、例えば露光光が減衰したり、所定空間に配置されている光学素子（多層膜反射鏡等）が汚染したりする等、露光装置の性能が低下する可能性がある。また、所定空間に外部のガスが入り込むと、例えばその所定空間を真空状態に再調整するための処理に時間がかかり、露光装置の稼動率が低下する可能性がある。

本発明は、露光装置の性能の低下、稼動率の低下を抑制して、基板を良好に露光できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明を例示する各態様としては実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、極端紫外域の露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、露光光（ＥＬ）をパルス状に発光する光源装置（３）と、露光光（ＥＬ）が進行するほぼ真空状態の第１空間（６Ｓ）を形成する第１部材（６、８、２２）と、露光光（ＥＬ）が通過するように第１部材（６、８、２２）の少なくとも一部に形成された第１開口（１１、２２、４１）と、発光と同期して第１開口（１１、２２、４１）を開閉する開閉機構（１２、６０、４２）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明によれば、装置の性能の低下、稼動率の低下を抑制して、基板を良好に露光できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら例示的に説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、露光光ＥＬを発生する光源装置３と、光源装置３からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。

本実施形態の露光装置ＥＸは、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。一例として、本実施形態では、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして用いる。

本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置ＥＸは、多層膜でパターンが形成されたマスクＭの表面（反射面）を露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）で照明し、そのマスクＭで反射した露光光ＥＬで感光性を有する基板Ｐを露光する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する所定空間を真空状態に調整する真空システムを含むチャンバ装置５を備えている。本実施形態において、チャンバ装置５は、本体チャンバ６と、光源チャンバ７と、本体チャンバ６と光源チャンバ７とを接続する中間チャンバ８とを含む。本体チャンバ６によって形成される内部空間６Ｓと、光源チャンバ７によって形成される内部空間７Ｓとは、中間チャンバ８によって形成される内部空間８Ｓを介して接続されている。本実施形態においては、本体チャンバ６に第１真空システム９が接続され、光源チャンバ７に第２真空システム１０が接続されている。制御装置４は、第１、第２真空システム９、１０を用いて、内部空間６Ｓ、７Ｓ、８Ｓを含む、露光光ＥＬが進行する所定空間をほぼ真空状態（例えば、１×１０^−４Ｐａ程度の減圧雰囲気）に調整する。

本実施形態において、少なくともマスクステージ１、照明光学系ＩＬ、及び投影光学系ＰＬは、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに収容される。また、光源装置３の少なくとも一部は、光源チャンバ７の内部空間７Ｓに収容される。光源装置３から発生した露光光ＥＬは、光源チャンバ７の内部空間７Ｓを進行し、中間チャンバ８の内部空間８Ｓを進行した後、本体チャンバ６の内部空間６Ｓを進行する。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが通過するように本体チャンバ６の一部に形成された第１開口１１と、第１開口１１を開閉する開閉機構１２とを備えている。開閉機構１２が第１開口１１を閉じることによって、内部空間６Ｓはほぼ密閉された状態となる。また、開閉機構１２が第１開口１１を開けることによって、露光光ＥＬは第１開口１１を通過可能である。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置、所謂スキャニングステッパである。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域に対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射して、その基板Ｐを露光する。

光源装置３は、露光光ＥＬを発生する。本実施形態において、光源装置３は、露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）をパルス状に発光する。本実施形態の光源装置３は、ターゲット材料にレーザー光を照射して、そのターゲット材料をプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させるレーザ生成プラズマ光源装置、所謂ＬＰＰ（Laser Produced Prasma）方式の光源装置である。

光源装置３は、ターゲット材料を励起させるためのレーザ光を発生するレーザ装置１３と、光源チャンバ７の内部空間７Ｓにターゲット材料を供給する供給口１４を有する供給部材１５と、レーザ装置１３からのレーザ光を集光する集光光学系１６と、発生したＥＵＶ光を含む光を反射して集光する集光ミラー（コンデンサ）１７とを含む。本実施形態において、供給口１４から供給されるターゲット材料は、キセノン（Ｘｅ）ガスを含む。なお、ターゲット材料が、すず（Ｓｎ）を含むものであってもよい。

本実施形態において、レーザ装置１３は、光源チャンバ７の外側に配置されている。光源チャンバ７の一部には、レーザ光を透過可能な透過窓１８が配置されている。レーザ装置１３から射出されたレーザ光は、透過窓１８を介して、光源チャンバ７の内部空間７Ｓに配置されている集光光学系１６に入射する。レーザ装置１３から射出され、集光光学系１６で集光されたレーザ光は、供給部材１５の先端の供給口１４から供給されるターゲット材料に照射される。レーザ光がターゲット材料に照射されることによって、ターゲット材料がプラズマ化される。これにより、ＥＵＶ光を含む光（露光光ＥＬ）が発生する。このように、本実施形態においては、供給部材１５の先端の供給口１４近傍において、ターゲット材料がプラズマ化され、ＥＵＶ光（露光光ＥＬ）が発生する。以下の説明において、ターゲット材料がプラズマ化され、ＥＵＶ光が発生する供給部材１５の先端（供給口１４）の近傍の一部の領域（空間）を適宜、発光部１９、と称する。発光部１９は、光源チャンバ７の内部空間７Ｓに配置される。

本実施形態において、レーザ装置１３は、レーザ光をパルス状に発光する。図２は、レーザ装置１３の発光状態を説明するための模式図である。図２に示すパルス波形のように、レーザ装置１３は、所定の周期Ｔで、レーザ光をパルス状に発光する。レーザ光の発光時間（パルス幅）Ｔ１は、レーザ光が発光しない時間Ｔ２に比べて十分に小さい。

レーザ装置１３のレーザ光の発光のタイミングに応じて、発光部１９においてＥＵＶ光（露光光ＥＬ）がパルス状に発光する。このように、本実施形態においては、光源装置３は、レーザ装置１３の発光のタイミングに応じたタイミングで、露光光ＥＬをパルス状に発光する。

図１において、発光部１９で発光した光は、集光ミラー１７で反射し、集光される。集光ミラー１７は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。集光ミラー１７で反射した光は、中間集光点（ＩＦ：Intermediate Focus）２０に集められる。

本実施形態において、集光ミラー１７は、中間チャンバ８の内部空間８Ｓに中間集光点２０を形成する。中間チャンバ８の内部空間８Ｓには、フィルタ２１と、露光光ＥＬを通過させるための開口２２を有するプレート部材２３とが配置されている。フィルタ２１は、極端紫外域の光を透過させ、例えば可視光、紫外光等、極端紫外域以外の光の透過を遮る。フィルタ２１は、例えばジルコニウム（Ｚｒ）、ベリリウム（Ｂｅ）、シリコン（Ｓｉ）等で形成可能である。

開口２２は、円形（ピンホール）であり、中間集光点２０は、開口２２の近傍（内側）に形成される。発光部１９より発光され、フィルタ２１を通過したＥＵＶ光（露光光ＥＬ）は、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに配置されている照明光学系ＩＬに入射する。

照明光学系ＩＬは、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに配置されている。照明光学系ＩＬは、光源装置３からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。照明光学系ＩＬは、複数の光学素子を含み、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明光学系ＩＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。

マスクステージ１は、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに配置されている。マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つ方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの表面（反射面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面が−Ｚ方向を向くように、マスクＭを保持する。本実施形態においては、マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（不図示）、及びマスクＭの反射面の面位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が設けられており、制御装置４は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。

投影光学系ＰＬは、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに配置されている。投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。

基板ステージ２は、本体チャンバ６の内部空間６Ｓの外側に配置されている。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つ方向に移動可能である。基板ステージ２は、内部空間６Ｓの外側の外部空間２４で移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。また、本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面が＋Ｚ方向を向くように、基板Ｐを保持する。本実施形態においては、基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（不図示）、及び基板Ｐの表面の面位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が設けられており、制御装置４は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置を制御する。

第１開口１１は、内部空間６Ｓに収容されている投影光学系ＰＬから射出された露光光ＥＬが入射可能な位置に形成されている。第１開口１１を通過した露光光ＥＬは、内部空間６Ｓの外側の外部空間２４に射出される。基板ステージ２は、内部空間６Ｓの外側で、基板Ｐを保持しながら第１開口１１と対向する位置に移動可能である。第１開口１１と対向する位置に、基板ステージ２に保持されている基板Ｐが配置されることによって、投影光学系ＰＬから射出され、第１開口１１を通過した露光光ＥＬが、基板Ｐに照射される。

本実施形態において、本体チャンバ６（チャンバ装置５）の外側は、大気空間である。したがって、基板ステージ２は、大気空間に配置されている。

次に、開閉機構１２について説明する。図３は、開閉機構１２の近傍を示す図である。図３において、露光装置ＥＸは、第１開口１１と、第１開口１１を開閉する開閉機構１２とを備えている。開閉機構１２は、光源装置３のパルス状の発光と同期して、第１開口１１を開閉する。開閉機構１２は、光源装置３が露光光ＥＬを発光しているときに、第１開口１１を開け、光源装置３が露光光ＥＬを発光していないときに、第１開口１１を閉じる。

開閉機構１２は、第１開口１１の近傍で第１開口１１に対して移動可能であり、第１開口１１よりも大きいプレート部材２５と、プレート部材２５を移動する駆動装置２６とを有する。本実施形態において、プレート部材２５は、本体チャンバ６に対して内部空間６Ｓの外側に配置されている。具体的には、プレート部材２５は、本体チャンバ６と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に配置されている。また、駆動装置２６も、本体チャンバ６に対して内部空間６Ｓの外側に配置されている。

本実施形態において、プレート部材２５は、露光光ＥＬが通過可能な第２開口２７を有する。第２開口２７は、第１開口１１よりも基板Ｐに近い位置に配置されている。第２開口２７は、基板Ｐ上における露光光ＥＬの照射領域（露光領域、投影領域）を定める。

図４は、本体チャンバ６及びプレート部材２５を模式的に示す平面図である。図４に示すように、第１開口１１は、ＸＹ平面内において円弧状である。第２開口２７も、ＸＹ平面内において円弧状である。本実施形態においては、第２開口２７は、第１開口１１とほぼ同じ大きさ及び形状を有する。なお、第２開口２７は、第１開口１１より小さくてもよい。

プレート部材２５の上面及び下面は、平坦であって、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、プレート部材２５の上面と対向する本体チャンバ６の下面も、平坦であって、ＸＹ平面とほぼ平行である。駆動装置２６は、例えばピエゾ素子を含み、プレート部材２５の上面と本体チャンバ６の下面とを接近させた状態で、プレート部材２５をＸＹ方向に移動可能である。

図３に示すように、第１開口１１と第２開口２７とが一致するようにプレート部材２５がＹ軸方向に移動することによって、第１開口１１が開けられる。これにより、投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬは、第１開口１１及び第２開口２７を介して、外部空間２４に射出可能である。

一方、図５に示すように、第１開口１１と第２開口２７とがずれるようにプレート部材２５がＹ軸方向に移動することによって、第１開口１１がプレート部材２５で覆われ、第１開口１１が閉じられる。また、本実施形態において、プレート部材２５の上面と本体チャンバ６の下面との間隙（ギャップ）Ｇ１は十分に小さい。これにより、内部空間６Ｓは密閉された状態となり、外部空間２４（大気空間）のガス（空気）が、内部空間６Ｓに入り込むことが抑制される。なお、例えばプレート部材２５の上面と本体チャンバ６の下面との間に、磁性流体等を含むシール部材を設けることができる。

なお、プレート部材２５は、内部空間６Ｓと外部空間２４との圧力差によって変形、破損しない程度に十分な強度を有しており、内部空間６Ｓを良好に密閉できる。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。

内部空間６Ｓ、７Ｓ、８Ｓを含む、チャンバ装置５の内部空間は、第１、第２真空システム９、１０等によって、真空状態に調整される。また、基板Ｐの露光処理が実行されていないときには、図５に示したように、開閉機構１２は、第１開口１１を閉じる。これにより、本体チャンバ６の内部空間６Ｓを含む、チャンバ装置５の内部空間の真空状態が維持される。

マスクＭがマスクステージ１に保持されるとともに、基板Ｐが基板ステージ２に保持された後、制御装置４は、基板Ｐの露光処理を開始する。マスクＭを露光光ＥＬで照明するために、制御装置４は、光源装置３の発光動作を開始する。

上述のように、本実施形態においては、光源装置３は、パルス状に露光光ＥＬを発光する。制御装置４は、開閉機構１２を用いて、光源装置３の露光光ＥＬの発光と同期して、第１開口１１を開閉する。制御装置４は、光源装置３が露光光ＥＬを発光しているときに、第１開口１１を開けるように、開閉機構１２を制御する。また、制御装置４は、光源装置３が露光光ＥＬを発光していないときに、第１開口１１を閉じるように、開閉機構１２を制御する。本実施形態においては、光源装置３の発光に同期して、開閉機構１２のプレート部材２５がＹ軸方向に往復するように移動する。

光源装置３の発光動作により光源装置３から射出された露光光ＥＬは、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに配置されている照明光学系ＩＬに入射する。照明光学系ＩＬに入射した露光光ＥＬは、その照明光学系ＩＬを進行した後、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに配置されているマスクステージ１に保持されているマスクＭに入射する。マスクステージ１に保持されているマスクＭは、光源装置３より射出され、照明光学系ＩＬを介した露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）で照明される。マスクＭの反射面に照射され、その反射面で反射した露光光ＥＬは、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに配置されている投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、その投影光学系ＰＬを進行した後、第１開口１１に供給される。

第１開口１１は、本体チャンバ６の内部空間６Ｓを進行した露光光ＥＬが入射可能な位置に形成されている。また、光源装置３が発光しているとき、第１開口１１は開いている。また、外部空間２４において、第１開口１１と対向する位置には、基板ステージ２に保持されている基板Ｐが配置されている。したがって、光源装置３から射出され、照明光学系ＩＬ、マスクＭ、及び投影光学系ＰＬを介した露光光ＥＬは、第１開口１１と第２開口２７とを介して基板Ｐの表面（露光面）に照射される。

一方、光源装置３が発光していないとき、第１開口１１は閉じている。これにより、外部空間２４（大気空間）のガス（空気）が、内部空間６Ｓに入り込むことが抑制され、内部空間６Ｓの真空状態、環境が維持される。

制御装置４は、光源装置３の発光と同期して第１開口１１の開閉動作を実行しつつ、マスクＭのＹ軸方向への移動と同期して、基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐに照射するための露光光ＥＬが発光されているときだけ、第１開口１１を開け、露光光ＥＬが発光されていないときには、第１開口１１を閉じるようにしたので、内部空間６Ｓに外部空間２４のガス（空気）が入り込むことを抑制することができる。したがって、内部空間６Ｓを進行する露光光ＥＬが減衰したり、外部空間２４のガスが内部空間６Ｓの多層膜反射鏡に影響を及ぼしたりすることを抑制でき、基板Ｐを良好に露光することができる。

また、本実施形態においては、基板Ｐが内部空間６Ｓの外側に配置されているので、基板Ｐが内部空間６Ｓに影響を及ぼすことを抑制できる。例えば、基板Ｐから感光材（レジスト）等に起因する汚染物質（有機物）が発生する可能性がある。汚染物質が内部空間６Ｓに入り込むと、例えば内部空間６Ｓの多層膜反射鏡に影響を及ぼし、露光装置ＥＸの性能が低下する可能性がある。本実施形態によれば、基板Ｐが内部空間６Ｓの外側に配置されているので、基板Ｐに起因する汚染物質による露光装置ＥＸの性能の低下を抑制できる。

また、本実施形態においては、基板ステージ２が内部空間６Ｓの外側に配置されているので、基板ステージ２が内部空間６Ｓに影響を及ぼすことを抑制できる。例えば、基板ステージ２に設けられている各種部材（例えばケーブル類）から、脱ガス等、汚染物質が発生する可能性がある。その汚染物質が内部空間６Ｓに入り込むと、例えば内部空間６Ｓの多層膜反射鏡に影響を及ぼし、露光装置ＥＸの性能が低下する可能性がある。本実施形態によれば、基板ステージ２が内部空間６Ｓの外側に配置されているので、基板ステージ２に起因する汚染物質による露光装置ＥＸの性能の低下を抑制できる。

また、基板ステージ２を外部空間２４に配置することによって、その基板ステージ２の調整処理、メンテナンス処理等を円滑に実行することができる。基板ステージ２が内部空間６Ｓに配置されている場合、基板ステージ２のメンテナンス処理等を実行するために、内部空間６Ｓの真空状態を一旦解除しなければならない可能性が高くなる。その場合、そのメンテナンス処理等の終了後、内部空間６Ｓを真空状態に再調整するための処理が必要となる。そのような処理は時間がかかり、その結果、露光装置ＥＸの稼動率が低下する可能性がある。本実施形態においては、基板ステージ２が外部空間２４に配置されているので、内部空間６Ｓの真空状態を維持したまま、基板ステージ２の調整処理、メンテナンス処理等を円滑に実行できる。したがって、露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑制できる。

なお、本実施形態においては、露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）は、第１開口１１と基板Ｐの表面との間において、空気中を進行することになるが、その空気中を進行する距離を抑えることによって、露光光ＥＬの減衰を抑えることができる。

図６は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が所定空間を進行するときの、所定空間の圧力（空気の密度）と、透過率と、進行距離（光路長）との関係を導出したシミュレーション結果を示す図である。光路長が１０μｍ、１００μｍ、１ｍｍ、１ｃｍ、１０ｃｍ、１ｍ、１０ｍそれぞれにおける、圧力と透過率との関係を導出した。図６に示すように、圧力が高い（空気の密度が高い）場合でも、光路長が十分に短ければ、透過率の低下を十分に抑制することができる。例えば圧力が１×１０^５〔Ｐａ〕である場合、光路長を１００μｍ程度にすることによって、５０％程度の透過率を維持することができる。

すなわち、第１開口１１と基板Ｐの表面との距離（光路長）を十分に短くすることによって、許容レベルの光量の露光光ＥＬで基板Ｐを露光することができる。また、第１開口１１を開ける時間、第１、第２真空システム９、１０による単位時間当たりの排気量等を調整することによって、内部空間６Ｓに外部空間２４のガス（空気）が入り込む量を許容レベルに抑えることができる。

一例として、本実施形態においては、第１開口１１（第１開口１１の下端）と基板Ｐの表面との距離は、１００μｍ程度に調整されている。開閉機構１２で第１開口１１を閉じているとき、基板Ｐの表面の近傍は大気圧であるが、第１開口１１を開けたとき、内部空間６Ｓへの空気の流入により、基板Ｐの表面の近傍は、大気圧よりも減圧された状態となる。これにより、ＥＵＶ光の減衰が抑制される。

また、第１開口１１を開けると、内部空間６Ｓに空気が流入するが、その流入する空気が内部空間６Ｓの圧力（真空度）に及ぼす影響は、以下のように概算することができる。なお、以下の説明は、「堀越源一、真空技術第２版、東京大学出版会、1983」の記載に基づく。

第１開口１１に入射する気体の分子は、

で与えられる。これを体積で表現すると、

となる。
Ｔ＝２９３Ｋ（２０℃）、Ｍ＝２９（空気）とすると、

となる。

第１開口１１の幅を２ｍｍ、長さを２６ｍｍとすると、面積は、約０．５ｃｍ^２となる。したがって、第１開口１１を通過して内部空間６Ｓに流入する単位時間あたりの空気の量は、約５．８〔ｌ／ｓ〕となる。

また、光源装置３（レーザ装置１３）のパルス波形の周期Ｔを、０．２ｍｓ、パルス幅（発光時間）Ｔ１を、１０ｎｓとすると、デューティー比（周期Ｔに対する発光時間Ｔ１の比）は、５×１０^−５となる。したがって、１回の開口動作で、第１開口１１を通過して内部空間６Ｓに流入する空気の量は、約２．９×１０^−４〔ｌ／ｓ〕となる。すなわち、１回の開口動作で、一気圧（約１×１０^５〔Ｐａ〕）の空気が、約２．９×１０^−４〔ｌ／ｓ〕だけ内部空間６Ｓに流入することとなる。これを圧力を考慮した表現にすると、約２９〔Ｐａｌ／ｓ〕となる。このように、発光時間Ｔ１が小さい場合、第１開口１１が開いている時間も短くなり、内部空間６Ｓに流入する空気の量を十分に抑制することができる。

第１、第２真空システム９、１０による内部空間６Ｓからの単位時間当たりの排気量を、５００００〔ｌ／ｓ〕とすると、第１開口１１を介して流入する空気による内部空間６Ｓの圧力の上昇量は、６×１０^−４〔Ｐａ〕となる。例えば、内部空間６Ｓの圧力の許容値が、１×１０^−２〔Ｐａ〕である場合、内部空間６Ｓの圧力を十分に許容レベル以下に抑えることができる。

なお、本実施形態においては、光源装置が、ＬＰＰ方式の光源装置である場合を例にして説明したが、所定ガス中で放電を発生させて、その所定ガスをプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させる放電生成プラズマ光源装置、所謂ＤＰＰ（Discharge Produced Prasma）方式の光源装置であってもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図７は、第２実施形態に係る開閉機構１２Ｂの近傍を示す図である。図７に示すように、本実施形態においては、開閉機構１２Ｂのプレート部材２５は、内部空間６Ｓの内側に配置されている。また、駆動装置２６も、内部空間６Ｓの内側に配置されている。本体チャンバ６に形成されている第１開口１１は、プレート部材２５の第２開口２７よりも基板Ｐに近い位置に配置されている。本実施形態においては、第１開口１１が、基板Ｐ上における露光光ＥＬの照射領域（露光領域、投影領域）を定める。

本実施形態においても、内部空間６Ｓに外部空間２４のガス（空気）が入り込むことを抑制して、基板Ｐを良好に露光することができる。また、本実施形態によれば、駆動装置２６等を基板Ｐから離すことができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図８は、第３実施形態に係る開閉機構１２Ｂの近傍を示す図である。上述の第２実施形態と同様、開閉機構１２Ｂのプレート部材２５及び駆動装置２６は、内部空間６Ｓの内側に配置されている。

本実施形態においては、本体チャンバ６と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に、第１開口１１と接続されるバッファ空間３０Ｓを形成する中間部材３０が設けられている。中間部材３０は、第１開口１１と一致する第３開口３１と、基板Ｐの表面と対向可能な第４開口３２とを有する。第２開口２７及び第１開口１を通過した露光光ＥＬは、第３開口３１を介してバッファ空間３０Ｓに入射し、第４開口３２を介して、基板Ｐの表面に入射する。

また、本実施形態においては、バッファ空間３０Ｓの圧力を調整する圧力調整装置３３が設けられている。圧力調整装置３３は、バッファ空間３０Ｓの圧力を、少なくとも大気圧より低くなるように調整する。本実施形態においては、バッファ空間３０Ｓは、大気圧よりも低く、内部空間６Ｓの圧力よりも高い圧力に調整される。

本実施形態においても、内部空間６Ｓに外部空間２４のガス（空気）が入り込むことを抑制して、基板Ｐを良好に露光することができる。また、本実施形態によれば、本体チャンバ６の下面と基板Ｐの表面との間（中間部材３０の横）に空間が形成されるので、その空間に、例えばＦＩＡ方式のアライメント装置等、所定の機器を配置することができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図９は、第９実施形態に係る露光装置ＥＸを示す図である。上述の第１〜第３実施形態においては、基板ステージ２が外部空間２４に配置される場合を例にして説明したが、本実施形態の特徴的な部分は、マスクステージ１が外部空間２４に配置される点にある。なお、本実施形態では、基板ステージ２も外部空間２４に配置される。

図９に示すように、本実施形態に係る露光装置ＥＸは、本体チャンバ６の所定位置に形成された第５開口４１と、光源装置３の発光と同期して、第５開口４１を開閉する開閉機構４２とを備えている。開閉機構４２は、上述の実施形態で説明した開閉機構１２と同等の構成を有する。開閉機構４２は、第５開口４１の近傍で、第５開口４１に対して移動可能であり、第５開口４１よりも大きいプレート部材４３と、プレート部材４３を移動する駆動装置４４とを備えている。プレート部材４３には、第６開口４５が形成されている。

第５開口４１は、内部空間６Ｓに収容されている照明光学系ＩＬから射出された露光光ＥＬが入射可能な位置に形成されている。第５開口４１を通過した露光光ＥＬは、内部空間６Ｓの外側の外部空間２４に射出される。マスクステージ１は、内部空間６Ｓの外側で、マスクＭを保持しながら第５開口４１と対向する位置に移動可能である。第５開口４１と対向する位置に、マスクステージ１に保持されているマスクＭが配置されることによって、照明光学系ＩＬから射出され、第５開口４１を通過した露光光ＥＬが、マスクＭに照射される。

発光装置３から露光光ＥＬが発光されるとき、開閉機構４２は、第５開口４１を開ける。これにより、照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、第５開口４１及び第６開口４５を通過して、マスクＭに照射される。本実施形態においては、マスクＭの反射面に入射して、その反射面で反射した露光光ＥＬは、第６開口４５及び第５開口４１を通過して、内部空間６Ｓに入射する。内部空間６Ｓに入射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬに入射され、その投影光学系ＰＬを進行した露光光ＥＬは、第１開口１１及び第２開口２７を介して、基板Ｐに照射される。

本実施形態によれば、マスクステージ１が外部空間２４に配置されているので、例えば内部空間６Ｓの真空状態を維持したまま、マスクステージ１のメンテナンス処理等を円滑に実行でき、露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑制できる。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、第５実施形態に係る露光装置ＥＸを示す図である。図１０に示すように、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、照明光学系ＩＬの射出面と接続された第１チャンバ５１と、投影光学系ＰＬの入射面に接続された第２チャンバ５３と、投影光学系ＰＬの射出面に接続された第３チャンバ５５とを備えている。第１チャンバ５１の内部空間、第２チャンバ５３の内部空間、及び第３チャンバ５５の内部空間のそれぞれは、不図示の真空システムによって、真空状態に調整される。

本実施形態においては、照明光学系ＩＬの複数の光学素子（多層膜反射鏡）は、密閉され、真空状態に調整されている鏡筒（チャンバ）の内部空間に収容されている。投影光学系ＰＬの複数の光学素子（多層膜反射鏡）は、密閉され、真空状態に調整されている鏡筒（チャンバ）の内部空間に収容されている。

第１チャンバ５１、第２チャンバ５３、及び第３チャンバ５５のそれぞれは、パイプ状の部材である。照明光学系ＩＬの射出面より射出された露光光ＥＬは、第１チャンバ５１を通過し、第１チャンバ５１の開口５２より射出される。開口５２より射出された露光光ＥＬは、マスクステージ１に保持されているマスクＭの反射面に照射される。マスクＭの反射面に照射され、そのマスクＭの反射面で反射した露光光ＥＬは、第２チャンバ５３の開口５４より第２チャンバ５３に入射する。第２チャンバ５３を通過した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの入射面に入射し、投影光学系ＰＬの射出面より射出される。投影光学系ＰＬの射出面より射出された露光光ＥＬは、第３チャンバ５５を通過し、第３チャンバ５５の開口５６より射出される。開口５６より射出された露光光ＥＬは、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面に照射される。

本実施形態の露光装置ＥＸは、発光装置３の発光と同期して、第１、第２チャンバ５１、５３の開口５２、５４を開閉する開閉機構４２Ｃを備えている。開閉機構４２Ｃは、開口５２、５４に対して移動可能なプレート部材４３Ｃと、プレート部材４３Ｃを移動可能な駆動装置（不図示）とを含む。プレート部材４３Ｃは、開口４５Ｃを有する。第１、第２チャンバ５１、５３の開口５２、５４とプレート部材４３Ｃの開口４５Ｃとが一致するように、プレート部材４３Ｃが移動することによって、マスクＭの反射面に露光光ＥＬを照射でき、マスクＭの反射面で反射した露光光ＥＬを投影光学系ＰＬに入射させることができる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、発光装置３の発光と同期して、第３チャンバ５５の開口５６を開閉する開閉機構１２Ｃを備えている。開閉機構１２Ｃは、開口５５に対して移動可能なプレート部材２５Ｃと、プレート部材２５Ｃを移動可能な駆動装置（不図示）とを含む。プレート部材２５Ｃは、開口２７Ｃを有する。第３チャンバ５５の開口５６とプレート部材２５Ｃの開口２７Ｃとが一致するように、プレート部材２５Ｃが移動することによって、基板Ｐの表面に露光光ＥＬを照射できる。

本実施形態においても、基板Ｐを良好に露光できるとともに、マスクステージ１、基板ステージ２のメンテナンス処理等を円滑に実行でき、露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑制できる。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１１は、第６実施形態に係る露光装置ＥＸを示す図である。本実施形態の特徴的な部分は、光源装置３からの露光光ＥＬが入射可能な位置に形成されている開口２２を、光源装置３の発光と同期して開閉する開閉機構６０を設けた点にある。

図１１において、露光装置ＥＸは、中間集光点２０の近傍に配置される開口２２を開閉する開閉機構６０を備えている。開閉機構６０は、開口２２の近傍で開口２２に対して移動可能であり、開口２２よりも大きいプレート部材６１と、プレート部材６１を移動する駆動装置（不図示）とを含み、光源装置３の発光に同期して、開口２２を開閉する。開閉機構６０は、発光装置３が露光光ＥＬを発光しているとき、開口２２を開け、発光装置３が露光光ＥＬを発光していないとき、開口２２を閉じる。

プレート部材６１は、露光光ＥＬが通過可能な開口６２を有する。開閉機構６０の開口６２と、中間集光点２０の開口２２とが一致するように、プレート部材６１が移動することによって、光源装置３からの露光光ＥＬは、開口６２、２２を通過可能である。

光源装置３においては、プラズマ化されたターゲット材料（キセノンガス）により、例えば供給部材１５がスパッタリングされ、汚染物質（異物）が発生する可能性がある。その汚染物質が本体チャンバ６の内部空間６Ｓに侵入すると、照明光学系ＩＬ、投影光学系ＰＬの光学素子（多層膜反射鏡）等に影響を及ぼす可能性がある。

また、光源チャンバ７の内部空間７Ｓにおけるプラズマ発生時に、ターゲット材料から粒子（デブリ）等の汚染物質が飛散する可能性もある。その汚染物質が本体チャンバ６の内部空間６Ｓに侵入すると、照明光学系ＩＬ、投影光学系ＰＬの光学素子（多層膜反射鏡）に影響を及ぼす可能性がある。特に、ターゲット材料としてすず（Ｓｎ）等を用いた場合、汚染物質（デブリ）が発生する可能性が高くなる。

本実施形態によれば、開閉機構６０によって、光源装置３で発生した汚染物質が、本体チャンバ６に侵入することを抑制できる。したがって、本体チャンバ６の内部空間６Ｓが汚染されることを抑制し、照明光学系ＩＬ、投影光学系ＰＬの光学素子（多層膜反射鏡）の状態を良好に維持できる。

また、光源装置３において、汚染物質（上述の異物、デブリ等を含む）を除去するために、例えばハロゲンガス等のクリーニング用ガスを光源チャンバ７の内部空間７Ｓに供給する場合、そのクリーニング用ガスが、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに侵入すると、照明光学系ＩＬ、投影光学系ＰＬの光学素子（多層膜反射鏡）に影響を及ぼす可能性がある。また、そのクリーニング用ガスによって、本体チャンバ６の内部空間６Ｓの真空度が低下する可能性もある。本実施形態によれば、開閉機構６０を用いて、クリーニング用ガスが本体チャンバ６の内部空間６Ｓに侵入することを抑制できる。なお、クリーニング用ガスが、光源装置３の集光ミラー１７に影響を及ぼす可能性があるときには、集光ミラー１７に代えて、単層膜の筒状ミラー、所謂ボルターミラーを用いるとよい。

