JP2008518773A - 微細電子部品製造時に基板の外側エッジをコーティングする装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バッフルは、組成物の流れを基板(シリコンウエハなど)のエッジに向けて案内するように構成されるエッジ壁を有する本体を備える。エッジ壁は垂直面と、垂直面に連結される湾曲側壁と、湾曲側壁に連結されるリップとを備える。好ましいバッフルは形状が環状であり、合成樹脂組成物から形成される。バッフルは金属で形成されていないことが更に好ましい。本発明の方法は、バッフルを基板に隣接して位置決めし、スピンコート処理時に、エッジ壁によって組成物が基板のエッジと好ましくは基板の後側の一部とを被覆するようにすることを含む。
【選択図】なし
Description
本出願は、参照として本明細書に組み込まれる2004年11月8日出願の米国仮出願第60/626,034号の優先権を主張するものである。
本発明は、一般に、微細電子部品製造時にコーティング組成物を基板のエッジ方向およびエッジ全体に案内するために有用なバッフルに関する。
集積回路および微細電子機械(MEM)デバイスなどの微細電子デバイスは、通常、基板にコーティングの層を適用し、これらの層を特定のデバイス設計に必要な形および大きさに形成することにより作成される。これらの層は、通常、基板に液体組成物をスピンコートして形成されるが、コーティングが基板のエッジ方向およびエッジ全体には流れず、エッジ部分が保護されないことが多い。基板に、エッチング処理および研磨処理が順に施される。これらは比較的過酷な処理である。その結果、エッジに、コーティングのリフトオフ問題、つまり、コーティングのエッジが引っ張られて基板から取れてしまうという問題が発生することが多かった。これにより、基板のエッジが保護されないままになり、その後の処理条件の影響を受けやすくなる。基板が薄くなり割れたり壊れたりし易くなることが多かった。そのため、ウエハの歩留まりが低減し、コストが増加する。
図1に示すように、膜18はエッジ12を被覆しておらず、保護されないまま、ウェットエッチングなどのその後の処理が施される。
比較例
先行技術の欠点を説明するために、本発明のバッフルを用いて先行技術の方法を実施した。
本発明のバッフルの使用
本発明に係るバッフルを、ウエハの大きさに合わせて用いた他は、実施例1に記載の方法を繰り返した。スピン時にバッフルは余分なエッチング保護材料を集め、ウエハ上と後側にその材料をコーティングした。その結果、ウエハの上側、エッジ、および下側リムにエッチング保護材料が適用され、ウエハとそのエッジとを封入し、ウエハのエッジにおける膜のリフトが防止された。
後方ディスペンサを用いて本発明のバッフルを使用
スピンボウルに後方ディスペンサを追加してウエハのウェット化学エッチングに対する保護区域を大きくした他は、実施例2のプロセスを繰り返した。ウエハを、実施例2に記載した保護材料で被覆した。後方ディスペンサを用いて、保護材料をウエハの後側にコーティングした。その際エッジから、ウエハのエッジからおよそ5mmまでをコーティングした。図10に本実施例でコーティングされた後のシリコンウエハの後側を示す。
Claims (35)
- エッジを有する基板に組成物を適用する際に前記組成物の流れに影響を与えるバッフルであって、前記バッフルは前記組成物の流れを前記基板のエッジ方向に案内するように構成されるエッジ壁を有する本体を備え、前記本体の前記エッジ壁は
垂直面と、
前記垂直面に連結する湾曲側壁と、
前記湾曲側壁に連結するリップとを備え、前記バッフルは合成樹脂組成物を含有することを特徴とするバッフル。 - 前記合成樹脂組成物は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、硫化ポリフェニレン、アセタール、ポリエーテル エーテル ケトン、およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項1のバッフル。
- 前記リップは上側面および下側面を呈し、前記上側面は前記湾曲側壁から離れる方向に沿って、前記下側面へ向かって傾斜している請求項1のバッフル。
- 前記傾斜は垂直位置からおよそ1〜15度の傾斜である請求項3のバッフル。
- 前記バッフルは、該バッフル全体の重量を100重量%とした時におよそ5重量%未満の金属を含有する請求項1のバッフル。
- 前記湾曲側壁は頂点を有し、前記側壁は、前記頂点から前記垂直面と同一面に沿って引いた線までの距離として定義される厚み「l」を有し、
前記リップは前記頂点から離れる方向に伸びて端部を呈し、前記リップは前記垂直面に沿って引いた線から前記リップの端部までの距離として定義される長さ「L」を有し、長さ「L」は長さ「l」よりおよそ1.5〜4倍長い請求項1のバッフル。 - 前記本体と前記エッジ壁は形状が環状である請求項1のバッフル。
- エッジを有する基板に組成物を適用する際に前記組成物の流れに影響を与えるバッフルであって、前記バッフルが前記組成物の流れを前記基板方向に案内するように構成されるエッジ壁を有する本体を備え、前記本体の前記エッジ壁は、
垂直面と、
前記垂直面に連結する湾曲側壁と、
前記湾曲側壁に連結するリップとを備え、前記バッフルは、該バッフル全体の重量を100重量%とした時におよそ5重量%未満の金属を含有することを特徴とするバッフル。 - 前記バッフルは、該バッフル全体の重量を100重量%とした時におよそ0重量%の金属を含有する請求項8のバッフル。
- 前記リップは上側面および下側面を呈し、前記上側面は前記湾曲側壁から離れる方向に沿って、前記下側面へ向かって傾斜している請求項8のバッフル。
- 前記傾斜は垂直位置からおよそ1〜15度の傾斜である請求項10のバッフル。
- 前記湾曲側壁は頂点を有し、前記側壁は、前記頂点から前記垂直面と同一面に沿って引いた線までの距離として定義される厚さ「l」を有し、
前記リップは前記頂点から離れる方向に伸びて端部を呈し、前記リップは、前記垂直面に沿って引いた線から前記リップ端部までの距離として定義される長さ「L」を有し、長さ「L」は長さ「l」よりおよそ1.5〜4倍長い請求項8のバッフル。 - 前記本体と前記エッジ壁は形状が環状である請求項8のバッフル。
- エッジを有する基板に組成物を適用する際に前記組成物の流れに影響を与えるバッフルであって、前記バッフルが前記組成物の流れを前記基板方向に案内するように構成されるエッジ壁を有する本体を備え、前記本体の前記エッジ壁は、
垂直面と、
前記垂直面に連結する湾曲側壁と、
頂点を有するリップとを備え、前記側壁は前記頂点から前記垂直面と同一面に沿って引いた線までの距離として定義される厚さ「l」を有し、前記リップは前記湾曲側壁に連結し、前記頂点から離れる方向に伸びて端部を呈し、前記リップは、前記垂直面に沿って引いた線から前記リップ端部までの距離として定義される長さ「L」を有し、長さ「L」は長さ「l」よりおよそ1.5〜4倍長いことを特徴とするバッフル。 - 前記リップは上側面および下側面を呈し、前記上側面は前記湾曲側壁から離れる方向に沿って、前記下側面へ向かって傾斜している請求項14のバッフル。
- 前記傾斜は垂直位置からおよそ1〜15度の傾斜である請求項15のバッフル。
- 前記本体と前記エッジ壁は形状が環状である請求項14のバッフル。
- 組成物を基板に適用する際に前記組成物の流れに影響を与えるエッジを有する本体を備えるバッフルであって、前記本体は前記基板に対して前記バッフルの位置を変更する水準器を有する外側余白を備えることを特徴とするバッフル。
- 前記外側余白は前記本体から伸展するフランジを有し、前記水準器は前記フランジに連結する突起を有する、請求項18のバッフル。
- 前記突起は開口部を定義し、前記開口部は調節可能な留め具を受け入れるように構成されている請求項19のバッフル。
- 垂直面と、
該垂直面に連結する湾曲側壁と、
該湾曲側壁に連結するリップとを有するエッジ壁を有する本体を備えるバッフルと、
前記湾曲側壁に隣接するが、バッフルに接触しないように位置決めされる基板との組み合わせ。 - 前記本体と前記エッジ壁は形状が環状である請求項21の組み合わせ。
- 前記エッジ壁は開口部を定義し、前記基板は前記開口部に位置決めされる請求項22の組み合わせ。
- 前記バッフルは合成樹脂組成物を含有する請求項21の組み合わせ。
- 前記基板は微細電子基板である請求項21の組み合わせ。
- 前記基板は、ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ヒ化ガリウムアルミニウム、リン化ガリウムインジウムアルミニウム、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウムインジウム、窒化ガリウムインジウム、ヒ化ガリウムインジウム、酸化アルミニウム、ガラス、水晶、ポリカーボネート、ポリエステル、アクリル、ポリウレタン、紙、セラミック、および金属の基板からなる群から選択される請求項25の組み合わせ。
- 基板に組成物を適用する方法であって、
エッジ壁を有する本体を備えるバッフルと、表面とエッジとを有する基板とを提供する工程と、
基板が前記エッジ壁に隣接するように前記バッフルと基板とを位置決めする工程と、
前記基板表面に組成物を適用する工程とを含み、前記エッジ壁によって前記組成物を前記基板のエッジにも接触させる方法。 - 前記エッジ壁は、
垂直面と、
前記垂直面に連結する湾曲側壁と、
前記湾曲側壁に連結するリップとを備え、前記位置決め工程は、前記基板が前記湾曲側壁に隣接するように前記基板とバッフルとを位置決めすることを含む請求項27の方法。 - 前記組成物は、前記接触工程中、前記湾曲側壁に接触し、前記湾曲側壁は前記組成物を前記基板エッジに接触させる請求項28の方法。
- 前記位置決め工程により、前記基板は前記エッジ壁に隣接するが、前記バッフルには接触しない請求項27の方法。
- 前記本体と前記エッジ壁は形状が環状である請求項27の方法。
- 前記エッジ壁は開口部を定義し、前記位置決め工程中は、前記基板は前記開口部に位置決めされる請求項27の方法。
- 前記バッフルは合成樹脂組成物を含有する請求項27の方法。
- 前記基板は微細電子基板である請求項27の方法。
- 前記基板は、ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ヒ化ガリウムアルミニウム、リン化ガリウムインジウムアルミニウム、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウムインジウム、窒化ガリウムインジウム、ヒ化ガリウムインジウム、酸化アルミニウム、ガラス、水晶、ポリカーボネート、ポリエステル、アクリル、ポリウレタン、紙、セラミック、および金属の基板からなる群から選択される請求項34の方法。
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