JP5236370B2 - Tft基板の製造方法及びtft基板 - Google Patents
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Description
始めに、図1を参照して、本実施の形態にかかるTFT基板について説明する。図1は、TFT基板の構成を示す平面図である。TFT基板は、液晶表示装置、有機EL表示装置等の平面型表示装置(フラットパネルディスプレイ)等に用いられる。
R=S/T・・・(式1)
本実施の形態にかかるダミーパターンは、第1電極、第2電極、及びダミーバックチャネル領域を有する。換言すると、実施の形態1のダミーTFT108aの構成要素からダミードレイン電極17aが省略されたような構成を有する。なお、それ以外の構成、製造方法等は、実施の形態1と同様なので説明を省略する。図10を参照して、本実施の形態にかかるダミーパターンについて説明する。図10は、ダミーパターン40の構成を示す平面図である。
本実施の形態にかかるダミーパターンは、複数個のパターンが接続される。なお、それ以外の構成、製造方法等は、実施の形態1と同様なので説明を省略する。図11を参照して、本実施の形態にかかるダミーパターン40について説明する。図11は、ダミーパターン40の構成を示す平面図である。
本実施の形態では、ダミーパターン40内の複数の第2電極42がすべて電気的に接続される。なお、それ以外の構成、製造方法等は、実施の形態3と同様なので説明を省略する。図12を参照して、本実施の形態にかかるダミーパターン40について説明する。図12は、ダミーパターン40の構成を示す平面図である。
本実施の形態では、ダミーパターン40を製品内部の回路だけでなく、プロセス上のモニタリングを行うTEG(Test Element Group)などに適用する。もちろん、TEG以外の構成は、実施の形態1〜4と同様の構成とすることができる。ここで、図13を参照して、1つのTFT108の特性を測定するためのTEGの構成について説明する。図13は、TEGの構成を示す平面図である。実際の製品の製造においては様々な構造のTEGを作成するが、ここではTFT108と同一の形状を有するTEGを例に説明する。
5 不純物半導体膜、6 ソース電極、7 ドレイン電極、8 バックチャネル領域、
10 絶縁性基板、11 ゲート電極、11a ダミーゲート電極、
12 ゲート絶縁膜、13 真性半導体膜、14 不純物半導体膜、15 半導体膜、
16 ソース電極、16a ダミーソース電極、17 ドレイン電極、
17a ダミードレイン電極、18 バックチャネル領域、
18a ダミーバックチャネル領域、20 ソース配線用導電膜、21 レジスト、
21a 薄膜部、21b 厚膜部、22 マスク、23 中間調露光部分、
25 導電膜、30 引き回し配線、31 パッド部分、
40 ダミーパターン、41 第1電極、42 第2電極、
100 TFT基板、101 表示領域、102 額縁領域、
103 走査信号駆動回路、104 表示信号駆動回路、105 画素、
106 外部配線、107 外部配線、108 TFT、109 保持容量、
110 ゲート配線、111 ソース配線
Claims (9)
- 真性半導体膜、不純物半導体膜、及びソース配線用導電膜を順次成膜する工程と、
前記ソース配線用導電膜上に薄膜部と厚膜部とを有するレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクとして、前記ソース配線用導電膜、前記不純物半導体膜、及び前記真性半導体膜をエッチングする工程と、
前記レジストの前記薄膜部を除去して、前記ソース配線用導電膜の一部を露出させる工程と、
前記レジストの前記厚膜部をマスクとして、露出した前記ソース配線用導電膜をエッチングし、前記不純物半導体膜を露出させる工程と、
前記露出した前記不純物半導体膜をエッチングして、前記TFTのバックチャネル領域とともに、前記TFT以外の部分において、完成した製品の動作には無関係なダミーバックチャネル領域を形成する工程とを有し、
前記不純物半導体膜を露出させる工程において、独立した1つの前記真性半導体膜のパターン上の前記バックチャネル領域及び前記ダミーバックチャネル領域の合計の面積を1とした場合、前記ソース配線用導電膜の面積が100以下となるように、前記不純物半導体膜を露出させるTFT基板の製造方法。 - 前記ダミーバックチャネル領域は、前記真性半導体膜及び前記不純物半導体膜を有する半導体膜の前記ソース配線用導電膜に少なくとも1つ以上接続される請求項1に記載のTFT基板の製造方法。
- 複数の前記ダミーバックチャネル領域と複数の前記ソース配線用導電膜とが交互に形成される請求項1、又は2に記載のTFT基板の製造方法。
- 前記複数の前記ソース配線用導電膜は、電気的に接続される請求項3に記載のTFT基板の製造方法。
- TFTを有するTFT基板であって、
真性半導体膜及び不純物半導体膜を有し、前記真性半導体膜上の前記不純物半導体膜が除去された前記TFTのバックチャネル領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上において、前記半導体膜に内包され、前記TFTにソース信号を供給するソース配線を有するソース配線用導電膜と、
前記TFT以外の部分において、完成した製品の動作には無関係であり、前記半導体膜上の前記ソース配線用導電膜が除去されたダミーバックチャネル領域とを有し、
独立した1つの前記真性半導体膜のパターン上の前記バックチャネル領域及び前記ダミーバックチャネル領域の合計の面積を1とした場合、前記ソース配線用導電膜の面積が100以下であるTFT基板。 - 前記ダミーバックチャネル領域は、前記半導体膜の前記ソース配線用導電膜に少なくとも1つ以上接続される請求項5に記載のTFT基板。
- 複数の前記ダミーバックチャネル領域と複数の前記ソース配線用導電膜とが交互に形成された請求項5、又は6に記載のTFT基板。
- 前記複数の前記ソース配線用導電膜は、電気的に接続された請求項7に記載のTFT基板。
- 前記TFTを測定するためのTEGをさらに有し、
前記ダミーバックチャネル領域は、前記TEGに接続された請求項5乃至8のいずれか1項に記載のTFT基板。
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