JP2009003328A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性が高く、表示品位に優れた表示装置及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板1と、基板1上に形成された薄膜トランジスタ50と、薄膜トランジスタ50のドレイン電極9を覆い、ドレイン電極9に到達する第1のコンタクトホール12を有する無機絶縁膜(第2の絶縁膜11)と、第1のコンタクトホール12を介してドレイン電極9に接続し、少なくとも第1のコンタクトホール12の底面全体を覆うように形成されたコンタクト導電膜13と、無機絶縁膜及びコンタクト導電膜13上に形成され、コンタクト導電膜13に到達する第2のコンタクトホール15を有する有機絶縁膜(第3の絶縁膜14)と、有機絶縁膜上に形成され、第2のコンタクトホール15を介してコンタクト導電膜13に接続する画素電極16と、を有するものである。
【選択図】 図3
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板1と、基板1上に形成された薄膜トランジスタ50と、薄膜トランジスタ50のドレイン電極9を覆い、ドレイン電極9に到達する第1のコンタクトホール12を有する無機絶縁膜(第2の絶縁膜11)と、第1のコンタクトホール12を介してドレイン電極9に接続し、少なくとも第1のコンタクトホール12の底面全体を覆うように形成されたコンタクト導電膜13と、無機絶縁膜及びコンタクト導電膜13上に形成され、コンタクト導電膜13に到達する第2のコンタクトホール15を有する有機絶縁膜(第3の絶縁膜14)と、有機絶縁膜上に形成され、第2のコンタクトホール15を介してコンタクト導電膜13に接続する画素電極16と、を有するものである。
【選択図】 図3
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
液晶や有機EL(エレクトロルミネッセンス)を用いた表示装置には、アクティブマトリクス型の薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)アレイ基板が広く用いられている。TFTアレイ基板上には、スイッチング素子としてTFTがアレイ状に設けられており、各表示画素に独立した表示信号を印加する。
表示装置では、明るく高い表示品質を得るために、各画素の表示面積を出来るだけ大きくすることが重要である。すなわち、開口率の高い基板を使用することが重要である。
このような高開口率を実現するには、特許文献1に示すような構成のTFTアレイ基板(アクティブマトリクス基板)を用いるのが一般的である。
特許文献1に開示のアクティブマトリクス基板では、透明絶縁性基板上に、ゲート配線、ゲート絶縁膜、及び半導体層が順次積層されている。この半導体層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極をさらに積層してTFTを形成する。そして、TFTを覆うように基板上全体に無機絶縁膜が形成され、さらにその上に有機系の層間絶縁膜(以下、有機絶縁膜と称す)を設けて平坦化する構成となっている。このため、有機絶縁膜の上に形成する画素電極を、各信号線に対してオーバーラップさせることができる。その結果、表示装置の開口率を高くすることができるとともに、各信号線に起因する電界をシールドすることができる。
画素電極と、画素電極の下方に位置するTFTのドレイン電極とは、有機絶縁膜及び無機絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続される。このコンタクトホールは、有機絶縁膜をマスクとして無機絶縁膜をエッチングすることによって形成される。
このとき、コンタクトホールの底面にドレイン電極を露出させるため、無機絶縁膜をオーバーエッチング気味に除去する。そのため、有機絶縁膜が無機絶縁膜上に庇状に張り出した形状のコンタクトホールとなってしまうことがある。すなわち、コンタクトホールの底部を規定する無機絶縁膜の端面が、その上に存在する有機絶縁膜の端面よりも、平面方向で奥まった位置に存在することになる。有機絶縁膜が庇状になると、画素電極が、コンタクトホールの底面付近において、庇状の部分をカバレッジできずに断線してしまうという問題が生じる。
また、画素電極をITO(インジウム−錫酸化物)やIZO(インジウム−亜鉛酸化物)等の透明電極で形成する場合、有機絶縁膜に設けられたコンタクトホール周縁部の角部において、画素電極にクラックが入り断線することがある。
これらを解消するための技術が、特許文献2〜4に開示されている。特許文献2では、コンタクトホール部分に第1及び第2の画素電極を積層して形成して、画素電極を部分的に二層化している。特許文献3では、少なくとも第1の画素電極として、延性のある金属膜を使用している。特許文献4では、コンタクトホール周縁部の角部をなだらかなテーパー形状にしている。
特許文献1〜4では、有機絶縁膜をマスクとして無機絶縁膜をドライエッチングにより除去してコンタクトホールを形成している。このドライエッチングにより、有機絶縁膜が膜減りするが、この膜減りの均一性が悪いという問題がある。その結果、各信号線に起因する電界のシールドが局所的に悪くなり、表示ムラとして視認されてしまう。
一方、無機絶縁膜のコンタクトホールと、有機絶縁膜のコンタクトホールとを、別々の写真製版工程で形成すると、次のような問題が生じる。添加物としてNiを含むAl系の配線材料をドレイン電極に用いる場合、有機絶縁膜にコンタクトホールを形成するための現像液で、ドレイン電極がエッチングされてしまう。そのため、ドレイン電極にピンホールが発生し、画素電極とドレイン電極との電気的接続が絶たれてしまうことがある。また、ドレイン電極をAlの上にMoを積層した積層構造とする場合、異種膜での電池反応により、配線の寸法ばらつきが大きくなる。そのために、高開口率が達成できなくなってしまう。
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、信頼性が高く、表示品位に優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明にかかる表示装置は、基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極を覆い、前記ドレイン電極に到達する第1のコンタクトホールを有する無機絶縁膜と、前記第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続し、少なくとも前記第1のコンタクトホールの底面全体を覆うように形成されたコンタクト導電膜と、前記無機絶縁膜及び前記コンタクト導電膜上に形成され、前記コンタクト導電膜に到達する第2のコンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成され、前記第2のコンタクトホールを介して前記コンタクト導電膜に接続する画素電極と、を有するものである。
本発明によれば、信頼性が高く、表示品位に優れた表示装置及びその製造方法を提供することができる。
始めに、図1を用いて、本発明に係る表示装置について説明する。図1は、表示装置に用いられるTFTアレイ基板の構成を示す正面図である。本発明に係る表示装置は、液晶表示装置を例として説明するが、あくまでも例示的なものであり、有機EL表示装置等の平面型表示装置(フラットパネルディスプレイ)等を用いることも可能である。
本発明に係る液晶表示装置は、基板1を有している。基板1は、例えば、TFTアレイ基板等のアレイ基板である。基板1には、表示領域41と表示領域41を囲むように設けられた額縁領域42とが設けられている。この表示領域41には、複数のゲート配線(走査信号線)43と複数のソース配線(表示信号線)44とが形成されている。複数のゲート配線43は平行に設けられている。同様に、複数のソース配線44は平行に設けられている。ゲート配線43とソース配線44とは、互いに交差するように形成されている。ゲート配線43とソース配線44とは直交している。隣接するゲート配線43とソース配線44とで囲まれた領域が画素47となる。従って、基板1では、画素47がマトリクス状に配列される。
基板1の額縁領域42には、走査信号駆動回路45と表示信号駆動回路46とが設けられている。ゲート配線43は、表示領域41から額縁領域42まで延設され、基板1の端部で、走査信号駆動回路45に接続される。ソース配線44も同様に、表示領域41から額縁領域42まで延設され、基板1の端部で、表示信号駆動回路46と接続される。走査信号駆動回路45の近傍には、外部配線48が接続されている。また、表示信号駆動回路46の近傍には、外部配線49が接続されている。外部配線48、49は、例えば、FPC(Flexible Printed Circuit)等の配線基板である。
外部配線48、49を介して走査信号駆動回路45、及び表示信号駆動回路46に外部からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路45は外部からの制御信号に基づいて、ゲート信号(走査信号)をゲート配線43に供給する。このゲート信号によって、ゲート配線43が順次選択されていく。表示信号駆動回路46は外部からの制御信号や、表示データに基づいて表示信号をソース配線44に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧を各画素47に供給することができる。
画素47内には、少なくとも1つのTFT50が形成されている。TFT50はソース配線44とゲート配線43の交差点近傍に配置される。例えば、このTFT50が画素電極に表示電圧を供給する。即ち、ゲート配線43からのゲート信号によって、スイッチング素子であるTFT50がオンする。これにより、ソース配線44から、TFT50のドレイン電極に接続された画素電極に表示電圧が印加される。画素電極と対向電極との間には、表示電圧に応じた電界が生じる。なお、基板1の表面には、配向膜(図示せず)が形成されている。
更に、基板1には、対向基板が対向して配置されている。対向基板は、例えば、カラーフィルタ基板であり、視認側に配置される。対向基板には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス(BM)、対向電極、及び配向膜等が形成されている。なお、対向電極は、基板1側に配置される場合もある。基板1と対向基板との間には液晶層が狭持される。即ち、基板1と対向基板との間には液晶が導入されている。更に、基板1と対向基板との外側の面には、偏光板、及び位相差板等が設けられる。また、液晶表示パネルの反視認側には、バックライトユニット等が配設される。
画素電極と対向電極との間の電界によって、液晶が駆動される。即ち、基板間の液晶の配向方向が変化する。これにより、液晶層を通過する光の偏光状態が変化する。即ち、偏光板を通過して直線偏光となった光は液晶層によって、偏光状態が変化する。具体的には、バックライトユニットからの光は、アレイ基板側の偏光板によって直線偏光になる。この直線偏光が液晶層を通過することによって、偏光状態が変化する。
偏光状態によって、対向基板側の偏光板を通過する光量は変化する。即ち、バックライトユニットから液晶表示パネルを透過する透過光のうち、視認側の偏光板を通過する光の光量が変化する。液晶の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板を通過する光量を変化させることができる。即ち、画素ごとに表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。
次に、本実施の形態に係る画素47の構成について、図2及び図3を用いて詳細に説明する。図2は、本実施の形態に係るTFTアレイ基板100の画素構成を示す平面図である。図3は、図2のA−A断面図である。
図2は、TFTアレイ基板100上の画素47の1つを示す平面図である。TFTアレイ基板100上には、このような画素47がマトリクス状に複数配置されている。
図2及び図3において、ガラス等の透明な絶縁性の基板1上に、その一部がゲート電極2を構成するゲート配線43が形成されている。ゲート配線43は、基板1上において一方向に直線的に延在するように配設されており、ここではその方向をX方向とする。
また、基板1上には、補助容量電極3がゲート配線43と同じ層によって形成されている。補助容量電極3は、ゲート配線43と間隔を設けて配設され、ゲート配線43と平行するようにX方向に延在している。すなわち、隣接するゲート配線43の間に補助容量電極3が形成されている。補助容量電極3は、安定した表示を可能とするためのキャパシタを構成する電極であり、蓄積容量電極とも呼称される。補助容量電極3は、各画素47に接続されるTFT50がオフになった後もTFT50からの駆動電圧を保持する。なお、補助容量電極3は、容量を増やすために、画素47の外周縁に沿ってそれぞれY方向に延在する補助容量電極31を含んでいる。
ゲート電極、ゲート配線43、及び補助容量電極3、31を覆うように第1の絶縁膜4が設けられている。第1の絶縁膜4は、ゲート電極2の直上の部分において、ゲート絶縁膜として機能する。
第1の絶縁膜4の上には、ゲート配線43及び補助容量電極3に直交するように、直線状の半導体層5が形成されている。ここでは、その方向をY方向とする。半導体層5は、例えばi−a−Si膜により形成されている。半導体層5は、Y方向に延在するように間隔を設けて複数配設される。半導体層5は、ゲート配線43との交差部において分岐し、ゲート配線43に沿って延在する部分を有している。半導体層5の延在する部分のうち、第1の絶縁膜4を介してゲート電極2の対面に、TFT50の活性領域層ARを構成する。なお、Y方向に延在する直線状の半導体層5は、後述するソース配線44の冗長配線として利用することができる。すなわち、この直線状の半導体層5は、ソース配線44の形成領域に合わせて形成されるものであり、ソース配線44が断線したような場合でも電気信号の途絶を防止することが可能である。
半導体層5の上には、オーミックコンタクト膜6とソース配線44とが順次積層されている。Y方向に延在した半導体層5と重複するように、直線状のソース配線44がY方向に延在して設けられている。ソース配線44は、半導体層5よりも小さい幅寸法で形成され、半導体層5のパターン端部からはみ出ないように配設されている。そして、ソース配線44と半導体層5との間には、オーミックコンタクト膜6が設けられている。オーミックコンタクト膜6は、ソース配線44と略同じ形状を有しており、ソース配線44に重複して設けられている。オーミックコンタクト膜6は、例えばn+a−Si膜により形成される。
ソース配線44は、半導体層5と同様にゲート配線43との交差部において分岐し、ゲート配線43に沿って延在する。この、ゲート配線43に沿って延在する部分が、ソース電極8となる。すなわち、半導体層5の活性領域層ARの一部と重複するように、ソース電極8がソース配線44から延在されている。ソース電極8は、半導体層5より小さい形状で形成され、半導体層5のパターン端部からはみ出ないように配設されている。なお、ソース電極8と半導体層5との間には、オーミックコンタクト膜6が設けられている。オーミックコンタクト膜6は、ソース電極8と略同じ形状を有している。
また、半導体層5の活性領域層AR上から、ドレイン電極9が延在している。ドレイン電極9は、活性領域層ARから画素47のY方向に延在する部分と、さらにそこから画素47の外周縁に沿ってX方向に延在する部分とを有している。ドレイン電極9は、ソース配線44及びソース電極8と同じ層によって形成される。ドレイン電極9は、半導体層5の活性領域層AR上において、ソース電極8と離間して設けられている。すなわち、半導体層5の活性領域層ARは、TFTチャネル部10を間に挟んで、その上に、ソース電極8が設けられる領域とドレイン電極9が設けられる領域とを有している。なお、ドレイン電極9と半導体層5との間には、オーミックコンタクト膜6が設けられている。オーミックコンタクト膜6は、ドレイン電極9と半導体層5が重複する部分に設けられている。
従って、オーミックコンタクト膜6は、ソース配線44と重複するように、直線状にY方向に延在する。そして、オーミックコンタクト膜6は、ソース電極8と重複するように、ゲート配線43との交差部において分岐してX方向に延在する。さらに、オーミックコンタクト膜6は、ドレイン電極9と半導体層5が重複する部分に設けられる。半導体層5においてチャネル部10となる領域には、オーミックコンタクト膜6は設けられていない。
ソース配線44、ソース電極8、及びドレイン電極9を覆うように、第2の絶縁膜11が設けられている。第2の絶縁膜11は、無機絶縁膜により形成される。本実施の形態では、第2の絶縁膜11を貫通する第1のコンタクトホール12が、ドレイン電極9上に設けられている。すなわち、第2の絶縁膜11である無機絶縁膜は、ドレイン電極9に到達する第1のコンタクトホール12を有している。そして、第2の絶縁膜11の上には、この第1のコンタクトホール12を介して前記ドレイン電極9に接続する、コンタクト導電膜13が形成されている。コンタクト導電膜13によって、第1のコンタクトホール12の底面を構成するドレイン電極9上と、第1のコンタクトホール12の側壁面を構成する第2の絶縁膜11端面と、第1のコンタクトホール12外周の第2の絶縁膜11上とが、覆われている。第1のコンタクトホール12及びコンタクト導電膜13は、ドレイン電極9のうち、活性領域層ARから画素47のY方向に延在する部分に配設されている。
ここで、コンタクト導電膜13には、Mo(モリブデン)、Ti(チタン)、及びW(タングステン)等の金属膜が形成される。このコンタクト導電膜13により、ドレイン電極9と、後述する画素電極16との電気的コンタクトを良好にすることができる。
コンタクト導電膜13を覆うように、第2の絶縁膜11上全体に第3の絶縁膜14が形成される。第3の絶縁膜14は、有機絶縁膜であり、有機系樹脂により形成される。本実施の形態では、コンタクト導電膜13上に、第3の絶縁膜14を貫通する第2のコンタクトホール15が設けられている。すなわち、第3の絶縁膜14である有機絶縁膜は、コンタクト導電膜13に到達する第2のコンタクトホールを有している。第2のコンタクトホール15の底面はコンタクト導電膜13によって構成される。従って、コンタクト導電膜13の端部が、第3の絶縁膜14に覆われている。また、第2のコンタクトホール15の側壁面を構成する第3の絶縁膜14の端面は、なだらかなテーパー形状となっている。よって、第2のコンタクトホール15は、その底面の寸法よりも開口端の寸法が大きく形成されている。第2のコンタクトホール15は、その底面の寸法が第1のコンタクトホール12の底面の寸法よりも小さくなるように形成されることが好ましい。また、第2のコンタクトホール15の底面が、上面視で第1のコンタクトホール12の内側に配置されるように形成されることが好ましい。
そして、第3の絶縁膜14上には、第2のコンタクトホール15を介してコンタクト導電膜13と接続する画素電極16が形成される。画素電極16は、ゲート配線43、補助容量電極3、及び隣接するソース配線44に囲まれた領域に設けられる。このとき、Y方向において画素電極16が、補助容量電極3の一部と、ドレイン電極9のX方向に延在する部分とに重複するように配置される。また、X方向において画素電極16が、それぞれの補助容量電極31の一部と重複するように配置される。なお、画素電極16にはITOやIZO等の透明導電性膜が形成される。
画素電極16は、第2のコンタクトホール15の側壁面及び底面を覆っている。従って、第2のコンタクトホール15の底面において、コンタクト導電膜13を介してドレイン電極9と電気的に接続される構成となっている。
続いて、本実施の形態における表示装置の製造方法について、図を参照して詳細に説明する。図4及び図5は、本実施の形態に係るTFTアレイ基板100の一製造工程を示す断面図である。なお、図4及び図5に示す断面は、図3と同様に、図2におけるA−A断面に対応する。また、図6及び図7には、各工程における平面図を示している。
まず初めに、ガラス等の透明な絶縁性の基板1上全面に、第1の金属薄膜を成膜する。第1の金属薄膜として、Al(アルミ)等の電気的比抵抗値の低い材料を用いることが好ましい。ここでは、アルゴン(Ar)ガスを用いた公知のスパッタリング法により、例えば膜厚200nmのAl膜を成膜する。この場合のスパッタリング条件は、DCマグネトロンスパッタリング方式を使用し、成膜パワー密度3W/cm2、Arガス流量40sccmとする。
その後、第1回目の写真製版工程によって、第1の金属薄膜の上にレジストパターンを形成する。このレジストパターンを介して、公知の燐酸、酢酸、硝酸を含む溶液を用いて第1の金属薄膜をエッチングする。そして、レジストパターンを除去する。これにより、図4(a)及び図6(a)に示すように、ゲート電極2を含むゲート配線43、及び補助容量電極31を含む補助容量電極3がパターニングされる。
ゲート電極2、ゲート配線43、及び補助容量電極3、31を覆うように、第1の絶縁膜4を形成する。例えば、第1の絶縁膜4として、膜厚約400nmの窒化シリコン膜(SiNx:xは正数)を、化学的気相成長(CVD)法を用いて基板1全面に成膜する。
続いて、第1の絶縁膜4上に、半導体層5となる材料とオーミックコンタクト膜6となる材料とをこの順に基板1全面に成膜する。半導体層5となる材料として、アモルファスシリコン(a−Si)膜を用いることができる。また、オーミックコンタクト膜6となる材料として、リン(P)を不純物として添加したn+型のアモルファスシリコン(n+a−Si)膜を用いることができる。例えば、化学的気相成長(CVD)法を用いて、アモルファスシリコン膜を約200nmの厚さに形成して、さらにn+型のアモルファスシリコン膜を約50nmの厚さに形成する。
オーミックコンタクト膜6となる材料を成膜後、第2回目の写真製版工程を経て、フォトレジストパターンを形成する。このフォトレジストパターンを介して、オーミックコンタクト膜6となるn+型のアモルファスシリコン膜、及び半導体層5となるアモルファスシリコン膜をエッチングする。ここでは、フッ素系ガスを用いた公知のドライエッチング法等を用いてパターニングする。その後、レジストパターンを除去すると、図4(b)及び図6(b)に示すような構成となる。具体的には、ゲート配線43及び補助容量電極3と交差するようにY方向へ直線状に延在し、ゲート配線43との交差部から分岐してゲート電極2上に活性領域層ARを構成する半導体層5が形成される。また、半導体層5と同じパターン形状のオーミックコンタクト膜6が、半導体層5上に形成される。
次に、オーミックコンタクト膜6を覆うように、ソース配線44となる第2の金属薄膜を成膜する。第2の金属膜には、例えば、Crの上に、添加物としてNiを含むAl系の配線材料を積層した積層膜を用いることができる。Crを用いることによって、オーミックコンタクト膜6のn+a−Si膜との良好なコンタクトを達成すること可能となる。また、Al系の配線材料を用いることによって、配線の抵抗を低く抑えることが可能となる。ここでは、Arガスを用いた公知のスパッタリング法により、膜厚100nmのCr膜、及び膜厚100nmのAl膜を基板1全面に成膜する。スパッタリング条件は、DCマグネトロンスパッタリング方式を使用し、成膜パワー密度3W/cm2、Arガス流量40sccmとする。
第2の金属薄膜上に、第3回目の写真製版工程によって、レジストパターンを形成する。このレジストパターンを介して、公知の燐酸、酢酸、硝酸を含む溶液を用いてAl膜をエッチングする。そして、公知の硝酸セリウムアンモニウムを含む溶液を用いて、さらにCr膜をエッチングする。これにより、ソース配線44、ソース電極8、及びドレイン電極9がパターニングされる。
続いて、このとき、レジストパターンがそれぞれの上に形成された、ソース配線44、ソース電極8、ドレイン電極9を介して、オーミックコンタクト膜6を再度エッチングする。ここでは、例えばフッ素系ガスを用いた公知のドライエッチングを行う。これにより、図4(c)及び図6(c)に示すように、ソース電極8とドレイン電極9との間のオーミックコンタクト膜6が除去され、半導体層5にチャネル部10が形成される。また、同時に、オーミックコンタクト膜6がソース配線44及びソース電極8と略同形状にパターニングされる。
ソース配線44、ソース電極8、及びドレイン電極9を覆うように、第2の絶縁膜11を基板1全面に成膜する。第2の絶縁膜11として、無機絶縁膜が形成される。ここでは、CVD法を用いて、膜厚約100nmの窒化シリコン膜(SiNx:xは正数)を成膜する。続いて、第4回目の写真製版工程によって、第2の絶縁膜11上にレジストパターンを形成する。このレジストパターンを介して、フッ素系ガスを用いた公知のドライエッチング法等により、第2の絶縁膜11をエッチングして、第1のコンタクトホール12を形成する。これにより、図4(d)及び図6(d)に示すように、第1のコンタクトホール12内のドレイン電極9が露出する。
第1のコンタクトホール12を形成した後、コンタクト導電膜13となる第3の金属薄膜を基板1全面に成膜する。第3の金属薄膜として、Mo(モリブデン)、Ti(チタン)、及びW(タングステン)等の金属膜を用いることができる。ここでは、スパッタリング法等を用いて、ITO等の透明導電性膜よりも延性が高いMo膜を約100nmの厚さで成膜する。これにより、第1のコンタクトホール12内に露出したドレイン電極9、第1のコンタクトホール12の側壁面、及び第2の絶縁膜11上が第3の金属薄膜により覆われる。続いて第5回目の写真製版工程を経て、第3の金属薄膜の上に、レジストパターンを形成する。このレジストパターンを介して、公知の燐酸、酢酸、硝酸を含む溶液を用いて、第3の金属薄膜をエッチングする。これにより、図5(e)及び図7(e)のように、コンタクト導電膜13が第1のコンタクトホール12を覆う形状にパターニングされる。
