JP2009016028A - 変更された読み出し電圧を用いるマルチレベルセルを含む不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 82
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
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- G11C11/5642—Sensing or reading circuits; Data output circuits
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- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
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- G11C16/30—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
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- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3404—Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells
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Abstract
【解決手段】前記方法は、前記装置に格納され、読み出し電圧に関連したデータをアクセスするステップと、前記マルチレベル不揮発性メモリ装置に対する読み出し動作に応じて多数のマルチレベル不揮発性メモリセルに印加された前記読み出し電圧を変更して、前記セルにより格納された状態の間を区別するステップとを含むことができる。
【選択図】図3
Description
110 マルチレベルセルアレイ
120 ページバッファ回路
130 列ゲート回路
140 読み出し電圧調整回路
150 命令レジスタ及び制御ロジック回路
160 高電圧発生器回路
170 行デコーダ回路
Claims (23)
- マルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法であって、
前記装置に格納された読み出し電圧に関連したデータをアクセスするステップと、
読み出し動作に応じて、複数のマルチレベルメモリセルにより格納された状態を識別するための前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルに印加される前記読み出し電圧を調整するステップと、を含むマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記調整するステップは、
前記読み出し動作の後に受信された前記マルチレベル不揮発性メモリ装置に対する後続読み出し動作に応じて、前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルに印加される前記読み出し電圧を変更するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記調整するステップは、
前記マルチレベル不揮発性メモリ装置に対する各読み出し動作に応じて、前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルに印加された前記読み出し電圧を変更するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記調整するステップは、
前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルに関連し、第1状態に対する上部読み出し電圧限度と前記第1状態に直接隣接する第2状態に対する下部読み出し電圧限度との間のワードラインに、一定範囲の予備読み出し電圧を印加するステップと、
前記予備読み出し電圧のうちどれが最小数の前記マルチレベル不揮発性メモリセルを活性化したかを判別して、前記第1及び第2状態の間を区別するための読み出し電圧を提供するステップと、
前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すために前記ワードラインに前記読み出し電圧を印加して、読み出し命令を実行するステップと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記調整するステップは、
前記予備読み出し電圧のうち二つの間に属する前記読み出し電圧を選択するステップをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記セルにアクセスするとき後続使用のための前記読み出し電圧を格納するステップをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 前記読み出し動作は第1読み出し動作を含み、
前記最小数は第1最小数を含み、
前記読み出し電圧は第1読み出し電圧を含み、
前記動作方法は、
前記第1読み出し動作に後続する第2読み出し動作に応じて、前記ワードラインに関連した前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルからのデータを読み出すステップと、
前記上部読み出し電圧限度と前記下部読み出し電圧限度との間の前記ワードラインに前記一定範囲の予備読み出し電圧を印加するステップと、
前記予備読み出し電圧のうちどれが第2最小数の前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルを活性化したかを判別して、前記第1及び第2状態の間を区別するための第2読み出し電圧を提供するステップと、
前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すために前記ワードラインに前記第2読み出し電圧を印加して、前記第2読み出し動作を実行するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記ワードラインに一定範囲の予備読み出し電圧を印加するステップは、
前記上部読み出し電圧限度から始まる前記予備読み出し電圧を増分させて、第1増分予備読み出し電圧を提供するステップと、
前記第1増分予備読み出し電圧より小さい関連したしきい値電圧を有する前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルのうち一部を読み出して、第1読み出しデータを提供するステップと、
前記第1予備読み出し電圧を増分させて、第2増分予備読み出し電圧を提供するステップと、
前記第2増分予備読み出し電圧より小さい関連したしきい値電圧を有する前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルのうち一部を読み出して、第2読み出しデータを提供するステップと、
前記第1及び第2データの間のビットのトグル(toggling)を検出して、前記第1及び第2増分予備読み出し電圧の間の関連したしきい値電圧を有する多数の前記マルチレベル不揮発性メモリセルを判別するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記下部読み出し電圧限度に到達するまで、前記予備読み出し電圧を繰り返して増分させるステップと、
