JP2009016729A - Pinフォトダイオードの製造方法 - Google Patents
Pinフォトダイオードの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009016729A JP2009016729A JP2007179604A JP2007179604A JP2009016729A JP 2009016729 A JP2009016729 A JP 2009016729A JP 2007179604 A JP2007179604 A JP 2007179604A JP 2007179604 A JP2007179604 A JP 2007179604A JP 2009016729 A JP2009016729 A JP 2009016729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- silicon layer
- photodiode
- film
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 171
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 171
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 171
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 PINフォトダイオード100は、P型シリコン基板と、P型のシリコン層112と、P型のシリコン層112上に形成され、シリコン層112との接合面を含むN型のシリコン層114と、シリコン層114の表面から一定の深さに形成され、シリコン層114の不純物濃度よりも不純物濃度が高いN型の低抵抗のシリコン領域116と、シリコン領域116上に形成されたシリコン酸化膜120と、シリコン酸化膜120上に形成されたシリコン窒化膜122とを有する。
【選択図】 図3
Description
さらに本発明は、青色光のような短波長の光に対して優れた光電変換効率をもつフォトダイオードおよびフォトダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
62:光源
64:スプリッタ
66、68:受光装置
70:シリコンチップ
72:周辺回路
100:PINフォトダイオード
110:P型シリコン基板
112:低濃度のP型のシリコン層
114:低濃度のN型のシリコン層
116:中濃度のN型のシリコン領域
118:フィールド酸化膜
120:シリコン酸化膜
122:シリコン窒化膜
124:高濃度のN型のコンタクト領域
126:シリサイド層
128:電極
130:高濃度のP型のコンタクト領域
132:シリサイド層
134:電極
136:多層絶縁膜
138:保護膜
150、162、164:レジストマスク
152:開口
154:イオン注入
160:ポリシリコン層
H:開口
Claims (19)
- フォトダイオードの製造方法であって、
第1導電型の第1のシリコン層上に第2導電型の第2のシリコン層を形成し、
第2のシリコン層の表面から一定の深さに、第2のシリコン層よりも不純物濃度が高い第2導電型のシリコン領域を形成し、
少なくとも前記シリコン領域を含む表面にシリコン酸化膜を形成し、
前記シリコン酸化膜の一部または全部を覆う反射防止膜を形成する、
工程を含むフォトダイオードの製造方法。 - 前記シリコン酸化膜は、熱酸化により形成される、請求項1に記載のフォトダイオードの製造方法。
- 前記反射防止膜は、シリコン窒化膜である、請求項1または2に記載のフォトダイオードの製造方法。
- 前記シリコン酸化膜の膜厚は、約50〜120オングストロームであり、シリコン窒化膜の膜厚は、約400〜600オングストロームである、請求項2または3に記載のフォトダイオードの製造方法。
- シリコン窒化膜の膜厚は、青色光の波長に応じて決定される、請求項4に記載のフォトダイオードの製造方法。
- 前記シリコン領域の比抵抗は、0.02〜2オーム・cmであり、第2のシリコン層の比抵抗は、2〜4オーム・cmであり、前記シリコン領域は、第2のシリコン層の表面からの深さが約0.5ミクロンであり、第2のシリコン層は、前記深さの約2倍の厚さである、請求項1に記載のフォトダイオードの製造方法。
- 前記シリコン領域は、不純物をイオン注入することによって形成される、請求項1または6に記載のフォトダイオードの製造方法。
- 第1のシリコン層は、P型であり、第2のシリコン層は、N型である、請求項1ないし7いずれか1つに記載のフォトダイオードの製造方法。
- フォトダイオードの製造方法はさらに、前記反射防止膜を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口を形成し前記反射防止膜の少なくとも1部を露出する工程と、第1のシリコン層および第2のシリコン層にそれぞれ電気的に接続される第1および第2の電極を形成する工程とを含み、前記第1および第2の電極は、前記開口より外側に配置されている、請求項1に記載のフォトダイオードの製造方法。
- フォトダイオードとMOSトランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の第1のシリコン層上に第2導電型の第2のシリコン層を形成し、
第2のシリコン層の表面から一定の深さに、第2のシリコン層よりも不純物濃度が高い第2導電型のシリコン領域を形成し、
前記MOSトランジスタのゲート酸化膜を形成するときに、当該ゲート酸化膜を上記シリコン領域の表面に形成し、
フォトダイオードの前記ゲート酸化膜の一部または全部を覆う反射防止膜を形成し、
反射防止膜上に形成された絶縁膜に開口を形成し、少なくとも反射防止膜の一部を露出する、
工程を含む半導体装置の製造方法。 - 製造方法はさらに、前記MOSトランジスタのポリシリコンゲート膜を形成するときに、当該ポリシリコンゲート膜を前記ゲート酸化膜上に形成する工程を含み、前記反射防止膜は、前記ポリシリコンゲート膜を除去した後に形成される、請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート酸化膜の膜厚は、約50〜120オングストロームであり、前記反射防止膜は、膜厚が約400〜600オングストロームのシリコン窒化膜である、請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン領域の比抵抗は、0.02〜2オーム・cmであり、第2のシリコン層の表面からの深さが約0.5ミクロンである、請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
基板上に形成された第1導電型の第1のシリコン層と、
第1のシリコン層上に形成され、第1のシリコン層との接合面を含む第2導電型の第2のシリコン層と、
第2のシリコン層の表面から一定の深さに形成され、第2のシリコン層の不純物濃度よりも不純物濃度が高い第2導電型のシリコン領域と、
前記シリコン領域上に形成されたシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜上に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜の少なくとも一部を露出する開口が形成された絶縁膜と、
を有するフォトダイオード。 - フォトダイオードはさらに、前記開口よりも外側に第1および第2の電極を有し、第1の電極は、第1のシリコン層に電気的に接続され、第2の電極は、第2のシリコン層に電気的に接続される、請求項14に記載のフォトダイオード。
- 前記シリコン酸化膜の膜厚は、約50〜120オングストロームであり、前記反射防止膜は、約400〜600オングストロームのシリコン窒化膜である、請求項14に記載のフォトダイオード。
- シリコン窒化膜の膜厚は、青色光の波長に応じて決定される、請求項16に記載のフォトダイオード。
- 請求項14ないし17いずれか1つに記載のフォトダイオードを含む受光装置。
- 請求項18に記載の受光装置と、記録媒体に青色光を照射する光源とを含み、受光装置は、前記光源から出射された光の一部または前記記録媒体からの反射光を受光する、光学読取装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007179604A JP5007614B2 (ja) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Pinフォトダイオード |
US12/169,082 US8298854B2 (en) | 2007-07-09 | 2008-07-08 | Method of manufacturing PIN photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007179604A JP5007614B2 (ja) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Pinフォトダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009016729A true JP2009016729A (ja) | 2009-01-22 |
JP5007614B2 JP5007614B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=40253001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007179604A Active JP5007614B2 (ja) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Pinフォトダイオード |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8298854B2 (ja) |
JP (1) | JP5007614B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10854646B2 (en) * | 2018-10-19 | 2020-12-01 | Attollo Engineering, LLC | PIN photodetector |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006027969A1 (de) * | 2006-06-17 | 2007-12-20 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Verfahren zur selektiven Entspiegelung einer Halbleitergrenzfläche durch eine besondere Prozessführung |
JP4835658B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2011-12-14 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | Pinフォトダイオードおよびその製造方法 |
US20100163759A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Stmicroelectronics S.R.L. | Radiation sensor with photodiodes being integrated on a semiconductor substrate and corresponding integration process |
IT1392502B1 (it) * | 2008-12-31 | 2012-03-09 | St Microelectronics Srl | Sensore comprendente almeno un fotodiodo a doppia giunzione verticale integrato su substrato semiconduttore e relativo processo di integrazione |
RU2548609C1 (ru) * | 2013-12-06 | 2015-04-20 | Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ |
RU2541416C1 (ru) * | 2014-02-04 | 2015-02-10 | Открытое акционерное общество "НПО "Орион" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА |
RU2654998C1 (ru) * | 2017-03-28 | 2018-05-23 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента |
RU2654961C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-23 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ изготовления многоплощадочного быстродействующего кремниевого pin-фоточувствительного элемента |
CN107240611B (zh) * | 2017-06-02 | 2019-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光电探测器件及其制备方法、触控基板及显示面板 |
CN111463226A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-07-28 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 光电集成器件及其制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09219534A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-08-19 | Sony Corp | 受光素子、光ピツクアツプ及び半導体装置製造方法 |
JP2000049320A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Victor Co Of Japan Ltd | 集積化受光素子の製造方法 |
JP2003037259A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003264309A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Toshiba Corp | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
JP2003264310A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 受光素子内蔵型半導体装置の製造方法及び受光素子内蔵型半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6580109B1 (en) * | 2002-02-01 | 2003-06-17 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated circuit device including two types of photodiodes |
