CN101061576A - 图案化并排列半导体纳米粒子 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种制造包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法，包括以下步骤：a)排列多个第一半导体纳米粒子；b)将排列的第一半导体纳米粒子沉积到第一给体片材上；和c)通过使用激光照射，将至少一部分排列的第一半导体纳米粒子转移到受体基材。通常，所述半导体纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。排列步骤可以通过任何适当的方法实现，通常包括：1)通过可以织构的或微孔道的表面中或其上的毛细流动排列：2)通过可以自组装单层(SAM)上模板化而排列：3)通过可以织构聚合物表面上模板化而排列：或4)通过混入包括向列型液晶的组合物中随后剪切取向向列型液晶而排列。在一些实施方式中，所述方法另外包括以下步骤：d)排列第二多个第二纳米粒子；e)将排列的第二纳米粒子沉积到相同的给体片材或第二给体片材；和f)通过使用激光照射，将至少一部分排列的第二纳米粒子转移到所述相同的受体基材。所述第二纳米粒子可为导电粒子，绝缘粒子，或半导体纳米粒子，包括无机的半导体纳米粒子，和可以与第一半导体纳米粒子的组成相同或不同。另外，提供根据本发明的方法制造的器件。

Description

图案化并排列半导体纳米粒子
发明领域
本发明涉及图案化和/或排列半导体纳米粒子的方法和包括图案化的和/或排列的半导体纳米粒子的制品。本发明可以用于构造薄膜电子器件，比如晶体管，二极管等。
发明内容
简要地，本发明提供制备包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法，其中所述方法包括以下步骤：a)排列多个第一半导体纳米粒子；b)将排列的第一半导体纳米粒子沉积在第一给体片材上；和c)通过使用激光照射，将排列的第一半导体纳米粒子的至少一部分转移到受体基材。通常，所述半导体纳米粒子为无机半导体纳米粒子。排列步骤可以通过任何适当的方法实现，通常包括：1)通过在织构的或微通道的表面中或其上的毛细流动而排列；2)通过在自组装单层(SAM)上模板化而排列；3)通过在织构聚合物表面上模板化而排列；或4)通过在包括向列型液晶的组合物中混合，随后剪切取向向列型液晶而排列。一些实施方式中，所述方法另外包括以下步骤：d)排列第二多个第二纳米粒子；e)在相同的给体片材或第二给体片材上沉积排列的第二纳米粒子；和f)通过使用激光照射将排列的第二纳米粒子的至少一部分转移到相同的受体基材。第二纳米粒子可为导电粒子，绝缘粒子或半导体纳米粒子，包括无机的半导体纳米粒子，并可与第一半导体纳米粒子在组成上相同或不同。另外，提供根据本发明方法制造的器件。
详细说明
任何适当的半导体纳米粒子可被用于本发明的实践。纳米粒子的厚度通常小于500nm，即在最小方向的，更通常小于200nm，更通常小于100nm，在一些实施方式中可以小于50nm或小于20nm厚。本发明实践的典型的纳米粒子可以包括纳米线，纳米棒，纳米管，纳米条和纳米晶体，所述纳米粒子可以支化形成三脚状或四脚状。
典型的半导体纳米粒子由II-VI材料，III-V材料，IV族材料，或其组合组成。适当的II-VI材料可以由任何个数的II族材料，最通常选自由Zn，Cd，Be和Mg的那些，和任何个数的VI族材料，最通常选自由Se，Te，和S的那些，的合金组成。适当的II-VI材料可以包括氧化锌或氧化镁。适当的III-V材料可以由任何个数的III族材料，最通常选自In，Al和Ga的那些，和任何个数的V族材料，最通常选自As，P和Sb的那些，的合金组成。适当的IV族材料可以包括Si和Ge。可选择地，可以使用有机半导体材料，其可以包括二萘嵌苯，并五苯，丁省，金属酞菁，铜酞菁，六噻吩(sexithiophene)，或其衍生物。另外，可以使用任何上述材料彼此或与导电材料的层状的、部分的、合金的或以其它方式复合的组合。
用于本发明实践的半导体纳米粒子可以通过任何适当的方法制造，其可以包括在国际公开WO 2004/027822 A2，美国专利申请公开2004/0005723 A1中教导的方法。可以用于制造半导体纳米粒子的另外的方法可以包括电弧放电，等离子体增强的化学气相淀积(PHCVD)，物理气相沉积等。
在本发明的一些实施方式中，半导体纳米粒子通过在织构的或微通道的表面(其可以包括纳米通道)中或在其上的毛细流动排列。包括所述半导体纳米粒子的组合物被施加到表面中或其上的毛细构造，使得毛细管作用将组合物引入毛细管，强制纳米粒子沿毛细管的长度取向。另外，纳米粒子倾向于在液体成分的干燥期间排列，提供用于排列纳米粒子的第二方法。可以使用包括半导体纳米粒子的任何适当的组合物。组合物最通常为流体或悬浮液。除半导体纳米粒子之外，组合物可以包括溶剂，媒介物，聚合物或其他的材料，和添加剂，比如填料，分散剂，染料，防腐剂等。可以使用任何适当的织构的或微通道的表面制品，包括玻璃，陶瓷，金属或聚合物的表面。织构或毛细图案可为2-或3-维的，并可以包括一面或多于一面的织构的或微通道的表面器件。织构或毛细图案可以包括开放通道或沟渠，闭合管或裂缝，隔离的孔或每个的组合。隔离孔的情况下，干燥处理相对于毛细管的毛细方法占优势，在一种实施方式中，织构的或微通道的表面制品包括具有单一取向的通道。在可选择的实施方式中，织构的或微孔道的表面制品包括具有不同取向的各种区域。在另外的实施方式中，织构的或微通道的表面制品包括相对于无规具有不同取向度的通道的各种区域。在另外的实施方式中，织构的或微通道的表面制品包括具有不同毛细通道浓度的各种区域，以调整存在于该区域的取向材料的量。在另外的实施方式中，织构的或微通道的表面制品可以包括具有交叉排列的毛细通道，使得排列纳米管的区域在表面上以90度交叉或其他的取向。可以根据记载于美国专利6,375,871，美国专利申请公开2002/0098124和2004/0042937的方法制造包括微流体通道的制品，其可以用于本发明实践。可以用于制造包括微流体通道的制品的其它方法，包括光刻法，干刻蚀，金刚石车削，激光烧蚀，浇铸，压花等。
在本发明的一些实施方式中，半导体纳米粒子通过在自组装单层(SAM)上的模板化而排列。包括半导体纳米粒子的组合物被施加到在其表面上用自组装单层(SAM)处理的表面，使得纳米粒子往往随着SAM取向。如上所述，可以使用任何适当的包括半导体纳米粒子的组合物。自组装单层(SAM)可通过任何适当的方法制造，包括记载于美国专利6,518,168的。
在本发明的一些实施方式中，半导体纳米粒子通过在织构聚合物表面上模板化而排列，比如摩擦的聚酰亚胺表面，比如用于液晶排列的，或拉伸的聚合物膜。将包括半导体纳米粒子的组合物施加到织构聚合物表面。如上所述，可以使用任何适当的包括半导体纳米粒子的组合物。
在本发明的一些实施方式中，半导体纳米粒子通过以下方法排列，所述方法包括：第一，在包括向列型液晶的组合物中混合半导体纳米粒子，第二，剪切取向所述向列型液晶。可以使用任何适当的向列型液晶和任何适当的剪切取向方法，包括记载于Dierking，″Aligning andReorienting Carbon Nanotubes with Nematic Liquid Crystals″，Adv.Mater.2004，16，No.11，June 4，pp.865-869的。
在任何上述的排列半导体纳米粒子的方法中，包括半导体纳米粒子的组合物可以通过印刷或涂敷法施加，包括喷墨印刷，刀片涂敷，刮刀涂敷，旋涂等。包括半导体纳米粒子的组合物可以在该施加步骤期间被进一步图案化，尤其是在其中使用比如喷墨印刷、激光引发的热成像(LITI)等的印刷方法的应用中。另外，应用的印刷方法，比如喷墨印刷，LITI等，可以用于非取向半导体纳米粒子的图案化。
在如上所述的排列方法的一些实施方式中，包括所述排列机理的制品是电子器件基材。该实施方式中，在通过如上所述的任一项施加方法应用到基材之后，排列机理用于取向半导体纳米粒子。电子器件基材可以另外包括电子触点，导体，绝缘体，热管理机制等。
在如上所述的排列方法的一些实施方式中，包括所述排列机理的制品是涂敷模头。
在本发明的一些实施方式中，半导体纳米粒子通过激光引发的热成像(LITI)图案化。在该方法中，在给体片材上具有包括半导体纳米粒子的组合物，如美国专利6,114,088，6,194,119.6,358,664，6,485,884，6,521,324所述。给体片材与受体基材接触，和通过应用激光照射，将包括半导体纳米粒子的组合物选择性地传送到受体基材。该方法使得形成任意图案的包括半导体纳米粒子的组合物，包括″岛″的形成。该实施方式中，可以使用任何适当的包括半导体纳米粒子的组合物。所述组合物可为固体，流体，悬浮液，凝胶或任何适当的物质形式。除半导体纳米粒子之外，组合物可以包括溶剂，媒介物，聚合物，基质或其他的材料，和添加剂，比如填料，分散剂，染料，防腐剂等。在转移以前可以干燥或固化液体成分。在一种实施方式中，组合物包括可以通过蒸发分解或两者除去的组分，其可以包括溶剂，媒介物，聚合物，基质或其他的材料。分解可以包括应用热，化学，射线，时间或其它的试剂，或其一些组合。可选择地，所述组合物可以仅仅包括纯净的半导体纳米粒子。
在本发明的其中半导体纳米粒子通过激光引发的热成像(LITI)图案化的一些实施方式中，制造包括一个或多个薄膜电子器件的制品。在一种实施方式中，制造包括许多薄膜电子器件的电子电路，其可为简单的设计或可以具有相当的复杂性乃至集成电路芯片。在本发明的一些实施方式中，可以通过包括单一LITI步骤的方法制造包括薄膜电子器件的制品。在本发明的一些实施方式中，可以通过包括两个或更多LITI步骤的方法制造包括薄膜电子器件的制品。多个LITI步骤可以使用在组成，形状，尺寸，取向方向或取向度，或半导体纳米粒子浓度方面不同的给体片材。在本发明的一些实施方式中，包括薄膜电子器件的制品可以通过一个或多个多层LITI步骤制造。在这些多层LITI中的附加层可以包括金属，绝缘体，电介质等，其可以通过比如网板，平版印刷术等方法图案化。
在本发明的其中半导体纳米粒子通过激光引发的热成像(LITI)图案化的一些实施方式中，所述包括半导体纳米粒子的组合物在通过一个或多个上述的排列方法图案化之前排列。在一种实施方式中，纳米粒子在包括织构的或微孔道的表面的制品上排列，并从那儿转移到给体片材。在一种实施方式中，织构的或微孔道的表面包括具有单一取向的通道。在可选择的实施方式中，织构的或微孔道的表面制品包括具有不同取向的各种区域。
在本发明其中半导体纳米粒子通过激光引发的热成像(LITI)图案化的另外的实施方式中，包括半导体纳米粒子的组合物在图案化之前在给体片材上排列。该实施方式中，给体片材可以包括织构的或微孔道的表面。在一种实施方式中，给体片材包括具有单一取向的通道。在可选择的实施方式中，给体片材包括具有不同取向的通道的各种区域。在另外的实施方式中，给体片材包括相对于无规具有不同取向度的各种区域，以在基材的具体的区域中调整可动性，开/关率，或其他的器件参数。在另外的实施方式中，给体片材包括具有不同毛细通道浓度的各种区域，以调整存在于该区域的取向材料的量。在另外的实施方式中，给体片材可以包括具有交叉排列的毛细通道，使得排列纳米管的区域在给体片材上以90度交叉或其他的取向。可以转移交叉的排列纳米管，在基材上留下交叉排列的半导体。
因此，在一些实施方式中，本发明使得电路设计者可以以任意设计的图案，以任意取向包括混合取向，以不同的线密度和以不同程度的取向，将半导体纳米粒子沉积到基材上。
在一些实施方式中，在电子器件的制造期间，排列和/或图案化半导体纳米粒子的方法，也用于在电子器件的制造中排列和/或图案化导电粒子。在一些实施方式中，在电子器件的制造期间排列和/或图案化半导体纳米粒子的方法，也用于在电子器件的制造中排列和/或图案化不导电的或绝缘粒子。
本发明用于制造电子器件。通过下列实施例进一步说明本发明的目的优点，但是这些实施例所述的特别的材料和量及其他的条件和细节，不应该解释为过分地限制本发明。
实施例
实施例除非另作说明，所有的试剂得自Aldrich Chemical Co.Milwaukee，WI，或通过已知的方法合成。
制备实施例1-化合物A，1-[4，6-二(4-羧基苯胺)-1，3，5-三嗪-2-基]硫酸氢吡啶的制备(向列型三嗪衍生物)。
在实施例1中如记载于美国专利5,948,487(Sahouani等人)的如下制备1-[4，6-二(4-羧基苯胺)-1，3，5-三嗪-基]硫酸氢吡啶，制备化合物A，向列型三嗪衍生物：
向具有温度计，机械搅拌器和冷凝器的500ml三颈圆底烧瓶中加入117mL的无水吡啶。混合物加热到70℃，并加入39g 4，4′-[(6-氯-1，3，5-三嗪-2，4-二基)二亚氨基]双-苯甲酸，得到非均匀混合物。温度慢慢地升高到85℃，并加热一个小时，同时剧烈地搅拌悬浮液。混合物冷却到15℃，通过抽吸过滤收集固体，用吡啶洗，并在室温下空气干燥过夜，得到47.69g黄色固体。
4.44g固体样品溶解于115ml含有1.62ml 30％氢氧化铵水溶液的水中。搅拌该混合物十分钟并过滤除去少量固体。滤液转移到具有机械搅拌器和pH计的250ml三颈圆底烧瓶。
慢慢地滴加入4wt％的硫酸水溶液，直到pH到约3.5。通过抽吸过滤收集固体，在100mL水中搅拌，并通过过滤收集。固体然后在200ml丙酮中加热到56℃，收集，并空气干燥。
得到的化合物经nmr分析，其显示与1-[4，6-二(4-羧基苯胺)-1，3，5-三嗪-2-基]硫酸氢吡啶一致的结构，其以下被称作向列型化合物A。
制备实施例2-基材/光-热转化/层间(LTHCI)薄膜
如美国专利6,114,088(Wolk)制备炭黑光-热转化层，例如，通过根据表1，用Yasui Seiki Lab Coater，Model CAG-150(Yasui Seiki Co.，Bloomington，IN)，使用每线性厘米381螺旋小池的微凹版印刷卷，将以下LTHC涂敷溶液涂敷到0.1mm PET基材上。
表1
THC涂敷溶液
  组分   重量份数
  RavenTM 760 Ultra carbon black pigment(得自Columbian Chemicals，Atlanta，GA)   3.39
  ButvarTM B-98(聚乙烯醇缩丁醛树脂，得自Monsanto，St.Louis，MO)   0.61
  JoncrylTM 67(丙烯酸树脂，得自S.C.Johnson & Son，Racine，WI)   1.81
  LilvaciteTM 2669(丙烯酸树脂，得自ICJ Acrylics，Wilmington，I)E)   9.42
  DisperbykTM 161(分散助剂，得自Byk Chemie，Wallingford，CT)   0.3
  FC-430TM(含氟表面活性剂，得自3M，St.Paul，MN)   0.012
  EbbecrylTM 629(酚醛环氧丙烯酸酯，得自UCB Radcure，N.Augusta，SC)   14.13
  IrgacureTM 369(光固化剂，得自Ciba Specialty Chemicals，Tarrytown，NY)   0.95
  IrgacureTM 184(光固化剂，得自Specialty Chemicals，Tarrytown，NY)   0.14
  丙二醇单甲醚乙酸酯   16.78
  1-甲氧基-2-丙醇   9.8
  甲基乙基酮   42.66
涂层在40℃在线干燥，并以6.1m/min的速度，使用配备有H-bulbs(Fusion UV Systems，Inc，Inc.，Gaithersburg，MD)的Fusion SystemsModel 1600(400W/in)UV固化***U V固化。干燥涂层的厚度为大约3微米。
根据表2，使用Yasui Seiki Fab Coater，Model CACH50(YasuiSeiki Co.，Bloomington，IN)，在光-热转化层的炭黑涂层上轮转凹版印刷涂敷中间层涂敷溶液。在线干燥涂层(40℃)，并以6.1m/min使用配备有H-bulbs的Fusion Systems Model 1600(600W/in)UV固化。得到中间层涂层的厚度为大约1.7微米。
表2
中间层涂敷溶液
  组分   重量份数
  BulvarTM B-98   0.98
  JoncrylTM 67   2.95
  SartomerTM SR351TM(三丙烯酸三羟甲基丙烷酯，得自Sartomer，lixton，PA)   15.75
  IrgacureTM 369   1.38
  IrgacureTM 184   0.2
  1-甲氧基-2-丙醇   31.5
  甲基乙基酮   47.24
实施例1，氧化锌纳米线的排列
通过依次向4g净化水中加入以下组分制备溶液：在水中的0.13g30％氢氧化铵，在水中的0.12g 10％的烷基糖苷(以APG 325得自FitzChem Corp，Itasca，IL)，和0.5g来自制备实施例1的向列型化合物A。搅拌溶液1小时。加入70纳米直径，3～10微米长的氧化锌纳米线(Nanolab，Newton，MA)，并通过磁性搅拌棒搅拌该混合物至少1小时。
通过将所述混合物置于聚合物基材上，保持6英寸长的间隙，固定的0.5密耳湿膜厚度薄膜涂敷器(得自BYK-Gardner，Columbia，MI的Bird Film Applicator)，并在其下以约50cm/秒的速度手拉4英寸宽的聚合物膜，而涂敷约0.3mL的混合物。在其边缘调整Bird FilmApplicator，使得在聚合物膜表面和薄膜涂敷器之间存在4～8微米的间隙。使用的特殊的基材聚合物是二氧化硅基底的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)，亦称PET。
涂敷之后，干燥薄膜层，以在聚合物基材层上形成含有纳米线的基质层。使用透射电子显微术(TEM)对薄膜层进行成像。为使用扫描电子显微术(SEM)成像，使用反应性离子蚀刻(RIE)除去基质。切出基质薄膜中纳米线的小样品，并装载入Technics Micro RIM Series 80反应性离子蚀刻机。在150W的氧等离子体中处理所述薄膜五分钟。
实施例2，排列的氧化锌纳米线的转移：
使用Bird Film Applicator以记载于实施例1的方法，将实施例1中所述的含有氧化锌纳米线的混合物涂敷到基材/光-热转化中间层薄膜(来自制备实施例2)上，产生含有纳米线的光诱导热成像(LITI)给体片材。然后将给体片材的涂敷侧向下置于5cm×5cm玻璃基板顶部上。然后完成激光引发的热转移，使用比如得自如美国专利6,114,088(Wolk)的CW Nd:YAG激光器的聚焦激光束来图案化玻璃基材。然后使用RIB蚀刻掉基质，使用SEM对得到的纳米线图案成像。
实施例3，金纳米棒的排列：
根据T.K.Sau和C.J.Murphy，Langmuir，20，(2004)6414研发的方法，通过首先制备金纳米粒子种然后将所述种生长成金纳米粒子棒而制造金纳米棒在水中的分散体。在超纯水中制造0.01M HAuCl4(Aldrich)的储备溶液。该溶液清澈并是黄色的。通过在60mL超纯水中溶解2.08g溴化十六烷基三甲基铵(CTAB，Aldrich)制备0.1M的溶液。必须温和地加热该溶液以完全地溶解所有的CTAB。CTAB溶液是清澈和无色的。通过混合0.250mL的HAuCl4储备溶液，和7.5mLCTAB储备溶液，并涡旋化所述溶液约30秒制备金纳米粒子种。得到的混合物清澈并为橙色。加入0.600mL 0.01M的氢化硼钠(NaBH4，Aldrich)溶液。NaBH4在使用之前立即制备，并在冰浴中冷却约2～3分钟。通过涡旋(Mini Vortexter MV 1，VWR Scientific)混合所述溶液30秒，等待30秒，然后再次涡旋30秒。加入NaBH4时，混合物立即改变颜色到红褐色。通过混合2ml的HAuCl4储备溶液与50ml的CTAB储备溶液制备金纳米棒。向该溶液加入5.64mg抗坏血酸(Aldrich)。一旦加入抗坏血酸，溶液变清澈和无色。最终，加入0.0833mL金纳米粒子种随后涡旋30秒。然后静置该溶液3小时。在反应过程中，溶液颜色从清澈变为紫色。因为CTAB的高浓度，过夜后从溶液沉淀出表面活性剂。该过程通过在4℃下储存溶液2～3小时促进。洗涤并过滤得到的溶液和沉淀物，得到清澈的，紫色溶液。
向2g金纳米棒分散体中依次加入在水中的60微升30％的氢氧化铵，在水中的60微升10％的APG 325，和0.25g向列化合物A以形成基质分散体。通过磁性搅拌棒搅拌基质分散体至少一小时。
基质分散体中的金纳米棒，以记载于实施例1的方式涂敷在二氧化硅基底的PET上。
实施例4，排列的金纳米棒的转移：
使用记载于实施例3的金纳米棒基质分散体和记载于制备实施例2的LTHCI薄膜，通过根据记载于实施例1的方法，用金纳米棒基质分散体涂敷LTHCI薄膜而制备给体片材。根据记载于实施例2的方法转移金纳米棒基质层。然后使用RIE蚀刻掉基质，使用SEM对得到的纳米线图案成像。
实施例5，铁氧氢氧化物纳米棒的排列
通过溶解9.9g未氧化的FeCl2·4H2O晶体于1L氮气鼓泡30分钟以除去溶解氧的蒸馏水中，而制备铁氧氢氧化物(iron oxy hydroxide)纳米棒的悬浮液。溶液保持在2L广口瓶中。加入110ml 1M的碳酸氢钠，用空气代替氮气以30～40mL/min的流速鼓泡通过所述混合物。连续搅拌混合物。在48小时之内完成氧化，在所述期间悬浮液的颜色从蓝绿色变成赭色。通过碳酸氢钠缓冲液，自动控制氧化期间的pH在大约7。48小时之后，离心悬浮液产生铁氧氢氧化物纳米棒的湿滤饼。重复该方法直到得到50g的湿滤饼。
首先通过用1升氢氧化铵溶液沉降和倾析来洗涤约50g的该饼，所述氢氧化铵溶液通过加入20mls浓氢氧化铵到980ml去离子水中制备。然后用一升去离子水洗涤所述产品两次。最终沉降之后(大于一周)通过倾析分离上清液，并搅拌残渣以再悬浮所述粒子。通过加入浓氢氧化铵到聚丙烯酸溶液中，直到pH为9，并稀释到6.7％的聚丙烯酸，而制备6.7％(聚丙烯酸的等价重量百分数)的聚丙烯酸铵溶液。约4g该溶液被加入300g的洗过的铁氧氢氧化物纳米棒的分散体中，同时非常快速地使用IKA Works结合T18混合器(IKA Works，Inc.Wilmington，North Carolina)搅拌。该加入之后，使用Sonics VCXVibracell Ultrasonic液体处理器(Sonics and Materials，Inc.，Newton.Connecticut)用超声波能处理得到的分散体，以进一步分散所述粒子。
向0.25g来自制备实施例1的向列化合物A中加入2g的上述分散体。加入水中的60微升30％的氢氧化铵，随后水中的60微升的10％的APG 325。通过磁性搅拌棒搅拌铁氧氢氧化物纳米棒基质分散体至少一小时。然后其以记载于实施例1的方式涂敷在二氧化硅基底的PET上。
实施例6，排列的铁氧氢氧化物纳米棒的转移：
使用记载于实施例5的铁氧氢氧化物纳米棒基质分散体和记载于实施例2的LITI给体片材，根据记载于实施例1的方法，用铁氧氢氧化物纳米棒基质分散体涂覆所述LITI给体片材。根据记载于实施例2的方法转移铁氧氢氧化物纳米棒基质层。然后使用RIE蚀刻掉基质，使用SEM对得到的纳米线图案成像。
不离开本发明的范围和原则的各种修改和变更对于本领域技术人员是明显的，很清楚本发明不过分地限于上述说明性的实施方式。

Claims (23)

1.一种制造包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法，其中所述方法包括以下步骤：
a)排列多个第一半导体纳米粒子；
b)在第一给体片材上沉积所述排列的第一半导体纳米粒子；和
c)通过使用激光照射，将至少一部分所述排列的第一半导体纳米粒子转移到受体基材。
2.如权利要求1的方法，其中所述半导体纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。
3.如权利要求1的方法，其中步骤a)通过在织构的或微孔道的表面中或其上的毛细流动的排列而实现。
4.如权利要求1的方法，其中步骤a)通过在自组装单层(SAM)上模板化的排列而实现。
5.如权利要求1的方法，其中步骤a)通过在织构聚合物表面上模板化的排列而实现。
6.如权利要求1的方法，其中步骤a)通过排列而实现，所述排列通过在包括向列型液晶的组合物中混合，随后剪切取向所述向列型液晶而进行。
7.如权利要求1的方法，另外包括以下步骤：
d)排列第二多个第二纳米粒子；
e)将所述排列的第二纳米粒子沉积在第二给体片材上；和
f)通过使用激光照射，将至少一部分所述排列的第二纳米粒子转移到相同的受体基材。
8.如权利要求7的方法，其中所述第二纳米粒子是半导体纳米粒子。
9.如权利要求8的方法，其中所述第二纳米粒子与所述第一半导体纳米粒子的组成不同。
10.如权利要求7的方法，其中所述第二纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。
11.如权利要求10的方法，其中所述第二纳米粒子与所述第一半导体纳米粒子的组成不同。
12.如权利要求7的方法，其中所述第二纳米粒子是导电的纳米粒子。
13.如权利要求7的方法，其中所述第二纳米粒子是不导电的纳米粒子。
14.如权利要求1的方法，另外包括以下步骤：
d)排列第二多个第二纳米粒子；
e)将所述排列的第二纳米粒子沉积到第一给体片材上；和
f)通过使用激光照射，将至少一部分所述排列的第二纳米粒子转移到相同的受体基材。
15.如权利要求14的方法，其中所述第二纳米粒子是半导体纳米粒子。
16.如权利要求15的方法，其中所述第二纳米粒子与所述第一半导体纳米粒子的组成不同。
17.如权利要求14的方法，其中所述第二纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。
18.如权利要求17的方法，其中所述第二纳米粒子与所述第一半导体纳米粒子的组成不同。
19.如权利要求14的方法，其中所述第二纳米粒子是导电的纳米粒子。
20.如权利要求14的方法，其中所述第二纳米粒子是不导电的纳米粒子。
21.一种根据权利要求1的方法制造的包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件。
22.一种根据权利要求7的方法制造的包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件。
23.一种根据权利要求14的方法制造的包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件。
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