前記繰り返す増分により提供される各々の前記予備読み出し電圧に対する前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すステップと、
前記繰り返して増分した予備読み出し電圧に関連した前記セルのうちどれが最小数の前記セルを活性化したかを前記読み出し過程を通じて判別して、前記第1及び第2状態の間を区別するための前記読み出し電圧を提供するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記ワードラインに一定範囲の予備読み出し電圧を印加するステップは、
前記上部読み出し電圧限度から始まる前記予備読み出し電圧を増分させて、第1増分予備読み出し電圧を提供するステップと、
前記第1増分予備読み出し電圧を用いて、前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルにアクセスするステップと、
前記第1増分予備読み出し電圧より大きいしきい値電圧を有することで、前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルのうちどれが活性化されないかを判別して、オフマルチレベル不揮発性メモリセルを提供するステップと、
前記第1予備読み出し電圧を増分させて、第2増分予備読み出し電圧を提供するステップと、
前記ワードラインに前記第2増分予備読み出し電圧を印加することで、前記オフマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すステップと、
前記第2増分予備読み出し電圧の印加に応じてスイッチオンする多数の前記オフマルチレベル不揮発性メモリセルを判別して、前記第1及び第2増分予備読み出し電圧の間の関連したしきい値電圧を有する多数の前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルを判別するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - マルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法であって、
読み出し動作に応じてワードラインに関連した複数のマルチレベル不揮発性メモリセルからのデータを読み出すステップと、
ワードラインに第1状態に対する上部読み出し電圧限度と前記第1状態に直接隣接する第2状態に対する下部読み出し電圧限度の間の値を有する予備読み出し電圧を印加するステップと、
前記予備読み出し電圧のうちどれが最少数の前記マルチレベル不揮発性メモリセルを活性化したかを判別して、前記第1及び第2状態の間を区別するための読み出し電圧を提供するステップと、
前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すために、前記ワードラインに前記読み出し電圧を印加して読み出し動作を実行するステップと、
を含むことを特徴とするマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記調整するステップは、
前記予備読み出し電圧のうち二つの間に属する前記読み出し電圧を選択するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記セルにアクセスするとき後続使用のための前記読み出し電圧を格納するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 前記下部読み出し電圧限度に到達するまで、前記予備読み出し電圧を繰り返して増分させるステップと、
前記繰り返す増分により提供される各々の前記予備読み出し電圧に対する前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すステップと、
前記繰り返して増分した予備読み出し電圧に関連した前記セルのうちどれが最小数の前記セルを活性化したかを前記読み出し過程を通じて判別して、前記第1及び第2状態の間を区別するための前記読み出し電圧を提供するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記読み出し動作は第1読み出し動作を含み、
前記最小数は第1最小数を含み、
前記読み出し電圧は第1読み出し電圧を含み、
前記動作方法は、
前記第1読み出し動作に後続する第2読み出し動作を受信して、前記ワードラインに関連した前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルからのデータを読み出すステップと、
前記上部読み出し電圧限度と前記下部読み出し電圧限度との間の前記ワードラインに前記一定範囲の予備読み出し電圧を印加するステップと、
前記予備読み出し電圧のうちどれが第2最小数の前記マルチレベル不揮発性メモリセルを活性化したかを判別して、前記第1及び第2状態の間を区別するための第2読み出し電圧を提供するステップと、
前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すために前記ワードラインに前記第2読み出し電圧を印加して、前記第2読み出し動作を実行するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記ワードラインに一定範囲の予備読み出し電圧を印加するステップは、
前記上部読み出し電圧限度から始まる前記予備読み出し電圧を増分させて、第1増分予備読み出し電圧を提供するステップと、
前記第1増分予備読み出し電圧より小さい関連したしきい値電圧を有する前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルのうち一部を読み出して、第1読み出しデータを提供するステップと、
前記第1予備読み出し電圧を増分させて、第2増分予備読み出し電圧を提供するステップと、
前記第2増分予備読み出し電圧より小さい関連したしきい値電圧を有する前記複数のマルチレベル不揮発性メモリセルのうち一部を読み出して、第2読み出しデータを提供するステップと、
前記第1及び第2データの間のビットのトグルを検出して、前記第1及び第2増分予備読み出し電圧の間の関連したしきい値電圧を有する多数の前記マルチレベル不揮発性メモリセルを判別するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記ワードラインに一定範囲の予備読み出し電圧を印加するステップは、
前記上部読み出し電圧限度から始まる前記予備読み出し電圧を増分させて、第1増分予備読み出し電圧を提供するステップと、
前記第1増分予備読み出し電圧を用いて、前記多数のマルチレベル不揮発性メモリセルにアクセスするステップと、
前記第1増分予備読み出し電圧より大きいしきい値電圧を有することで、前記多数のマルチレベル不揮発性メモリセルのうちどれが活性化されないかを判別して、オフマルチレベル不揮発性メモリセルを提供するステップと、
前記第1予備読み出し電圧を増分させて、第2増分予備読み出し電圧を提供するステップと、
前記ワードラインに前記第2増分予備読み出し電圧を印加することで、前記オフマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すステップと、
前記第2増分予備読み出し電圧の印加に応じてスイッチオンする多数の前記オフマルチレベル不揮発性メモリセルを判別して、前記第1及び第2増分予備読み出し電圧の間の関連したしきい値電圧を有する多数の前記マルチレベル不揮発性メモリセルを判別するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のマルチレベル不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 不揮発性メモリ装置であって、
各々のワードラインに関連したマルチレベル不揮発性メモリセルのアレイと、
読み出し動作の間に前記各々のワードラインを介して前記マルチレベル不揮発性メモリセルのアレイに読み出し電圧を提供する高電圧発生器回路と、
前記読み出し動作の間に前記マルチレベル不揮発性メモリセルの行を選択する行デコーダ回路と、
列(column)アドレスに応じて前記読み出し動作の間に前記行アドレスにより選択された前記マルチレベル不揮発性メモリセルのアレイにおけるセルから読み出しデータを受信する列ゲート(gating)回路と、
前記不揮発性メモリ装置に対する前記読み出し動作に応じて、前記セルのうちアドレスされたセルに印加される前記読み出し電圧を変更して、前記セルにより格納された状態の間を区別する読み出し電圧調整回路と、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記読み出し電圧調整回路は、
アドレスされたワードラインを用いて前記アドレスされたセルからのデータを読み出し、第1状態に対する上部読み出し電圧限度と前記第1状態に直接隣接する第2状態に対する下部読み出し電圧限度との間の前記ワードラインに一定範囲の予備読み出し電圧を印加し、前記予備読み出し電圧のうちどれが最小数の前記マルチレベル不揮発性メモリセルを活性化したかを判別して、前記第1及び第2状態の間を区別するための読み出し電圧を提供し、
前記高電圧発生器回路は、前記多数のマルチレベル不揮発性メモリセルを読み出すための前記アドレスされたワードラインに前記読み出し電圧を印加して、前記読み出し動作を実行させることを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記読み出し電圧調整回路は、
前記予備読み出し電圧のうち二つの間に属する前記読み出し電圧を選択することを特徴とする請求項19に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記高電圧発生器回路は、
前記セルにアクセスするとき後続使用のために前記読み出し電圧を格納することを特徴とする請求項19に記載の不揮発性メモリ装置。 - 電子システムであって、
電子システムの動作を調整するプロセッサと、
前記プロセッサに電気的に結合し、前記プロセッサの動作に応じてデータを格納し復旧する揮発性メモリと、
前記プロセッサに電気的に結合し、前記プロセッサと外部システムの間に通信を提供するシステムインタフェースと、
前記プロセッサに電気的に結合し、少なくとも一つの不揮発性メモリ装置を備える不揮発性メモリと、を含み、
前記少なくとも一つの不揮発性メモリ装置は、
各々のワードラインに関連したマルチレベル不揮発性メモリセルのアレイと、
読み出し動作の間に前記各々のワードラインを介して前記マルチレベル不揮発性メモリセルのアレイに読み出し電圧を提供する高電圧発生器回路と、
前記読み出し動作の間に前記マルチレベル不揮発性メモリセルの行を選択する行デコーダ回路と、
列アドレスに応じて前記読み出し動作の間に前記行アドレスにより選択された前記マルチレベル不揮発性メモリセルのアレイにおけるセルから読み出しデータを受信する列ゲート回路と、
前記不揮発性メモリ装置に対する前記読み出し動作に応じて、前記セルのうちアドレスされたセルに印加される前記読み出し電圧を変更して、前記セルにより格納された状態の間を区別する読み出し電圧調整回路と、を含むことを特徴とする電子システム。 - メモリカードであって、
前記メモリカードの動作を調整する不揮発性メモリコントローラと、
前記不揮発性メモリコントローラと電気的に連結される不揮発性メモリと、を含み、
前記不揮発性メモリ装置は、
各々のワードラインに関連したマルチレベル不揮発性メモリセルのアレイと、
読み出し動作の間に前記各々のワードラインを介して前記マルチレベル不揮発性メモリセルのアレイに読み出し電圧を提供する高電圧発生器回路と、
前記読み出し動作の間に前記マルチレベル不揮発性メモリセルの行を選択する行デコーダ回路と、
列アドレスに応じて前記読み出し動作の間に前記行アドレスにより選択された前記マルチレベル不揮発性メモリセルのアレイにおけるセルから読み出しデータを受信する列ゲート回路と、
前記不揮発性メモリ装置に対する前記読み出し動作に応じて、前記セルのうちアドレスされたセルに印加される前記読み出し電圧を変更して、前記セルにより格納された状態の間を区別する読み出し電圧調整回路と、を含むことを特徴とするメモリカード。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070064543A KR100888842B1 (ko) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | 읽기 전압을 최적화할 수 있는 플래시 메모리 장치 및그것의 독출 전압 설정 방법 |
KR10-2007-0064543 | 2007-06-28 | ||
US12/145,279 | 2008-06-24 | ||
US12/145,279 US7936601B2 (en) | 2007-06-28 | 2008-06-24 | Non-volatile memory devices and systems including multi-level cells using modified read voltages and methods of operating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009016028A true JP2009016028A (ja) | 2009-01-22 |
JP5473264B2 JP5473264B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=40160220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008170893A Active JP5473264B2 (ja) | 2007-06-28 | 2008-06-30 | 変更された読み出し電圧を用いるマルチレベルセルを含む不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7936601B2 (ja) |
JP (1) | JP5473264B2 (ja) |
KR (1) | KR100888842B1 (ja) |
CN (2) | CN102982844B (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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