KR100572853B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-04-24 | 한국전자통신연구원 | 반도체 광센서 |
JP4756839B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
DE102006027969A1 (de) * | 2006-06-17 | 2007-12-20 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Verfahren zur selektiven Entspiegelung einer Halbleitergrenzfläche durch eine besondere Prozessführung |
US20110031381A1 (en) * | 2007-12-28 | 2011-02-10 | Hiok-Nam Tay | Light guide array for an image sensor |
-
2007
- 2007-07-09 JP JP2007179604A patent/JP5007614B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-08 US US12/169,082 patent/US8298854B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09219534A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-08-19 | Sony Corp | 受光素子、光ピツクアツプ及び半導体装置製造方法 |
JP2000049320A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Victor Co Of Japan Ltd | 集積化受光素子の製造方法 |
JP2003037259A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003264309A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Toshiba Corp | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
JP2003264310A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 受光素子内蔵型半導体装置の製造方法及び受光素子内蔵型半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10854646B2 (en) * | 2018-10-19 | 2020-12-01 | Attollo Engineering, LLC | PIN photodetector |
US11676976B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-06-13 | Attollo Engineering, LLC | PIN photodetector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5007614B2 (ja) | 2012-08-22 |
US8298854B2 (en) | 2012-10-30 |
US20090016200A1 (en) | 2009-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5007614B2 (ja) | Pinフォトダイオード | |
JP3717104B2 (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
JP4770857B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7538404B2 (en) | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2002203954A (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
US7736923B2 (en) | Optical semiconductor device and method for fabricating the same | |
JP2009033043A (ja) | 光半導体装置 | |
US20090115016A1 (en) | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US6492702B2 (en) | Circuit-incorporating light receiving device | |
JP4835658B2 (ja) | Pinフォトダイオードおよびその製造方法 | |
JP2010103221A (ja) | 光半導体装置 | |
KR100898621B1 (ko) | 향상된 감도를 가진 광반도체장치 | |
JP4858367B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
US20040126922A1 (en) | Photo diode, opto-electronic integrated circuit device comprising the same, and method for manufacturing the same | |
JP2006210494A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2010183032A (ja) | 受光素子、半導体装置とその製造方法、光ピックアップ装置及び光ディスク記録再生装置 | |
JP4770864B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2005019947A (ja) | 受光素子および増幅素子が一体形成された半導体装置およびその製造方法 | |
JP4410071B2 (ja) | 赤外線固体撮像装置 | |
JP2007250917A (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
JP4816602B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2003037259A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002118280A (ja) | 半導体受光装置 | |
JP2007134457A (ja) | 光検出器 | |
JP2005251805A (ja) | 半導体受光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090924 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100628 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120501 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120514 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5007614 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |