JP2008530612A - 高分子の凹凸構造の作成方法 - Google Patents
高分子の凹凸構造の作成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008530612A JP2008530612A JP2007555040A JP2007555040A JP2008530612A JP 2008530612 A JP2008530612 A JP 2008530612A JP 2007555040 A JP2007555040 A JP 2007555040A JP 2007555040 A JP2007555040 A JP 2007555040A JP 2008530612 A JP2008530612 A JP 2008530612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- layer
- concavo
- coating composition
- convex structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
- G03F7/0955—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer one of the photosensitive systems comprising a non-macromolecular photopolymerisable compound having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
【選択図】なし
Description
a)1種以上の放射線感受性成分を含む第1のコーティング組成物で基板を被覆すること、
b)周期的なまたはランダムな放射強度パターンを有する電磁放射で被覆基板を局所的に処理して、潜像を形成すること、
c)得られた被覆基板を第1のコーティング膜に重合および/または架橋すること
による高分子の凹凸構造の作成方法に関する。
−ナノ粒子を第2のコーティング組成物に添加することによって作成された表面ナノ構造に起因する非反射性。光エンボス層によって加えられたプロファイルは、フィルムのアンチグレア特性を高める。こうして、非反射性とアンチグレアとの特有の組み合わせが確立される。
−第2のコーティング組成物中の液晶性モノマーによる制御された光学的遅延。この場合、光エンボスフィルム中の凹凸は液晶モノマーを配向し、それは続いて重合によって凍結される。重合された液晶は、光学的遅延をもたらす。
−最上層はまた、液晶用の配向膜であり得る。その場合、光エンボスされた層の凹凸を配向層内の凹凸に伝達され、それは後の段階で被着される液晶の向きに影響を及ぼすかもしれない。配向層自体も液晶配向に影響する。双方の配向効果の組み合わせによって、液晶配向を正確に調整できる。例えば、配向の方向を互いに平行にならないように選択することにより、2つの安定的な液晶の向きを達成できる。配向層を、磨かれたポリマーフィルム(ポリイミド、ポリビニルアルコール、ナイロンなど)、または光化学過程(ポリビニルシンナメートなど)によってその配向能力を有するフィルムとし得る。
1.光エンボスされた層を被着し、乾燥する。次いで、最上層の上部を、ポリマー溶液から、またはモノマー(溶液)として被覆し、乾燥し、そして直接使用するか、または部分的にあるいは完全に硬化する。続いて、光エンボスされた層を、例えばマスクにUV光によってまたは干渉(ホログラフィ的なセットアップ)によって露光し、加熱工程により顕在化する。光エンボスされた層は変形させ、かつ最上層がこの変形を引き継ぐ。
2.光エンボスされた層を被着し、乾燥し、および例えばマスクにまたは干渉を介してUV露光する。この露光後もまだ、フィルムは大部分が平らであり、乾燥されて直接使用されたかまたは部分的にあるいは完全に硬化された最上層で被覆する。続いて、表面を加熱工程により変形する。
3.先の2つの場合と同様であるが、加熱工程を、最上層がまだ「濡れている」(つまり、モノマーを使用する場合には硬化していないか、またはポリマーの場合には溶媒を含有している)状況において行う。被着される層の厚さに応じて、最上層の自由表面は、光エンボス層の表面プロファイルを引き継がず、平らのままであるかまたは少なくとも部分的にプロファイルに従う。
4.第1のコーティング膜を作成した後で(すなわち上述の工程c)後)第2の層を被着できる。この状況においては、第2の層の被着前に光エンボスされた層は既に形成されている。
CH2=C(R6)−COO(R7O)m−R8 (I)
(式中、R6は、水素原子またはメチル基であり;R7は、2〜8個、好ましくは2〜5個の炭素原子を含有するアルキレン基であり;およびmは、0〜12、および好ましくは1〜8の整数であり;R8は、水素原子、または1〜12個、好ましくは1〜9個の炭素原子を含有するアルキル基であるか;または、R8は、テトラヒドロフラン基を含む、4〜20個の炭素原子を有するアルキル基であり、任意に1〜2個の炭素原子を有するアルキル基で置換され;またはR8は、ジオキサン基を含む、4〜20個の炭素原子を有するアルキル基であり、任意にメチル基で置換され;またはR8は、芳香族基であり、任意にC1〜C12アルキル基、好ましくはC8〜C9アルキル基、およびアルコキシル化された脂肪族単官能モノマー、例えばエトキシ化イソデシル(メタ)アクリレート、エトキシ化ラウリル(メタ)アクリレートなどで置換される)で表される化合物などが挙げられる。
によって計算する。
ガラス基板をスピンコーティング(1000rpm、60秒)により、高分子バインダー(47.5%w/w)(ポリベンジルメタクリレート、アルドリッチ(Aldrich))と、多官能性モノマー(47.5%w/w)(ジペンタエリスリトールペンタ/ヘキサ−アクリレート、アルドリッチ)と、光開始剤(5%w/w)(イルガキュア(Irgacure)819、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(Ciba Specialty Chemicals))とからなる感光性ポリマー混合物で被覆した。感光性ポリマー混合物を、50%w/wのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(アルドリッチ)と50%w/wのエトキシプロピルアセテート(アボカド・リサーチ・ケミカルズ(Avocado Research Chemicals))とを含有する溶媒混合物に溶解した。感光性ポリマー混合物の溶媒混合物に対する比は1:2であった。スピンコーティング後、残留溶媒を80℃へ10分間加熱することにより除去し、その後サンプルを室温に冷却した。感光性ポリマードライフィルムで被覆された基板を3ミクロンの厚さで得た。このサンプルを、マスクおよびコリメートUV光源(ウシオ(USHIO)、UXM−502 MD、500W HG)を使用して、約13mW(UV−A)の強度で20秒間照明した。感光性ポリマーに直接接触するようにマスクを置き、マスクは、5、8、10、15、20、30および40ミクロンのピッチを有する線パターンからなった。マスクの透過領域と非透過領域の比は1:1であった。照明後、サンプルを80℃の温度へ10分間加熱した。サンプルをフラッド露光に5分間80℃で露光した。凹凸構造を光学式プロフィロメータ(Fogale Zoomsurf 3D)で測定した。結果を表1、列2に示す。
ガラス基板をスピンコーティング(1000rpm、60秒)により、高分子バインダー(47.5%w/w)(ポリベンジルメタクリレート、アルドリッチ)と、多官能性モノマー(47.5%w/w)(ジペンタエリスリトールペンタ/ヘキサ−アクリレート、アルドリッチ)と、光開始剤(5%w/w)(イルガキュア819、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ)とからなる感光性ポリマー混合物で被覆した。感光性ポリマー混合物を、50%のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(propyleneglycolmethtyletheracetate)(アルドリッチ)と50%のエトキシプロピルアセテート(アボカド・リサーチ・ケミカルズ)を含有する溶媒混合物に溶解した。感光性ポリマー混合物の溶媒混合物に対する比は1:2であった。スピンコーティング後、残留溶媒を80℃へ10分間加熱することにより除去し、その後サンプルを室温に冷却した。感光性ポリマードライフィルムで被覆された基板を3ミクロンの厚さで得た。このサンプルをマスクおよびコリメートUV光源(UXM−502 MD ウシオ 500W 水銀)を使用して約13mW(UV−A)の強度で20秒間照明した。感光性ポリマーに直接接触するようにマスクを置き、マスクは、5、8、10、15、20、30および40ミクロンのピッチを有する線パターンからなった。マスクの透過領域と非透過領域の比は1:1であった。露光後、第2の層を堆積した。トリブロックコポリマー(1%w/w)(SEBS1652、クレイトン・ポリマーズ(Kraton Polymers))とn−ヘプタン(アルドリッチ)とからなるポリマー溶液をスピンコーティングにより堆積し、層厚約100nmの第2の層をもたらした。照明後、サンプルを80℃の温度へ10分間加熱した。サンプルをフラッド露光に5分間80℃で露光した。凹凸構造を光学式プロフィロメータ(Fogale Zoomsurf 3D)で測定した。結果を表1、列3に示す。第2のポリマー層をn−ヘプタン中に溶解することによって除去して、表面凹凸構造を再測定した(表1、列4参照)。
サンプルを実施例1に従って準備し、測定した。新しい参照サンプルを作成し、これらのサンプルの結果を表2、列2に示す。第2のポリマー層を、異なる濃度のSEBS(2、4、8%w/w)を含有する溶液からスピンコートし、それによりそれぞれ150、400、および2000nmの層厚の第2の層をもたらした。結果を表2、列3、4および5に示す。
サンプルを実施例1に従って準備した;第2の層は、ポリビニルアルコールまたはPDMS−PSブロックコポリマーのフィルムからなった。ポリビニルアルコールの場合には、第2の層のスピンコーティング中、水を溶媒として使用した。PDMS−PSの場合には、第2の層のスピンコーティング中、n−ヘプタンを溶媒として使用した。どちらの場合も、スピンコーティング中の実験条件および/または構造のピッチなどに応じて、第1のポリマーと第2のポリマーの界面および/または空気界面において凹凸構造が得られた。
ガラス基板をスピンコーティング(1000rpm、60秒)により、高分子バインダー(47.5%w/w)(ポリベンジルメタクリレート、アルドリッチ)と、多官能性モノマー(47.5%w/w)(ジペンタエリスリトールペンタ/ヘキサ−アクリレート、アルドリッチ)と、光開始剤(5%w/w)(イルガキュア819、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ)とからなる感光性ポリマー混合物で被覆した。感光性ポリマー混合物を、50%のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(アルドリッチ)と50%のエトキシプロピルアセテート(アボカド・リサーチ・ケミカルズ)を含有する溶媒混合物に溶解した。感光性ポリマー混合物の溶媒混合物に対する比は1:2であった。スピンコーティング後、残留溶媒を80℃へ10分間加熱することにより除去し、その後サンプルを室温に冷却した。感光性ポリマードライフィルムで被覆された基板を3ミクロンの厚さで得た。このサンプルをマスクおよびコリメートUV光源(UXM−502 MD ウシオ 500W 水銀)を使用して約13mW(UV−A)の強度で20秒間照明した。感光性ポリマーに直接接触するようにマスクを置き、マスクは、5、8、10、15、20、30および40ミクロンのピッチを有する線パターンからなった。マスクの透過領域と非透過領域の比は1:1であった。露光後、第2の層を堆積した。モノマー(1%w/w)(オクタデシルアクリレート、アルドリッチ))と、インヒビタ(1%w/w)(ヒドロキノン)と、n−ヘプタン(アルドリッチ)とからなるモノマー溶液を使用し、ドロップキャスト(dropcast)した。照明後、サンプルを空気雰囲気において80℃の温度へ10分間加熱し、サンプルをフラッド露光に5分間80℃で露光した。モノマー層をn−ヘプタン中に溶解することにより除去し、表面凹凸構造を光学式プロフィロメータ(Fogale Zoomsurf 3D)で測定した。結果を表3、列3に示す。参照サンプルもオクタデシルアクリレート無しで作成した。結果を表3、列2に示す。
ガラス基板をスピンコーティング(1000rpm、60秒)により、高分子バインダー(47.5%w/w)(ポリベンジルメタクリレート、アルドリッチ)と、多官能性モノマー(47.5%w/w)(ジペンタエリスリトールペンタ/ヘキサ−アクリレート、アルドリッチ)と、光開始剤(5%w/w)(イルガキュア819、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ)とからなる感光性ポリマー混合物で被覆した。感光性ポリマー混合物を、50%のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(アルドリッチ)と50%のエトキシプロピルアセテート(アボカド・リサーチ・ケミカルズ)とを含有する溶媒混合物に溶解した。感光性ポリマー混合物の溶媒混合物に対する比は1:2であった。スピンコーティング後、残留溶媒を80℃へ10分間加熱することにより除去し、その後サンプルを室温に冷却した。感光性ポリマードライフィルムで被覆された基板を3ミクロンの厚さで得た。このサンプルをマスクおよびコリメートUV光源(UXM−502 MD ウシオ 500W 水銀)を使用して約13mW(UV−A)の強度で20秒間照明した。感光性ポリマーに直接接触するようにマスクを置き、マスクは、5、8、10、15および20ミクロンのピッチを有する線パターンからなった。マスクの透過領域と非透過領域の比は1:1であった。露光後、第2の層をスピンコーティングによって露光された感光性ポリマーに堆積した。モノマー(オクタデシルアクリレート(ODA)、アルドリッチ)と、光開始剤(2%w/w)(イルガキュア819、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ)と、n−ヘプタン(アルドリッチ)とからなるモノマー溶液を使用して、スピンコート(1000rpm、60秒)した。モノマー濃度を0、1、2.5、5、10および20%w/wに変更し、それぞれ0、100、215、280、440および1200nmの層厚をもたらした。照明後、サンプルを空気雰囲気において80℃の温度へ10分間加熱した。続いてサンプルを窒素雰囲気下でフラッド露光に5分間80℃で露光した。フラッド露光中、全ての残留モノマーを重合した。得られた構造を光学式プロフィロメータ(Fogale Zoomsurf 3D)で測定した。結果を表4、列2〜7に示す。参照サンプルもオクタデシルアクリレート無しで作成した。結果を表4、列1に示す。
サンプルを実施例5に従って準備した;第2の層は、1:1比率のRM257(メルク(Merck))とE7(メルク)、5%w/wのイルガキュア819(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ)の混合物のフィルムからなった。第2の層を、追加の揮発性溶媒を全く使用せずに感光性ポリマー(第1の層)にスピンコートした。これらの実施例において、ポリマー空気界面において、ピッチ15ミクロンにおいて典型的に高さ約800nmの凹凸構造を得た。
Claims (43)
- a)1種以上の放射線感受性成分を含む第1のコーティング組成物で基板を被覆すること、
b)周期的なまたはランダムな放射強度パターンを有する電磁放射で被覆基板を局所的に処理して、潜像を形成すること、
c)得られた被覆基板を第1のコーティング膜に重合および/または架橋すること、
による高分子の凹凸構造の作成方法であって、
前記第1のコーティング組成物の上部に第2のコーティング組成物を被着し、前記第2のコーティング組成物が、単量体性質の有機化合物(Co)であって、プロセス中に重合されるCoを含むか、または前記第2のコーティング組成物が溶解ポリマー(Cp)であって、得られる第2のコーティング層中における重量平均分子量が少なくとも5キロダルトンであるポリマーを含むかのいずれかである、方法。 - CoまたはCpを工程b)の前記得られた被覆基板に被着する、請求項1に記載の方法。
- Coを含む前記第2のコーティング組成物を工程a)において前記第1のコーティング組成物の上部に被着する、請求項1に記載の方法。
- Coが前記第1のコーティング膜の界面張力を減少させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 工程a)における前記放射線感受性成分が、1種以上のモノマーを、1種以上の重合開始剤と組み合わせて含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1のコーティング組成物がポリマーも含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記重合開始剤が、光開始剤と熱開始剤との混合物である、請求項5に記載の方法。
- 前記第1のコーティング膜が、使用された溶媒の蒸発後の固体薄膜である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 工程b)において、感光性ポリマーフィルムと直接接触してリソグラフィマスクを使用する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電磁放射が、マスクと共に使用される紫外光である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 工程b)における前記処理が、光の干渉/ホログラフィの使用による、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 工程b)における前記電磁放射が、電子ビーム、イオンビーム、X線、またはガンマ線の形態である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板がポリマーを含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 工程a)の前記コーティング組成物中の前記ポリマーの重量平均分子量(Mw)が少なくとも20,000g/molである、請求項6に記載の方法。
- 工程a)の前記コーティング組成物中の前記ポリマーのガラス転移温度が少なくとも300Kである、請求項6または14に記載の方法。
- 前記ポリマーを、工程a)で使用される前記放射線感受性コーティング組成物の前記モノマーに溶解する、請求項6、および14〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記放射線感受性第1のコーティング組成物中の前記成分が、(メタ−)アクリレート、エポキシ、オキセタン、ビニルエーテル、スチレン、およびチオール−エンからなる群から選択される、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
- Coが前記第1のコーティング膜の界面張力を少なくとも10mJ/m2減少させる、請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法。
- CoまたはCpを、前記第1のコーティング膜の量の0.05〜5倍の量で被着する、請求項1〜18のいずれか一項に記載の方法。
- Coが、(メタ−)アクリレート、エポキシ、オキセタン、ビニルエーテル、スチレン、およびチオール−エンからなる群から選択される、請求項1〜19のいずれか一項に記載の方法。
- Coが、重合後に無機材を生成する重合可能モノマーからなる群から選択される、請求項1〜19のいずれか一項に記載の方法。
- Coが液晶性の重合可能モノマーを含む請求項20に記載の方法。
- Coが1種以上の重合開始剤も含む、請求項1〜22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記重合開始剤が、熱開始剤、または光開始剤と熱開始剤の混合物である、請求項23に記載の方法。
- Coの重合を熱、紫外光、電子ビーム照射、X線照射、イオンビーム照射、可視光線照射、または赤外光で行う、請求項1〜24のいずれか一項に記載の方法。
- Coがまた、およびCpが、a)熱可塑性半結晶性または非晶質ポリマー、b)熱可塑性エラストマー(TPE、TPV)、またはc)化学的架橋性ゴムからなる群から選択されるポリマーを含む、請求項1〜24のいずれか一項に記載の方法。
- CoまたはCpが、有機充填材も含む、請求項1〜26のいずれか一項に記載の方法。
- 第1および第2の層、および請求項1〜27のいずれか一項に記載の方法によって獲得可能な前記第1の層と第2の層との間の凹凸構造を含む高分子の凹凸構造。
- 前記第2の層の上部には第2の凹凸構造も存在し、前記第2の凹凸構造も請求項1〜27のいずれか一項に記載の方法によって獲得可能である、請求項28に記載の高分子の凹凸構造。
- いくつかの層を含み、任意の層の組み合わせの界面おいて、およびおそらく前記上部にも凹凸構造が存在し、各凹凸構造が請求項1〜27のいずれか一項に記載の方法によって獲得可能である、高分子の凹凸構造。
- 前記第1の層(AR)の前記凹凸構造のアスペクト比が、少なくとも0.12であり、ARは、前記凹凸の高さと隣接する凹凸間の距離との比である、請求項28〜30のいずれか一項に記載の高分子の凹凸構造。
- 前記第1の層の前記凹凸構造の曲率の最大絶対値|kmax|が、少なくとも0.35、一層好ましくは少なくとも0.45、およびさらに一層好ましくは少なくとも0.65μm−1である、請求項28〜31のいずれか一項に記載の高分子の凹凸構造。
- ARが少なくとも0.2である、請求項31に記載の高分子の凹凸構造。
- |kmax|が少なくとも0.7μm−1である、請求項32に記載の高分子の凹凸構造。
- 工程b)を175〜375Kの温度で行う、請求項1〜27のいずれか一項に記載の方法。
- 工程c)を300〜575Kの温度で行う、請求項1〜27および35のいずれか一項に記載の方法。
- 照明管理用途における、請求項28〜34のいずれか一項に記載の、または請求項1〜27または35、36のいずれか一項に記載の方法によって作成された高分子の凹凸構造の使用。
- 屈折−、回折−またはホログラフィック−光学素子における請求項37に記載の使用。
- 反射防止および/またはアンチグレア層における請求項37に記載の使用。
- 有機または無機物における複製目的用のマスターとしての、請求項28〜34のいずれか一項に記載の、または請求項1〜27または35、36のいずれか一項に記載の方法によって作成された高分子の凹凸構造の使用。
- 第2の種のための配向層としての、請求項28〜34のいずれか一項に記載の、または請求項1〜27または35、36のいずれか一項に記載の方法によって作成された高分子の凹凸構造の使用。
- 前記第2の種がモノマーおよび/または高分子液晶である、請求項41に記載の使用。
- 構造化電極、蛍光層、またはエレクトロルミネセント層、または構造的な金属あるいはセラミック層としての、請求項28〜34のいずれか一項に記載の、または請求項1〜27または35、36のいずれか一項に記載の方法によって作成された高分子の凹凸構造の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/NL2005/000106 WO2006085741A1 (en) | 2005-02-09 | 2005-02-09 | Process for preparing a polymeric relief structure |
NLPCT/NL2005/000106 | 2005-02-09 | ||
PCT/NL2006/000067 WO2006085757A2 (en) | 2005-02-09 | 2006-02-09 | Process for preparing a polymeric relief structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008530612A true JP2008530612A (ja) | 2008-08-07 |
JP4995739B2 JP4995739B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=35079430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007555040A Expired - Fee Related JP4995739B2 (ja) | 2005-02-09 | 2006-02-09 | 高分子の凹凸構造の作成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8927178B2 (ja) |
EP (1) | EP1846803A2 (ja) |
JP (1) | JP4995739B2 (ja) |
WO (2) | WO2006085741A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010164975A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Lg Chem Ltd | 光学フィルム、その製造方法、およびそれを含む液晶表示装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010501687A (ja) * | 2006-08-30 | 2010-01-21 | スティッチング ダッチ ポリマー インスティテュート | ポリマーレリーフ構造の調製方法 |
JP4738319B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2011-08-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | パターン形成装置 |
EP2019336A1 (en) * | 2007-06-11 | 2009-01-28 | Stichting Dutch Polymer Institute | Process for preparing a polymeric relief structure |
EP2109005A1 (en) * | 2008-04-07 | 2009-10-14 | Stichting Dutch Polymer Institute | Process for preparing a polymeric relief structure |
TWI468860B (zh) * | 2012-08-14 | 2015-01-11 | Chi Mei Corp | 感光性樹脂組成物及其應用 |
RU2676202C1 (ru) * | 2017-12-27 | 2018-12-26 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Люминесцентная фотополимерная композиция для трехмерной печати и способ ее получения |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4831323A (ja) * | 1971-08-31 | 1973-04-24 | ||
JPS5776017A (en) * | 1980-09-03 | 1982-05-12 | Du Pont | Polymeric heat resistance photopolymerizing composition |
JPS599924A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 局所的グレ−テイング作製方法 |
JPS6141147A (ja) * | 1984-08-01 | 1986-02-27 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | エツチング方法 |
JPH0593003A (ja) * | 1991-02-28 | 1993-04-16 | E I Du Pont De Nemours & Co | 溶剤分散可能な相互侵入ポリマーネツトワーク |
EP0606940A2 (en) * | 1993-01-11 | 1994-07-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Chloresteric polarizer and the manufacture thereof |
JPH10157305A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-16 | Eastman Kodak Co | 熱処理性画像形成要素 |
JPH10219074A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 樹脂組成物 |
JP2000199805A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP2001133977A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-05-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 多層型感光材料 |
WO2003073165A2 (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Self-aligned pattern formation using dual wavelengths |
JP2004070122A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Kuraray Co Ltd | マイクロレンズシートおよびその製造方法 |
JP2007527804A (ja) * | 2004-02-19 | 2007-10-04 | スティッチング ダッチ ポリマー インスティテュート | ポリマーレリーフ構造体の作製方法 |
JP2007530988A (ja) * | 2003-07-17 | 2007-11-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 反射器を製造する方法と、このような反射器を含む液晶ディスプレイデバイス |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3046239A (en) * | 1958-10-22 | 1962-07-24 | Borg Warner | Blend of polymeric products |
BE755251A (fr) * | 1969-08-25 | 1971-02-25 | Du Pont | Enregistrement holographique dans des couches photopoly- merisables |
US3667946A (en) * | 1970-09-23 | 1972-06-06 | Holotron Corp | Surface treatment of photopolymer film used for recording holograms |
US3993485A (en) * | 1975-05-27 | 1976-11-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Photopolymerization process and related devices |
DE3370078D1 (en) * | 1982-11-04 | 1987-04-09 | Sumitomo Electric Industries | Process for fabricating integrated optics |
US4588664A (en) * | 1983-08-24 | 1986-05-13 | Polaroid Corporation | Photopolymerizable compositions used in holograms |
KR860009325A (ko) * | 1985-05-07 | 1986-12-22 | 기다지마 요시도시 | 투명형 홀로그램 |
US4943471A (en) * | 1986-05-20 | 1990-07-24 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Patterned thin film and process for preparing the same |
CA1294470C (en) * | 1986-07-26 | 1992-01-21 | Toshihiro Suzuki | Process for the production of optical elements |
US4970129A (en) * | 1986-12-19 | 1990-11-13 | Polaroid Corporation | Holograms |
JP2651725B2 (ja) * | 1988-11-18 | 1997-09-10 | キヤノン株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光体及びそれを使用する体積位相型ホログラムの製造方法 |
US5198912A (en) * | 1990-01-12 | 1993-03-30 | Polaroid Corporation | Volume phase hologram with liquid crystal in microvoids between fringes |
JPH0828321B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1996-03-21 | 松下電器産業株式会社 | レジスト塗布評価方法 |
JP2677457B2 (ja) * | 1991-01-22 | 1997-11-17 | 日本ペイント株式会社 | 光重合性組成物 |
JPH0535170A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-12 | Nissan Motor Co Ltd | ホログラム形成方法 |
US5182180A (en) * | 1991-08-27 | 1993-01-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dry film process for altering the wavelength of response of holograms |
JPH05188843A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Nissan Motor Co Ltd | ホログラム形成方法 |
JPH05297208A (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 回折波長範囲が広い回折格子及びその作製方法 |
US5856048A (en) * | 1992-07-27 | 1999-01-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Information-recorded media and methods for reading the information |
JPH0784119A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Sumitomo Chem Co Ltd | 機能性塗膜等の形成方法 |
US5526145A (en) * | 1994-06-10 | 1996-06-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Color tuned holographic optical elements and methods of making and using the elements |
US7215451B1 (en) * | 1996-04-15 | 2007-05-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Reflection type diffuse hologram, hologram for reflection hologram color filters, etc., and reflection type display device using such holograms |
US6087075A (en) * | 1997-11-07 | 2000-07-11 | Label Systems, Inc. | Holographic tamper-evident label |
US6730442B1 (en) * | 2000-05-24 | 2004-05-04 | Science Applications International Corporation | System and method for replicating volume holograms |
AU2002214143A1 (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-21 | Durand Technology Limited | Optical recording materials |
US6998196B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-02-14 | Wavefront Technology | Diffractive optical element and method of manufacture |
DE10308328A1 (de) * | 2003-02-26 | 2004-09-09 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines belichteten Substrats |
US20070254208A1 (en) * | 2003-12-10 | 2007-11-01 | Koninklijke Philips Electronic, N.V. | Method for Photo-Embossing a Monomer-Containing Layer |
KR101459758B1 (ko) | 2007-11-29 | 2014-11-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 무선통신을 이용한 지리정보 시스템 및 무선통신을 이용한지리정보 제공 방법 |
-
2005
- 2005-02-09 WO PCT/NL2005/000106 patent/WO2006085741A1/en active Application Filing
-
2006
- 2006-02-09 US US11/883,559 patent/US8927178B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-09 EP EP20060716610 patent/EP1846803A2/en not_active Withdrawn
- 2006-02-09 JP JP2007555040A patent/JP4995739B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-09 WO PCT/NL2006/000067 patent/WO2006085757A2/en active Application Filing
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4831323A (ja) * | 1971-08-31 | 1973-04-24 | ||
JPS5776017A (en) * | 1980-09-03 | 1982-05-12 | Du Pont | Polymeric heat resistance photopolymerizing composition |
JPS599924A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 局所的グレ−テイング作製方法 |
JPS6141147A (ja) * | 1984-08-01 | 1986-02-27 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | エツチング方法 |
JPH0593003A (ja) * | 1991-02-28 | 1993-04-16 | E I Du Pont De Nemours & Co | 溶剤分散可能な相互侵入ポリマーネツトワーク |
EP0606940A2 (en) * | 1993-01-11 | 1994-07-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Chloresteric polarizer and the manufacture thereof |
JPH10157305A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-16 | Eastman Kodak Co | 熱処理性画像形成要素 |
JPH10219074A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 樹脂組成物 |
JP2000199805A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP2001133977A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-05-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 多層型感光材料 |
WO2003073165A2 (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Self-aligned pattern formation using dual wavelengths |
JP2004070122A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Kuraray Co Ltd | マイクロレンズシートおよびその製造方法 |
JP2007530988A (ja) * | 2003-07-17 | 2007-11-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 反射器を製造する方法と、このような反射器を含む液晶ディスプレイデバイス |
JP2007527804A (ja) * | 2004-02-19 | 2007-10-04 | スティッチング ダッチ ポリマー インスティテュート | ポリマーレリーフ構造体の作製方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010164975A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Lg Chem Ltd | 光学フィルム、その製造方法、およびそれを含む液晶表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006085757A3 (en) | 2006-12-07 |
JP4995739B2 (ja) | 2012-08-08 |
US8927178B2 (en) | 2015-01-06 |
WO2006085757A2 (en) | 2006-08-17 |
EP1846803A2 (en) | 2007-10-24 |
US20080131626A1 (en) | 2008-06-05 |
WO2006085741A1 (en) | 2006-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4995739B2 (ja) | 高分子の凹凸構造の作成方法 | |
US20090233181A1 (en) | Porous holographic film | |
US7419715B2 (en) | Light diffusing films | |
JP2010501687A (ja) | ポリマーレリーフ構造の調製方法 | |
WO2018212051A1 (ja) | 防眩性反射防止フィルム、防眩性反射防止フィルムの製造方法、偏光板、画像表示装置、及び自発光型ディスプレイ装置 | |
JP2009172835A (ja) | 印刷装置及び印刷方法 | |
TWI513995B (zh) | A hard coat film, a polarizing plate, and an image display device | |
EP2156247B1 (en) | Process for preparing a polymeric relief structure | |
US8568962B2 (en) | Process for preparing a polymeric relief structure | |
JP2000167999A (ja) | 放射線硬化型樹脂組成物の硬化被膜層を有するフィルム | |
JP2007527804A (ja) | ポリマーレリーフ構造体の作製方法 | |
Verma et al. | Taming of self-organization in highly confined soft matter to sub-100 nm scales: nanolens-arrays by spinodal instability of thin polymer films for high-resolution optical imaging | |
JP4287761B2 (ja) | 防汚性表面材料及びその製造方法 | |
JP2002318319A (ja) | 屈折率分布を有するフィルムの製造法 | |
TW201141704A (en) | Hard coating film, polarizing plate and image display device | |
JP3951542B2 (ja) | カラーフィルターの作製方法 | |
WO2013072350A1 (en) | Continuous process for preparation of a substrate with a relief structure | |
JP2001311810A (ja) | グレーティングの製造方法 | |
JP2005157183A (ja) | 光重合性組成物、それを用いたパターン形成方法およびパターン |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110909 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120417 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120510 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |