JP2008506547A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 配列された半導体ナノ粒子と受容体基材とを備えるデバイスの作製方法であって、
   ａ）複数の第１半導体ナノ粒子を配列させるステップと、
   ｂ）前記配列された第１半導体ナノ粒子を第１ドナーシート上に堆積させるステップと、
   ｃ）前記配列された第１半導体ナノ粒子の少なくとも一部を、レーザ照射することにより受容体基材に転写させるステップと、
   を含む方法。
2. ｄ）第２の複数の第２ナノ粒子を配列させるステップと、
   ｅ）前記配列された第２ナノ粒子を第２ドナーシート上に堆積させるステップと、
   ｆ）前記配列された第２ナノ粒子の少なくとも一部を、レーザ照射することにより前記同一受容体基材に転写させるステップと、
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. ｄ）第２の複数の第２ナノ粒子を配列させるステップと、
   ｅ）前記配列された第２ナノ粒子を前記第１ドナーシート上に堆積させるステップと、
   ｆ）前記配列された第２ナノ粒子の少なくとも一部を、レーザ照射することにより前記同一受容体基材に転写させるステップと、
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１つの方法に従って作製された、配列された半導体ナノ粒子と受容体基材とを備える、デバイス。