JP2009010011A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009010011A JP2009010011A JP2007167601A JP2007167601A JP2009010011A JP 2009010011 A JP2009010011 A JP 2009010011A JP 2007167601 A JP2007167601 A JP 2007167601A JP 2007167601 A JP2007167601 A JP 2007167601A JP 2009010011 A JP2009010011 A JP 2009010011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- gate
- region
- polycrystalline silicon
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
- H10B41/35—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】リソグラフィ処理のマージンを向上し、ゲート電極の特性劣化の虞を極力なくすことを可能とする。
【解決手段】一対の選択ゲート電極SG−SG間のほぼ中央のスペースに多結晶シリコン層4cをポリプラグとして選択ゲート電極SGと同じ幅で設けている。このため、多結晶シリコン層4a〜4cを形成するときに周期的に構成することができる。周期性の崩れを緩和することができリソグラフィ処理のマージンを向上することができる。
【選択図】図3A
【解決手段】一対の選択ゲート電極SG−SG間のほぼ中央のスペースに多結晶シリコン層4cをポリプラグとして選択ゲート電極SGと同じ幅で設けている。このため、多結晶シリコン層4a〜4cを形成するときに周期的に構成することができる。周期性の崩れを緩和することができリソグラフィ処理のマージンを向上することができる。
【選択図】図3A
Description
本発明は、半導体基板上のゲート絶縁膜上に対して周期的にゲート電極用の導電層を形成する方法を適用した半導体装置およびその製造方法に関する。
フラッシュメモリ装置は、電源供給されなくてもデータを保持できるため、マルチメディアカード用メモリとして広く普及している。このようなフラッシュメモリ装置は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して積層ゲート電極を行列状に配列してメモリセルを多数構成することで高集積化が図られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に示されるNAND型のフラッシュメモリ装置に開示されているように、メモリセル領域には、周期的に選択ゲート電極や浮遊ゲート電極が構成されており、当該電極の脇の半導体基板の表層にはコンタクト領域が設けられている。当該コンタクト領域に対し電圧を印加するため、半導体基板上にはコンタクトプラグが形成されている。
このような構造を製造するためには、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して選択ゲート電極や浮遊ゲート電極の構造を周期的に離間するように形成した後、例えば複数の選択ゲート電極間にコンタクトプラグを形成する必要がある。フォトリソグラフィ技術を用いて形成するには当該ゲート電極構造を同一間隔で周期的に形成すると、リソグラフィ処理マージンを確保できるため好ましいが、選択ゲート電極や浮遊ゲート電極の導電層構造が異なる間隔で離間した構造を採用すると、当該離間領域においては周期性を確保して形成することが困難である。
近年、素子の微細化、設計ルールの縮小化が顕著であり、選択ゲート電極間や浮遊ゲート電極間の間隔が一層狭くなると、さらにマージンを確保することが困難となる。すると、例えば選択ゲート電極の寸法を制御することが難しく、選択ゲート電極の特性劣化の虞を生じる。尚、上述の問題は浮遊ゲート電極や選択ゲート電極を具備したフラッシュメモリ装置に限らず、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して周期的にゲート電極構造が配設された半導体装置にも同様に生じる問題となる。
特開2001−196477号公報(図6、図77等)
本発明は、リソグラフィ処理のマージンを向上した半導体装置の製造方法と当該製造方法によって製造された半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、半導体基板と、前記半導体基板上に所定方向に沿って複数併設されたメモリセルトランジスタ用の第1のゲート電極であって、所定の膜厚を有する多結晶シリコン層からなる浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極の上方に設けられた制御ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極と前記制御ゲート電極との間に設けられたゲート間絶縁膜とを有する第1のゲート電極と、前記所定方向に沿って前記複数の第1のゲート電極に隣接して前記半導体基板上に設けられた一対の選択ゲートトランジスタ用の第2のゲート電極であって、前記所定の膜厚と同じ膜厚を有する多結晶シリコン層からなる下層ゲート電極と、この下層ゲート電極の上方に設けられた上層ゲート電極とを有する一対の第2のゲート電極と、前記一対の第2のゲート電極間に位置して前記半導体基板上に設けられたポリプラグであって、前記所定の膜厚と同じ膜厚を有する多結晶シリコン層からなるポリプラグと、前記ポリプラグ上に設けられた金属プラグとを備えた半導体装置を提供する。
本発明の一態様は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に第1間隔で周期的に第1のゲート電極用の複数の第1の導電層を形成すると同時に、前記第1のゲート電極の周期的配設方向に並設して前記第1間隔よりも広い第2間隔で前記ゲート絶縁膜上に第2のゲート電極用の複数の第2の導電層を形成する工程であって、前記第2間隔の複数の第2の導電層間に位置して前記半導体基板上に構造的に接触するコンタクトプラグ用の第3の導電層を同時に形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の一態様は、メモリセルトランジスタ形成領域、このメモリセルトランジスタ形成領域に隣接した選択ゲートトランジスタ形成領域およびこの選択ゲートトランジスタ形成領域に隣接したコンタクト領域を有する半導体基板を備えた半導体装置の製造方法において、前記メモリセルトランジスタ形成領域、前記選択ゲートトランジスタ形成領域および前記コンタクト領域の前記半導体基板上にそれぞれゲート絶縁膜を形成する工程と、前記コンタクト領域上の前記ゲート絶縁膜を除去する工程と、前記ゲート絶縁膜が除去された前記コンタクト領域の前記半導体基板上と、前記メモリセルトランジスタ形成領域および前記選択ゲートトランジスタ形成領域の前記ゲート絶縁膜上にそれぞれ同一膜厚で第1の多結晶シリコン層を形成する工程と、前記メモリセルトランジスタ形成領域および前記選択ゲートトランジスタ形成領域ならびに前記コンタクト領域の前記第1の多結晶シリコン層上にゲート間絶縁膜を介して第2の多結晶シリコン層をそれぞれ同一膜厚で形成する工程と、前記メモリセルトランジスタ形成領域と前記選択ゲートトランジスタ形成領域との間および前記選択ゲートトランジスタ形成領域と前記コンタクト領域との間の、前記第1および第2の多結晶シリコン層ならびに前記ゲート間絶縁膜を除去する工程と、前記コンタクト領域の前記第2の多結晶シリコン層および前記ゲート間絶縁膜を除去し、前記第1の多結晶シリコン層を露出する工程と、前記露出した第1の多結晶シリコン層上に金属プラグを形成する工程とを具備した半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の一態様によれば、リソグラフィ処理のマージンを大きくすることができる。