次に、コンタクト導電膜13と第2の絶縁膜11とを覆うように、第3の絶縁膜14を形成する。第3の絶縁膜14には、有機絶縁膜が用いられる。第3の絶縁膜14として、感光性を有する有機系樹脂絶縁膜を形成する。ここでは、例えば、アクリル系の感光性樹脂膜であるJSR(株)製の製品名PC335を用いる。第3の絶縁膜14を、スピンコート法等を用いて、3.2〜3.9μmの膜厚となるように、基板1上に塗布する。
その後、第6回目の写真製版工程によって、コンタクト導電膜13上の第3の絶縁膜14を除去して、第2のコンタクトホール15を形成する。ここで、本実施の形態では、第1のコンタクトホール12がコンタクト導電膜13に覆われており、その底面を構成するドレイン電極9が露出していない。すなわち、ドレイン電極9に添加物としてNiを含むAl形の配線材料を用いても、第6回目の写真製版工程で使われる現像液によって、ドレイン電極9がエッチングされることを防ぐことができる。第2のコンタクトホール15は、その底面が第1のコンタクトホール12の底面の寸法よりも小さくなるように形成されることが好ましい。また、第2のコンタクトホール15の底面が、上面視で第1のコンタクトホール12の内側に配置されるように形成されることが好ましい。これにより、第2のコンタクトホール15を形成する際に、第1のコンタクトホール12内のドレイン電極9が確実にコンタクト導電膜13に覆われる。また、第2のコンタクトホール15の側壁面となる第3の絶縁膜14端面が、なだらかなテーパー形状となるように、第3の絶縁膜14のパターニングを行うことが好ましい。これにより、図5(f)及び図7(f)に示すように、第2のコンタクトホール15内のコンタクト導電膜13が露出する。
第2のコンタクトホール15を形成した後、第3の絶縁膜14上に画素電極16となる透明導電性薄膜を基板1全面に成膜する。例えば、公知のスパッタリング法により、酸化インジウム(In2O3)及び酸化スズ(SnO2)を混合したITO膜を100nmの厚さに成膜する。そして、第7回目の写真製版工程において、画素電極16となる領域の透明導電性薄膜上にレジストパターンを形成する。このレジストパターンを介して、塩酸及び硝酸を含む溶液を用いた公知のウェットエッチングにより、透明導電性薄膜を除去する。これにより、透明導電性薄膜がパターニングされ、図5(g)及び図7(g)に示すように、第2のコンタクトホール15を介してコンタクト導電膜13と接続する画素電極16が形成される。以上の工程を経て、本実施の形態のTFTアレイ基板100が完成する。
このように、本実施の形態では、ドレイン電極9上に設けられた第1のコンタクトホール12を覆うように、コンタクト導電膜13を形成する。そして、コンタクト導電膜13上に、有機絶縁膜である第3の絶縁膜14を貫通する第2のコンタクトホール15を形成する。これにより、有機絶縁膜に第2のコンタクトホール15を形成する際に、第1のコンタクトホール12内のドレイン電極9がコンタクト導電膜13に覆われる構成となる。従って、ドレイン電極9に添加物としてNiを含むAl系の配線材料を用いることができる。そして、第2のコンタクトホール15が形成される部分の有機絶縁膜を除去するための現像液によって、ドレイン電極9にピンホールが発生することを防ぐことができる。すなわち、画素電極16とドレイン電極9との電気的接続が絶たれることを確実に防止することができる。よって、表示装置に点欠陥が発生するのを防止でき、信頼線の高い表示装置を高歩留まりで製造することが可能となる。また、有機絶縁膜に第2のコンタクトホール15を形成するための現像液によって、ドレイン電極9がエッチングされるのを防止することができるので、ドレイン電極9をAlとMoの積層構造としなくてもよい。従って、線幅の寸法ばらつきを小さくすることができ、高開口率が達成できる。
本実施の形態では、また、画素電極16とドレイン電極9とはコンタクト導電膜13を介して電気的に接続される。これにより、接続抵抗を低くすることができる。さらに、有機絶縁膜をマスクとした無機絶縁膜のドライエッチングによりコンタクトホールを形成しないので、有機絶縁膜が不均一に膜減りすることがない。従って、表示品質に優れた表示装置を製造することが可能となる。
なお、本実施の形態では、TFTアレイ基板100を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、有機ELや電子ペーパーなどの、液晶以外の表示材料を用いた表示装置であってもよい。また、コンタクト導電膜13によって、第1のコンタクトホール12外周の第2の絶縁膜11上から第1のコンタクトホール12底面にかけた領域が覆われるものとして例示的に説明をしたが、これに限定されるものではない。少なくとも第1のコンタクトホール12の底面全体が、コンタクト導電膜13からはみ出さずに覆われていればよい。
以上の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。
1 基板、2 ゲート電極、3 補助容量電極、4 第1の絶縁膜、
5 半導体層、6 オーミックコンタクト膜、8 ソース電極、
9 ドレイン電極、10 チャネル部、11 第2の絶縁膜、
12 第1のコンタクトホール、13 コンタクト導電膜、
14 第3の絶縁膜、15 第2のコンタクトホール、
16 画素電極、31 補助容量電極、
41 表示領域、42 額縁領域、43 ゲート配線、44 ソース配線、
45 走査信号駆動回路、46 表示信号駆動回路、47 画素、
50 TFT、100 TFTアレイ基板、AR 活性領域層
5 半導体層、6 オーミックコンタクト膜、8 ソース電極、
9 ドレイン電極、10 チャネル部、11 第2の絶縁膜、
12 第1のコンタクトホール、13 コンタクト導電膜、
14 第3の絶縁膜、15 第2のコンタクトホール、
16 画素電極、31 補助容量電極、
41 表示領域、42 額縁領域、43 ゲート配線、44 ソース配線、
45 走査信号駆動回路、46 表示信号駆動回路、47 画素、
50 TFT、100 TFTアレイ基板、AR 活性領域層
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極を覆い、前記ドレイン電極に到達する第1のコンタクトホールを有する無機絶縁膜と、
前記第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続し、少なくとも前記第1のコンタクトホールの底面全体を覆うように形成されたコンタクト導電膜と、
前記無機絶縁膜及び前記コンタクト導電膜上に形成され、前記コンタクト導電膜に到達する第2のコンタクトホールを有する有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成され、前記第2のコンタクトホールを介して前記コンタクト導電膜に接続する画素電極と、を有する表示装置。 - 前記コンタクト導電膜は、Mo、Ti、及びWから選択される金属膜を含む請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2のコンタクトホールの底面は、前記第1のコンタクトホールの底面よりも小さく、かつ上面視で前記第1のコンタクトホールの内側に形成されている請求項1又は2に記載の表示装置。
- 基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極を覆い、前記ドレイン電極に到達する第1のコンタクトホールを有する無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続し、少なくとも前記第1のコンタクトホールの底面全体を覆うようにコンタクト導電膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜及び前記コンタクト導電膜上に有機絶縁膜を形成し、前記コンタクト導電膜上に前記有機絶縁膜を貫通する第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記有機絶縁膜上に、前記第2のコンタクトホールを介して前記コンタクト導電膜に接続する画素電極を形成する工程と、を有する表示装置の製造方法。 - 前記コンタクト導電膜は、Mo、Ti、及びWから選択される金属膜を含む請求項4に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のコンタクトホールを形成する工程では、前記第2のコンタクトホールの底面が、前記第1のコンタクトホールの底面よりも小さく、かつ上面視で前記第1のコンタクトホールの内側に配置されるように形成する請求項4又は5に記載の表示装置の製造方法。
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