JP5143395B2 - ウエハへのレジスト形成方法 - Google Patents
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Description
2 絶縁層
3 レジスト
6,15 シード層
7 下部磁気シールド層
8a,8b プラグ
9,18,19,20 マスキングカバーパターン
11 センサー素子
12 リード部
13 シャント用パターン
16 上部磁気シールド層
17a,17b プラグ
25 ノズル
31,32 パターンフレーム
41 盛り上がり部
W ウエハ
R レジスト
Claims (8)
- 段差あるいは凹凸が形成されたウエハへのレジスト形成方法であって、
ウエハの中心部にレジストを滴下した後前記ウエハを該ウエハの中心軸のまわりで回転させることによって、またはウエハの中心部にレジストを滴下しながら前記ウエハを該ウエハの中心軸のまわりで回転させた後に前記レジストを滴下させずに前記ウエハをさらに回転させることによって、該ウエハの外周部に、滴下された前記レジストの盛り上がり部を形成する第1の塗布ステップと、
前記第1の塗布ステップに続いて、前記ウエハを前記中心軸のまわりで回転させながら、レジストの滴下位置を前記中心部から該ウエハの外周部に向けて変化させて、該ウエハにレジストを滴下する第2の塗布ステップと、
を有する、ウエハへのレジスト形成方法。 - 前記第2の塗布ステップは、前記レジストの滴下が終了した後さらに前記ウエハを前記中心軸のまわりで回転させることによって、滴下された前記レジストを拡散させることを含む、請求項1に記載のレジスト形成方法。
- 前記第2の滴下ステップに続いて、前記ウエハを、前記中心軸のまわりで回転させることによって、前記レジストの膜厚を調整する膜厚調整ステップを有する、請求項1または2に記載のレジスト形成方法。
- 前記膜厚調整ステップにおける前記ウエハの回転数は前記第2の滴下ステップにおける前記ウエハの回転数よりも大きい、請求項3に記載のレジスト形成方法。
- 前記第1の塗布ステップは、前記レジストの滴下が終了した後前記ウエハの回転数を上げることによって、滴下された前記レジストを前記外周部に拡散させることを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のレジスト形成方法。
- 前記第1の塗布ステップは、
前記ウエハを静止させた状態で前記レジストを滴下させることと、
前記レジストの滴下が終了した後前記ウエハを回転させることによって、滴下された前記レジストを前記外周部に拡散させることと、
を含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のレジスト形成方法。 - 前記第2の塗布ステップは、前記レジストの滴下位置を前記中心部から該ウエハの外周部まで連続的に変化させることを含む、請求項1から6のいずれか1項に記載のレジスト形成方法。
- 前記ウエハは、薄膜磁気ヘッドの読込み素子が多数形成された、または形成されるべきウエハである、請求項1から7のいずれか1項に記載のレジスト形成方法。
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