また、例えば、照明光学系ＩＬ、投影光学系ＩＬの光学素子（多層膜反射鏡）をクリーニングするために、露光光ＥＬを照射しながら、本体チャンバ６の内部空間６Ｓに微量の酸素ガスを供給する場合、その酸素ガスが光源装置に流入すると、光源装置の性能が低下する可能性がある。例えば、光源装置として、ＤＰＰ（Discharge Produced Prasma）方式の光源装置を用いた場合、酸素ガスによって、放電電極等が腐食する（錆びる）可能性がある。光源装置の光源チャンバと、照明光学系ＩＬ及び投影光学系ＰＬが配置されている本体チャンバとの間に開閉機構を設けることによって、上述のような酸素ガスが光源装置に流入することを抑制できる。したがって、光源装置の性能の低下を抑制できる。

なお、上述の各実施形態においては、開閉機構は、プレート部材を、そのプレート部材の表面と平行な方向へ移動することによって、第１開口等を開閉させているが、例えば、開口が形成された円板を回転することによって、第１開口等を開閉させてもよい。また、開閉機構が、ヒンジ部（回動部）を有していてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、開閉機構のプレート部材が開口を有している場合を例にして説明したが、開口は無くてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、外部空間２４が大気圧の大気空間である場合を例にして説明したが、大気圧より低い圧力であってもよいし、高い圧力であってもよい。また、外部空間２４が、空気以外の気体、例えば窒素ガスで満たされた空間であってもよい。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。計測ステージを、内部空間６Ｓの外側で、第１開口１１と対向する位置に移動させることによって、計測ステージによる露光光ＥＬの計測処理を実行できる。また、計測ステージの調整処理、メンテナンス処理等を円滑に実行できる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１２に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光すること、及び露光した基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 レーザ装置の発光状態を示す模式図である。 第１実施形態に係る開閉機構の近傍を示す側断面図である。 第１実施形態に係る開閉機構を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る開閉機構の動作を説明するための図である。 圧力と透過率と光路との関係を導出したシミュレーション結果を示す図である。 第２実施形態に係る開閉機構の近傍を示す側断面図である。 第３実施形態に係る開閉機構の近傍を示す側断面図である。 第４実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第５実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第６実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

１…マスクステージ、２…基板ステージ、３…光源装置、６…本体チャンバ、６Ｓ…内部空間、７…光源チャンバ、７Ｓ…内部空間、８…中間チャンバ、８Ｓ…内部空間、１１…第１開口、１２…開閉機構、１９…発光部、２２…開口、２４…外部空間、２５…プレート部材、２７…第２開口、３０…中間部材、３０Ｓ…バッファ空間、３３…圧力調整装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明光学系、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系

Claims (18)

1. 極端紫外域の露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光をパルス状に発光する光源装置と、
   前記露光光が進行するほぼ真空状態の第１空間を形成する第１部材と、
   前記露光光が通過するように前記第１部材の少なくとも一部に形成された第１開口と、 前記発光と同期して前記第１開口を開閉する開閉機構と、を備えた露光装置。
2. 前記第１空間に、照明光学系及び投影光学系の少なくとも一方が配置される請求項１記載の露光装置。
3. 前記第１開口は、前記第１空間を進行した後の前記露光光が入射可能な位置に形成されている請求項１又は２記載の露光装置。
4. 前記第１空間の外側で移動可能な可動部材を備え、
   前記可動部材は、前記第１開口と対向する位置に移動可能である請求項３記載の露光装置。
5. 前記可動部材は、前記露光光が照射される物体を保持しながら移動可能である請求項４記載の露光装置。
6. 前記物体は、前記基板を含む請求項５記載の露光装置。
7. 前記物体は、パターンが形成されたマスクを含む請求項５記載の露光装置。
8. 前記第１空間の外側は、大気空間を含む請求項４〜７のいずれか一項記載の露光装置。
9. 前記第１部材と前記可動部材との間に、前記第１開口と接続される第２空間を形成する第２部材を備える請求項４〜８のいずれか一項記載の露光装置。
10. 少なくとも大気圧より低くなるように前記第２空間の圧力を調整する圧力調整装置を備える請求項９記載の露光装置。
11. 前記第１開口は、前記光源装置からの前記露光光が入射可能な位置に形成されている請求項１又は２記載の露光装置。
12. 前記第１開口と接続される第３空間を形成する第３部材を備え、
    前記光源装置の少なくとも一部は、前記第３空間に配置されている請求項１１記載の露光装置。
13. 前記光源装置は、ターゲット材料がプラズマ化される発光部を有し、
    前記発光部は、前記第３空間に配置されている請求項１２記載の露光装置。
14. 前記開閉機構は、前記第１開口の近傍で前記第１開口に対して移動可能であり、前記第１開口よりも大きい所定部材を含む請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
15. 前記所定部材は、前記第１空間の外側に配置されている請求項１４記載の露光装置。
16. 前記所定部材は、前記第１空間の内側に配置されている請求項１４記載の露光装置。
17. 前記所定部材は、前記露光光が通過可能な第２開口を有する請求項１４〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
18. 請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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