JP2008518429A - プラズマ加工システムのrfアーススイッチ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 電極と接地部との間で選択的にRFアース通路を提供するプラズマ加工システムの構成であって、
RF電力サブシステムと電極との間にRF伝導通路を提供するように設計されたRF伝導通路構造部と、
導電材料製の環状構造部と、
を含んで構成され、前記環状構造部と前記RF伝導通路構造部は2つの相対位置を有しており、該2つの相対位置の第1相対位置は前記RF伝導通路構造部をアースするための前記RF伝導通路構造部と通電状態にある前記環状構造部の存在を特徴とし、前記2つの相対位置の第2相対位置は前記RF伝導通路から非通電状態にある前記環状構造部の存在を特徴としていることを特徴とする構成。 - RF伝導通路構造部は第1相対位置の環状構造部の周囲にカップリングするようにデザインされた環状形状を有していることを特徴とする請求項1記載の構成。
- 環状構造部とは、第1相対位置でRF伝導通路構造部と物理的に接触するようにデザインされた複数の押圧指部を有した環状金属リングであることを特徴とする請求項2記載の構成。
- 環状構造部に作動式にカップリングするアクチュエータをさらに含んでおり、該アクチュエータは、該環状構造部を移動させ、該環状構造部を第1相対位置と第2相対位置に交互に存在させることを特徴とする請求項1記載の構成。
- 環状構造部はBeCu製であることを特徴とする請求項1記載の構成。
- 絶縁構造部と、
該絶縁構造部と作動式にカップリングするアクチュエータと、
をさらに含んでおり、該アクチュエータは前記絶縁構造部を移動させ、該絶縁構造部を第1絶縁位置と第2絶縁位置に交互に存在させ、該第1絶縁位置は前記絶縁構造部を環状構造部とRF伝導通路構造部との間に存在させ、該環状構造部を該RF伝導通路構造部に対して第2相対位置に存在させることを特徴とし、前記第2絶縁位置は前記環状構造部と前記RF伝導通路構造部との間の領域から離れており、該環状構造部を前記RF伝導通路構造部に対して第1相対位置に存在させることを特徴としていることを特徴とする請求項1記載の構成。 - 絶縁構造部はプラスチック製であることを特徴とする請求項6記載の構成。
- プラスチックはウルテムであることを特徴とする請求項7記載の構成。
- 環状構造部、絶縁構造部及びRF伝導通路構造部は環状であることを特徴とする請求項6記載の構成。
- 絶縁構造部はプラスチック製であることを特徴とする請求項6記載の構成。
- アクチュエータは空気圧アクチュエータであることを特徴とする請求項6記載の構成。
- アクチュエータは、プラズマ加工のために基板がプラズマ加工システム内に設置されると該基板と垂直な線と平行に絶縁構造部を移動させるように設計されていることを特徴とする請求項6記載の構成。
- RF電源の出力部と接地部との間でカップリングされたフィルター構造部をさらに含んでおり、該フィルター構造部はRF伝導通路構造部に提供される複数のRF信号の信号を選択的に排除するように設計されていることを特徴とする請求項6記載の構成。
- 電極とは上方電極であることを特徴とする請求項6記載の構成。
- 環状構造部が伝導通路構造部に対して第2相対位置に存在するなら、電極はプラズマ加工時に複数の周波数を有した複数のRF信号でエネルギー付与されるように設計されていることを特徴とする請求項14記載の構成。
- プラズマ加工チャンバとは容量結合プラズマ加工チャンバであることを特徴とする請求項15記載の構成。
- 複数の周波数は2MHz周辺、27MHz周辺及び60MHz周辺を含むことを特徴とする請求項16記載の構成。
- 絶縁構造部はセラミック製であることを特徴とする請求項記載の構成。
- プラズマ加工システムで利用する、電極と接地部との間でRFアース通路を選択的に提供する方法であって、
RF電力サブシステムと電極との間にRF伝導通路を提供するように設計されているRF伝導通路構造部を提供するステップと、
導電材料製の環状構造部を提供するステップと、
前記RF伝導通路構造部と前記環状構造部を2つの相対位置の1つに存在させるステップと、
を含んで構成され、該2つの相対位置の第1相対位置は前記RF伝導通路構造部をアースするための前記RF伝導通路構造部と通電状態にある前記環状構造部の存在を特徴とし、前記2つの相対位置の第2相対位置は前記RF伝導通路から非通電状態にある前記環状構造部の存在を特徴としていることを特徴とする方法。 - RF伝導通路構造部は第1相対位置の環状構造部の周囲にカップリングするように形状化された環状形状を有していることを特徴とする請求項19記載の方法。
- 環状構造部は第1相対位置のRF伝導通路構造部と物理的に接触するように形状化された複数の押圧指部を有した環状金属リングであることを特徴とする請求項20記載の方法。
- RF伝導通路構造部と環状構造部を存在させるステップは環状構造部に作動式にカップリングするアクチュエータを利用し、該アクチュエータは該環状構造部を第1相***置と第2相対位置に交互に存在させるべく移動させることを特徴とする請求項19記載の方法。
- 環状構造部はBeCu製であることを特徴とする請求項19記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/953,229 US7393432B2 (en) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | RF ground switch for plasma processing system |
US10/953,229 | 2004-09-29 | ||
PCT/US2005/034073 WO2006039193A2 (en) | 2004-09-29 | 2005-09-23 | Rf ground switch for plasma processing system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008518429A true JP2008518429A (ja) | 2008-05-29 |
JP2008518429A5 JP2008518429A5 (ja) | 2008-11-13 |
JP4913740B2 JP4913740B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=36097676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007533643A Expired - Fee Related JP4913740B2 (ja) | 2004-09-29 | 2005-09-23 | プラズマ加工システム |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7393432B2 (ja) |
EP (1) | EP1797220A4 (ja) |
JP (1) | JP4913740B2 (ja) |
KR (1) | KR101177335B1 (ja) |
CN (1) | CN101316949B (ja) |
IL (1) | IL182200A (ja) |
MY (1) | MY167764A (ja) |
TW (1) | TWI367606B (ja) |
WO (1) | WO2006039193A2 (ja) |
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2004
- 2004-09-29 US US10/953,229 patent/US7393432B2/en active Active
-
2005
- 2005-09-23 EP EP05802852A patent/EP1797220A4/en not_active Withdrawn
- 2005-09-23 JP JP2007533643A patent/JP4913740B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-23 WO PCT/US2005/034073 patent/WO2006039193A2/en active Application Filing
- 2005-09-23 KR KR1020077009498A patent/KR101177335B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-23 CN CN200580039837.6A patent/CN101316949B/zh active Active
- 2005-09-27 TW TW094133570A patent/TWI367606B/zh active
- 2005-09-28 MY MYPI20054568A patent/MY167764A/en unknown
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- 2007-03-26 IL IL182200A patent/IL182200A/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4913740B2 (ja) | 2012-04-11 |
MY167764A (en) | 2018-09-24 |
US7393432B2 (en) | 2008-07-01 |
US20060065369A1 (en) | 2006-03-30 |
IL182200A0 (en) | 2007-07-24 |
EP1797220A4 (en) | 2009-07-29 |
TW200629668A (en) | 2006-08-16 |
WO2006039193A2 (en) | 2006-04-13 |
TWI367606B (en) | 2012-07-01 |
WO2006039193A3 (en) | 2008-02-21 |
KR20070057987A (ko) | 2007-06-07 |
EP1797220A2 (en) | 2007-06-20 |
IL182200A (en) | 2011-01-31 |
KR101177335B1 (ko) | 2012-08-30 |
CN101316949A (zh) | 2008-12-03 |
CN101316949B (zh) | 2015-10-07 |
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