以下、本発明の半導体装置を、NAND型フラッシュメモリ装置に適用した一実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に参照する図面内の記載において、同一または類似の部分には同一又は類似の符号を付して表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との比率、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。尚、図面中の各ゲート電極やコンタクトプラグなどの各構成要素間の特に平面寸法(特にY方向)割合については本実施形態の特徴に関わるため、実際の割合とほぼ同一としている。
図1は、NAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域に構成されるメモリセルアレイの一部の等価回路図を示しており、図2は、メモリセル領域の構造を模式的な平面図によって示している。
半導体装置としてのNAND型のフラッシュメモリ装置1は、メモリセル領域Mおよび周辺回路領域(図示せず)の両領域に区画されている。図1に示すように、メモリセル領域MにはメモリセルアレイArが構成されており、図3Cに示すように、周辺回路領域Pには当該メモリセルアレイArを駆動したりその他の動作を行うための周辺回路用のトランジスタTrPが構成されている。尚、周辺回路は、メモリセルに記憶されるデータを読出/書込などを行うために設けられている。
NAND型のフラッシュメモリ装置1のメモリセル領域MのメモリセルアレイArは、2(複数)個の選択ゲートトランジスタTrs1およびTrs2と、当該選択ゲート電極Trs1およびTrs2間に直列接続された複数個(例えば32個:2のn乗個(nは正の整数))のメモリセルトランジスタTrmとからなるNANDセルユニットSuが行列状に形成されることにより構成されている。このNANDセルユニットSu内において、複数個のメモリセルトランジスタTrmは、隣接するもの同士でソース/ドレイン領域(図示せず)を共用して形成されている。
図1中、X方向(ワード線方向)に配列されたメモリセルトランジスタTrmは、ワード線(コントロールゲート線)WLにより共通接続されている。また、図1中X方向に配列された選択ゲートトランジスタTrs1は選択ゲート線SGL1で共通接続されている。同様に、図1中X方向に配列された選択ゲートトランジスタTrs2は選択ゲート線SGL2で共通接続されている。
選択ゲートトランジスタTrs1のドレイン領域にはビット線コンタクトCBが接続されている。このビット線コンタクトCBは図1中X方向に直交交差するY方向(ビット線方向に相当)に延伸するビット線BLに接続されている。また、選択ゲートトランジスタTrs2はソース領域を介して図1中X方向に延伸するソース線SLに接続されている。
図1に示すように、NANDセルユニットSuはX方向に複数並設されているが、これらX方向に並設されたNANDセルユニットSuがブロックB1を構成しており、当該ブロックB1がY方向に複数構成されている。これらのブロックB1はブロック毎に消去/読出/書込可能に構成されている。ブロックB1のY方向に隣接して、ブロックB1と同一構造のブロックB2が配設されている。
図2は、メモリセル領域の一部のレイアウトパターンを模式的に示す平面図である。
半導体基板としてのシリコン基板2には、STI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離領域Sbが図2中Y方向に沿って形成されている。この素子分離領域Sbは、Y方向に直交するX方向に所定間隔で複数本形成されており、これにより素子領域(活性領域)Saが図2中X方向に分離して構成されている。
半導体基板としてのシリコン基板2には、STI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離領域Sbが図2中Y方向に沿って形成されている。この素子分離領域Sbは、Y方向に直交するX方向に所定間隔で複数本形成されており、これにより素子領域(活性領域)Saが図2中X方向に分離して構成されている。
メモリセルトランジスタTrmのワード線WLが、素子領域Saの延伸方向と直交する図2中X方向に沿って複数本形成されている。ワード線WLのY方向の幅はワード線WL間の距離Fと等しく形成されている。ワード線WLと交差する素子領域Sa上には、それぞれ、メモリセルトランジスタTrmのゲート電極MGが構成されている。このゲート電極MGは、X方向に所定間隔に形成された素子領域Sa上に配置されると共に、Y方向に延出する素子領域Sa上に距離Fをもって並設されることで、メモリセル領域M内においてマトリックス状に配置される。
選択ゲート線SGL1が、図2中X方向に沿ってワード線WLと平行に形成されている。選択ゲート線SGL1のY方向の幅はワード線WLの幅Fの3倍(3F)となるよう形成されている。また、選択ゲート線SGL1とワード線WLとの間の距離はワード線WL間の距離Fと等しく形成されている。一対の選択ゲート線SGL1間の素子領域(活性領域)Sa上にはビット線コンタクトCBがそれぞれ形成されている。ビット線コンタクトCBは、一対の選択ゲート線SGL1間の素子領域(活性領域)Sa上に図2中X方向に沿って形成されている。多結晶シリコン層4cのY方向の幅は選択ゲート線SGL1の幅3Fと等しく形成されている。さらに、多結晶シリコン層4cと選択ゲート線SGL1との間の距離はワード線WL間の距離Fと等しく形成されている。
図1に示すように、ビット線コンタクトCBは、Y方向に隣り合うブロックB1およびB2間に形成されており、データ線としてのビット線BLに接続されるように構成されている。
ワード線WLは、複数の素子領域Saおよび複数の素子分離領域Sbの上方を図2中X方向に渡って形成されていると共に、X方向に並設されたゲート電極MG上の制御ゲート電極CG(図3A参照)を連結して形成されている。選択ゲート線SGL1と交差する素子領域Sa上には、選択ゲートトランジスタTrs1の選択ゲート電極SGが構成されており、選択ゲート線SGL1によって連結されている。
図3は、図2中のA−A線で示す部分の縦断面図を模式的に示しており、ビット線コンタクトCBを中心として選択ゲート線SGL1およびワード線WLの断面をも模式的に示している。
図3に示すように、メモリセルトランジスタTrmは、半導体基板としてのp型のシリコン基板2上にシリコン酸化膜3、浮遊ゲート電極FG、ONO膜5、制御ゲート電極CGを順に積層した積層ゲート電極6と、当該積層ゲート電極6のY方向両脇に対しシリコン基板2の表層に形成されたソース/ドレイン領域2aからなる。なお、図示しないが、シリコン基板2の表層にはウェルが形成されている。
シリコン酸化膜3は、熱酸化処理されることによって構成されゲート絶縁膜、トンネル絶縁膜として構成される。浮遊ゲート電極FGは、第1導電層として、例えばリンなどの不純物がドープされた多結晶シリコン層4aにより構成される。ONO膜5は、多結晶シリコン層4aの上面を覆うように形成されている。このONO膜5は、制御ゲート電極CGおよび浮遊ゲート電極FG間のゲート間絶縁膜、多結晶シリコン層4および6間のインターポリ絶縁膜として機能する。尚、ONO膜5の成膜前後でSPA窒化処理を行うことでNONON(シリコン窒化膜−シリコン酸化膜−シリコン窒化膜−シリコン酸化膜−シリコン窒化膜)膜として構成し、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを積層した構造を採用しても良い。
制御ゲート電極CGは、例えばリンなどの不純物がドープされた多結晶シリコン層7と、当該多結晶シリコン層7の上に形成されたコバルトシリサイド膜8を積層した構造をなしている。
選択ゲートトランジスタTrs1のゲート電極SGは、メモリセルトランジスタTrmの積層ゲート電極MGとほぼ同様の構造をなしている。図面中、説明を理解しやすくするため、ゲート電極MGを構成する多結晶シリコン層4aの符号「4a」に代えて、ゲート電極SGを構成する多結晶シリコン層には符号4bを付している。ゲート電極SGは、ゲート間絶縁膜5に貫通孔5aが設けられており当該貫通孔5aを通じて下層ゲート電極(第2の導電層)を構成する多結晶シリコン層4bおよび上層ゲート電極(導電層)を構成する多結晶シリコン層6b間が構造的および電気的に接続されている。多結晶シリコン層4a、4bは、例えば同一のゲート絶縁膜3上に同一工程で形成されている。
図2および図3Aに示すように、選択ゲートトランジスタTrs1の選択ゲート電極SGと、メモリセルトランジスタTrmのゲート電極MGとはY方向に並設されている。複数のメモリセルトランジスタTrmのゲート電極MGは、それぞれの中心部間の間隔が第1間隔P1(2Fに相当)でY方向に離間して形成されている。選択ゲート電極SGは、ブロックB1とブロックB2が隣接する領域においてY方向に一対構成されている。選択ゲート電極SG−SGの中心部間の間隔は、第1間隔よりも広い第2間隔P2(8Fに相当)でY方向に離間して形成されている。また、先に説明したように、Y方向のゲート長(幅)比は、(選択ゲート電極SGのY方向幅):(ゲート電極MGのY方向幅)=約3:1に設定されている。
ゲート電極MG−MG間、MG−SG間のシリコン基板2の表層(表面)にはソース/ドレイン領域となる不純物拡散層2aが形成されている。ゲート電極SG−SG間における当該ゲート電極SGの直脇のシリコン基板2の表層(表面)には同じく不純物拡散層2aが形成されている。一対のゲート電極SG−SG間の中央には、ビット線コンタクトCBが構成されている。そのビット線コンタクトCBの直下領域におけるシリコン基板2の表層には、不純物拡散層2aと同一導電型で不純物拡散層2aの不純物濃度より高い不純物濃度で不純物拡散層2bが形成されている。ビット線コンタクトCBの構造は後述する。
ゲート電極MGの側壁、および、ゲート電極SGの側壁には、当該側壁に沿ってシリコン酸化膜9が形成されている。ゲート電極MGのシリコン酸化膜9とゲート電極SGのシリコン酸化膜9との間、および、隣接するゲート電極MGのシリコン酸化膜9の側壁対向領域にはシリコン酸化膜10が埋込み形成されている。このシリコン酸化膜10は、LP−CVD法により成膜されている。
一対のゲート電極SG−SG間のシリコン酸化膜9の側壁には、シリコン酸化膜10を加工して構成されたスペーサ10aが形成されている。これらシリコン酸化膜10およびスペーサ10aはシリコン基板2上にシリコン酸化膜3を介して形成されている。シリコン酸化膜9は、互いに対向するスペーサ10aの側壁にも形成されている。
一対のゲート電極SG−SG間においては、対向するシリコン酸化膜9の内側領域においてシリコン基板2上のシリコン酸化膜3が除去されている。
図2に示すように、一対の選択ゲート線SGL1−SGL1間のY方向幅は、ワード線WLの幅Fや、ワード線WL−WL間の幅Fや、選択ゲート線SGL1の幅Fに比較しても幅広の5Fに形成されており、仮にこの5F領域に開口領域を形成するためにはリソグラフィ技術の制約上、マスク(レチクル)に解像補助用のパターン(SRAFパターン)を形成する必要を生じる。
図2に示すように、一対の選択ゲート線SGL1−SGL1間のY方向幅は、ワード線WLの幅Fや、ワード線WL−WL間の幅Fや、選択ゲート線SGL1の幅Fに比較しても幅広の5Fに形成されており、仮にこの5F領域に開口領域を形成するためにはリソグラフィ技術の制約上、マスク(レチクル)に解像補助用のパターン(SRAFパターン)を形成する必要を生じる。
そこで、一対の選択ゲート線SGL1−SGL1間には多結晶シリコン層4cが幅3Fでポリプラグ(第3の導電層)として形成されている。当該領域にポリプラグを設けることで、製造時におけるリソグラフィ処理のマージンを向上させることができる。図2に示すように、多結晶シリコン層4cは、選択ゲート電極SG−SG間のほぼ中央部の素子領域Sa上に位置して構成されており、平面的にはY方向に長い矩形状に構成されている。この多結晶シリコン層4cは後述するように、多結晶シリコン層4a〜4bと同一工程で形成される。すなわち、多結晶シリコン層4a、4bの上面と下面との間の厚みと、多結晶シリコン層4cの上面と下面との間の厚みとは等しく形成されている。多結晶シリコン層4cの上面側端部のシリコン基板2表面からの高さは、中央部のシリコン基板2表面からの高さに比べ、シリコン酸化膜3の存在により高く形成されている。
図3に戻って、多結晶シリコン層4c上にはバリアメタル膜11を介して金属層12が形成されている。これらのバリアメタル膜11および金属層12が金属プラグを構成しており、図2に示すように、平面的にはY方向に細長い楕円形状に構成されている。尚、このバリアメタル膜11および金属層12は、立体的には楕円柱状に構成されている。
これらの多結晶シリコン層4c、バリアメタル膜11、金属層(金属プラグ)12は、ビット線コンタクトCB(コンタクトプラグ)として構成されている。このビット線コンタクトCBは、上層のビット線BL(図3Aには図示せず)とシリコン基板2の表層の拡散層2bとの間を電気的に接続するように構成されている。
一対のゲート電極SG−SG間において、バリアメタル膜11、金属層12が形成されていない領域の多結晶シリコン層4c上にONO膜5が形成されている。この領域のONO膜5の上にはシリコン酸化膜9の側壁面上部に沿ってシリコン酸化膜14が絶縁膜として形成されている。このシリコン酸化膜14の上側壁内側内面に沿ってシリコン窒化膜13が絶縁膜として形成されている。このシリコン窒化膜13は多結晶シリコン層4cの上面に至るまでビット線コンタクトCB用のホールを自己整合的に形成するための膜となる。尚、ビット線コンタクトCB脇の領域の膜5、13、14は、除去処理がなされていても良い。
メモリセル領域Mにおいては、ゲート電極MGの上面、ゲート電極MG−MG間およびMG−SG間のシリコン酸化膜9、10の上面には、これらの層を覆うようにシリコン酸化膜15が絶縁膜として形成されている。また、このシリコン酸化膜15はビット線コンタクトCBの外周囲に沿って形成されている。
シリコン酸化膜15の上にはシリコン窒化膜16が形成されていると共に、その上にはd−TEOS膜からなるシリコン酸化膜17が形成されている。尚、d−TEOSとは、Dual Frequency Plasma CVD法によりTEOSガスを用いて成膜されるシリコン酸化膜を示している。これらの膜16、17も同様にビット線コンタクトCBの外周囲に沿って形成されている。シリコン窒化膜16は、シリコン酸化膜17中のイオンや水分等の拡散を防ぐためのバリア膜として機能する。各ゲート電極MG、SGの上部の対向領域にシリコン酸化膜15が形成され、シリコン窒化膜16がゲート電極MG、SGの上部の対向領域に位置しないように構成されているため、隣り合うゲート電極MG−MG間の結合容量を抑制できる。
図3Bは、図2のB−B線に沿う縦断面図を模式的に示している。この図3Bに示すように、シリコン基板2の表層には素子分離溝18が形成されている。この素子分離溝18は素子領域SaをX方向に分断して区画している。素子分離溝18内には素子分離膜18が埋め込まれており素子分離領域Sbを構成している。この素子分離膜18は、例えばシリコン酸化膜により形成され、シリコン基板2の上面から上方に突出して構成されている。
X方向に隣り合う複数の素子分離膜18間のシリコン基板2の素子領域Saには不純物拡散層2bがコンタクト領域として形成されている。これらの素子領域Sa上には、それぞれリンなどの不純物がドープされた多結晶シリコン層4cが形成されている。多結晶シリコン層4cは、その上面が両脇に形成された素子分離膜19の上面よりも上方に位置して構成されている。
ONO膜5が、それぞれの多結晶シリコン層4cの上側部および側面、および素子分離膜19の上面を覆うように形成されている。多結晶シリコン層4cの中央上面領域においては、ONO膜5が除去処理されており、多結晶シリコン層4cの中央上面領域にはその直上方に向けてバリアメタル膜11を介して金属層12が構成されている。ビット線コンタクトCBの周囲には、ONO膜5上に上述した各絶縁膜14、13、23、15、16、17が順に積層して埋め込まれている。
図3Cは、周辺回路領域Pに構成されるMOSトランジスタの一例を示している。
周辺回路領域Pにおいて、シリコン基板2上にシリコン酸化膜3を介してゲート電極GPが構成されている。このゲート電極PGは、選択ゲート電極SGと同様の構造をなしているため、その構造説明を省略する。
周辺回路領域Pにおいて、シリコン基板2上にシリコン酸化膜3を介してゲート電極GPが構成されている。このゲート電極PGは、選択ゲート電極SGと同様の構造をなしているため、その構造説明を省略する。
ゲート電極PGの側壁にはスペーサ10bが構成されている。このスペーサ10bは、シリコン酸化膜10を加工処理して構成されている。シリコン基板2上には、シリコン酸化膜14およびシリコン窒化膜13がゲート電極PGの側壁に沿ってスペーサ10bの外面に沿って形成されている。シリコン窒化膜13は水分や不純物などの透過抑制用のバリア膜として機能するように構成されている。尚、シリコン酸化膜14およびシリコン窒化膜13がゲート電極GPの直側壁面に沿って形成されることによってスペーサ10bが除去処理されている構造に適用しても良い。
シリコン窒化膜13の上にはBPSGによるシリコン酸化膜23が埋め込まれている。このシリコン酸化膜23上およびコバルトシリサイド膜7上にはシリコン酸化膜15、シリコン窒化膜16、シリコン酸化膜17が順に積層されている。
次に、製造工程について図4Aないし図13Bを参照しながら説明する。本実施形態の特徴はメモリセル領域Mの製造工程にあるため、メモリセル領域Mの製造方法を中心に説明し、周辺回路領域Pの製造工程については必要に応じて説明を行い、その他の製造工程については省略する。なお、図示しないフラッシュメモリ装置1内のその他の領域を形成するために必要な製造工程を付加しても良い。
まず、シリコン基板2にウェル、チャネル領域形成のためイオン注入を行い、周辺回路領域の高耐圧トランジスタのゲート絶縁膜を形成し、メモリセル領域Mと低耐圧トランジスタ領域のみ選択的に酸化膜を除去処理する。
次に、図4に示すように、メモリセル領域Mのゲート絶縁膜(シリコン酸化膜3)を熱酸化処理によって形成する。このとき同時に周辺回路領域の低耐圧トランジスタのシリコン酸化膜3も形成される。尚、周辺回路領域の高耐圧トランジスタ用のゲート絶縁膜は、メモリセル領域Mのトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く形成される。
次に、メモリセルトランジスタ形成領域RMTおよび選択ゲートトランジスタ形成領域RST上のシリコン酸化膜3上にマスクパターン20を形成し、コンタクト領域RCのシリコン基板2の表層に拡散層2bを形成するためのn型不純物のイオン注入を行い、マスクパターン20をマスクとしてコンタクト領域RC上のゲート酸化膜3を部分的に除去する。このマスク領域は、ビット線コンタクトCBの形成予定領域を開口して施した領域である。
後に、ゲート電極MG、SGを加工するが、当該加工時のシリコン基板2のダメージを極力抑制するため、この時点におけるシリコン酸化膜3の除去幅(領域)を多結晶シリコン層4cの下端幅(領域:図3Aの多結晶シリコン層4cのシリコン酸化膜3直上面における側壁間幅を参照)よりも狭くすると良い。
次に、マスクパターン20を剥離し、メモリセルトランジスタ形成領域RMTおよび選択ゲートトランジスタ形成領域RSTのゲート酸化膜3上、およびコンタクト領域RCの拡散層2b上のそれぞれに多結晶シリコン層4を100nm程度堆積し、その上にシリコン窒化膜、Y方向に沿ってマスク(いずれも図示せず)を形成し、図5Bに示すように、シリコン基板2の表層に素子分離溝18を形成すると共に素子分離膜19をシリコン基板2の上面から上方に突出するように形成する。
次に、図5Aおよび図5Bに示すように、メモリセルトランジスタ形成領域RMTおよび選択ゲートトランジスタ形成領域RSTならびにコンタクト領域RC上の多結晶シリコン層4上にLP−CVD法によりONO膜5を形成する。尚、ONO膜5の成膜前後にSPA窒化処理を行うことでNONON膜としても良い。次に、メモリセルトランジスタ形成領域RMTおよび選択ゲートトランジスタ形成領域RSTならびにコンタクト領域RCの上方のONO膜5の上に多結晶シリコン層6a、6bを順に堆積する。尚、この多結晶シリコン層6aを堆積した後、多結晶シリコン層6bを堆積する前に、選択ゲート電極SGのONO膜5に開口5aを形成する工程を設けている。尚、周辺回路領域の高耐圧トランジスタのゲート電極や、低耐圧トランジスタのゲート電極は、選択ゲート電極SGと同様の構造をなしているが、選択ゲート電極SG用に設けられた開口5aは周辺回路領域Pのトランジスタにも同時に設けられる。次に、ゲート電極MG、SGの加工形成用のマスクとしてシリコン窒化膜21を形成する。次に、レジスト22を塗布し、リソグラフィ技術によりパターンニングする。
次に、図6Aおよび図6Bに示すように、パターンニングされたレジスト22をマスクとして、ゲート電極MG、SGのゲート電極形成領域Gや、ビット線コンタクトCB形成領域の各積層膜3、4(4a、4b、4c)、5、6a、6b、21を残留させるように、メモリセルトランジスタのゲート電極MGの形成領域G−G間、メモリセルトランジスタのゲート電極MGの形成領域Gと選択ゲートトランジスタのゲート電極SGの形成領域Gとの間、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGの形成領域Gとコンタクトプラグ形成領域RCBとの間のシリコン窒化膜21、多結晶シリコン層6a、6b、ONO膜5を、RIE法によってエッチング除去する。このとき、図2に示すように、ゲート電極MGのY方向幅をFとし、ゲート電極SGのY方向幅を3Fとした場合、一対のゲート電極SG間のビット線コンタクトCBの形成領域における多結晶シリコン層4c、6a、6bの残留領域を、選択ゲート線SGL1−SGL1間のほぼ中央3F領域に設定する。
多結晶シリコン層4c、6a、6bを選択ゲート線SGL1−SGL1間のほぼ中央3F領域に形成することにより、このRIE処理のリソグラフィ処理時に用いられるマスクのY方向周期性をできる限り保持することができ、リソグラフィ処理時のマージンを向上できレジスト22のマスクパターンを所望の周期パターンに残留させることができる。したがって、その後RIE法によりエッチング処理したとしても各積層膜3、4、5、6a、6b、21を所望の形状パターンに残留させることができる。
次に、図7Aおよび図7Bに示すように、各積層膜4、5、6a、6b、21の側壁に沿ってシリコン酸化膜9を形成し、当該シリコン酸化膜9内にTEOSを原料ガスとしてLP−CVD法によりシリコン酸化膜10を堆積しエッチバックする。
次に、図8Aおよび図8Bに示すように、選択ゲート電極SG−SG間のほぼ中央領域を開口したガラスマスク(図示せず)をリソグラフィ法により形成し、シリコン酸化膜に対して高選択性を有する条件下でRIE法により、コンタクトプラグ形成領域RCBやそのX方向周辺のONO膜5上のシリコン窒化膜21、多結晶シリコン層6b、6aを順にエッチング処理する。
この場合、シリコン酸化膜9、10がシリコン酸化膜3を覆うように形成されているため、たとえシリコン酸化膜3に対する選択エッチング加工が厳しい場合であってもシリコン基板2を保護することができる。
次に、図9Aおよび図9Bに示すように、メモリセルトランジスタ形成領域RMTおよび選択ゲートトランジスタ形成領域RSTならびにコンタクトプラグ形成領域RCBにTEOSを原料ガスとしてシリコン酸化膜14を形成し、次に、シリコン窒化膜13を形成する。
次に、図10Aおよび図10Bに示すように、シリコン窒化膜13の上にBPSGによるシリコン酸化膜23を形成し、シリコン窒化膜13をストッパとしてCMP法により平坦化処理することで、図10Aに示すコンタクトプラグ形成領域RCBのシリコン窒化膜13間にシリコン酸化膜23を埋込む。尚、メモリセル領域M内においては、シリコン酸化膜14およびシリコン窒化膜13は、CMP法のストッパにしか用いていないが、この時点における周辺回路領域Pの構造を示す図10Cにおいて、シリコン窒化膜13をシリコン酸化膜23からの不純物や水分などの不要物の透過をバリアするバリア膜として用いたり、シリコン酸化膜14をシリコン基板2の表面保護として用いても良い。
次に、図11Aおよび図11Bに示すように、RIE法によりシリコン窒化膜21をエッチング処理し、多結晶シリコン層6bの上面を露出させる。
次に、図12Aおよび図12Bに示すように、露出表面の自然酸化膜等を剥離して清浄化しコバルト等の金属をスパッタ技術により形成すると共に、RTP(Rapid Thermal Process)などのランプアニール処理と未反応の金属剥離処理とを段階的に行うことにより、多結晶シリコン層6bの上にコバルトシリサイド(CoSi2)膜7を金属シリサイド膜として形成する。次に、ゲート電極MG、SG上、並びに、ゲート電極MG−MG間、SG−SG間、MG−SG間にTEOSによるシリコン酸化膜15をLP−CVD法により形成する。具体的には、シリコン酸化膜15は、コバルトシリサイド膜7の上面上、シリコン酸化膜9、10、13、シリコン窒化膜14、BPSGによるシリコン酸化膜23の上面上を渡って形成される。これにより、シリコン酸化膜15が隣り合うコバルトシリサイド膜7の上部間に埋め込まれることになり隣り合うゲート電極MG−MG間の寄生容量を抑制できる。次に、シリコン酸化膜15の上にLP−CVD法によりシリコン窒化膜16を形成する。このシリコン窒化膜16は、コバルトシリサイド膜7の上にシリコン酸化膜15を介して形成されているが、コバルトシリサイド膜7の汚染防止に用いられる膜である。次に、CVD法によりd−TEOSによるシリコン酸化膜17を層間絶縁膜として厚く堆積する。
次に、図12Aおよび図12Bに示すように、露出表面の自然酸化膜等を剥離して清浄化しコバルト等の金属をスパッタ技術により形成すると共に、RTP(Rapid Thermal Process)などのランプアニール処理と未反応の金属剥離処理とを段階的に行うことにより、多結晶シリコン層6bの上にコバルトシリサイド(CoSi2)膜7を金属シリサイド膜として形成する。次に、ゲート電極MG、SG上、並びに、ゲート電極MG−MG間、SG−SG間、MG−SG間にTEOSによるシリコン酸化膜15をLP−CVD法により形成する。具体的には、シリコン酸化膜15は、コバルトシリサイド膜7の上面上、シリコン酸化膜9、10、13、シリコン窒化膜14、BPSGによるシリコン酸化膜23の上面上を渡って形成される。これにより、シリコン酸化膜15が隣り合うコバルトシリサイド膜7の上部間に埋め込まれることになり隣り合うゲート電極MG−MG間の寄生容量を抑制できる。次に、シリコン酸化膜15の上にLP−CVD法によりシリコン窒化膜16を形成する。このシリコン窒化膜16は、コバルトシリサイド膜7の上にシリコン酸化膜15を介して形成されているが、コバルトシリサイド膜7の汚染防止に用いられる膜である。次に、CVD法によりd−TEOSによるシリコン酸化膜17を層間絶縁膜として厚く堆積する。
次に、図13Aおよび図13Bに示すように、ビット線コンタクトCBを形成するため、多結晶シリコン層4cの上面に至るまでホールHを形成する。このとき、シリコン基板2上までエッチング加工するわけではないため、加工アスペクト比を低減することができ加工信頼性を向上でき、ビット線コンタクトCBのオープン不良やショート不良を共に低減できる。特に、BPSGからなるシリコン酸化膜23は、疎となる個所ではコンタクトホールHの開口後の洗浄処理でサイドエッチングが進行するが、このときに隣のビット線コンタクトCBまでエッチング処理が進行し、処理後に金属が埋め込まれることによって隣り合うビット線コンタクトCB−CB間のショート不良が引き起こされる虞もある。本実施形態では、ホールHの高さを低くすることでサイドエッチングの進行を抑制することができるため、このような不具合を低減できる。
次に、図3Aおよび図3Bに示すように、Ti/TiNをスパッタ法によりバリアメタル膜11として形成すると共に、その後、タングステン(W)による金属層12をCVD法により堆積する。CMP法により平坦化処理することで、ポリプラグと金属プラグの積層構造のビット線コンタクトCBを形成できる。この後の工程については詳述しないが、ビット線コンタクトCB上にビット線BLとなる配線層等の多層配線を形成することでフラッシュメモリ装置1を形成できる。
このような本実施形態によれば、一対の選択ゲート電極SG−SG間のほぼ中央のスペースに多結晶シリコン層4cをポリプラグとして設けているため、Y方向の周期性の崩れを緩和することができリソグラフィ処理のマージンを向上することができる。これにより、多結晶シリコン層4cや選択ゲート電極SGの形状寸法ばらつきを小さくすることができ、所望の形状パターンに構成できるようになる。
また、ビット線コンタクトCB用のコンタクトホールを形成するときにシリコン基板2上まで異方性エッチング処理する従来の製造方法に比較して、多結晶シリコン層4cをエッチング処理する必要がないため、金属層12の埋込領域の高さを減少させることができ当該金属層12の埋込性が良好となる。
シリコン窒化膜13が多結晶シリコン層4cの上方に位置して形成され多結晶シリコン層4cと選択ゲート電極SGとの間には形成されていないため、選択ゲートトランジスタTrs1の特性を良好に保つことができる。
ビット線コンタクトCBが、金属(バリアメタル膜11および金属層12)−多結晶シリコン層4c接触によって形成されているため、多結晶シリコン層4cに多量の不純物がドープされていれば、バリアハイトを低減することができコンタクト抵抗低減を達成することができる。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
フラッシュメモリ装置1に適用したが、その他の種類の半導体装置に適用できる。
ゲート間絶縁膜5は、ONO膜に限らずアルミナなどの高誘電体膜を含有した膜を適用できる。
ビット線コンタクトCBに限らず、シリコン基板2上に構成したコンタクトプラグに適用できる。
浮遊ゲート電極FG、選択ゲート電極SGをシリコン酸化膜3上に並設し、一対の選択ゲート電極SG−SG間に多結晶シリコン層4cを構成した実施形態を示したが、シリコン酸化膜3上に一般的なトランジスタのゲート電極を並設した構成に適用しても良い。
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
フラッシュメモリ装置1に適用したが、その他の種類の半導体装置に適用できる。
ゲート間絶縁膜5は、ONO膜に限らずアルミナなどの高誘電体膜を含有した膜を適用できる。
ビット線コンタクトCBに限らず、シリコン基板2上に構成したコンタクトプラグに適用できる。
浮遊ゲート電極FG、選択ゲート電極SGをシリコン酸化膜3上に並設し、一対の選択ゲート電極SG−SG間に多結晶シリコン層4cを構成した実施形態を示したが、シリコン酸化膜3上に一般的なトランジスタのゲート電極を並設した構成に適用しても良い。
シリコン酸化膜9、10を形成した後に、選択ゲート電極SG−SG間のシリコン窒化膜21および多結晶シリコン層6b、6aをエッチング処理した実施形態を示したが、これに代えて、シリコン酸化膜9、10を形成する前に選択ゲート電極SG−SG間の領域を開口したマスクパターンを形成し、当該開口領域下のシリコン窒化膜21、多結晶シリコン層6b、6aを順次エッチング処理しても良い。この場合、加工工程数を削減できる。
図面中、1はNANDフラッシュメモリ装置(半導体装置)、2はシリコン基板(半導体基板)、3はシリコン酸化膜(ゲート絶縁膜)、4aは多結晶シリコン層(第1の導電層)、4bは多結晶シリコン層(第2の導電層)、4cは多結晶シリコン層(第3の導電層、ポリプラグ)、12は金属層(金属プラグ)、FGは浮遊ゲート電極(第1のゲート電極)、SGは選択ゲート電極(第2のゲート電極)、CBはビット線コンタクト(コンタクトプラグ)を示す。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に所定方向に沿って複数併設されたメモリセルトランジスタ用の第1のゲート電極であって、所定の膜厚を有する多結晶シリコン層からなる浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極の上方に設けられた制御ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極と前記制御ゲート電極との間に設けられたゲート間絶縁膜とを有する第1のゲート電極と、
前記所定方向に沿って前記複数の第1のゲート電極に隣接して前記半導体基板上に設けられた一対の選択ゲートトランジスタ用の第2のゲート電極であって、前記所定の膜厚と同じ膜厚を有する多結晶シリコン層からなる下層ゲート電極と、この下層ゲート電極の上方に設けられた上層ゲート電極とを有する一対の第2のゲート電極と、
前記一対の第2のゲート電極間に位置して前記半導体基板上に設けられたポリプラグであって、前記所定の膜厚と同じ膜厚を有する多結晶シリコン層からなるポリプラグと、
前記ポリプラグ上に設けられた金属プラグとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記所定方向に沿った前記第1のゲート電極の幅は、前記第1のゲート電極間の距離、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間の距離、および前記第2のゲート電極と前記ポリプラグとの間の距離とそれぞれ等しく、
前記所定方向に沿った前記第2のゲート電極および前記ポリプラグの幅は、それぞれ前記第1のゲート電極の幅の3倍であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第1間隔で周期的に第1のゲート電極用の複数の第1の導電層を形成すると同時に、前記第1のゲート電極の周期的配設方向に並設して前記第1間隔よりも広い第2間隔で前記ゲート絶縁膜上に第2のゲート電極用の複数の第2の導電層を形成する工程であって、前記第2間隔の複数の第2の導電層間に位置して前記半導体基板上に構造的に接触するコンタクトプラグ用の第3の導電層を同時に形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1ないし第3の導電層を多結晶シリコンにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - メモリセルトランジスタ形成領域、このメモリセルトランジスタ形成領域に隣接した選択ゲートトランジスタ形成領域およびこの選択ゲートトランジスタ形成領域に隣接したコンタクト領域を有する半導体基板を備えた半導体装置の製造方法において、
前記メモリセルトランジスタ形成領域、前記選択ゲートトランジスタ形成領域および前記コンタクト領域の前記半導体基板上にそれぞれゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記コンタクト領域上の前記ゲート絶縁膜を除去する工程と、
前記ゲート絶縁膜が除去された前記コンタクト領域の前記半導体基板上と、前記メモリセルトランジスタ形成領域および前記選択ゲートトランジスタ形成領域の前記ゲート絶縁膜上にそれぞれ同一膜厚で第1の多結晶シリコン層を形成する工程と、
前記メモリセルトランジスタ形成領域および前記選択ゲートトランジスタ形成領域ならびに前記コンタクト領域の前記第1の多結晶シリコン層上にゲート間絶縁膜を介して第2の多結晶シリコン層をそれぞれ同一膜厚で形成する工程と、
前記メモリセルトランジスタ形成領域と前記選択ゲートトランジスタ形成領域との間および前記選択ゲートトランジスタ形成領域と前記コンタクト領域との間の、前記第1および第2の多結晶シリコン層ならびに前記ゲート間絶縁膜を除去する工程と、
前記コンタクト領域の前記第2の多結晶シリコン層および前記ゲート間絶縁膜を除去し、前記第1の多結晶シリコン層を露出する工程と、
前記露出した第1の多結晶シリコン層上に金属プラグを形成する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007167601A JP2009010011A (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
US12/146,009 US20090014771A1 (en) | 2007-06-26 | 2008-06-25 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US12/638,754 US8193058B2 (en) | 2007-06-26 | 2009-12-15 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007167601A JP2009010011A (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009010011A true JP2009010011A (ja) | 2009-01-15 |
Family
ID=40252356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007167601A Pending JP2009010011A (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090014771A1 (ja) |
JP (1) | JP2009010011A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011211111A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US8421234B2 (en) | 2009-07-13 | 2013-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2013197288A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108310A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法 |
US8320191B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device |
US8304863B2 (en) | 2010-02-09 | 2012-11-06 | International Business Machines Corporation | Electromigration immune through-substrate vias |
JP5139464B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-02-06 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2012019020A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置 |
US8778758B2 (en) * | 2012-08-30 | 2014-07-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
US9117051B2 (en) * | 2013-10-21 | 2015-08-25 | International Business Machines Corporation | High density field effect transistor design including a broken gate line |
TWI531032B (zh) * | 2013-11-21 | 2016-04-21 | 力晶科技股份有限公司 | 記憶體線路結構以及其半導體線路製程 |
CN104810371B (zh) * | 2014-01-28 | 2018-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体存储器件及其制作方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5072276A (en) * | 1986-10-08 | 1991-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Elevated CMOS |
JPH0636411B2 (ja) | 1989-01-12 | 1994-05-11 | 工業技術院長 | 半導体装置の製造方法 |
JP2001196477A (ja) | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001210809A (ja) | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7064978B2 (en) * | 2002-07-05 | 2006-06-20 | Aplus Flash Technology, Inc. | Monolithic, combo nonvolatile memory allowing byte, page and block write with no disturb and divided-well in the cell array using a unified cell structure and technology with a new scheme of decoder and layout |
KR100483588B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2005-04-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 난드형 플래시 메모리 소자의 셀렉트 라인 형성 방법 |
JP3854247B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2006-12-06 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2005038884A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2005327792A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20050287793A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Micron Technology, Inc. | Diffusion barrier process for routing polysilicon contacts to a metallization layer |
JP4653533B2 (ja) | 2005-03-24 | 2011-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100632634B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2006-10-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
JP4764151B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4592580B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2010-12-01 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20070196983A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-23 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of manufacturing non-volatile memory device |
JP2008078298A (ja) | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-06-26 JP JP2007167601A patent/JP2009010011A/ja active Pending
-
2008
- 2008-06-25 US US12/146,009 patent/US20090014771A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-12-15 US US12/638,754 patent/US8193058B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8421234B2 (en) | 2009-07-13 | 2013-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011211111A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US8492825B2 (en) | 2010-03-30 | 2013-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same |
JP2013197288A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8193058B2 (en) | 2012-06-05 |
US20090014771A1 (en) | 2009-01-15 |
US20100093143A1 (en) | 2010-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009010011A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7800155B2 (en) | Semiconductor device | |
US20090302367A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated by the method | |
JP5091452B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008283045A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US20080303115A1 (en) | Semiconductor memory device and method of fabricating the same | |
JP4901898B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009026802A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2010080853A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2010040753A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
US20120238099A1 (en) | Method of manufacturing electronic part | |
JP2008091614A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006278967A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009289813A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2009049235A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008140888A (ja) | 不揮発性半導体メモリの製造方法 | |
US8207560B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same | |
US7948053B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP2008177223A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20080083947A1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP2008192891A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008251942A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009283826A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2010129740A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
US8390076B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof |