JP2008521039A - 深紫外線(deepuv)用のフォトレジスト組成物及びその方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Aは、非芳香族系ポリマー主鎖であり、
Wは、単結合または非芳香族系連結基であり、
mは、0〜10であり、
R4及びR5は、独立して、水素、(C1-C18)アルキル、SO2R7、C(O)R7、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、CO2(CH2)nCO2R7、O(CH2)nCO2R7、(CH2)nCO2R7、酸不安定性基で保護された酸性構造要素であるか、R4及びR5は、互いに結合して、置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成するか、R4及びR5は、互いに結合して、その環状構造内にスルホン、エーテル、カルボニル、カルボキシル、他のヘテロ構造要素を含む、置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成し、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択され、
R6は、独立して、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、酸不安定性基で保護された酸性構造要素、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、(CH2)nCO2R7であり、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択されるか、場合によっては、
R5及びR6は、互いに結合して、スルホン基を含む置換されていないかもしくは置換されている環状アルキル単位を形成し、そして
nは、1〜18である。
Aは、非芳香族系のポリマー主鎖であり、
Wは、単結合もしくは非芳香族系の連結基であり、
mは0〜10、好ましくはmは0〜5であり、
R4及びR5は、独立して、水素、(C1-C18、好ましくはC1-C10)アルキル、SO2R7、C(O)R7、(CH2)nSO2R7、CO2(CH2)nCO2R7、O(CH2)nCO2R7、(CH2)nCO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、酸不安定性基で保護された酸性構造要素であるか、R4及びR5は結合して、置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成するか、R4及びR5は結合して、その環状構造内にスルホン、エーテル、カルボニル、カルボキシル、他のヘテロ構造要素を含む置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成し、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18、好ましくはC1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択され、
R6は、独立して、(C1-C18、好ましくはC1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル、酸不安定性基で保護された酸性構造要素、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7であり、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18、好ましくはC1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基で保護された酸性構造要素から選択されるか、場合によっては、
R5及びR6は結合して、スルホン基を含む置換されていないかもしくは置換されている環状アルキル単位を形成し、そして
nは1〜18、好ましくは1〜10である。
R1〜R3は、独立して、水素、シアノ、(C1-C10)アルキルから選択され、
Wは、単結合または非芳香族系連結基であり、
mは0〜10であり、
R4及びR5は、独立して、水素、(C1-C18、好ましくはC1-C10)アルキル、SO2R7、C(O)R7、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、CO2(CH2)nCO2R7、O(CH2)nCO2R7、(CH2)nCO2R7、酸不安定性基で保護された酸性構造要素であるか、R4及びR5は結合して、置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成するか、R4及びR5は結合して、その環状構造内にスルホン、エーテル、カルボニル、カルボキシル、他のヘテロ構造要素を含む置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成し、この際、R7は(CH2)nCN、水素、(C1-C18、好ましくはC1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択され、
R6は、独立して、(C1-C18、好ましくはC1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル、酸不安定性基で保護された酸性構造要素、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、(CH2)nCO2R7であり、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、 (C1-C18、好ましくはC1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択されるか、場合によっては、
R5及びR6は結合して、スルホン基を含む置換されていないかもしくは置換されている環状アルキル単位を形成し、そして
nは1〜18、好ましくは1〜10である。
R1〜R3及びR6は、構造式1及び2で定義した通りである。
1) カルボン酸(pKa6もしくはそれ未満)、例えばCO2H、(C1-C10)アルキル-CO2H、(C3-C18)シクロアルキル-CO2H、-CO2-O-(CH2)nCO2H(n=1-20)、アルキル-CO2-O-(CH2)nCO2H (n=1-20)、-O-(C3-C18)シクロアルキル-CO2H、-O-(C1-C10)アルキル-CO2-O-(CH2)nCO2H (n=1-20)、-C(フルオロアルキル)2-O-(CH2)n-CO2H (n=1-20);
2) 電子吸引基によって置換されてpKaが10未満とされた酸性アルコール、例えば(C1-C10)アルキル-C(フルオロアルキル)2-O-(CH2)n-CO2H (n=1-20)酸性アルコール(pKa10もしくはそれ以下)、例えば-C(フルオロアルキル)2OH、(C1-C10)アルキル-C(フルオロアルキル)2OH及び他のベータ−フッ素化フルオロアルコール(なお、フルオロアルキルは、線状もしくは環状のC1-C10フルオロアルキルである)、またはフルオロアルキル基の代わりに他の電子吸引基、例えばCN、SO3R、CO2R及びこれらの類似物(Rは(C1-C10)アルキル基である)などで活性化された他の酸性アルコール(pKa<10); 及び
3) スルファミド類(スルホンアミド類)(pKa10もしくはそれ未満)、例えば(C1-C10)アルキル-SO2NH2、SO2NH(C1-C10)アルキル、(SO2)2NH、(アルキルSO2)2NH、(C1-C10)フルオロアルキル (-SO2NH2)など。
1) カルボン酸(pKa6もしくはそれ未満)、例えば(C1-C10)アルキル-CO2H、(C3-C10)シクロアルキル-CO2H、-(C1-C10)アルキル-CO2-O-(CH2)nCO2H (n=1-20)、(C3-C18)シクロアルキル-CO2H(n=1-20)、-C(フルオロアルキル)2-O-(CH2)n-CO2H (n=1-20);
2) 電子吸引基によって置換されてpKaが10未満とされた酸性アルコール、例えば(C1-C10)アルキル-C(フルオロアルキル)2-O-(CH2)n-CO2H (n=1-20)、酸性アルコール(pKa10もしくはそれ未満)、例えば-(C1-C10)C(フルオロアルキル)2OH、(C1-C10)アルキル-C(フルオロアルキル)2OH、及び他のベータ−フッ素化フルオロアルコール(なお、フルオロアルキルは、C1-C10線状もしくは環状フルオロアルキルである)、またはフルオロアルキル基の代わりに他の電子吸引基、例えばCN、SO2R、CO2R及びこれらの類似物(Rは、(C1-C10)アルキル基である)などで活性化された他の酸アルコール(pKa<10); 及び
3) 10もしくはそれ未満のpKaを有するスルファミド類(スルホンアミド類)、例えば(C1-C10)アルキル-SO2NH2、(C1-C10)(アルキルSO2)2NH、(C1-C10)フルオロアルキル-SO2NH2)など。
MA: メタクリロイルクロライド
THTDO: 3-ヒドロキシ-1,1-ジオキシド-テトラヒドロチオフェン
EAdMA: 2-エチル-アダマンタン-2-イルメタクリレート
HADA: 3-ヒドロキシ-アダマンタン-1-イルアクリレート
GBLMA: γ-ブチロラクトンメタクリレート
EVS エチルビニルスルホン
メタクリロイルクロライド(1) 9.2gを、テトラヒドロフラン(THF)50g中に溶解した。3−ヒドロキシ−1,1−ジオキシド−テトラヒドロチオフェン(2) 10g及びトリエチルアミン(3) 15gを、THF 150g中に溶解した。(1)の溶液を、氷/水浴中で激しく攪拌しながら、(2)と(3)の溶液混合物中に滴下した。この滴下が完了した2時間後に、得られた混合物を800mLの水中に注ぎ入れることによって反応を停止した。200mLのCH2Cl2を用いて生成物を抽出した。このCH2Cl2溶液を200mlの脱イオン水(DI水)で二度洗浄した。次いで、このCH2Cl2溶液を無水Na2SO4を用いて乾燥した。40mgの4−メトキシフェノールを、このCH2Cl2溶液に加えた。40℃未満の温度でロータリーエバポレータで溶剤を除去した後、暗いオレンジ色の生成物(MA−THTDO)が得られた。モノマーの収率は65%であった。
EAdMA 21.86g、HADA 13.04g、a−GBLMA 19.97g、MA−THTDO 5.99g、及びAIBN 9.13gを、THF 130g中に溶解した。温度を70℃に高め、そして反応体を5時間混合した。ポリマーをMeOH中で二度、そしてヘキサン中で一度析出させた。ポリマーの収率は52%であった。重量平均分子量(Mw)は10,989、多分散性(PD)は1.55、そしてガラス転移温度(Tg)は162℃であった。
MAdMA 21.86g、HADA 13.04g、a−GBLMA 19.97g、EVS 3.53g及びAIBN 9.13gをTHF 130g中に溶解した。温度を70℃に高め、そして反応を5時間行った。ポリマーをMeOH中で二度、そしてヘキサン中で一度析出させた。収率は48%であった。Mw=10,907、PD=1.48、Tg=138℃。
エチルビニルスルホン 10.00g(0.082モル)を、AIBN 0.8068g(0.0133モル)と一緒に、テフロン弁を備えた圧力管中に入れた(これらの成分と共にマイクロ磁気攪拌棒も上記管中に入れた)。液体窒素を用いてこの管の内容物を凍結させて、減圧下にこの混合物を凍結/解凍させて酸素を除去した。この作業は三度行った。最終の凍結/解凍サイクルの後、上記管に窒素ガスを満たし、テフロン弁を封止し、次いでこの管を60℃の浴中に入れ、そして4時間攪拌した。この間、中の液体は次第に粘度が高くなり、堅い樹脂を形成した。
例4のポリマーをシクロヘキサン中に溶解して7重量%の溶液を調製し、これを0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過し、そして500rpmで4インチシリコンウェハ上にスピン塗布し、次いで130℃で1分間ベーク処理した。このようにして、厚さ286nmの被膜を形成し、これを、分光エリプソメーター(VUV−Vase VU−302)で測定した。この材料は、193nmで1.71の屈折率を有することが確認された。
ポリ(tert−ブチルメタクリレート)(Polysciences Inc., USAから入手可能)をPGMEA中に溶解して7重量%溶液とし、そしてこれを0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過し、次いで1700rpm(60℃)でシリコンウェハ上にスピン塗布し、そして100℃で1分間ベーク処理した。このようにして、厚さ278nmの被膜を形成し、そしてこれを分光エリプソメーター(VUV−Vase、VU−302)で測定した。この材料は、193nmで1.61の屈折率を有することが確認された。それゆえ、例4のスルホン含有ポリマーは、スルホンを含まない例6のポリマーよりも大きい屈折率を与えた。
フォトレジストを次のように調製した。
フォトレジストを次のように調製した。
塗布、パターン化露光及び分析に使用した装置
193nmでの露光は、環状照射を利用するNikon 193nmスキャナーを用いて行った(NA=0.75 A0.50)。塗布、ベーク処理及び現像工程は、上記のニコン製機器に接続されたTEL(R) ACT 12トラックで行った。トップダウンSEM写真はKLA8100 CD−SEMで撮影し、この際、各々のデータポイントは二つの測定値の平均として取った。微少寸法は、20nmのオフセットを用いて50%の閾値で測定した。
膜厚37nmの底面反射防止膜(AZ(R) ArFTM 1C5D,ニュージャージー州ソマービル在のClariant Corp.の製品)を、シリコン基材上に塗布し、そして175℃で60秒間ベーク処理した。例7のフォトレジストを、この底面反射防止膜の上に塗布し(スピン速度1923rpm)、そして115℃で60秒間ベーク処理して、210nmの膜厚を得た。193nmで像様露光した後、この被膜を110℃で60秒間ベーク処理し、次いでAZ(R) 300 MIF現像剤(0.26Nの水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH))中で23℃で30秒間現像した。
膜厚37nmの底面反射防止膜(AZ(R) ArFTM 1C5D,ニュージャージー州ソマービル在のClariant Corp.の製品)をシリコン基材上に塗布し、そして175℃で60秒間ベーク処理した。例8のレジストをこの底面反射防止膜の上に塗布し(スピン速度1697rpm)、そして110℃で60秒間ベーク処理して、210nmの膜厚を得た。193nmで像様露光した後、被膜を110℃で60秒間ベーク処理し、その後、AZ(R) 300 MIF現像剤(0.26N TMAH)中で23℃で60秒間現像した。このようにして、17.5mJ/cm2での明視野像が、0.1ミクロンから始まり0.075ミクロンまで維持された解像度を有する緩やかなピッチ(1:1.2及び1:1.5)のL/S図形に観察された。また同様にして、25mJ/cm2での明視野像が、0.120ミクロンから始まり0.08ミクロンまでの1:1L/S図形に観察された。最後に、25mJ/cm2では、孤立のトレンチ1:5が、0.110ミクロンまで結像でき、0.1ミクロンでは部分的な開口が見られた。
Claims (20)
- 光酸発生剤と、以下の構造式1で表される少なくとも一種の単位を含むポリマーとを含むフォトレジスト組成物。
Aは、非芳香族系のポリマー主鎖であり、
Wは、単結合、または非芳香族系の連結基であり、
mは、0〜10であり、
R4及びR5は、独立して、水素、(C1-C18)アルキル、SO2R7、C(O)R7、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、CO2(CH2)nCO2R7、O(CH2)nCO2R7、(CH2)nCO2R7、酸不安定性基で保護された酸性構造要素であるか、R4及びR5は結合して、置換されていないかもしくは置換されたアルキル環状構造を形成するか、R4及びR5は結合して、その環状構造内にスルホン、エーテル、カルボニル、カルボキシル、他のヘテロ構造要素を含む置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成し、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基で保護された酸性構造要素から選択され、
R6は、独立して、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、酸不安定性基、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、(CH2)nCO2R7であり、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択されるか、場合によっては
R5及びR6は結合して、スルホン基を含む置換されていないかもしくは置換された環状アルキル単位を形成し、そして
nは1〜18である。 - Aが、脂肪族多環式単位及び脂肪族単環式単位から選択される環状単位である、請求項1の組成物。
- 構造式1の単位が、更に、次の構造式2で表されるものである、請求項1または2の組成物。
R1〜R3は、独立して、水素、シアノ、及び(C1-C10)アルキルから選択され、
Aは、非芳香族系のポリマー主鎖であり、
Wは、単結合もしくは非芳香族系の連結基であり、
mは、0〜10であり、
R4及びR5は、独立して、水素、(C1-C18)アルキル、SO2R7、C(O)R7、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、CO2(CH2)nCO2R7、O(CH2)nCO2R7、(CH2)nCO2R7、酸不安定性基で保護された酸性構造要素であるか、R4及びR5は結合して置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成し、R4及びR5は結合して、その環状構造内にスルホン、エーテル、カルボニル、カルボキシル、他のヘテロ構造要素を含む置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成し、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択され、
R6は、独立して、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、酸不安定性基、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、(CH2)nCO2R7であり、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基で保護された酸性構造要素から選択されるか、場合によっては
R5及びR6は結合して、スルホン基を含む置換されていないかもしくは置換されている環状アルキル単位を形成し、そして
nは1〜18である。 - 構造式1の単位が、次のモノマーから誘導される単位から選択される、請求項1〜3のいずれか一つの組成物。
Wは単結合または非芳香族系の連結基であり、
mは0〜5であり、
R4及びR5は、独立して、水素、(C1-C18)アルキル、SO2R7、C(O)R7、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、酸不安定性基で保護された酸性構造要素であるか、R4及びR5は結合して置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成するか、R4及びR5は結合して、その環状構造内にスルホン、エーテル、カルボニル、カルボキシル、他のヘテロ構造要素を含む置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成し、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択され、
R6は、独立して、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、酸不安定性基で保護された酸性構造要素、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7であり、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C18)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択されるか、場合によっては
R5及びR6は結合して、スルホン基を含む置換されていないかもしくは置換されている環状アルキル単位を形成し、そして
nは、1〜18である。 - Wが、脂肪族環状アルキル基、脂肪族線状もしくは分枝状アルキル基、カルボニル(CO)、カルボニルオキシ(C(O)-O)、オキシカルボニル(O-C(O))、カーボネート(O-C(O)-O)、スルホン(SO2)、スルホキシド(SO)、オキシ(O)及びスルフィド(S)、並びに次の側基、すなわちカルボニル(CO)、カルボニルオキシ(C(O)-O)、オキシカルボニル(O-C(O))、カーボネート(O-C(O)-O)、スルホン(SO2)、スルホキシド(SO)、オキシ(O)及びスルフィド(S)から選択される側基を有する脂肪族環状アルキル基から選択される、請求項1〜4のいずれか一つの組成物。
- Wが、(C1-C8)線状アルキル、(C1-C8)分枝状アルキル、置換されている単環式アルキル、置換されていない単環式アルキル、置換されている多環式アルキル、及び置換されていない多環式アルキルから選択される、請求項1〜5のいずれか一つの組成物。
- ポリマーがホモポリマーである、請求項1〜6のいずれか一つの組成物。
- 構造式1がフッ素化されていない、請求項1〜7のいずれか一つの組成物。
- ポリマーが、更に、少なくとも一種のコモノマー性単位を含む、請求項1〜6または8のいずれか一つの組成物。
- コモノマー性単位が、環状酸無水物、(メタ)アクリレートエステル、ビニルアセタール及び環状オレフィンから選択されるモノマーから誘導されるものである、請求項9の組成物。
- ポジ型フォトレジスト組成物に像を形成する方法であって、
a) 請求項1〜10のいずれか一つのフォトレジスト組成物の膜で基材を被覆する段階、
b) この基材をベーク処理して溶剤を実質的に除去する段階、
c) フォトレジスト膜を像様露光する段階、
d) フォトレジスト膜をベーク処理する段階、及び
e) 露光されたフォトレジスト膜をアルカリ現像剤で現像する段階、
を含む、上記方法。 - フォトレジストを塗布する前に、基材上に反射防止膜を塗布することを更に含む、請求項11の方法。
- 反射防止膜が193nmで感度を示すものである、請求項12の方法。
- フォトレジスト膜を、液浸リソグラフィを用いて像様露光する、請求項11〜13のいずれか一つの方法。
- フォトレジスト膜を、100nm〜300nmの範囲の波長の光で像様露光する、請求項11〜14のいずれか一つの方法。
- 段階d)の加熱が、ホットプレート上で、約90℃〜約150℃の温度の範囲で約30秒〜約180秒行われる、請求項11〜15のいずれか一つの方法。
- アルカリ現像剤が、水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液を含む、請求項11〜16のいずれか一つの方法。
- 以下の構造式1で表される少なくとも一種の単位を含む、請求項1〜10のいずれか一つに記載のポリマー。
Aは、非芳香族系のポリマー主鎖であり、
Wは、単結合または非芳香族系の連結基であり、
mは、0〜10であり、
R4及びR5は、独立して、水素、(C1-C6)アルキル、SO2R7、C(O)R7、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7、酸不安定性基で保護された酸性構造要素であるか、R4及びR5は結合して、置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成するか、R4及びR5は結合して、その環状構造内にスルホン、エーテル、カルボニル、カルボキシル、他のヘテロ構造要素を含む置換されていないかもしくは置換されているアルキル環状構造を形成し、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル及び酸不安定性基から選択され、
R6は、独立して、(C1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル、酸不安定性基で保護された酸性構造要素、(CH2)nSO2R7、(CH2)nCOR7、(CH2)nOR7であり、この際、R7は、(CH2)nCN、水素、(C1-C10)線状、分枝状もしくは環状アルキル、及び酸不安定性基から選択されるか、場合によっては
R5及びR6は結合して、スルホン基を含む置換されていないかもしくは置換されている環状アルキル単位を形成し、そして
nは、1〜10である。 - フォトレジスト組成物の一成分としての請求項18のポリマーの使用。
- 微細化された電子部品の製造のためのマイクロリソグラフィにおける、請求項1〜10のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物の使用。
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